装置（Canon Machinery公司制、商品名CAP- 300II)的拾取试验，将从粘合剂层剥离了的胶粘剂层被保 持在芯片上的设为拾取成功的产品，算出拾取成功率。
[0288] 而且，拾取成功率为90%以上的能判定为合格。
[0289](拾取条件：娃晶片50ym厚）
[0290]芯片贴合机：CanonMachinery公司制"CAP-300II"
[0291] 顶针数：4根
[0292]顶针的间隔：9. 0X9. 0mm
[0293] 顶针头端曲率：0? 25mm
[0294] 顶针顶出量：0.30mm
[0295] 顶针顶出速度：300mm/min
[0296] 顶针顶出保持时间：100ms
[0297] 将结果表示于表1中。
[0298][表1]
[0299]
[0300] 如表1所示，在实施例1~14的晶片加工用胶带的粘合剂层12中，在所述粘合剂 层的基材膜附近面与胶粘剂层附近面的基于红外吸收光谱分析的4000~650cnT1的红外 光谱的匹配度为95%以下。另外，在实施例1~14的胶粘剂层附近的粘合剂层中，使用的 是使用了丙烯酸系共聚物（a- 1)的粘合剂组合物1、或使用了丙烯酸系共聚物（a- 3)的 粘合剂组合物3,因此实施例1~8的晶片加工用胶带是含有在分子中具有放射线固化性 碳一碳双键的化合物（A)、和选自聚异氰酸酯类、三聚氰胺-甲醛树脂及环氧树脂中的至少 1种的化合物（B)的晶片加工用胶带。
[0301] 实施例1~14的晶片加工用胶带显而易见是如下的晶片加工用胶带，S卩，能在刀 片划片工序后的拾取时不对半导体芯片施加应力地、与半导体芯片容易地剥离，同时还具 有适合于利用扩张来截断胶粘剂层的工序的均匀扩张性，并且拾取性优异。
[0302] 与此不同，如果如比较例1和2所示，用一个粘合剂组合物来构成粘合剂层，则红 外吸收光谱的匹配度为100%。根据比较例1和2,显而易见，在粘合剂层的基材膜附近面与 胶粘剂层附近面的基于红外吸收光谱分析的4000~650CHT1的红外光谱的匹配度为95% 以上的情况下，在刀片划片工序时会产生芯片飞散或拾取不良。另外，在比较例3的胶粘剂 层附近的粘合剂层中，使用的是使用了丙烯酸系共聚物（a- 2)的粘合剂组合物2,丙烯酸 系共聚物（a- 2)在分子中不具有放射线固化性碳一碳双键。根据比较例3,显而易见，如 果剥离膜附近的粘合剂层不含有在分子中具有放射线固化性碳一碳双键的化合物（A)、和 选自聚异氰酸酯类、三聚氰胺-甲醛树脂及环氧树脂中的至少1种的化合物（B)，则即使基 材膜附近面与胶粘剂层附近面的在红外吸收光谱中的匹配度为95%以下而截断性优异，拾 取成功率也会变差。
[0303] 而且，所述的半导体装置的制造方法B到D除了在扩展工序中已经被截断为各个 芯片这一点以外，进行与半导体装置的制造方法A中的扩展工序、热收缩工序、拾取工序同 等的工序。另外，所述的半导体装置的制造方法E与半导体装置的制造方法A相比，提前进 行照射激光而形成改性区域的工序。因而，显而易见，使用了实施例1~14及比较例1~ 3的晶片加工用胶带10时的结果是与表1中所示的结果同等的结果，在半导体装置的制造 方法B到E中也是，从截断性、刀片划片性、拾取性的观点考虑，使用本发明的晶片加工用胶 带10是有用的做法。
[0304] 附图标记的说明
[0305] 10晶片加工用胶带
[0306] 11基材膜
[0307] 12粘合剂层
[0308] 13胶粘剂层
[0309] 14表面保护胶带
[0310] 15粘合带
[0311] 20环形框
[0312] 21 载台
[0313] 22顶出构件
[0314] 25加热台
[0315] 26吸附台
[0316] 27能量射线光源
[0317] 28加热收缩区域
[0318] 29热风喷嘴
[0319] 32改性区域
[0320] 34 芯片
[0321] L 激光
[0322] W 晶片
【主权项】
1. 一种粘合带，其特征在于， 在基材膜的一方的面层叠有粘合剂层， 在比较从所述粘合剂层的所述基材膜侧的表面起厚I ym的区域的基于红外吸收光谱 分析的4000~650cm_1的红外光谱、和从所述粘合剂层的与所述基材膜侧相反一侧的表 面起厚I ym的区域的基于红外吸收光谱分析的4000~650cm_ 1的红外光谱时，匹配度为 95%以下， 从与所述基材膜侧相反一侧的表面起厚I ym的区域的粘合剂层含有在分子中具有辐 射固化性碳一碳双键的化合物（A)、和选自聚异氰酸酯类、三聚氰胺-甲醛树脂及环氧树脂 中的至少1种的化合物（B)。2. 根据权利要求1所述的粘合带，其特征在于， 所述粘合剂层的厚度为1. 5~15 ym。3. 根据权利要求1或2所述的粘合带，其特征在于， 所述具有放射线固化性碳一碳双键的化合物（A)的碘值为0. 5~30。4. 根据权利要求1~3中任一项所述的粘合带，其特征在于， 所述具有放射线固化性碳一碳双键的化合物（A)的分子量为30万~200万。5. -种晶片加工用胶带，其特征在于， 在权利要求1~4中任一项所述的粘合带的所述粘合剂层的、至少预定要贴合晶片的 部分层叠有胶粘剂层， 在预定向划片框贴合的部分未层叠有所述胶粘剂层。6. -种半导体装置的制造方法，其特征在于， 所述半导体装置的制造方法是使用权利要求5中所述的晶片加工用胶带制造半导体 装置的方法，其包括： (a) 在形成有电路图案的晶片表面贴合表面保护胶带的工序； (b) 研削所述晶片背面的背面研磨工序； (c) 在将所述晶片加热到70~80°C的状态下，在所述晶片背面贴合所述晶片加工用胶 带的胶粘剂层的工序； (d) 从所述晶片表面剥离所述表面保护胶带的工序； (e) 沿着所述晶片的截断线照射激光，在所述晶片内部形成由多光子吸收造成的改性 区域的工序； (f) 通过扩张所述晶片加工用胶带，从而将所述晶片与所述晶片加工用胶带的所述胶 粘剂层沿着截断线截断，得到带有所述胶粘剂层的多个芯片的扩展工序； (g) 在扩张后的所述晶片加工用胶带中，通过使不与所述芯片重叠的部分加热收缩，从 而除去所述扩展工序中产生的松弛，保持所述芯片的间隔的工序； (h) 从所述晶片加工用胶带的粘合剂层中拾取带有所述胶粘剂层的所述芯片的拾取工 序。7. -种半导体装置的制造方法，其特征在于， 所述半导体装置的制造方法是使用权利要求5中所述的晶片加工用胶带制造半导体 装置的方法，其包括： (a)在形成有电路图案的晶片表面贴合表面保护胶带的工序； (b) 研削所述晶片背面的背面研磨工序； (c) 在将所述晶片加热到70~80°C的状态下，在所述晶片背面贴合所述晶片加工用胶 带的胶粘剂层的工序； (d) 从所述晶片表面剥离所述表面保护胶带的工序； (e) 沿着所述晶片表面的截断线照射激光，将所述晶片截断为芯片的工序； (f) 通过扩张所述晶片加工用胶带，从而按照每个所述芯片截断所述胶粘剂层，得到带 有所述胶粘剂层的多个芯片的扩展工序； (g) 在扩张后的所述晶片加工用胶带中，通过使不与所述芯片重叠的部分加热收缩，从 而除去所述扩展工序中产生的松弛，保持所述芯片的间隔的工序； (h) 从所述晶片加工用胶带的粘合剂层中拾取带有所述胶粘剂层的所述芯片的拾取工 序。8. -种半导体装置的制造方法，其特征在于， 所述半导体装置的制造方法是使用权利要求5中所述的晶片加工用胶带制造半导体 装置的方法，其包括： (a) 在形成有电路图案的晶片表面贴合表面保护胶带的工序； (b) 研削所述晶片背面的背面研磨工序； (c) 在将所述晶片加热到70~80°C的状态下，在所述晶片背面贴合所述晶片加工用胶 带的胶粘剂层的工序； (d) 从所述晶片表面剥离所述表面保护胶带的工序； (e) 用划片刀沿着截断线切削所述晶片，截断为芯片的工序； (f) 通过扩张所述晶片加工用胶带，从而按照每个所述芯片截断所述胶粘剂层，得到带 有所述胶粘剂层的多个芯片的扩展工序； (g) 在扩张后的所述晶片加工用胶带中，通过使不与所述芯片重叠的部分加热收缩，从 而除去所述扩展工序中产生的松弛，保持所述芯片的间隔的工序； (h) 从所述晶片加工用胶带的粘合剂层中拾取带有所述胶粘剂层的所述芯片的拾取工 序。9. 一种半导体装置的制造方法，其特征在于， 所述半导体装置的制造方法是使用权利要求5中所述的晶片加工用胶带制造半导体 装置的方法，其包括： (a) 将形成有电路图案的晶片用划片刀沿着预定截断线切削至小于所述晶片的厚度的 深度的工序； (b) 在所述晶片表面贴合表面保护胶带的工序； (c) 研削所述晶片背面而截断为芯片的背面研磨工序； (d) 在将所述晶片加热到70~80°C的状态下，在被截断为所述芯片的所述晶片背面， 贴合所述晶片加工用胶带的胶粘剂层的工序； (e) 从被截断为所述芯片的所述晶片表面剥离表面保护胶带的工序； (f) 通过扩张所述晶片加工用胶带，从而按照每个所述芯片截断所述胶粘剂层，得到带 有所述胶粘剂层的多个芯片的扩展工序； (g) 在扩张后的所述晶片加工用胶带中，通过使不与所述芯片重叠的部分加热收缩而 除去所述扩展工序中产生的松弛，保持所述芯片的间隔的工序； (h)从所述晶片加工用胶带的粘合剂层中拾取带有胶粘剂层的所述芯片的拾取工序。10. -种半导体装置的制造方法，其特征在于， 所述半导体装置的制造方法是使用权利要求5中所述的晶片加工用胶带制造半导体 装置的方法，其包括： (a) 在形成有电路图案的晶片表面贴合表面保护胶带的工序； (b) 沿着所述晶片的截断线照射激光，在所述晶片内部形成由多光子吸收造成的改性 区域的工序； (c) 研削所述晶片背面的背面研磨工序； (d) 在将所述晶片加热到70~80°C的状态下，在所述晶片背面贴合所述晶片加工用胶 带的胶粘剂层的工序； (e) 从所述晶片表面剥离所述表面保护胶带的工序； (f) 通过扩张所述晶片加工用胶带，从而将所述晶片与所述晶片加工用胶带的所述胶 粘剂层沿着截断线截断，得到带有所述胶粘剂层的多个芯片的扩展工序； (g) 在扩张后的所述晶片加工用胶带中，通过使不与所述芯片重叠的部分加热收缩，从 而除去所述扩展工序中产生的松弛，保持所述芯片的间隔的工序； (h) 从所述晶片加工用胶带的粘合剂层中拾取带有所述胶粘剂层的所述芯片的工序。
【专利摘要】本发明的目的在于，提供一种晶片加工用胶带，其具有适于利用扩张来截断胶粘剂层的工序的均匀扩张性和拾取性，并且刀片划片工序中的切削性和拾取性也优异。本发明使用如下的粘合带，其特征在于，在基材膜的一方的面上层叠粘合剂层，在比较从所述粘合剂层的所述基材膜侧的表面起厚1μm的区域的基于红外吸收光谱分析的4000～650cm－1的红外光谱、和从所述粘合剂层的与所述基材膜侧相反一侧的表面起厚1μm的区域的基于红外吸收光谱分析的4000～650cm－1的红外光谱时，匹配度为95％以下，从与所述基材膜侧相反一侧的表面起厚1μm的区域的粘合剂层含有在分子中具有放射线固化性碳－碳双键的化合物(A)、和选自聚异氰酸酯类、三聚氰胺-甲醛树脂及环氧树脂中的至少1种的化合物(B)。
【IPC分类】C09J4/00, C09J7/02, H01L21/301, H01L21/304
【公开号】CN105143380
【申请号】CN201480016641
【发明人】佐野透, 杉山二朗, 矢吹朗
【申请人】古河电气工业株式会社
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2014年3月27日
【公告号】WO2014157471A1