技术总结
本发明公开了一种硅球面微凸块刻蚀方法，所述硅球面微凸块刻蚀方法包括：准备普通硅片，作为用于刻蚀的衬底；在所述衬底上依次进行正性光刻胶的涂布、曝光、显影，形成预设图形；调整光刻胶的烘烤温度，得到光刻胶微凸包结构；匹配光刻胶的厚度和选择比；对光刻胶进行干法刻蚀，刻蚀过程中光刻胶逐步消耗；以及计算光刻胶与硅的刻蚀选择比，得到目标高度的硅球面微凸块结构。本发明的硅球面微凸块刻蚀方法有利于缩短工艺的研发周期和减小成本，而且适用的制备对象较多，具有工艺开发效率高、易于工艺集成和通用性较好的优点。
技术研发人员：杨涛;刘杰;戴鑫
受保护的技术使用者：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
技术研发日：2017.12.19
技术公布日：2018.06.08