技术特征：
技术总结
本发明公开了金属折点纳米线阵列的制备方法及其金属折点纳米线阵列，利用不同成分和比例的刻蚀液在半导体材料的基底中的刻蚀方向不同的特性，制造出具有不同弯折点的纳米孔阵列，再以沉积在纳米孔底部的贵金属催化粒子为种子层，通过离心电镀的方式在纳米孔中填充不同材质的金属材料；最后采用湿法腐蚀法去除基底，从而制备出有序排列且具有所需弯折点的金属折点纳米线阵列。采用离心电镀的方式，避免弯折处产生缺口，提高电镀成型率。
技术研发人员：陈云;陈新;麦锡全;刘强;高健;高波
受保护的技术使用者：广东工业大学
技术研发日：2017.09.28
技术公布日：2018.03.09