宽度为20 μ m的试验片（以下，称为试验片20 μ m)，除此以外，根据 "JISC-5016-1994" 进行评价。
[0270] 耐折性试验前后的电镀铜层的结晶取向通过X射线衍射使用Wilson取向度指数 进行测定。
[0271] 对于金属层叠体，通过EBSD法测定铜结晶的方位和方位比率。将其测定结果区分 为从树脂U旲基板表面侧到U旲厚0. 4 μ m为止的范围和?旲厚超过0. 4 μ m的范围进行解析。
[0272] 第一实施例中使用的电子背散射衍射法（EBSD)的测定条件如下所示。
[0273] [电子背散射衍射法（EBSD)的测定条件]
[0274] 作为衍射装置，使用Oxford Instruments公司制（HKL Channel 5)，以加速电压： 15kV、测定步骤：0.05 μ m的条件进行测定。另外，晶粒的（111)面取向的比例通过沿（111) 面的法线方向±15°的范围取向的晶粒在测定范围的面积占有率计算。
[0275] 通过移除法进行的配线加工中所使用的蚀刻液为氯化铁水溶液（比重1. 35,温度 45。。）。
[0276] [第一实施例中的实施例1]
[0277] 溅射气体（溅射气氛）设为I. 3Pa的氩和5体积％氮的混合气体。
[0278] 将铜层中从铜薄膜层表面到膜厚1. 5 μ m的范围成膜的阳极24a?24f的电流密 度设为lA/dm2以下，结果，金属层叠体的从树脂膜基板表面到0. 4 μ m为止的膜厚范围中的 通过电子背散射衍射法（EBSD)测得的结晶的111方位的结晶比例OR111相对于001方位的 结晶比例 ORqqi 之比（OR111A)Rqqi)为 〇· 7。
[0279] 为了从电镀铜层4的表面到10%的膜厚范围为止使用PR电流进行电镀，在阳极 24t流过PR电流，制作实施例1的两层挠性配线用基板。将此时的负电流时间比例设为 10%，得到镀敷膜。
[0280] MIT耐折性试验前的电镀铜层的（111)结晶取向度指数为1. 34。
[0281] 对于MIT耐折性试验前后的由X射线取向度指数表示的结晶取向比[(200)/ (111)]之差为0. 04的实施例1的MIT耐折性样品，配线宽度为Imm的试验片中为895次、 试验片50 μ m中为78次、试验片20 μ m中为50次，即得到了良好的结果。
[0282] 其蚀刻因子，试验片50 μ m中为6. 3,试验片20 μ m中也为6. 3。
[0283] [第一实施例中的实施例2]
[0284] 除了将溅射气氛设为氩和1体积％的氮的混合气体以外，与实施例1同样地制作 两层挠性配线用基板。金属层叠体的从树脂膜基板表面到0. 4 μ m为止的膜厚范围的通过 电子背散射衍射法（EBSD)得到的结晶的111方位的结晶比例OR111相对于001方位的结晶 比例 ORqqi 之比（〇Rm/〇RQQ1)为 3. 3。
[0285] MIT耐折性试验前的电镀铜层的（111)结晶取向度指数为1. 34。
[0286] 对于MIT耐折性试验前后的由X射线取向度指数表示的结晶取向比[(200)/ (111)]之差为0. 04的实施例2的MIT耐折性样品，配线宽度为Imm的试验片中为851次、 试验片50 μ m中为69次、试验片20 μ m中为45次，即得到了良好的结果。
[0287] 其蚀刻因子，试验片50 μ m中为5. 3,试验片20 μ m中为5. 5。
[0288] (第一实施例的比较例1)
[0289] 除了溅射气氛仅使用氩气以外，与实施例1同样地制作两层挠性配线用基板。
[0290] 通过电子背散射衍射法（EBSD)测得的结晶的111方位的结晶比例OR111相对于 001方位的结晶比例OR qqi之比（OR111A)Rqqi)为7. 3。
[0291] MIT耐折性试验前的电镀铜层的（111)结晶取向度指数为1. 20。
[0292] MIT耐折性试验前后的由X射线取向度指数表示的结晶取向比[(200V(111)]之 差为0. 03。
[0293] 显示上述特性的比较例1的样品的耐折性，配线宽度为Imm的试验片中显示541 次，试验片50 μ m中显示27次，试验片20 μ m中显示20次，S卩，显示出配线宽度为50 μ m以 下时不工作的结果，很明显，是比本发明的实施例1差的结果。
[0294] 其蚀刻因子，试验片50 μ m中为3. 9,试验片20 μ m中为4. 1。
[0295] 表1汇总示出了配线宽度为20 μ m、50 μ m的第一实施例的实施例、第一实施例的 比较例中的配线形状（底部宽度B、顶部宽度T、铜膜厚C)、溅射气氛、计算出的蚀刻因子F e 和MIT耐折性试验结果。
[0296] [表 1]
【主权项】
1. 两层挠性配线用基板，其是在树脂膜基板表面上不经由粘合剂而设置含镍合金的基 底金属层、和在上述基底金属层的表面上设置具有铜层的金属层叠体的配线的两层挠性配 线用基板，其特征在于， 通过电子背散射衍射法测得的上述金属层叠体中的从上述树脂膜基板表面到0.4μπι 为止的范围内所含结晶的111方位的结晶比例OR111相对于OOl方位的结晶比例ORwi之比 ORm/ORcm 为 7 以下， 上述铜层的（111)结晶取向度指数为1. 2以上，且 在抗折性试验实施前后得到的上述铜层的结晶取向比（200V(111)之差d[(200)/ (111)]为 0· 03 以上。
2. 权利要求1所述的两层挠性配线用基板，其特征在于，上述基底金属层的膜厚为 3nm ?50nm〇
3. 权利要求1或2所述的两层挠性配线用基板，其特征在于，上述铜层的膜厚为 5 μ m ~ 12 μ m。
4. 权利要求1?3任一项所述的两层挠性配线用基板，其特征在于，上述铜层由成膜于 上述基底金属层表面的铜薄膜层和通过电镀铜而成膜于上述铜薄膜层表面的电镀铜层构 成，上述电镀铜层通过从其表面沿上述树脂膜基板方向于膜厚的10%以上的厚度范围内， 通过利用周期性进行短时间电位反转的周期反向电流的电镀铜而形成。
5. 权利要求4所述的两层挠性配线用基板，其特征在于，上述基底金属层和上述铜薄 膜层通过干式镀敷法形成。
6. 权利要求1?5任一项所述的两层挠性配线用基板，其特征在于，上述树脂膜基板为 选自聚酰亚胺系膜、聚酰胺系膜、聚酯系膜、聚四氟乙烯系膜、聚苯硫醚系膜、聚萘二甲酸乙 二醇酯系膜、液晶聚合物系膜的至少一种以上的树脂膜。
7. 权利要求1?6任一项所述的两层挠性配线用基板的制造方法，该方法在树脂膜基 板表面上不经由粘合剂而通过干式镀敷法成膜基底金属层和在上述基底金属层的表面成 膜铜薄膜层，且在上述铜薄膜层的表面通过电镀铜法成膜电镀铜膜，其特征在于， 利用上述干式镀敷法成膜时的气氛为氩氮混合气体， 上述电镀铜层通过从上述电镀铜层的表面沿上述树脂膜基板方向于上述电镀铜层膜 厚的10%以上的厚度范围内，通过利用周期性进行短时间电位反转的周期反向电流的电镀 铜法而形成。
8. 两层挠性配线板，其是在树脂膜基板表面上不经由粘合剂而设置含镍合金的基底金 属层、和在上述基底金属层的表面上设置具有铜层的金属层叠体的配线的挠性配线板，其 特征在于， 通过电子背散射衍射法测得的上述金属层叠体中的从上述树脂膜基板表面到〇. 4μ m 为止的范围内所含结晶的111方位的结晶比例OR111相对于001方位的结晶比例ORwi之比 (OR 111A)Rcm)为 7 以下， 上述铜层的（111)结晶取向度指数为1. 2以上，且 在抗折性试验实施前后得到的上述铜层的结晶取向比（200V(111)之差d[(200)/ (111)]为 0· 03 以上。
9. 权利要求8所述的两层挠性配线板，其特征在于，上述基底金属层的膜厚为3nm? 50nm〇
10. 权利要求8或9所述的两层挠性配线板，其特征在于，上述铜层的膜厚为5 μ m? 12 μ m〇
11. 权利要求8?10任一项所述的两层挠性配线板，其特征在于，上述铜层由成膜于上 述基底金属层表面的铜薄膜层和成膜于上述铜薄膜层表面的电镀铜层构成，上述电镀铜层 通过从其表面沿上述树脂膜基板方向于膜厚的10%以上的厚度范围内，通过利用周期性进 行短时间电位反转的周期反向电流的电镀铜而形成。
12. 权利要求11所述的两层挠性配线板，其特征在于，上述基底金属层和上述铜薄膜 层通过干式镀敷法形成。
13. 权利要求8?12任一项所述的两层挠性配线板，其特征在于，上述树脂膜基板为选 自聚酰亚胺系膜、聚酰胺系膜、聚酯系膜、聚四氟乙烯系膜、聚苯硫醚系膜、聚萘二甲酸乙二 醇酯系膜、液晶聚合物系膜的至少一种以上的树脂膜。
14. 权利要求8?13任一项所述的两层挠性配线板的制造方法，该方法在树脂膜基板 表面上不经由粘合剂而通过干式镀敷法成膜基底金属层和在上述基底金属层的表面成膜 铜薄膜层，且在上述铜薄膜层的表面通过电镀铜法成膜电镀铜膜，其特征在于， 利用上述干式镀敷法成膜时的气氛为氩氮混合气体， 上述电镀铜层通过从上述电镀铜层的表面沿上述树脂膜基板方向于上述电镀铜层膜 厚的10%以上的厚度范围内，通过利用周期性进行短时间电位反转的周期反向电流的电镀 铜法而形成。
【专利摘要】本发明提供一种耐折性优异的两层挠性配线用基板和挠性配线板及其制造方法、以及两层挠性配线板及其制造方法。具体地，本发明提供两层挠性配线用基板或两层挠性配线板，其是在树脂膜基板表面上不经由粘合剂而设置含镍合金的基底金属层、和在该基底金属层的表面上设置具有铜层的金属层叠体的配线的两层挠性配线用基板或两层挠性配线板，其特征在于，通过电子背散射衍射法测得的金属层叠体中的从树脂膜基板表面到0.4μm为止的范围内所含结晶的111方位的结晶比例OR111相对于001方位的结晶比例OR001之比(OR111/OR001)为7以下，铜层的(111)结晶取向度指数为1.2以上，且在耐折性试验(JIS？C-5016-1994规定的耐折性试验)实施前后得到的铜层的结晶取向比[(200)/(111)]之差d[(200)/(111)]为0.03以上。
【IPC分类】C25D7-12, C23F17-00, H05K1-09, H05K1-03, C23C26-00, H05K3-18, C25D5-18
【公开号】CN104562121
【申请号】CN201410571305
【发明人】竹之内宏, 野口雅司, 西山芳英, 岛村富雄, 鸿上政士, 秦宏树
【申请人】住友金属矿山株式会社
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2014年10月23日