自动清洗腔体装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及自动清洗腔体装置，尤其涉及适用于湿法工艺腔体的自动清洗装置。
【背景技术】
[0002]在半导体湿法工艺中使用的湿法工艺腔体，在工艺过程中会产生大量的残留物，这些残留物会附着在腔体的内壁上，难以清理。目前没有一种有效的清洗设备来去除附着于湿法工艺腔体内壁上的残留物。而如果残留物得不到有效的清理，将会影响湿法工艺的效果，也会影响设备的使用寿命。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于解决上述问题，提供了一种自动清洗腔体装置，对湿法工艺腔体进行清洗，去除腔体内壁上的残留物。
[0004]本发明的技术方案为:本发明揭示了一种自动清洗腔体装置，包括:
[0005]外壳，具有顶板和侧壁；
[0006]喷头，固定在外壳的顶板的下底面，对准腔体内喷射清洗液体。
[0007]根据本发明的自动清洗腔体装置的一实施例，自动清洗腔体装置安装在半导体制造的湿法工艺腔体上。
[0008]根据本发明的自动清洗腔体装置的一实施例，外壳的顶板的下底面有一风扇，喷头围绕在风扇的四周。
[0009]根据本发明的自动清洗腔体装置的一实施例，喷头喷射的清洗液体是去离子水。
[0010]根据本发明的自动清洗腔体装置的一实施例，每一喷头的喷射角度设置成所有喷头喷射出的清洗液体能够覆盖整个腔体。
[0011]根据本发明的自动清洗腔体装置的一实施例，喷头是直射喷头或散射喷头。
[0012]本发明对比现有技术有如下的有益效果:本发明通过在自动清洗腔体装置上安装喷头，对腔体内喷射去离子水等清洗液体，以达到清洗的目的，相对于人工清洗腔体的方式，提高了清洗的工作效率，降低了清洗的维护成本。
【附图说明】
[0013]图1示出了本发明的自动清洗腔体装置的较佳实施例的立体图。
[0014]图2示出了图1所示的实施例的俯视图。
[0015]图3示出了图1所示的实施例的仰视图。
[0016]图4示出了自动清洗腔体装置中的单个喷头的结构图。
[0017]图5示出了图4所示的喷头的剖面图。
[0018]图6和图7示出了自动清洗腔体装置中喷头喷射范围的示意图。
【具体实施方式】
[0019]为详细说明本发明的技术内容、构造特征、所达成目的及效果，下面将结合实施例并配合图式予以详细说明。
[0020]图1示出了本发明的自动清洗腔体装置的较佳实施例的立体结构，图2示出了其俯视图，图3示出了其仰视图。请同时参见图1至图3，本实施例的自动清洗腔体装置安装在半导体制造的湿法工艺腔体上，装置包括外壳和喷头3，其中外壳具有顶板I和侧壁2。喷头在本实施例中示出为4个，固定在外壳的顶板I的下底面，并且位于四个角上，对准腔体内喷射去离子水等清洗液体。
[0021]较佳的，在外壳的顶板I的下底面还具有一风扇，喷头3的固定位置围绕在风扇的四周。
[0022]喷头3的结构有多种，简单的分类是直射式或者散射式。举例来说，图4示出了一种喷头的例子，其剖面结构如图5所示，喷头3的喷射角度是可以设置的。由于每个喷头具有一定的喷射角度，能够覆盖某一范围，通过对每个喷头的喷射角度的合理设计，使得所有喷头喷射出的清洗液体能够覆盖整个腔体，毫无死角，如图6和7所示，示出了喷头喷射范围的情况。
[0023]对于直射式的喷头，其优点是喷射力度较大，缺点是喷射覆盖范围较小，通过在适当的位置设计多个直射式的喷头来扩大喷射覆盖范围。对于散射式的喷头，其优点是喷射范围大，可以用较少数量的喷头就覆盖住腔体，但缺点是喷射力度不如直射式的喷头，不过可以通过加大喷射压力的方法来弥补。
[0024]综上所述，本发明通过上述实施方式及相关图式说明，己具体、详实的揭露了相关技术，使本领域的技术人员可以据以实施。而以上所述实施例只是用来说明本发明，而不是用来限制本发明的，本发明的权利范围，应由本发明的权利要求来界定。
【主权项】
1.一种自动清洗腔体装置，包括: 外壳，具有顶板和侧壁； 喷头，固定在外壳的顶板的下底面，对准腔体内喷射清洗液体。2.根据权利要求1所述的自动清洗腔体装置，其特征在于，自动清洗腔体装置安装在半导体制造的湿法工艺腔体上。3.根据权利要求1所述的自动清洗腔体装置，其特征在于，外壳的顶板的下底面有一风扇，喷头围绕在风扇的四周。4.根据权利要求1所述的自动清洗腔体装置，其特征在于，喷头喷射的清洗液体是去离子水。5.根据权利要求1所述的自动清洗腔体装置，其特征在于，每一喷头的喷射角度设置成所有喷头喷射出的清洗液体能够覆盖整个腔体。6.根据权利要求1所述的自动清洗腔体装置，其特征在于，喷头是直射喷头或散射喷头。
【专利摘要】本发明公开了一种自动清洗腔体装置，对湿法工艺腔体进行清洗，去除腔体内壁上的残留物。其技术方案为：自动清洗腔体装置包括外壳和喷头，其中外壳具有顶板和侧壁；喷头固定在外壳的顶板的下底面，对准腔体内喷射清洗液体。
【IPC分类】B08B9/093
【公开号】CN105127164
【申请号】CN201410236041
【发明人】张镇磊, 金一诺, 张怀东, 王坚, 王晖
【申请人】盛美半导体设备（上海）有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2014年5月30日