两层挠性配线用基板及其制造方法以及两层挠性配线板及其制造方法

文档序号:8248470阅读:471来源:国知局
两层挠性配线用基板及其制造方法以及两层挠性配线板及其制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及通过电镀铜法使铜层的一部分析出而改良耐折性的两层挠性配线用 基板和该两层挠性配线用基板的制造方法、以及两层挠性配线板及其制造方法。
【背景技术】
[0002] 挠性配线板有效利用其弯曲性而广泛用于硬盘的读写磁头或打印机头等电子设 备的需要曲折或弯曲的部分或液晶显示器内的曲折配线等。
[0003] 对于所述挠性配线板的制造,可使用如下方法:使用移除法等对层叠有铜层 和树脂层的挠性配线用基板(也称为挠性覆铜层叠板,FCCL=Flexibl e Copper Clad Lamination)进行配线加工。
[0004] 该移除法一般是化学蚀刻处理覆铜层叠板的铜层而除去不需要的部分的方法。 艮P,在挠性配线用基板的铜层中的要作为导体配线残留的部分的表面设置抗蚀剂,经由利 用与铜对应的蚀刻液的化学蚀刻处理和水洗,选择性地除去铜层的不需要部分,而形成导 体配线。
[0005] 挠性配线用基板(FCCL)可分类为三层挠性配线用基板(以下,称为三层FCCL)和 两层挠性配线用基板(称为两层FCCL)。
[0006] 三层FCCL为在基体(绝缘层)的树脂膜上粘合电解铜箔或轧制铜箔的结构(铜箔 /粘合剂层/树脂膜)。另一方面,两层FCCL为铜层或铜箔与树脂膜基材层叠的结构(铜 层或铜箔/树脂膜)。
[0007] 另外,上述两层FCCL大致分类有3种。
[0008] S卩,具有在树脂膜的表面依次镀敷基底金属层和铜层而形成的FCCL(通称镀金属 基板)、在铜箔上涂敷树脂膜的清漆而形成绝缘层的FCCL(通称流延基板)、以及在铜箔上 层叠树脂膜的FCCL(通称层叠基板)。
[0009] 上述镀金属基板即在树脂膜的表面依次镀敷基底金属层和铜层而形成的FCCL由 于可以进行铜层的薄膜化、且聚酰亚胺膜和铜层界面的平滑性高,因此,与流延基板和层叠 基板或三层FCCL相比,适于配线的精细图案化。
[0010] 这是因为,例如,镀金属基板的铜层可通过干式镀敷法和电镀法自由地控制层厚, 与此相比,流延基板或层叠基板或三层FCCL的厚度等受到所使用的铜箔的厚度等的限制。 [0011] 另外,另一方面,对于挠性配线基板的配线所使用的铜箔,通过例如对铜箔实施热 处理的方法(参照专利文献1)或进行轧制加工的方法(参照专利文献2),可实现耐折性的 提1?。
[0012] 但是,这些方法与三层FCCL的轧制铜箔或电解铜箔、两层FCCL中的流延基板和层 叠基板所使用的铜箔本身的处理相关。
[0013] 予以说明,在铜箔的耐折性评价中,工业上使用基于"JIS C-5016-1994"等或 "ASTM D2176" 标准的 MIT 耐折度试验(Folding Endurance Test)。
[0014] 在该试验中,根据直至形成于试验片上的电路图案断线为止的弯曲次数进行评 价,该弯曲次数越大,耐折性越优异。
[0015] 现有技术文献
[0016] 专利文献
[0017] 专利文献1 :日本特开平8-283886号公报
[0018] 专利文献2 :日本特开平6-269807号公报

【发明内容】

[0019] 发明要解决的课题
[0020] 作为本发明对象的两层挠性配线用基板和两层挠性配线板是在树脂膜基材的至 少一面上依次形成由不经由粘合剂形成的晶种层和镀铜层构成的金属层的镀敷基板,因 此,像现有技术文献所公开的那样仅实施镀铜层的热处理或轧制加工难以提高耐折性。因 此,对于镀敷基板来说,期望耐折性优异的镀敷基板的制造方法。
[0021] 鉴于这种情况,本发明提供一种耐折性优异的两层挠性配线用基板及其制造方 法、两层挠性配线板及其制造方法。
[0022] 解决课题的手段
[0023] 本发明人等为了解决上述课题,对通过镀敷法形成于聚酰亚胺树脂层上的铜层的 耐折性进行了锐意研究,结果,使用(200)优先取向的溅射材料,然后通过镀铜,确认耐折 性试验前后的结晶取向性的变化对耐折性试验结果的影响,至此完成了本发明。
[0024] 本发明的第一发明提供一种两层挠性配线用基板,其是在树脂膜基板表面上不经 由粘合剂而设置含镍合金的基底金属层、和在该基底金属层的表面上设置具有铜层的金属 层叠体的配线的两层挠性配线用基板,其特征在于,通过电子背散射衍射法(EBSD)测得的 上述金属层叠体中的从上述树脂膜基板表面到〇. 4μ m为止的范围内所含结晶的111方位 的结晶比例OR111相对于001方位的结晶比例ORqqi之比(OR 111A)Rqqi)为7以下,该铜层的 (111)面的取向度指数为1. 2以上,且在JIS C-5016-1994所规定的耐折性试验的实施前后 得到的该铜层的结晶取向比[(200V(111)]之差d[(200V(lll)]为0.03以上。
[0025] 本发明的第二发明是第一发明中的两层挠性配线用基板,其特征在于,基底金属 层的膜厚为3nm?50nm。
[0026] 本发明的第三发明是第一和第二发明中的两层挠性配线用基板,其特征在于,铜 层的膜厚为5 μ m?12 μ m。
[0027] 本发明的第四发明是第一?第三发明中的两层挠性配线用基板,其特征在于,铜 层由成膜于基底金属层表面的铜薄膜层和通过电镀铜而成膜于该铜薄膜层表面的电镀铜 层构成,电镀铜层通过从其表面沿树脂膜基板方向于膜厚的10%以上的厚度范围内,通过 利用周期性进行短时间电位反转的周期反向电流的电镀铜而形成。
[0028] 本发明的第五发明是第四发明中的两层挠性配线用基板,其特征在于,基底金属 层和铜薄膜层通过干式镀敷法形成。
[0029] 本发明的第六发明是第一?第五发明中的两层挠性配线用基板,其特征在于,树 脂膜基板为选自聚酰亚胺系膜、聚酰胺系膜、聚酯系膜、聚四氟乙烯系膜、聚苯硫醚系膜、聚 萘二甲酸乙二醇酯系膜、液晶聚合物系膜的至少一种以上的树脂膜。
[0030] 本发明的第七发明是第一?第六发明中的两层挠性配线用基板的制造方法,该方 法在树脂膜基板表面上不经由粘合剂而通过干式镀敷法成膜基底金属层和在基底金属层 的表面成膜铜薄膜层,且在该铜薄膜层的表面通过电镀铜法成膜电镀铜膜,其特征在于,利 用干式镀敷法成膜时的气氛为氩氮混合气体,电镀铜层通过从电镀铜层的表面沿树脂膜基 板方向于电镀铜层膜厚的10%以上的厚度范围内,通过利用周期性进行短时间电位反转的 周期反向电流的电镀铜法而形成。
[0031] 本发明的第八发明是两层挠性配线板,其是在树脂膜基板表面上不经由粘合剂而 设置含镍合金的基底金属层、和在上述基底金属层的表面上设置具有铜层的金属层叠体的 配线的挠性配线板,其特征在于,通过电子背散射衍射法(EBSD)测得的上述金属层叠体中 的从上述树脂膜基板表面到0. 4 μ m为止的范围内所含结晶的111方位的结晶比例OR111相 对于001方位的结晶比例ORtltll之比(OR 111A)Rcitll)为7以下,上述铜层的(111)结晶取向度 指数为1. 2以上,且在耐折性试验(JIS C-5016-1994规定的耐折性试验)实施前后得到的 上述铜层的结晶取向比[(200V(111)]之差d[(200V(lll)]为0.03以上。
[0032] 本发明的第九发明是第八发明中的两层挠性配线板,其特征在于,基底金属层的 膜厚为3nm?50nm。
[0033] 本发明的第十发明是第八和第九发明中的两层挠性配线板,其特征在于,铜层的 膜厚为5 μ m?12 μ m。
[0034] 本发明的第十一发明是第八?第十发明中的两层挠性配线板,其特征在于,铜层 由成膜于基底金属层表面的铜薄膜层和成膜于上述铜薄膜层表面的电镀铜层构成,该电镀 铜层通过从其表面沿树脂膜基板方向于膜厚的10%以上的厚度范围内,通过利用周期性进 行短时间电位反转的周期反向电流的电镀铜而形成。
[0035] 本发明的第十二发明是第十一发明中的两层挠性配线板,其特征在于,基底金属 层和铜薄膜层通过干式镀敷法形成。
[0036] 本发明的第十三发明是第八?第十二发明中的两层挠性配线板,其特征在于,树 脂膜基板为选自聚酰亚胺系膜、聚酰胺系膜、聚酯系膜、聚四氟乙烯系膜、聚苯硫醚系膜、聚 萘二甲酸乙二醇酯系膜、液晶聚合物系膜的至少一种以上的树脂膜。
[0037] 本发明的第十四发明是第八?第十三发明中的两层挠性配线板的制造方法,该方 法在树脂膜基板表面上不经由粘合剂而通过干式镀敷法成膜基底金属层和在上述基底金 属层的表面成膜铜薄膜层,且在上述铜薄膜层的表面通过电镀铜法成膜电镀铜膜,形成成 为配线的金属层叠体,其特征在于,利用干式镀敷法成膜时的气氛为氩氮混合气体,电镀铜 层通过从电镀铜层的表面沿树脂膜基板方向于电镀铜层膜厚的10%以上的厚度范围内,通 过利用周期性进行短时间电位反转的周期反向电流的电镀铜法而形成。
[0038] 发明效果
[0039] 第一?第七发明的效果如下。根据本发明的两层挠性配线用基板,在用于挠性配 线板的配线时,可显著改善其耐折性,起到工业上显著的效果,本发明的两层挠性配线用基 板的特征在于,在树脂膜基板表面上不经由粘合剂而设置含镍合金的基底金属层、和在该 基底金属层的表面上设置具有铜层的金属层叠体的配线,通过电子背散射衍射法(EBSD) 测得的金属层叠体中的从树脂膜基板表面到〇. 4μ m为止的范围内所含结晶的111方位的 结晶比例OR111相对于001方位的结晶比例ORqqi之比(OR 111A)Rqqi)为7以下,铜层的(111) 结晶取向度指数为I. 2以上,且在耐折性试验(JIS C-5016-1994规定的耐折性试验)实施 前后得到的铜层的结晶取向比[(200V(111)]之差d[(200V(lll)]为0.03以上。
[0040] 第八?第十四发明的效果如下。根据本发明的挠性配线板,可显著改善基板的耐 折性,实现工业上显著的效果,本发明的挠性配线板是在树脂膜表面上设置通过蒸镀法或 溅射法形成Ni、Cr、Cu等金属层和合金层,然后通过电镀法、非电解镀敷法或组合两者的方 法层叠铜层而设置成为形成的配线的金属层叠体,通过电子背散射衍射法(EBSD)测得的 金属层叠体中的从树脂膜基板表面到〇. 4 μ m为止的范围内所含结晶的111方位的结晶比 例OR111相对于001方位的结晶比例ORtltll之比(OR 111A)Rcicil)为7以下,铜层的(111)结晶取 向度指数为1. 2以上,且在耐折性试验(JIS C-5016-1994规定的耐折性试验)实施前后得 到的铜层的结晶取向比的[(200V(111)]之差d[(200V(lll)]显示为0.03以上。
【附图说明】
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