镁或镁合金表面微弧氧化制备长余辉发光陶瓷膜的方法

文档序号:5282720来源:国知局
镁或镁合金表面微弧氧化制备长余辉发光陶瓷膜的方法
【专利摘要】本发明公开了一种镁或镁合金表面微弧氧化制备长余辉发光陶瓷膜的方法,该方法为:一、以水为溶剂配制电解液,搅拌均匀后将电解液置于电解槽中;二、将待处理的镁或镁合金置于电解液中作为阳极,不锈钢板作为阴极电解,在镁或镁合金表面生长一层均匀的长余辉发光陶瓷膜。本发明在微弧氧化电解液中加入氢氧化锶和十二烷基硫酸钠,氢氧化锶能够在微弧氧化处理时微等离子体弧光放电过程中,在镁或镁合金表面发生反应转化成荧光物质铝酸锶,铝酸锶在高能反应的瞬间与陶瓷膜烧结成一体而成为陶瓷膜中的组份之一,使陶瓷膜除了具有长余辉发光特性外,还具有结合紧密、不易脱落的优点。
【专利说明】镁或镁合金表面微弧氧化制备长余辉发光陶瓷膜的方法
【技术领域】
[0001]本发明属于微弧氧化处理【技术领域】,具体涉及一种镁或镁合金表面微弧氧化制备长余辉发光陶瓷膜的方法。
【背景技术】
[0002]镁合金是应用在现代工业合金中比重最轻的一种合金,它具有比强度高、弹性模量大、消震性好、承受冲击载荷能力好、电磁屏蔽性好的特点,主要应用在导弹导引系统、起落轮毂、发动机机壳、手机壳等航空、航天、运输、电子工业领域。由于镁合金的这些优良特性,国际上对镁合金的消耗日益增加,世界各国对镁及其合金的开发研究也在积极进行。我国镁资源蕴藏丰富,近年来我国开始重视研究开发镁产品的成型及表面处理工艺。
[0003]发光材料具有发光光谱带窄、色纯度高、色彩鲜艳、光吸收能力强、转换效率高、发射谱带分布区域宽、荧光寿命长且可承受大功率电子束、高能辐照等诸多优点。正是由于这些优异的光学性能,发光材料被广泛应用于照明、显示、固体激光器、光通讯、光存储以及生物医学成像、诊断与治疗等诸多领域。 [0004]微弧氧化工艺是近年来发展起来的一种有色金属(如铝、镁、钛等)表面处理工艺,尤其是从二十世纪九十年代开始,该工艺已成为国内学术界的研究热点,并且逐渐得到产业界的认可。尤其是镁合金表面微弧氧化处理,由于微弧氧化陶瓷膜具有较高硬度、较好的抗擦伤及抗腐蚀性能,使该技术广泛地应用于镁合金产品的表面处理上。特别是陶瓷膜表面均匀分布着大量盲性微孔,能够增加镁合金产品的后续装饰涂层与陶瓷膜的结合强度。
[0005]目前,随着镁合金应用范围的不断推广,对镁合金微弧氧化制备的陶瓷膜的性能要求也不断提高,镁合金微弧氧化产品应用于日常生活、道路交通、装饰美化等方面的要求也日益提高。然而,现有技术鲜有将镁合金微弧氧化产品与发光材料结合的研究,缺少生产既有良好耐磨耐蚀性能又有显著荧光效应的镁合金微弧氧化产品。

【发明内容】

[0006]本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足,提供一种镁或镁合金表面微弧氧化制备长余辉发光陶瓷膜的方法。该方法通过在微弧氧化电解液中加入能够电离出锶离子的氢氧化锶和能够促使氢氧化锶更好的均匀分散于电解液中的分散剂十二烷基硫酸钠,在镁或镁合金表面制备长余辉发光陶瓷膜。氢氧化锶能够在微弧氧化处理时微等离子体弧光放电过程中,在镁或镁合金表面发生反应转化成荧光物质铝酸锶,铝酸锶在高能反应的瞬间与陶瓷膜烧结成一体而成为陶瓷膜中的组份之一,使陶瓷膜除了具有长余辉发光特性外,还具有结合紧密、不易脱落的优点。
[0007]为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种镁或镁合金表面微弧氧化制备长余辉发光陶瓷膜的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
[0008]步骤一、以水为溶剂配制电解液,每升电解液中含铝酸钠45g~55g,焦磷酸钠35g~45g,磷酸二氢钠40g~45g,氢氧化银12g~15g,十二烷基硫酸钠18g~22g,搅拌均匀后将电解液置于电解槽中;
[0009]步骤二、将待处理的镁或镁合金置于步骤一所述电解液中作为阳极,不锈钢板作为阴极,控制电解液的温度为5°C~10°C,采用脉冲式微弧氧化电源,调节脉冲频率为300Hz~1000Hz,占空比为5%~45%,在电压为350V~550V的条件下恒压电解IOmin~40min,在镁或镁合金表面生长一层均匀的长余辉发光陶瓷膜。
[0010]上述的镁或镁合金表面微弧氧化制备长余辉发光陶瓷膜的方法,其特征在于,步骤一中每升电解液中含铝酸钠48g~52g,焦磷酸钠38g~42g,磷酸二氢钠40g~42g,氢氧化银13g~14g,十二烷基硫酸钠19g~20g。
[0011]上述的镁或镁合金表面微弧氧化制备长余辉发光陶瓷膜的方法,其特征在于,步骤二中所述脉冲频率为450Hz~500Hz。
[0012]上述的镁或镁合金表面微弧氧化制备长余辉发光陶瓷膜的方法,其特征在于,步骤二中所述占空比为10%~20%。
[0013]上述的镁或镁合金表面微弧氧化制备长余辉发光陶瓷膜的方法,其特征在于,步骤二中所述电压为450V~500V。
[0014]本发明与现有技术相比具有以下优点:
[0015]1、该方法通过在微弧氧化电解液中加入能够电离出锶离子的氢氧化锶和能够促使氢氧化锶更好的均匀分散于电解液中的分散剂十二烷基硫酸钠,在镁或镁合金表面制备长余辉发光陶瓷膜。氢氧化锶能够在微弧氧化处理时微等离子体弧光放电过程中,在镁或镁合金表面发生反应转化成荧光物质铝酸锶,铝酸锶在高能反应的瞬间与陶瓷膜烧结成一体而成为陶瓷膜中的组份·之一,使陶瓷膜除了具有长余辉发光特性外,还具有结合紧密、不易脱落的优点。
[0016]2、本发明通过在微弧氧化电解液中添加氢氧化锶并调整配方确保电解液中无沉淀物产生,在镁或镁合金表面制备长余辉发光陶瓷膜,制备的陶瓷膜具有极强的吸光、蓄光、发光能力。陶瓷膜吸收各种可见光后在暗处可持续12h以上散发余光,其发光强度和持续时间是硫化锌荧光材料的数十倍,而且材料本身无毒无害,不含任何放射性元素,稳定性和耐久性优良,吸光和发光过程可重复,低度照明和指(显)示作用良好,应用范围广。
[0017]3、本发明通过在电解液中加入分散剂十二烷基硫酸钠,促使氢氧化锶更加均匀分散于电解液中,进而提高微弧氧化形成陶瓷膜中反应生成荧光物质铝酸锶的含量,制备出荧光效应理想的陶瓷膜。
[0018]4、采用本发明制备的陶瓷膜中的荧光物质铝酸锶是利用铝酸根离子、锶离子在微弧放电的高温高压条件下反应生成,因此该陶瓷膜中荧光物质与膜层结合紧密,不易脱落,即使在户外等恶劣使用条件下也不会影响其荧光效果。
[0019]5、本发明的方法简单高效,电解液成分绿色环保;另外本发明的方法对镁或镁合金的材质、形状、尺寸等无特殊要求,因此该工艺具有良好的通用性。
[0020]下面结合附图和实施例,对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
【专利附图】

【附图说明】
[0021]图1为本发明实施例1微弧氧化处理后镁合金经可见光照射后在黑暗处的外观图。[0022]图2为本发明实施例1制备的长余辉发光陶瓷膜表面的SEM照片。
[0023]图3为对比例I制备的陶瓷膜表面的SEM照片。
[0024]图4为本发明实施例1制备的长余辉发光陶瓷膜的XRD图谱。
[0025]图5为对比例I制备的陶瓷膜的XRD图谱。
[0026]图6为对比例2制备的陶瓷膜的XRD图谱。
【具体实施方式】 [0027]实施例1
[0028]本实施例包括以下步骤:
[0029]步骤一、以水为溶剂配制电解液,每升电解液中含铝酸钠48g,焦磷酸钠40g,磷酸二氢钠45g,氢氧化锶14g,十二烷基硫酸钠20g,搅拌均匀后将电解液置于电解槽中;
[0030]步骤二、将待处理的镁合金置于步骤一所述电解液中作为阳极,不锈钢板作为阴极,控制电解液的温度为8°C,采用脉冲式微弧氧化电源,调节脉冲频率为450Hz,占空比为15%,在电压为450V的条件下恒压电解30min,在镁合金表面生长一层均匀的长余辉发光陶瓷膜。
[0031]对比例I
[0032]按照实施例1的方法,采用不添加氢氧化锶和十二烷基硫酸钠的电解液进行微弧氧化电解,在镁合金表面生长一层均匀的陶瓷膜。
[0033]对比例2
[0034]按照实施例1的方法,采用添加氢氧化锶,不添加十二烷基硫酸钠的电解液进行微弧氧化电解,在镁合金表面生长一层均匀的陶瓷膜。
[0035]图1为实施例1微弧氧化处理后镁合金经可见光照射后在黑暗处的外观图,由图1可看出本实施例微弧氧化处理后镁合金表面能发出荧光,具有很明显的荧光效应,且观察后发现该镁合金在暗处可持续12h以上散发余光且发光点分布非常均匀。对比例I微弧氧化处理后的镁合金经可见光照射后在黑暗处无荧光效应。对比例2微弧氧化处理后的镁合金经可见光照射后在黑暗处有荧光效应,但该荧光效应相比于实施例1微弧氧化处理后的镁合金经可见光照射后在黑暗处的荧光效应明显较弱。由此可知,镁合金表面的陶瓷膜之所以具有荧光效应是因为在电解液中加入添加剂氢氧化锶而使电解液中同时存在铝酸根离子和锶离子,进而此两种离子在微弧放电的高温高压条件下反应生成荧光物质铝酸锶。
[0036]图2为实施例1制备的长余辉发光陶瓷膜表面的SEM照片,从图中可看到陶瓷膜表面分布有大量直径约为5~10微米的孔洞,且无明显裂纹。图3为对比例I制备的陶瓷膜表面的SEM照片,从图中可看到陶瓷膜表面分布有大量直径约为10~20微米的孔洞,且有少量微裂纹。由此可知,实施例1制备的陶瓷膜表面孔洞多被铝酸锶覆盖,说明铝酸锶有封闭孔洞的作用,在陶瓷膜中结合紧密,不易脱落。
[0037]图4为实施例1制备的长余辉发光陶瓷膜的XRD图谱,膜层中主要物相为Mg0.97Zn0.03, MgO和SrAl204。图5为对比例I制备的陶瓷膜的XRD图谱,膜层中主要物相为Mg0.97Zn0.03, MgO, MgAl2O4和Al12Mg17。由此对比分析可知,加入氢氧化锶制得的陶瓷膜中生成了铝酸锶,进而可证明本实施例1制备的陶瓷膜之所以具有荧光效应正是由于生成了荧光物质铝酸锶。图6为对比例2制备的陶瓷膜的XRD图谱,陶瓷膜中主要物相为Mga97Znatl3,MgO, MgAl2O4, Al12Mg17以及少量SrAl204。对比分析图5与图6可知,在电解液添加分散剂十二烷基硫酸钠所制备的微弧氧化陶瓷膜中荧光物质铝酸锶的含量明显增加,说明在电解液中添加十二烷基硫酸钠作为分散剂,能够促使氢氧化锶更好的均匀分散于电解液中,进而提高微弧氧化形成陶瓷膜中反应生成荧光物质铝酸锶的含量,制备出荧光效应理想的陶瓷膜。
[0038]实施例2
[0039]本实施例包括以下步骤:
[0040]步骤一、以水为溶剂配制电解液,每升电解液中含铝酸钠48g,焦磷酸钠38g,磷酸二氢钠42g,氢氧化锶14g,十二烷基硫酸钠20g,搅拌均匀后将电解液置于电解槽中;
[0041]步骤二、将待处理的镁合金置于步骤一所述电解液中作为阳极,不锈钢板作为阴极,控制电解液的温度为5°C,采用脉冲式微弧氧化电源,调节脉冲频率为350Hz,占空比为10%,在电压为500V的条件下恒压电解20min,在镁合金表面生长一层均匀的长余辉发光陶瓷膜。
[0042]本实施例通过在微弧氧化电解液中加入能够电离出锶离子的氢氧化锶和促使氢氧化锶更好的均匀分散于电解液中的十二烷基硫酸钠,在镁合金表面制备长余辉发光陶瓷膜。氢氧化锶能够在微弧氧化处理时微等离子体弧光放电过程中,在镁合金表面发生反应转化成荧光物质铝酸锶,铝酸锶在高能反应的瞬间与陶瓷膜烧结成一体而成为陶瓷膜中的组份之一,使陶瓷膜除了具有长余辉发光特性外,还具有结合紧密、不易脱落的优点。
[0043]实施例3
[0044]本实施例包括以下步骤:
[0045]步骤一、以水为溶剂配制电解液,每升电解液中含铝酸钠50g,焦磷酸钠42g,磷酸二氢钠43g,氢氧化锶13g,十二烷基硫酸钠20g,搅拌均匀后将电解液置于电解槽中;
[0046]步骤二、将待处理的镁置于步骤一所述电解液中作为阳极,不锈钢板作为阴极,控制电解液的温度为8°C,采用脉冲式微弧氧化电源,调节脉冲频率为500Hz,占空比为25%,在电压为550V的条件下恒压电解40min,在镁表面生长一层均匀的长余辉发光陶瓷膜。
[0047]本实施例通过在微弧氧化电解液中加入能够电离出锶离子的氢氧化锶和促使氢氧化锶更好的均匀分散于电解液中的十二烷基硫酸钠,在镁表面制备长余辉发光陶瓷膜。氢氧化锶能够在微弧氧化处理时微等离子体弧光放电过程中,在镁表面发生反应转化成荧光物质铝酸锶,铝酸锶在高能反应的瞬间与陶瓷膜烧结成一体而成为陶瓷膜中的组份之一,使陶瓷膜除了具有长余辉发光特性外,还具有结合紧密、不易脱落的优点。
[0048]实施例4
[0049]本实施例包括以下步骤:
[0050]步骤一、以水为溶剂配制电解液,每升电解液中含铝酸钠55g,焦磷酸钠45g,磷酸二氢钠45g,氢氧化锶12g,十二烷基硫酸钠18g,搅拌均匀后将电解液置于电解槽中;
[0051]步骤二、将待处理的镁合金置于 步骤一所述电解液中作为阳极,不锈钢板作为阴极,控制电解液的温度为8°C,采用脉冲式微弧氧化电源,调节脉冲频率为480Hz,占空比为15%,在电压为480V的条件下恒压电解30min,在镁合金表面生长一层均匀的长余辉发光陶瓷膜。
[0052]本实施例通过在微弧氧化电解液中加入能够电离出锶离子的氢氧化锶和促使氢氧化锶更好的均匀分散于电解液中的十二烷基硫酸钠,在镁合金表面制备长余辉发光陶瓷膜。氢氧化锶能够在微弧氧化处理时微等离子体弧光放电过程中,在镁合金表面发生反应转化成荧光物质铝酸锶,铝酸锶在高能反应的瞬间与陶瓷膜烧结成一体而成为陶瓷膜中的组份之一,使陶瓷膜除了具有长余辉发光特性外,还具有结合紧密、不易脱落的优点。
[0053]实施例5
[0054]本实施例包括以下步骤:
[0055]步骤一、以水为溶剂配制电解液,每升电解液中含铝酸钠45g,焦磷酸钠35g,磷酸二氢钠42g,氢氧化锶15g,十二烷基硫酸钠22g,搅拌均匀后将电解液置于电解槽中;
[0056]步骤二、将待处理的镁合金置于步骤一所述电解液中作为阳极,不锈钢板作为阴极,控制电解液的温度为8°C,采用脉冲式微弧氧化电源,调节脉冲频率为450Hz,占空比为15%,在电压为350V的条件下恒压电解30min,在镁合金表面生长一层均匀的长余辉发光陶瓷膜。 [0057]本实施例通过在微弧氧化电解液中加入能够电离出锶离子的氢氧化锶和促使氢氧化锶更好的均匀分散于电解液中的十二烷基硫酸钠,在镁合金表面制备长余辉发光陶瓷膜。氢氧化锶能够在微弧氧化处理时微等离子体弧光放电过程中,在镁合金表面发生反应转化成荧光物质铝酸锶,铝酸锶在高能反应的瞬间与陶瓷膜烧结成一体而成为陶瓷膜中的组份之一,使陶瓷膜除了具有长余辉发光特性外,还具有结合紧密、不易脱落的优点。
[0058]实施例6
[0059]本实施例包括以下步骤:
[0060]步骤一、以水为溶剂配制电解液,每升电解液中含铝酸钠52g,焦磷酸钠40g,磷酸二氢钠42g,氢氧化锶13g,十二烷基硫酸钠19g,搅拌均匀后将电解液置于电解槽中;
[0061]步骤二、将待处理的镁合金置于步骤一所述电解液中作为阳极,不锈钢板作为阴极,控制电解液的温度为10°c,采用脉冲式微弧氧化电源,调节脉冲频率为450Hz,占空比为20%,在电压为450V的条件下恒压电解lOmin,在镁合金表面生长一层均匀的长余辉发光陶瓷膜。
[0062]本实施例通过在微弧氧化电解液中加入能够电离出锶离子的氢氧化锶和促使氢氧化锶更好的均匀分散于电解液中的十二烷基硫酸钠,在镁合金表面制备长余辉发光陶瓷膜。氢氧化锶能够在微弧氧化处理时微等离子体弧光放电过程中,在镁合金表面发生反应转化成荧光物质铝酸锶,铝酸锶在高能反应的瞬间与陶瓷膜烧结成一体而成为陶瓷膜中的组份之一,使陶瓷膜除了具有长余辉发光特性外,还具有结合紧密、不易脱落的优点。
[0063]实施例7
[0064]本实施例包括以下步骤:
[0065]步骤一、以水为溶剂配制电解液,每升电解液中含铝酸钠52g,焦磷酸钠38g,磷酸二氢钠40g,氢氧化锶13g,十二烷基硫酸钠20g,搅拌均匀后将电解液置于电解槽中;
[0066]步骤二、将待处理的镁置于步骤一所述电解液中作为阳极,不锈钢板作为阴极,控制电解液的温度为8°C,采用脉冲式微弧氧化电源,调节脉冲频率为650Hz,占空比为45%,在电压为550V的条件下恒压电解20min,在镁表面生长一层均匀的长余辉发光陶瓷膜。
[0067]本实施例通过在微弧氧化电解液中加入能够电离出锶离子的氢氧化锶和促使氢氧化锶更好的均匀分散于电解液中的十二烷基硫酸钠,在镁表面制备长余辉发光陶瓷膜。氢氧化锶能够在微弧氧化处理时微等离子体弧光放电过程中,在镁表面发生反应转化成荧光物质铝酸锶,铝酸锶在高能反应的瞬间与陶瓷膜烧结成一体而成为陶瓷膜中的组份之一,使陶瓷膜除了具有长余辉发光特性外,还具有结合紧密、不易脱落的优点。
[0068]实施例8
[0069]本实施例包括以下步骤:
[0070]步骤一、以水为溶剂配制电解液,每升电解液中含铝酸钠48g,焦磷酸钠45g,磷酸二氢钠45g,氢氧化锶12g,十二烷基硫酸钠20g,搅拌均匀后将电解液置于电解槽中;
[0071]步骤二、将待处理的镁合金置于步骤一所述电解液中作为阳极,不锈钢板作为阴极,控制电解液的温度为8°C,采用脉冲式微弧氧化电源,调节脉冲频率为300Hz,占空比为45%,在电压为500V的条件下恒压电解30min,在镁合金表面生长一层均匀的长余辉发光陶瓷膜。
[0072]本实施例通过在微弧氧化电解液中加入能够电离出锶离子的氢氧化锶和促使氢氧化锶更好的均匀分散于电解液中的十二烷基硫酸钠,在镁合金表面制备长余辉发光陶瓷膜。氢氧化锶能够在微弧氧化处理时微等离子体弧光放电过程中,在镁合金表面发生反应转化成荧光物质铝酸锶,铝酸锶在高能反应的瞬间与陶瓷膜烧结成一体而成为陶瓷膜中的组份之一,使陶瓷膜除了具有长余辉发光特性外,还具有结合紧密、不易脱落的优点。
[0073]实施例9
[0074]本实施例包括以下步骤:
[0075]步骤一、以水为溶剂配制电解液,每升电解液中含铝酸钠50g,焦磷酸钠40g,磷酸二氢钠41g,氢氧化锶13.5g,十二烷基硫酸钠19.5g,搅拌均匀后将电解液置于电解槽中;
[0076]步骤二、将待处理的镁合金置于步骤一所述电解液中作为阳极,不锈钢板作为阴极,控制电解液的温度为10°C,采用脉冲式微弧氧化电源,调节脉冲频率为1000Hz,占空比为15%,在电压为450V的条件下恒压电解20min,在镁合金表面生长一层均匀的长余辉发光陶瓷膜。
[0077]本实施例通过在微弧氧化电解液中加入能够电离出锶离子的氢氧化锶和促使氢氧化锶更好的均匀分散于电解液中的十二烷基硫酸钠,在镁合金表面制备长余辉发光陶瓷膜。氢氧化锶能够在微弧氧化处理时微等离子体弧光放电过程中,在镁合金表面发生反应转化成荧光物质铝酸锶,铝酸锶在高能反应的瞬间与陶瓷膜烧结成一体而成为陶瓷膜中的组份之一,使陶瓷膜除了具有长余辉发光特性外,还具有结合紧密、不易脱落的优点。
[0078]实施例10
[0079]本实施例包括以下步骤:
[0080]步骤一、以水为溶剂配制电解液,每升电解液中含铝酸钠52g,焦磷酸钠42g,磷酸二氢钠40g,氢氧化锶13g,十二烷基硫酸钠19g,搅拌均匀后将电解液置于电解槽中;
[0081]步骤二、将待处理的镁置于步骤一所述电解液中作为阳极,不锈钢板作为阴极,控制电解液的温度为8°C,采用脉冲式微弧氧化电源,调节脉冲频率为500Hz,占空比为5%,在电压为450V的条件下恒压电解25min,在镁表面生长一层均匀的长余辉发光陶瓷膜。
[0082]本实施例通过在微弧氧化电解液中加入能够电离出锶离子的氢氧化锶和促使氢氧化锶更好的均匀分散于电解液中的十二烷基硫酸钠,在镁表面制备长余辉发光陶瓷膜。氢氧化锶能够在微弧氧化处理时微等离子体弧光放电过程中,在镁表面发生反应转化成荧光物质铝酸锶,铝酸锶在高能反应的瞬间与陶瓷膜烧结成一体而成为陶瓷膜中的组份之一,使陶瓷膜除了具有长余辉发光特性外,还具有结合紧密、不易脱落的优点。
[0083]以上所述,仅是本发明的较佳实施例,并非对本发明作任何限制,凡是根据本发明技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效结构变化,均仍属于本发明技术方案的保护范 围内。
【权利要求】
1.一种镁或镁合金表面微弧氧化制备长余辉发光陶瓷膜的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤: 步骤一、以水为溶剂配制电解液,每升电解液中含铝酸钠45g~55g,焦磷酸钠35g~45g,磷酸二氢钠40g~45g,氢氧化银12g~15g,十二烷基硫酸钠18g~22g,搅拌均匀后将电解液置于电解槽中; 步骤二、将待处理的镁或镁合金置于步骤一所述电解液中作为阳极,不锈钢板作为阴极,控制电解液的温度为5°C~10°C,采用脉冲式微弧氧化电源,调节脉冲频率为300Hz~1000Hz,占空比为5%~45%,在电压为350V~550V的条件下恒压电解1Omin~40min,在镁或镁合金表面生长一层均匀的长余辉发光陶瓷膜。
2.按照权利要求1所述的镁或镁合金表面微弧氧化制备长余辉发光陶瓷膜的方法,其特征在于,步骤一中每升电解液中含铝酸钠48g~52g,焦磷酸钠38g~42g,磷酸二氢钠40g~42g,氢氧 化银13g~14g,十二烷基硫酸钠19g~20g。
3.根据权利要求1所述的镁或镁合金表面微弧氧化制备长余辉发光陶瓷膜的方法,其特征在于,步骤二中所述脉冲频率为450Hz~500Hz。
4.根据权利要求1所述的镁或镁合金表面微弧氧化制备长余辉发光陶瓷膜的方法,其特征在于,步骤二中所述占空比为10%~20%。
5.根据权利要求1所述的镁或镁合金表面微弧氧化制备长余辉发光陶瓷膜的方法,其特征在于,步骤二中所述电压为450V~500V。
【文档编号】C25D11/30GK103741194SQ201410036577
【公开日】2014年4月23日 申请日期:2014年1月24日 优先权日:2014年1月24日
【发明者】陈宏 , 郝建民, 崔晓, 陈永楠 申请人:长安大学
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