技术总结
本发明涉及一种半导体器件及制备方法、电子装置。所述方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆具有相对设置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上形成有第一键合环，在所述第一键合环外侧的所述第一表面的边缘形成有第一切割槽；提供第二晶圆，所述第二晶圆的表面形成有第二键合环；将所述第一键合环和所述第二键合环键合，以将所述第一晶圆和所述第二晶圆键合；减薄所述第一晶圆的所述第二表面至露出所述第一切割槽，以露出所述第二晶圆的切割道区域；对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行切割。本发明的优点在于：1.简化切割工艺流程(省略盲切(blind dicing)及多次对准操作)并减少切割频率，有效减少工艺成本。
技术研发人员：陆建刚;陈福成
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2016.11.28
技术公布日：2018.06.05