在氧化物表面上碳纳米管的选择性设置的制作方法

专利名称：在氧化物表面上碳纳米管的选择性设置的制作方法
技术领域：
本发明通常涉及特定表面上碳纳米管的选择性设置。更具体地说，本 发明提供一种方法，该方法使用在特定表面上形成的自组装单层从包括碳 纳米管的^t体吸51或者排斥碳纳米管。本发明还涉及使用氧化物表面上的膦酸的自组装单层用于碳纳米管(CNT)的选择性设置。
技术背景在分子电子学领域，很少有材料展示出与包括具有几埃直径的石墨中 空圆柱体的碳纳米管一样的前景。依靠纳米管的特性，纳米管可以应用于 诸如二极管和晶体管的电子器件。纳米管是独一无二的，因为它们具有独 特的尺寸、外形和物理性质。例如，碳基纳米管类似于巻成圆柱体的碳的 六方晶格。除了甚至在室温M下展示出其诱人的量子行为外，纳米管i^L示出 至少两个重要特性依靠其手性，即构象几何形状，纳米管既具有金属性 也具有半导体性。金属性纳米管具有恒定的电阻率，可以负栽极大的电流 密度。半导体性纳米管可以像场效应晶体管(FET) —样在"开"或"关" 间电转换。通常，半导电碳纳米管用作FET中的沟道.两种类型可以共价 连接(即，配对电子)。这些特性^^纳米管成为制造纳米尺寸的半导体电 路的极好材料。制造碳纳米管FET最常用的现有技术方法始于在氧化物薄膜上从悬 浮液沉积纳米管。然后，在纳米管之上光刻形成源极和漏极接触。氧化层 是栅极介质，并且体Si是器件的背栅极。如图l,其示出了典型的现有技 木碳纳米管FET。在氧化物表面上沉积碳纳米管，接着光刻构图源极和漏极接触，已经
在现有技术中成功应用于单个碳纳米管FET的构建。但是，由纳米管制造 集成电路需要在表面上(即横跨源极和漏极接触)精确设置和对准大量碳 纳米管。E. Valentin等人的"High-deiisity selective placement methods for carbon nanotubes，，， Microelectronic Engineering, 61-62 (2002) ， PP. 491-496公开了使用氨丙基三乙IU^乾(APTS)提高二氧化硅表面与碳 纳米管的附着力的方法。在此现有技术中，使用APTS在Si02上形成硅烷 化表面，其随后用于选择性设置碳纳米管。
如本领域的技术人员公知的，Si02和其它非金属氧化物是酸性氧化物， 其与水结合形成酸。已/^b这样的氧化物有低的等电位点。贯穿本申请的术语"等电位点"是指氧化物分子上的净电荷为零时的pH值。
在E. Valentin等人的文章中公开了现有技术工艺的缺点，即三烷ftj^硅烷在溶液中进行聚合和自组装必须在无水的可控条件下执行。另外，不能在接触印刷中使用常规的聚(二甲M氧烷)(PDMS)印记印刷APTS，因为用于APTS的溶剂可能膨胀并且毁坏这样的印记。
基于以上观点，仍需要提供一种方法，该方法可以选择性设置碳纳米管，而避免在使用APTS的现有技术中描述的选择性设置工艺具有的缺点。

发明内容
本发明提供一种在预定表面上选择性设置碳纳米管方法，该方法避免 了现有技术APTS选择性设置工艺具有的在本申请背景部分提及的难题， 具体地说，本发明涉及一种方法，其中使用在金属氧化物表面(构图或非 构图)上形成的自组装单层从包括碳纳米管的分散体吸引或排斥碳纳米管， 根据本发明，所述碳纳米管可以被吸引到自组装单层以附着到金属氧化物 表面，或者被自组装单层排斥而接合到与包括自组装单层的金属氧化物表 面不同的预定表面。本发明的方法不包括用于形成碳纳米管的硅烷化表面 的形成，如上述现有技术中的情况。相反，使用非珪烷化单层前体形成非 硅烷化自组装单层。
概括地说，本发明的方法包括以下步骤
在衬底的上金属氧化物表面上选择性设置自组装单层； 在所述自组装单层上或在不包括所述自组装单层的所述衬底的表面上 从^lt体沉积碳纳米管；以及从所述衬底除去多余的碳纳米管。本发明的衬底可以包括金属氧化物衬底或者其上包括构图金属氧化物层的诸如Si02的非金属氧化物衬底。优选，本发明中使用的所述自组装单层包括不包括甲硅烷基的单层前体，诸如有机膦酸，所述有机膦酸包括至 少一个与金属氧化物表面键合的膦睃基(-P03H2)。使用这些前体形成的 单层不包括用于选择性碳纳米管设置的硅烷化表面。除了有机膦酸外，本 发明还旨在使用有机异羟肟酸作为单层前体。在整个申请中使用的术语"自 组装单层前体"是指通过静电或者共价键键合到所a面的可以在特定表 面上形成高填充单层的化合物。本发明的一个实施例涉及通过以不用自组装单层覆盖预定区域的方式 (例如，微接触印刷)预构图具有自组装单层的金属氧化物衬底来选择性 设置碳纳米管，然后，通过浸入或者从溶液中提拉，通过沉积在预定区域 中形成碳纳米管。本发明的另一个实施例涉及通过用自组装单层选择性覆盖预定区域并 且随后将衬底浸入碳纳米管的分*:体中，在衬底的预定区域中的金属氧化 物表面上选择性设置碳纳米管，在此情况下，碳纳米管仅在存在自组装单 层的区域上形成。本发明的另一个实施例是预构图如具有如氧化铝或氧化 铪的金属氧化物的氧化硅的酸性氧化物衬底的表面，以侯瀑^H"底的预定 表面。然后，将衬底浸入可以形成自组装单层的溶液中，其中，M金属 氧化物上形成自组装单层。碳纳米管的溶液沉积导致碳纳米管设置在衬底 的预定(氧化硅)区域中。


图1示出了 (通过横截面图)现有技术背栅极场效应晶体管的说明图。图2A-2D示出了 (通过横截面图)使用微型印刷方案选择性设置碳纳
米管的本发明的第 一实施例的说明图。图3示出了用HDPA形成印记，f^用图2A-2D示出的技术沉积碳 纳米管的5.3nm厚的HfG2表面的SEM图像。图4A-4F示出了 (通过横截面图)本发明的第二实施例，其中构图衬 底方案用于选择性设置碳纳米管。图5示出了用图4A-4F示出的方案制备的Si02上构图AI203线的SEM 图像。图6A-6F示出了 (通过横截面图)本发明的第三实施例，该实施例类 似于本发明的第二实施例，除了碳纳米管是被吸引到处理过的表面而不是 如图4A-4F所示的未处理表面。图7示出了用图6A-6F示出的方案制备的Si02上构图A1203线的原子 力显微镜(AFM)图像。
具体实施方式
本发明提供了一种碳纳米管的选择性设置方法，现在通过参考本申请 的附图对本发明进行详细说明。注意，提供示出本发明的不同工艺实施例 的截面图用于说明目的，因此附图没有按比例画出。如上所述，本发明提供一种可以在衬底的预定表面上选择性设置碳纳 米管的方法，具体地说，本发明提供一种使用在构图或非构图的金属氧化 物表面上形成的自组装单层从包括碳纳米管的分散体吸51或排斥碳纳米管 的方法。根据本发明，碳纳米管可以被吸引到自组装单层以附着到金属氧 化物表面，或者被自组装单层排斥以接合到预定表面而不是包括自组装单 层的金属氧化物表面。贯穿本申请的术语"碳纳米管"包括具有纳米尺寸直径和较长长度的 空腔的一维纳米材料。换句话说，碳纳米管具有对这些系统重要的高纵横 比和量子效应。本发明中可以使用的纳米管是单壁或者多壁纳米材料，优 选纳米材料的外径从约0.8nm到约30nm，更优选其外径从约l.Onm到约 2.5nm，优选其长度从约5nm到约100 p m，更优选其长度从约10nm到约
lOum。除了具有外径外，可以用于本发明的纳米管的内经优选从约0.8nm 到约15nm，更优选其内经从约0.8nm到约2.5nm。本发明中使用的纳米 管进一步的特性是具有优选5或更大的量级的高纵横比，更优选其纵横比 从约5到约5000。形成的纳米管包括具有巻起的六方晶格结构的碳基纳米材料。使用本领域的技术人员^^p的技术制造本发明中使用的碳纳米管。例 如，可以通过激光烧蚀，诸如一氧化碳、甲烷和乙醇的不同有机材料的化 学气相沉积(CVD)和放电来形成碳纳米管。首先参考示出了本发明的一个实施例的图2A-2D。在示出的实施例中， 微型印刷方案用于碳纳米管的选择性设置。具体地，使用微接触印刷用自 组装单层12来构图金属氧化物10，其中包括自组装单层12的印记14用 于将自组装单层从印记转移到金属氧化物。图2A示出了提供包括自组装 单层12的印记14和使其与包括至少一种来自元素周期表中的IVB、 VB、 VIB、 VIIB、 VIII或IIA (CAS版本)族的金属的金属氧化物10接触的初 始顺序'说明性地，金属氧化物可以包括A1203、 Hf02、 Ti()2或Zr02。 金属氧化物10可以位于另一种介质材料或半导体材料之上。印记14是包括可以用自组装单层12墨印(ink)的常规印记材料的构 图结构。优选，印记14包括聚(二甲^氧烷)，PDMS。使用微印刷技 术中的技术人员公知的工艺制造减去自组装单层12的印记14。使用常用的墨印工艺把自组装单层12施加于印记14,优选地，印记 14被具有以下功能的单层前体墨印，该前体能够(i )在印记表面上形 成自组装单层12， ( ii )与如具有高等电位点的金属氧化物的^Il氧化物 成键，(iii)排斥附着于包括碳纳米管的表面上的碳纳米管。说明性地， 满足标准(i ) - (iii)的一种前体材料包括结构式为R-P03H2的膦酸， 其中，R是包括从1到约22，优选从1到约16个碳原子的烷基，或者R 是包括从1到12，优选从3到6个环的芳族化合物或杂芳族化合物。杂芳 族化合物可以包括下面的一种原子作为杂原子氮、硫、氧或其組合。在 某些情况下芳族化合物或者杂芳族化合物可以被包括从1到约22个碳原子
的烷基(直链或支链)替代。更优选，自组装单层12由诸如十六烷基膦酸 的烷基膦酸构成。满足标准(i ) - (iii)的另一种前体材料包括普适分子式为 R、CONHOH的异羟將酸，其中R1是包括从1到约22，优选从1到约16 个碳原子的烷基，或者W是包括从1到12优选从3到6个碳原子的芳族 化合物或杂芳族化合物。杂芳族化合物可以包括下面的一种原子作为杂原 子氮、硫、氧或其结合。在某些情况下芳族化合物或者杂芳族化合物可 以被包括从1到约22个碳原子的烷基(直链或支链)替代。更优选，自组 装单层12由诸如十六烷基异羟將酸的烷基异羟肟酸构成。注意，本发明并不旨在使用本发明背景技术部分所述的E. Valentin的 论文公开的硅烷化化学物质来进行碳纳米管的选择性设置。在印记14上，通it^加即墨印包括上述自组装单层前体的一种的溶液 到印记14上形成自组装单层12。优选溶液包括能够形成所述单层的自组 装单层前体的足够浓度。在溶液中存在的所述自组装单层前体优选从约0.5 到约50mM，更优选从约l到约10mM。该溶液还包括至少一种可以溶解 自組装单层前体的溶剂。溶剂可以包括诸如异丙基乙醇的乙醇。其它可以 用来溶解自组装单层前体的溶剂包括己烷、甲苯、氯代烃类和醚。优选用 如He、 Ar、 Ne或者N2的惰性气体流干燥图2A中示出的墨印印记。用自组装单层前体墨印印记14之后，接着将印记14和金属氧化物10 紧密接触。即，用印记压印氧化物表面以转移图形，如自组装单层12。图 2B示出了图形从印记14转移到金属氧化物10之后形成的结构。然后在可 以干燥自组装单层12，的条件下加热包括自组装单层12，的金属氧化物10。 优选，在从约80'C到约120'C的温度下进行约1分钟到约5分钟的时间周 期的加热。更优选，加热步骤在约110'C下进行约2分钟。图2C示出了下一个工艺步骤，其中将溶剂中碳纳米管18的分^t体17 施加到图2B所示的结构。使用本领域的技术人员乂^的技术制备碳纳米 管18的^L体17。优选，通过在有机溶剂(诸如二氯乙烯、N-甲基吡咯 烷酮或二氯甲)中或者在包括从约0.1到约1%的表面活性剂的水溶液中的
碳纳米管的超声处理制备碳纳米管18的^t体17。可以用来制备碳纳米 管的水溶液分散体的表面活性剂的实例包括十二烷基M酸钠盐(DDS) 和诸如Triton N-100或Triton X-100的聚(氧乙烯)替代的芳香化合物。如图2D所示的本发明的实施例，碳纳米管18被自组装单层12，排斥， 并且沉积在金属氧化物10的不包括自组装单层12，的表面上。在碳纳米管 18沉积在金属氧化物10的不包括自组装单层12，的表面上之后，通过使用 可以溶解没有附着到金属氧化物10上的碳纳米管的如二氯乙烯的有机溶 剂漂洗该结构，除去任何多余的碳纳米管。可以剧烈搅动样品以在先前压 印的区域上除去CNT。上述工艺方案导致在衬底10的未压印区域上沉积 碳纳米管18。实例1和图3也对应于本发明的此实施例。碳纳米管的沉积之后，可以利用包括光刻和金属沉积的本领域内7^ 的标准工艺执行器件制造。本发明的第二方法利用自组装单层前体与金属氧化物的选择性粘连。 如图4A-4F所示，本发明的此实施例允许在标准Si02介质层上制造碳纳米 管FET。具体地，本实施例开始于提供包括诸如SK)2的酸性氧化物的衬底 20或其它任意非M氧化物衬底。这在图4A中示出。下一步，如图4B 所示，在衬底20的表面上形成具有至少一个开口 23的构图^氣化物22 即金属氧化物.使用诸如化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相 沉积(PECVD)、蒸发、溶液沉积、金属有机沉积或原子层沉积的常用沉 积工艺形成构图M氧化物.在本发明中，^!氧化物层的厚度不关键。 沉积之后，使用标准光刻以在J^b氧化物层中制造暴露下面的衬底20的至 少一个开口。可选地，在金属氧化物的沉积期间使用构图掩模形成构图基础氧化物22 (以下称为构图金属氧化物22)。图4C与4D分别示出了在构图M氧化物22表面上的自组装单层12， 形成期间与形成后的结构。具体地，图4C示出了施加包括自组装单层前 体12的溶液21时的结构。包括自组装单层前体和溶剂的溶液21与本发明 第一实施例中描述的用于墨印印记的相同。优选，通过在所述溶液中将图 4B的结构浸泡从约2小时到约24小时来执行本发明。在此实施例中，如
图4D所示，自组装单层12，只粘连于金属氧化物表面22上，而不粘连于 衬底20的暴露表面。图4E和4F示出了在衬底20的暴露表面上形成碳纳米管18期间和之 后的结构。如在本发明第一实施例中描述的进行纳米管*。最终结构包 括在衬底20的暴露表面上形成的碳纳米管18。实例2和图5也对应于本 发明的此实施例。注意，以上所述的两个方案可以被i人为是负胶构图，其中碳纳米管不 与存在高疏水自组装单层的区域粘连。但是，如果用对碳纳米管具有亲和 性的功能性，例如胺，结束自组装单层，则会淀进而不是阻止碳纳米管的 吸附。图6A-6F示出了本发明的此实施例。通过首先提供图6A所示的结 构开始本发明的此实例。此结构包括衬底20，衬底20包括诸如酸性氧化 物的非M氧化物。下一步，如图6B所示，在衬底20的表面上形成具有 至少一个开口 23的构图金属氧化物22，以俊暴露衬底20的表面部分。图 6B所示的构图金属氧化物22的形成与以上本发明的第二实施例中所描述 的相同。图6C和6D示出了与包括自组装单层前体12的溶液17相接触期 间及以后的结构。不同于前面的实例，其中自组装单层是疏水的，此实例 使用了包括可以作用于(或吸引)碳纳米管的功能性的自组装单层前体。 在此实施例中，自组装单层前体包括分子式为X-R2-Z的化合物，其中X 是膦g (-P03H2)或异羟坊絲(-CONHOH) ， Z是画NH2、 NHNH2、 -ONH2、 -ONHOH或-Ar (芳族化合物)-N+，并且112是包括从1到22个 ^^、子的直链烷基，國(CH2)n残基，其中n从3到21,如(CH20)x的 烷SJ^，其中x从3到21，包括一到六个苯基、氮苯基、或漆吩基的芳基， 或混合烷基-芳基。优选本发明的此实施例的前体是诸如氨基丁基膦酸 (ABPA)的M烷基膦酸。包括自组装单层前体的溶液17包括第二实施 例中描述的溶剂并且如上所述施加。图6E和6F示出了在衬底20的暴露表面上形成碳纳米管18期间和之 后的结构。如本发明第一实施例所述进行纳米管分歉。最终结构包括在自 组装单层12，的表面上形成的碳纳米管。在此实施例中，由于碳纳米管作用
于或者吸引到自组装单层12，，所以碳纳米管不在衬底20的暴露表面上形 成。实例3和图7也对应于本发明的此实施例。提供下面的实例以说明本发明用于碳纳米管的选择性设置的不同工艺 方案。实例1:通过真空蒸镀用100nm的氧化铪覆盖硅晶片。用5mM异丙基乙醇中 的十六烷基膦酸溶液浸泡具有预构图特征(印压)的聚(二甲氧M烷) (PDMS)印记并用氮气流干燥。然后，将PDMS印记压在具有氧化铪表 面的衬底上并且保持数秒，并且接着在IOO匸时加热一分钟。然后在二氯 乙烯中用碳纳米管的分^t体覆盖压印衬底并且在氮气流下干燥。随后将衬 底浸入二氯乙烯中并且剧烈搅动以除去压印区域上的任何碳纳米管。此工 艺导致碳纳米管只在衬底的非压印(暴露氧化铪表面)区域上沉积，如图 3所示。在压印区域观察不到纳米管形成。 实例2:通过穿过遮光掩模的蒸镀用lOnm的氧化铝来构图在表面上具有 100nm的氧化珪的硅晶片。然后将衬底浸入5mM乙醇中的十六烷基膦酸 溶液中。两小时后，从溶液中移出衬底并用乙醇冲洗，并且在IO(TC下干 燥一分钟。在衬底上沉积二氯乙烯中的碳纳米管的分散体并且在氮气流下 干燥。然后用溶剂冲M底并在室温下干燥。在此实例中，如图5所示， 在暴露二氧化a面上沉积碳纳米管。在此实例中，碳纳米管附着于干净 的Si02表面上而不是处理过的A1203,实例3:通过标准光刻，用9nm的铝层来构图在表面上具有100nm的氧化硅 的硅晶片。然后，在氧等离子体中氧化铝层。将样品设置在稀(4mM甲醇 中的)4-氨基丁基膦酸(ABPA)溶液中数天。ABPA仅粘连于A1203而不 粘连于Si02。然后样品在碳纳米管的悬浮液中，在表面活性剂Triton-X和 水中处理4小时。从溶液中移出衬底并且用多余的溶剂沖洗衬底。衬底的 检测表明碳纳米管主要出现在ABPA粘连的区域上，即，在Al203构图线 上(图7)。周围的Si02表明碳纳米管或无定形碳的密度极低。虽然通过参考其优选实施例具体示出并描述了本发明，但是本领域的 技术人员应该明白，在不脱离本发明范围和精神下可以在形式与细节上进 行前述和其它改变。因此，本发明并不限于描述和示出的具体形式和细节， 而是旨在落入附加权利要求的范围内。
权利要求
1. 一种在预定表面上选择性设置碳纳米管的方法，包括如下步骤 在衬底的上金属氧化物表面上选择性设置自组装单层；在所述自组装单层上或在不包括所述自組装单层的所述衬底的表面上 从M体沉积碳纳米管；以及从所述衬底除去多余的碳纳米管。
2. 根据权利要求1的方法，其中所述衬底由未构图的金属氧化物构成。
3. 根据权利要求2的方法，其中所i^择性设置自组装单层的步骤包 括提供包括所述自组装单层的图形的印记和将所迷自组装单层的所述图形 转移到所述金属氧化物.
4. 根据权利要求3的方法，其中所述自组装单层包括具有分子式 R-P03H2的膦酸，其中R是包括从l到约22个碳原子的烷基，或R是包 括从1到12个环的芳族化合物或杂芳族化合物，或具有普适分子式 R、CONHOH的异羟將酸，其中W是包括从1到约22个^f、子的烷基， 或R1是包括从1到12个环的芳族化合物或杂芳族化合物。
5. 根据权利要求4的方法，其中所述单层包括膦酸。
6. 根据权利要求5的方法，其中所^^A十六烷基膦酸。
7. 根据权利要求4的方法，其中所述单层包括异羟肟酸.
8. 根据权利要求7的方法，其中，所述异羟肟酸是十六烷基异羟肟酸，
9. 根据权利要求3的方法，其中所述碳纳米管的沉积发生在未使用所 述自组装单层压印的所述金属氧化物的区域上。
10. 根据权利要求9的方法，其中使用包括所述碳纳米管的分散体执 行所述碳纳米管的沉积。
11. 根据权利要求10的方法，其中所述^L体包括有机溶剂或水溶剂 和表面活性剂。
12. 根据权利要求l的方法，其中所述上金属氧化物表面包括位于所 述衬底上的构图金属氧化物。
13. 根据权利要求12的方法，其中使用包括自组装单层前体的溶液执 行所述自组装单层的所述选择性设置。
14. 根据权利要求13的方法，其中所迷自组装单层前体包括具有分子 式R-P03H2的膦酸，其中R是包括从1到约22个碳原子的烷基，或R是 包括从1到12个环的芳族化合物或杂芳族化合物，或具有普适分子式 R、CONHOH的异羟肟酸，其中W是包括从1到约22个碳原子的烷基， 或W是包括从1到12个环的芳族化合物或杂芳族化合物，
15. 根据权利要求14的方法，其中所述单层前体包括膦酸。
16. 根据权利要求15的方法，其中所述膦^lL十六烷基膦酸。
17. 根据权利要求14的方法，其中所述单层前体包括异羟肟酸。
18. 根据权利要求17的方法，其中所述异羟肟酸是十六烷基异羟肟酸。
19. 根据权利要求13的方法，其中所述碳纳米管的沉积发生在不包括 所述自组装单层的所述衬底的区域上。
20. 根据权利要求19的方法，其中使用包括所述碳纳米管的分散体执 行所述碳纳米管的沉积。
21. 根据权利要求20的方法，其中所述^fc体包括有机溶剂或水溶剂 和表面活性剂。
22. 根据权利要求13的方法，其中所述自組装单层前体包括分子式 为X-R2-Z的化合物，其中X是膦^^或异羟肟^， Z是-NH2、 NHNH2、 -ONH2、 -ONHOH或-Ar-W，并且R2是包括从1到22个碳原子的直^ 基；-(012)11残基，其中n从3到21;如(CH20) x的烷錄，其中x 从3到21;包括1到6个苯基、氮苯基或逸哈基的芳基；或蔬合烷基-芳基。
23. 根据权利要求22的方法，其中所述化合物是氨基丁基膦酸 (ABPA).
24. 根据权利要求22的方法，其中所述碳纳米管的沉积发生在所述自 组装单层的表面上。
25. 根据权利要求24的方法，其中使用包括所述碳纳米管的^t体执 行所述碳纳米管的沉积。
26. 根据权利要求25的方法，其中所述^:体包括有机溶剂或水溶剂 和表面活'性剂。
27. 根据权利要求l的方法，其中所述自组装单层不包括硅烷化表面。
28. —种在预定表面上选择性设置碳纳米管的方法，包括如下步驟 使用通过包括自组装单层的构图印记的微接触印刷，在金属氧化物上选择性设置所述自组装单层；在不包括所述自组装单层的所述金属氧化物上从分散体沉积碳纳米 管；以及从所述衬底除去多余的碳纳米管。
29. —种在预定表面上选择性设置碳纳米管的方法，包括如下步骤 在包括暴露衬底表面的至少 一个开口的构图金属氧化物上选择性设置自组装单层；在所述自组装单层上或在不包括所述自组装单层的所述衬底的表面上 从分^t体沉积碳纳米管；以及从所述衬底除去多余的碳纳米管。
全文摘要
本发明提供了一种在特定表面上选择性设置碳纳米管的方法。更具体地说，本发明提供了一种方法，其中使用在未构图或构图金属氧化物表面上形成的自组装单层从包括碳纳米管的分散体吸引或排斥碳纳米管。根据本发明，碳纳米管可以被吸引到自组装单层以附着到金属氧化物表面上，或它们可以被自组装单层排斥而接合到与包括自组装单层的金属氧化物表面不同的预定表面。
文档编号B82B3/00GK101124050SQ200680003296
公开日2008年2月13日 申请日期2006年1月5日 优先权日2005年1月27日
发明者A·阿夫扎利-阿尔达卡尼, J·B·汉农 申请人:国际商业机器公司