技术特征：
技术总结
本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述装置包括：底部晶圆；在所述底部晶圆上的牺牲层，所述牺牲层具有露出所述底部晶圆的一部分的第一开口和第二开口；在所述牺牲层上的顶部晶圆，所述顶部晶圆覆盖所述第二开口以形成空腔；在所述顶部晶圆和/或所述第一开口下方的底部晶圆上的第一金属层；在所述第一金属层上的粘合层；和在所述粘合层上的作为焊盘的第二金属层。本发明能够降低焊盘的接触电阻。
技术研发人员：郑超;王伟
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2017.01.16
技术公布日：2018.07.24