本发明涉及一种用于封装至少一个半导体构件的方法。此外，本发明涉及一种半导体装置。
背景技术：
在de102010064108a1中说明一种用于封装传感器芯片的方法和一种如此制造的构件。在用于封装传感器芯片的所述方法的实施方式中，传感器芯片装配在载体的装配面上。随后载体在传感器芯片的装配面旁边的区域中设有金属化部。紧接着形成从金属化部延伸至传感器芯片的敏感区域的(可激光结构化的)聚合物层，该聚合物层预给定之后的介质入口的部分区段。然后传感器芯片至少部分地嵌入到模具材料中。最后，介质入口的剩余区段通过模具材料和聚合物层的激光结构化产生，其中，金属化部用作为停止层。
技术实现要素：
本发明提出一种具有权利要求1的特征的用于封装至少一个半导体构件的方法和一种具有权利要求10的特征的半导体装置。
本发明提出一种可以成本非常有利地并且简单地实施的用于封装至少一个半导体构件的方法，该方法特别适用于以下传感器构件(传感器芯片)，所述传感器构件在其封装之后也需要至少一个(局部限界的)介质入口和/或至少一个(局部限界的)测量通道。要指出，本发明(相比于现有技术)在激光结构化期间不需要金属化部作为停止层。(替代地，可化学地或物理地溶解的牺牲材料满足“激光停止层或激光吸收层”的功能。)由此，为了实施根据本发明的用于封装至少一个半导体构件的方法不必形成金属化部。同样地，不必移除金属化部或者将其视为在成品半导体装置上的多余部件。由此，本发明减少借助于根据本发明的方法制造的半导体装置的制造费用。此外，根据本发明的半导体装置可以由于其相对较简单的可制造性在可靠地维持期望的标准(具有好的质量和低的缺陷率)的情况下形成。
本发明提出用于封装半导体和微系统技术部件的模具壳体。所述模具壳体也适用于具有mems传感器组件的mems传感器的塑料模制封装技术。要指出，本发明也可用于在晶片级上封装半导体构件。本发明也有助于在半导体工艺期间保护半导体构件，因为所述至少一个封装的半导体构件可以(几乎)无风险地继续加工。
根据本发明的方法和半导体装置适用于具有至少一个介质入口和/或具有至少一个测量通道的传感器。这种传感器例如可以是惯性传感器、压力传感器加速度传感器、流动传感器、湿度传感器和/或化学检测传感器(液体传感器和/或气体传感器)。要明确指出，根据本发明的方法和半导体装置的可用性不局限于确定类型的化学或物理传感器。
在所述方法的有利实施方式中，至少一个沟槽分别借助于光束构造有由封装材料形成的、具有光去除痕迹的、邻接于封装材料的外边界面的至少一个第一沟槽壁面并且借助于化学的或物理的去除方法构造有至少部分由封装材料组成的并且形成有填料去除痕迹、蚀刻剩余和/或造型效果的至少一个第二沟槽壁面，所述至少一个第二沟槽壁面与相同沟槽的所述至少一个第一沟槽壁面相比更靠近配属的部分表面，其中，在所述至少一个第一沟槽壁面和所述至少一个第二沟槽壁面之间的相应的至少一个沟槽构造为无金属化部。
例如为了遮盖所述至少一个部分表面可以将由牺牲材料形成的牺牲材料层沉积在所述至少一个半导体构件上并且使该牺牲材料层如此结构化，使得所述至少一个部分表面保持被牺牲材料遮盖，其中，形成遮盖所述至少一个部分表面的牺牲材料的至少一个凹形的外面和/或至少一个凸形的外面。这可以由此看出，至少部分由封装材料形成的所述至少一个第二沟槽壁面构造有凸形的拱曲部和/或凹形的拱曲部。
同样地，为了使牺牲材料层结构化可以使牺牲材料层上的可光结构化层结构化，其中，可光结构化层的至少一个剩余区域在形成所述至少一个沟槽时借助于光束部分地移除。这仍是可看出的，因为可光结构化层的材料剩余保留在所述至少一个第一沟槽壁面和所述至少一个第二沟槽壁面之间或者可光结构化层的材料剩余的造型构成在所述至少一个第一沟槽壁面和所述至少一个第二沟槽壁面之间。
在所述方法的有利应用中，至少一个传感器构件作为所述至少一个半导体构件以封装材料封装，其中，至少一个介质入口和/或至少一个测量通道作为所述至少一个沟槽形成。因此，所述方法可以用于传感器/传感器元件的成本有利的封装。然而要指出，所述方法的可实施性不局限于所述至少一个传感器构件的构造或所述至少一个构造的特定使用。
例如将用于检测至少一种物质的至少一种敏感材料沉积在至少一个露出的部分表面上。因此，所述方法的这里所述的实施方式特别适用于封装检测传感器、例如气体传感器。
每个半导体构件尤其可以形成至少两个沟槽，其中，在每个半导体构件的所述至少两个沟槽中沉积不同的敏感材料。由此可以使用借助于所述方法的这里所述的实施方式封装的单个半导体构件/传感器构件以检测多种物质。单个半导体构件/传感器构件的借助于以该方式确保的多功能性可以省去用于物质检测的附加部件。此外，所述方法的这里所述的实施方式有助于降低用于以检测多种物质的检测系统的制造费用、结构空间需求和安装面积。
在所述方法的另一有利的实施方式中，所述至少一个沟槽借助于光束至少穿过封装材料地至少以围绕塞(pfropfen)的形式形成，其中，所述塞在移除之前露出的牺牲材料时至少部分地借助于化学的或物理的去除方法一起移除。因此，借助于所述方法的该实施方式可以在至少一个封装的半导体构件上构造相对大的空腔，而为此不引起借助于光束的整体的封装材料去除。
此外，所述至少一个沟槽借助于激光束至少穿过封装材料地以部分围绕所述至少一个部分表面的之后的部分遮护部的形式形成，其中，位于部分遮护部和相应的部分表面之间的牺牲材料至少部分借助于化学的或物理的去除方法移除。以该方式形成的部分遮护部可以有助于保护配备有该部分遮护部的半导体构件以防污染和/或力作用。
在前面段落中描述的优点也在相应的半导体装置中实现。此外，根据上面所述的制造方法的实施方式制造的半导体装置可以扩展。
附图说明
下面参照附图阐释本发明的其他特征和优点。附图示出：
图1a至1h用于阐释用于封装至少一个半导体构件的方法的第一实施方式的示意性横截面；
图2a和2b用于阐释用于封装至少一个半导体构件的方法的第二实施方式的示意性横截面；
图3用于阐释用于封装至少一个半导体构件的方法的第三实施方式的示意性横截面；
图4半导体装置的第一实施方式的示意性示图；和
图5半导体装置的第二实施方式的示意性示图。
具体实施方式
图1a至1h示出用于阐释用于封装至少一个半导体构件的方法的第一实施方式的示意性横截面。
在图1a中示例性示出由至少一种半导体材料、例如硅制成的半导体晶片10，在该半导体晶片中构造有多个(功能化)半导体构件(半导体芯片)12。以该方式应说明的是，另外描述的方法步骤也可以在晶片级上实施。然而另外描述的方法步骤(几乎所有)也可以仅通过单个半导体构件12(替代多个半导体构件12)实施。
除了所述至少一种半导体材料，半导体晶片10/所述至少一个半导体构件12也可以附加地具有至少一种绝缘材料和/或至少一种金属(例如呈印制导线的形式)。借助于所述至少一种金属尤其可以在之后(强烈地)照亮半导体晶片10/所述至少一个半导体构件12时反射光。以该方式，可以防止借助于所述至少一种金属遮盖的材料受损坏/褪色。所述至少一种金属例如可以是铝、alsicu和/或至少一种贵金属(如金或铂)。所述至少一种绝缘材料例如可以是氧化硅、氮化硅和/或氧化铝。
在半导体晶片10中可以构造有多于10000个半导体构件12。所述半导体构件12中的每个半导体构件例如可以构造有大约1mm2的功能面。半导体晶片10可以具有大约200mm的直径。各个半导体构件12可以通过非功能区域相互分离。
为了实施用于封装至少一个半导体构件(半导体芯片)12的方法，所述至少一个半导体构件12的至少一个部分表面14用至少一种可化学或物理溶解的牺牲材料16遮盖。例如为了遮盖至少一个部分表面14将牺牲材料层16a(由牺牲材料16组成)沉积在至少一个半导体构件12上并且使该牺牲材料层如此结构化，使得所述至少一个部分表面14保持被牺牲材料16遮盖。牺牲材料层16a例如可以具有1μm至10μm之间的层厚度。
为了使牺牲材料层16a结构化，在这里所述的实施方式中将可光结构化层18a(由可光结构化材料18组成)沉积在牺牲材料层16a上并且(之后)结构化。可光结构化层18a的层厚度例如可以位于0.5μm至5μm的范围内。(然而这里提到的用于层16a和18a的层厚度的数值仅用于示例性地说明。即使在层16a和18a具有其他层厚度的情况下也还可以成功地实施用于所述层的结构化的光刻步骤。)
图1a示出在层16a和18a沉积之后的半导体晶片10。然而要指出，使用可光结构化层18a以使牺牲材料层16a结构化是可选的。替代地，也可以使用在不用附加材料的情况下可以容易地结构化的牺牲材料16。同样地，替代于可光结构化材料18也可以使用借助于半导体工艺可局部溶解地结构化的其他材料以使牺牲材料层16a结构化。
牺牲材料16理解为可以化学地(借助于溶剂)或物理地(例如借助于氧等离子体)溶解的材料。使用可光结构化材料作为牺牲材料16是可选的，然而优选使用非可光结构化/可激光结构化材料作为牺牲材料16。可光结构化材料18例如是光刻漆。
图1b示出在可光结构化层18a结构化之后的层结构，其中，由可光结构化层18a遮盖的牺牲层16a被一起结构化。可光结构化层18a例如可以在之前被曝光的位置上借助于湿化学方法步骤溶解，由此也使从可光结构化层18a露出的位置处的牺牲材料层16a一起溶解。优选地，这例如借助于碱性显影剂发生。
层16a和18a的结构化如此进行，使得保留了遮盖至少一个部分表面14的剩余区域16b和18b(由材料16和18形成)。此外，形成遮盖所述至少一个部分表面14的牺牲材料16/剩余区域16b的至少一个拱曲的外面20。通常，遮盖所述至少一个部分表面14的牺牲材料16/剩余区域16b的拱曲的外面20是凹形的外面20。可能地，拱曲的外面20也可以形成为遮盖所述至少一个部分表面14的牺牲材料16/剩余区域16b的凸形的外面。遮盖所述至少一个部分表面14的牺牲材料16/剩余区域16b的所述至少一个拱曲的外面20产生的原因是，牺牲材料16在结构化期间在它的侧边缘被腐蚀/蚀刻。(所述至少一个拱曲的外面20可以理解为“向内拱曲的外面”。所述至少一个拱曲的外面可以从所配属的部分表面14延伸至由可光结构化材料18形成的起遮盖作用的剩余区域18b。)
如借助于图1b中的分割线22示出的那样，半导体构件12在(至少)牺牲材料层16a结构化之后分离。然而要指出，另外描述的方法步骤也可以在晶片级上实施。借助于分割线22示出的半导体晶片10的半导体构件12在所述方法的该时间点的分离仅是可选的。
分割线22例如可以延伸穿过半导体晶片10的两个相邻的半导体构件12之间的非功能性区域。半导体构件12的分离例如可以借助于(之后还利用的)光束实现。例如可以使用激光以分离半导体构件12。(借助于激光产生的分割线22通常具有30μm至50μm的宽度。)由材料16和18形成的剩余区域16b和18b在分离期间(至所述方法的该时间点)保留在所述至少一个部分表面14上。因此，在分离期间不必担心所述至少一个部分表面14的例如由于在分离时释放的颗粒或由于在分离时使用的冷却水所引起的损坏或污染。
图1c示出电路板24，在该电路板上布置/固定有至少一个(分离的并且可能背侧减薄的)半导体构件12。半导体构件12例如可以粘接到电路板24上。所述至少一个半导体构件12的输送可以通过拾取和放置方法(pick-and-place-verfahren)进行。在所述至少一个半导体构件12的输送和所述至少一个半导体构件12到电路板24上的施加期间保留由材料16和18形成的剩余区域16b和18b。因此，所述至少一个半导体构件12在这里所述的所有方法步骤中至少在所述至少一个部分表面14处受保护以防污染或损坏。此外，用于拾取和放置方法的真空抽吸可以在剩余区域16b和18b上进行。
电路板24可以作为以后的平面栅格阵列壳体的基板使用。电路板24也可以接收多个(上百个)单独的半导体构件12。然而要明确指出，电路板24的使用对于实施这里所述的方法不是必要的。
在电路板24上的所述至少一个半导体构件12可以可选地借助于至少一个线键合部26与该电路板电连接。(单个半导体构件12可以具有多个线键合部26、例如十二个线键合部26。)在可选地形成所述至少一个线键合部26期间由材料16和18形成的剩余区域16b和18b也保留在所述至少一个部分表面14上并且因此保护所述至少一个部分表面14。
在另一方法步骤中，所述至少一个半导体构件12由至少一种可光学去除的封装材料28至少部分地包围。在此，在所述至少一个半导体构件12的所述至少一个部分表面14上的至少牺牲材料16(和可能的可光结构化材料18)也由封装材料28包围。结果在图1d或1e中示出。
可光学去除的封装材料28例如可以理解为以下(基于塑料的)材料，该材料被熔化并且在高压的情况下围绕所述至少一个半导体构件12浇注。可光学去除的封装材料28尤其可以是适合用于模制的材料(模具材料)。因此，封装材料28的施加可以借助于模制方法实现。在此，除了高压之外也可以出现高温(直至250°)，该高温除了封装材料28的初始液化之外引起该封装材料随后的热引发的硬化。可光学去除的封装材料28例如可以是环氧树脂(可能具有至少一种填料)。在出现高温的情况下经常发生可光结构化材料18的后硬化，使得可光结构化材料18除了通过光学去除过程外很难去除。
如在图1d中示出的那样，封装材料28以(几乎)恒定的层厚度、例如以大约50μm的层厚度沉积在电路板24上。同样地，封装材料的层厚度在该封装材料遮盖剩余区域16b和18b的至少一个位置上相对于其他位置由于在模具中使用突出部(可实现为插入件或凸模)而减小(参见图1e)。(由于模具和半导体构件12之间的公差为至少10μm或更多在施加封装材料28时，通常不可能使剩余区域16b和18b保持露出(freihalten)。)
在所述至少一个半导体构件12至少部分地包围以可光学去除的封装材料28之后，牺牲材料16在所述至少一个半导体构件12的所述至少一个部分表面14上至少部分地露出。这通过借助于光束至少穿过封装材料28形成至少一个沟槽30来实现，其中，至少封装材料28被区域式地光学去除。由可光结构化材料18形成的所述至少一个剩余区域18b也可以在借助于光束形成所述至少一个沟槽30时(至少部分地)移除。这是有利的，因为可光结构化材料18由于后硬化而很难去除，如上面提到的那样。然而，优选地，牺牲材料16在形成所述至少一个沟槽30时不/几乎不被腐蚀。尤其可以使用相同的激光以形成所述至少一个沟槽30，该激光(之前)也用于分离半导体构件12和/或(然后)用于给半导体构件12/完成的半导体装置标记。
所述至少一个沟槽30分别借助于光束构造有由封装材料28形成的、具有光去除痕迹/激光去除痕迹的、邻接于封装材料28的外边界面32的至少一个第一沟槽壁面34。这种光去除痕迹/激光去除痕迹例如可以是封装材料28的颜色改变(可能是封装材料28褪色)和/或直接在所述至少一个第一沟槽壁面34上的封装材料28中的玻璃晶粒的爆裂或开裂。(封装材料28的相应外边界面32优选理解为封装材料28的远离半导体构件12指向的边界面。)
如在图1f中图解地描述的那样，不需要借助于光束移除牺牲材料16。因此，不必为牺牲材料16也选择可光学去除的/可激光结构化的材料。也不需要借助于所述至少一个沟槽30使牺牲材料16完全露出。替代地，足够的是，由牺牲材料16形成的每个剩余区域16b的至少一部分这样露出，使得确保牺牲材料16以后的化学或物理的可溶解性。
如在图1g中示出，作为另外的方法步骤使所述至少一个半导体构件12的所述至少一个部分表面14至少部分地露出。这通过借助于化学的或物理的去除方法至少部分地移除之前露出的牺牲材料16发生。在此，实施以下去除方法，针对该去除方法封装材料28与牺牲材料16相比具有更高的耐性。封装材料28尤其可以是相对于化学的或物理的去除方法(几乎)稳定的。
借助于化学的或物理的去除方法形成至少一个(延长的/加深的)沟槽30的至少一个第二沟槽壁面36，该第二沟槽壁面与相同沟槽30的(借助于光束形成的)所述至少一个第一沟槽壁面34相比更靠近配属的部分表面14。(借助于化学的或物理的去除方法形成的)所述至少一个第二沟槽壁面36至少部分由封装材料组成并且构造有填料去除痕迹、蚀刻剩余和/或造型效果(abformeffekt)。所述至少一个第二沟槽壁面(36)例如可以(借助于化学的或物理的去除方法)构造有至少一个凸形的拱曲部和/或至少一个凹形的拱曲部(至少部分由封装材料28形成)。(所述至少一个凸形的拱曲部可以理解为至少一个“进入到配属的沟槽30中”的拱曲部。)所述至少一个凸形的拱曲部(参见图1g)由于所移除的牺牲材料16的至少一个之前凹形的外面20产生。相应地，至少一个凹形的拱曲部可以由于所移除的牺牲材料16的至少一个之前凸形的外面产生。
通常，化学的或物理的去除方法几乎不导致在(邻接于外边界面32的)至少一个第一沟槽壁面34上的(显著)变化。因此，所述至少一个沟槽30(也在完整实施这里所述的方法之后)具有由封装材料28形成的、具有光去除痕迹/激光去除痕迹的(邻接于外边界面32的)至少一个第一沟槽壁面34和至少部分由封装材料形成并且具有填料去除痕迹、蚀刻剩余和/或造型效果的至少一个第二沟槽壁面36。
要明确指出，在所述至少一个第一沟槽壁面34和所述至少一个第二沟槽壁面36之间的所述至少一个沟槽30构造为无金属化部。这要理解为，所述至少一个沟槽30的所有可能存在于所述至少一个第一沟槽壁面34和所述至少一个第二沟槽壁面36之间的内面不被金属化部遮盖/没有金属化部。
可光结构化材料18的材料剩余也可以保留在所述至少一个第一沟槽壁面34和所述至少一个第二沟槽壁面36之间(在完整实施这里所述的方法之后)。然而所述至少一个可光结构化材料18也可以(取决于它在化学的或物理的去除方法期间的可去除性)在化学的或物理的去除方法过程中被一起移除。在这种情况下可以构成可光结构化层18a在所述至少一个第一沟槽壁面34和所述至少一个第二沟槽壁面36之间的造型。
要指出，在晶片级上实施这里所述的方法步骤时优选在移除牺牲材料16之前实施半导体构件12的分离，因为在这种情况下牺牲材料16还负责所述至少一个半导体构件12在分离期间的附加保护。
图1h示出(通过完整地实施这里所述的方法)在实施可选的方法步骤之后制造的半导体装置，在该方法步骤中将用于检测至少一种物质的至少一种敏感材料38沉积在至少一个露出的部分表面14上。(因此，借助于之前所述的方法步骤封装的至少一个半导体构件12可以有利地作为用于检测所述至少一种物质的至少一个传感器构件使用。)然而要指出，借助于前面所述的方法步骤封装的至少一个半导体构件12的可利用性不局限于物质检测。
作为这里所述的方法的扩展方案，对于每个半导体构件12也可以形成至少两个沟槽30。在这种情况下，可以在每个半导体构件12的所述至少两个沟槽30中沉积不同的敏感材料。
为了沉积所述至少一种敏感材料38，例如可以实施滴注方法或喷墨方法。在所有这些方法中，所述至少一个沟槽30可以用作为涂层掩膜。此外，在所有这些方法中可以通过改变所述至少一种敏感材料38和/或改变所述至少一个沟槽30的几何结构(例如它的直径)可选地实现所述至少一种敏感材料38(在它干燥后)的(几乎)均匀的层厚度或者在所述至少一种敏感材料38上的(可能期望的)半月部(meniskus)的构造。所述至少一个沟槽30也可以完全填充以相应的敏感材料38。在这种情况下所述至少一个沟槽30可以完全填充以具有较低浓度的相应敏感材料38的溶液，使得在所述溶液干燥之后相应的敏感材料38也位于沟槽壁面34和36上。
此外，上面所述的方法也可以在所述至少一种敏感材料38沉积在所述至少一个部分表面14上之后实施。
图2a和2b示出用于阐释用于封装至少一个半导体构件的方法的第二实施方式的示意性横截面。
如在图2a中图解地描述的那样，在这里所述的实施方式中，所述至少一个沟槽30借助于光束至少穿过封装材料28地至少以(完全)围绕塞40的形式形成。随后，塞40在至少部分地移除之前露出的牺牲材料16时借助于化学的或物理的去除方法一起移除。
如参照图2b可看出，所述方法的这种实施方式适用于实现(相比于所述至少一个沟槽30)相对较大的开口/空腔，而为此不必借助于光束去除大量的封装材料28。为了在去除方法中更好地达到牺牲材料16并且为了更好地溶解牺牲材料16，除了完全围绕也可以附加地在塞40内部形成例如呈网栅或点状开口形式的其他沟槽30。
图3示出用于阐释用于封装至少一个半导体构件的方法的第三实施方式的示意性横截面。
在图3中示出的实施方式中，所述至少一个沟槽30借助于光束至少穿过封装材料28地以部分围绕(由封装材料28形成的)所述至少一个部分表面14的之后的部分遮护部42的形式形成。随后，位于部分遮护部32和配属的部分表面14之间的牺牲材料16至少部分借助于化学的或物理的去除方法移除。在化学的或物理的去除方法之后保留的部分遮护部可以在半导体装置的进一步加工或运行期间提供机械保护以防对于由该部分遮护部部分遮盖的部分表面14的颗粒侵入或力作用。同时，相应的部分表面14通过围绕它的部分遮护部42的沟槽30与半导体构件12的周围环境保持连接，使得至少一个周围环境信息、例如周围环境的化学组分、周围环境的温度、周围环境的空气湿度和/或存在于周围环境中的压力可以借助于构造在部分表面14上的传感装置获知。
借助于所有上述的方法可以将至少一个传感器构件作为至少一个半导体构件12以封装材料28封装，其中，至少一个介质入口和/或至少一个测量通道作为至少一个沟槽30形成。
图4示出半导体装置的第一实施方式的示意性示图。
在图4中示意性示出的半导体装置包括半导体构件12，该半导体构件至少部分由可光学去除的封装材料28包围，其中，半导体构件12的至少一个部分表面14借助于至少一个至少延伸穿过封装材料28的沟槽30露出。图4的半导体装置借助于前面所述的用于将至少一个半导体构件12封装在封装材料28中的方法来封装/制造。这首先可由此看出：在所述至少一个第一沟槽壁面34和所述至少一个第二沟槽壁面36之间的所述至少一个沟槽30是无金属化部的。(这理解为，所述至少一个沟槽30的所有可能位于所述至少一个第一沟槽壁面34和所述至少一个第二沟槽壁面36之间的内面不被金属化部遮盖/没有金属化部。)此外，所述至少一个沟槽30分别具有由封装材料28形成的、具有光去除痕迹的、邻接于封装材料28的外边界面32的至少一个第一沟槽壁面34和至少部分由封装材料28形成的、具有填料去除痕迹、蚀刻剩余和/或造型效果的至少一个第二沟槽壁面36。所述至少一个第二沟槽壁面36与相同沟槽30的所述至少一个第一沟槽壁面34相比更靠近配属的部分表面14。至少部分由封装材料形成的所述至少一个第二沟槽壁面36尤其可以构造有至少一个凸形的拱曲部和/或至少一个凹形的拱曲部。之前的可光结构化层18a的材料剩余同样可以存在于所述至少一个第一沟槽壁面34和所述至少一个第二沟槽壁面36之间。可光结构化层18a的材料剩余的造型也可以在所述至少一个第一沟槽壁面34和所述至少一个第二沟槽壁面36之间形成。
图4的半导体装置可以包括以封装材料28封装的、作为半导体构件12的传感器构件并且构造有作为至少一个沟槽30的至少一个介质入口和/或至少一个测量通道。然而，图4的半导体装置也可以用于其他应用目的。
如图4中可看出，所述至少一个半导体芯片12的(几乎)一整侧可以通过至少一个沟槽30露出。半导体芯片12在相应侧上不具有与封装材料28的机械接触。因此，所述至少一个沟槽30也可以有助于应力解耦(尤其用于加速度传感器)。(在此要指出，不需要半导体装置配备有电路板24。)
图5示出半导体装置的第二实施方式的示意性示图。
图5的构造为化学检测传感器的半导体装置具有至少一种用于检测至少一种物质的敏感材料38，该敏感材料沉积在至少一个露出的部分表面14上。特定地，半导体装置具有至少两个带有不同敏感材料38的沟槽。