所述芯片重叠的部分加热收 缩，从而除去所述扩展工序中产生的松弛，保持所述芯片的间隔的工序；
[0140] (h)从所述晶片加工用胶带的粘合剂层中拾取带有所述胶粘剂层的所述芯片的工 序。
[0141] 半导体装置的制造方法（B)
[0142] 包括如下的工序的半导体装置的制造方法，SP，
[0143] (a)在形成有电路图案的晶片表面贴合表面保护胶带的工序；
[0144] (b)研削所述晶片背面的背面研磨工序；
[0145] (c)在将所述晶片加热到70~80°C的状态下，在所述晶片背面贴合所述晶片加工 用胶带的胶粘剂层的工序；
[0146] (d)从所述晶片表面剥离所述表面保护胶带的工序；
[0147] (e)沿着所述晶片表面的截断线照射激光，将所述晶片截断为芯片的工序；
[0148] (f)通过扩张所述晶片加工用胶带，从而按照每个所述芯片截断所述胶粘剂层，得 到带有所述胶粘剂层的多个芯片的扩展工序；
[0149] (g)在扩张后的所述晶片加工用胶带中，通过使不与所述芯片重叠的部分加热收 缩，从而除去所述扩展工序中产生的松弛，保持所述芯片的间隔的工序；
[0150](h)从所述晶片加工用胶带的粘合剂层中拾取带有所述胶粘剂层的所述芯片的工 序。
[0151] 半导体装置的制造方法（C)
[0152] 包括如下的工序的半导体装置的制造方法，SP，
[0153] (a)在形成有电路图案的晶片表面贴合表面保护胶带的工序；
[0154] (b)研削所述晶片背面的背面研磨工序；
[0155] (c)在将所述晶片加热到70~80°C的状态下，在所述晶片背面贴合所述晶片加工 用胶带的胶粘剂层的工序；
[0156] (d)从所述晶片表面剥离所述表面保护胶带的工序；
[0157] (e)用划片刀沿着截断线切削所述晶片，截断为芯片的工序；
[0158] (f)通过扩张所述晶片加工用胶带，从而按照每个所述芯片截断所述胶粘剂层，得 到带有所述胶粘剂层的多个芯片的扩展工序；
[0159] (g)在扩张后的所述晶片加工用胶带中，通过使不与所述芯片重叠的部分加热收 缩，从而除去所述扩展工序中产生的松弛，保持所述芯片的间隔的工序；
[0160] (h)从所述晶片加工用胶带的粘合剂层中拾取带有所述胶粘剂层的所述芯片的工 序。
[0161] 半导体装置的制造方法（D)
[0162] 包括如下的工序的半导体装置的制造方法，SP，
[0163] (a)将形成有电路图案的晶片用划片刀沿着预定截断线切削至小于所述晶片的厚 度的深度的工序；
[0164] (b)在所述晶片表面贴合表面保护胶带的工序；
[0165] (c)研削所述晶片背面而截断为芯片的背面研磨工序；
[0166] (d)在将所述晶片加热到70~80°C的状态下，在被截断为所述芯片的所述晶片背 面贴合所述晶片加工用胶带的胶粘剂层的工序；
[0167] (e)从被截断为所述芯片的所述晶片表面剥离表面保护胶带的工序；
[0168] (f)通过扩张所述晶片加工用胶带，从而按照每个所述芯片截断所述胶粘剂层，得 到带有所述胶粘剂层的多个芯片的扩展工序；
[0169] (g)在扩张后的所述晶片加工用胶带中，通过使不与所述芯片重叠的部分加热收 缩从而除去所述扩展工序中产生的松弛，保持所述芯片的间隔的工序；
[0170] (h)从所述晶片加工用胶带的粘合剂层中拾取带有胶粘剂层的所述芯片的工序。
[0171] 半导体装置的制造方法（E)
[0172] 包括如下的工序的半导体装置的制造方法，SP，
[0173] (a)在形成有电路图案的晶片表面贴合表面保护胶带的工序；
[0174] (b)沿着所述晶片的截断线照射激光，在所述晶片内部形成由多光子吸收造成的 改性区域的工序；
[0175] (c)研削所述晶片背面的背面研磨工序；
[0176] (d)在将所述晶片加热到70~80°C的状态下，在所述晶片背面贴合所述晶片加工 用胶带的胶粘剂层的工序；
[0177] (e)从所述晶片表面剥离所述表面保护胶带的工序；
[0178] (f)通过扩张所述晶片加工用胶带，从而将所述晶片和所述晶片加工用胶带的所 述胶粘剂层沿着截断线截断，得到带有所述胶粘剂层的多个芯片的扩展工序；
[0179] (g)在扩张后的所述晶片加工用胶带中，通过使不与所述芯片重叠的部分加热收 缩，从而除去所述扩展工序中产生的松弛，保持所述芯片的间隔的工序；
[0180] (h)从所述晶片加工用胶带的粘合剂层中拾取带有所述胶粘剂层的所述芯片的工 序。
[0181] <使用方法>
[0182] 参照图2~图5,对将本发明的晶片加工用胶带10应用于上述半导体装置的制造 方法（A)时的胶带的使用方法进行说明。首先，如图2所示，在形成有电路图案的晶片W的 表面，贴合在粘合剂中含有紫外线固化性成分的电路图案保护用的表面保护胶带14,实施 研削晶片W的背面的背面研磨工序。
[0183] 在背面研磨工序结束后，如图3所示，在晶片贴膜机（wafermounter)的加热台25 上，将表面侧朝下地载放晶片W后，在晶片W的背面贴合晶片加工用胶带10。此处使用的晶 片加工用胶带10是层叠有被预先切断（预切割）为与所贴合的晶片W对应的形状的粘接膜 的胶带，在与晶片W贴合的面中，在露出了胶粘剂层13的区域的周围露出粘合剂层12。将 该晶片加工用胶带10的露出了胶粘剂层13的部分与晶片W的背面贴合，并且将胶粘剂层 13的周围的露出了粘合剂层12的部分与环形框20贴合。此时，加热台25被设定为70~ 80 °C，利用它实施加热贴合。
[0184] 然后，将贴合有晶片加工用胶带10的晶片W从加热台25上搬出，如图4所示，将 晶片加工用胶带10侧朝下地载放到吸附台26上。此后，从吸附固定在吸附台26的晶片W 的上方，使用能量射线光源27,向表面保护胶带14的基材面侧照射例如lOOOmJ/cm2的紫外 线，降低表面保护胶带14对晶片W的粘接力，从晶片W表面剥离表面保护胶带14。
[0185] 然后，如图5所示，沿着截断线，对晶片W的预定分割部分照射激光L，在晶片W的 内部形成由多光子吸收造成的改性区域32。
[0186] 然后，如图6的（a)所示，使基材膜11侧朝下地将贴合有晶片W及环形框20的晶 片加工用胶带10载放在扩展装置的载台21上。
[0187] 然后，如图6(b)所示，在将环形框20固定的状态下，使扩展装置的空心圆柱形状 的顶出构件22沿A方向上升，扩张（扩展）晶片加工用胶带10。作为扩张条件，扩展速度 例如为5~500mm/sec，扩展量（顶出量）例如为5~25mm。通过像这样将晶片加工用胶带 10沿晶片W的径向拉伸，从而将晶片W以所述改性区域32为起点截断为芯片34单元。此 时，胶粘剂层13在与晶片W的背面粘接的部分可以抑制由扩张造成的伸长（变形）而不引 起断裂，然而在芯片34间的位置，由胶带的扩张造成的张力集中而断裂。因而，如图6 (c)所 示，胶粘剂层13也与晶片W-起被截断。由此，就能得到带有胶粘剂层13的多个芯片34。
[0188] 然后，如图7所示，进行如下的工序，S卩，将顶出构件22送回原来的位置，除去在先 前的扩展工序中产生的晶片加工用胶带10的松弛，用以稳定地保持芯片34的间隔。该工 序中，例如，使用热风喷嘴29将90~120°C的热风吹送到晶片加工用胶带10中的存在有芯 片34的区域与环形框20之间的圆环状的加热收缩区域28从而使基材膜11加热收缩，使 晶片加工用胶带10拉紧。其后，对粘合剂层12实施能量射线固化处理或热固化处理等，减 弱粘合剂层12对胶粘剂层13的粘合力后，从基材膜11侧用顶针（pin)将芯片34顶出，使 芯片34和胶粘剂层13从粘合剂层12中剥离，拾取芯片34。
[0189] [实施例]
[0190] 下面，为了使本发明的效果更加明确，对实施例及比较例进行详细说明，但是本发 明并不限定于这些实施例。
[0191] 〔晶片加工用胶带的制作〕
[0192] (1)基材膜的制作
[0193] 将利用自由基聚合法合成的乙烯一甲基丙烯酸一甲基丙烯酸乙酯（质量比7. 5: 1.4 :1. 1)3元共聚物的锌离聚物（密度0.93g/cm3、锌离子含量5质量％、氯含量小于1质 量％、维卡软化点55°C、熔点85°C)的树脂珠在140°C熔融，使用挤出机成形为厚100ym的 长条薄膜状从而制作出基材膜。
[0194] (2)丙烯酸系共聚物的配制
[0195](a- 1)
[0196] 作为具有官能团的丙烯酸系共聚物（A1)，配制出由丙烯酸2 -乙基己酯、丙烯酸 2 -羟基乙酯及丙烯酸构成，质均分子量为80万的共聚物。然后，以使碘值为20的方式， 作为具有能量射线固化性碳一碳双键的化合物（A2)，添加甲基丙烯酸2 -异氰酸基乙酯， 配制出玻璃化温度为一 60°C，羟值为30mgK0H/g，酸值为5mgK0H/g的丙烯酸系共聚物（a- 1)〇
[0197](a- 2)
[0198] 作为具有官能团的丙烯酸系共聚物（A1)，配制出由丙烯酸正丁酯、丙烯酸2 -羟 基乙酯及丙烯酸构成，质均分子量为70万，玻璃化温度为一 70°C，羟值为20mgK0H/g，酸值 为3mgK0H/g的丙烯酸系共聚物（a- 2)。
[0199](a- 3)
[0200] 作为具有官能团的丙烯酸系共聚物（A1)，配制出由丙烯酸月桂酯、丙烯酸2 -羟 基乙酯及丙烯酸构成，质均分子量为80万的共聚物。然后，以使碘值为20的方式，作为具 有能量射线固化性碳一碳双键的化合物（A2)，添加甲基丙烯酸2 -异氰酸基乙酯，配制出 玻璃化温度为5°C、羟值为50mgK0H/g、酸值为6mgK0H/g的丙烯酸系共聚物（a- 3)。
[0201] (a- 4)
[0202] 作为具有官能团的丙烯酸系共聚物（A1)，配制出由丙烯酸月桂酯、丙烯酸2 -羟 基乙酯及丙烯酸构成，质均分子量为80万，玻璃化温度为一 10°C，羟值为30mgK0H/g，酸值 为3mgK0H/g的丙烯酸系共聚物（a- 4)。
[0203] (3)胶粘剂组合物的调配
[0204] (d - 1)
[0205] 向由环氧树脂"YDCN- 703"（东都化成株式会社制、商品名、甲酚酚醛清漆型环氧 树脂、环氧当量210)30质量份、作为环氧树脂的固化剂的酚醛树脂"MILEXXLC-LL"（三 井化学株式会社制、商品名、酚醛树脂）25质量份、作为硅烷偶联剂的"A- 1160"（日本 UNICAR株式会社制、商品名）1.8质量份、及"A- 189"（日本UNICAR株式会社制、商品 名）L0质量份、作为二氧化硅填充剂（粒子）的"AEROSILR972"（日本AER0SIL株式会社 制、商品名、平均粒径：〇. 016ym、比表面积120m2/g) 22. 2质量份构成的组合物中，加入环己 酮，搅拌混合后使用珠磨机再混炼90分钟。
[0206] 向其中加入含有3质量％的来自于丙烯酸缩水甘油酯或甲基丙烯酸缩水甘油酯 的单体单元的作为丙稀酸橡胶（高分子量成分）的"HTR- 860P- 3"（NagaseChemteX 株式会社制、商品名、质均分子量80万）200质量份、及作为固化促进剂的"CURESOL2PZ- CN"（四国化成工业株式会社制、商品名、1 -氰基乙基一2 -苯基咪唑）0. 01质量份，搅拌 混合，得到胶粘剂组合物（d- 1)。
[0207] <实施例1>