旋转角检测设备的制作方法
【专利摘要】一种旋转角检测设备（10），具有第一磁轭（40）和第二磁轭（50），第一磁轭（40）的内表面由第一凹曲表面（41）和第二凹曲表面（42）形成，第二磁轭（50）的内表面由第三凹曲表面（51）和第四凹曲表面（52）形成。每个凹曲表面并不在第二方向（D2）上延伸，而是以倾斜的方式向着第一平面（43）或第二平面（53）延伸。第一平面和第二平面相互面对并且相互平行，其间夹置有霍尔元件（61）。在霍尔元件周围的较宽范围上，从第一磁轭泄露到内部空间并且到达第二磁轭的磁通在第二方向上流动。
【专利说明】旋转角检测设备
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及旋转角检测设备。
【背景技术】
[0002]常规的旋转角检测设备由与旋转体的旋转轴间隔开的第一磁体、被定位为关于旋转轴与第一磁体相对的第二磁体、连接第一磁体和第二磁体的N极的第一磁轭、连接第一磁体和第二磁体的S极的第二磁轭以及被定位在旋转轴上的磁性检测元件形成。例如，第一磁轭和第二磁轭被固定到旋转体，而磁性检测元件被固定到支撑体。旋转角检测设备基于磁性检测元件的输出来检测旋转体的旋转角，磁性检测元件的输出随着旋转体相对于支撑体的旋转而改变。
[0003]在JP-A-2003-185471中公开的旋转角检测设备具有两个定子芯块，两个定子芯块夹置磁性检测元件以使在磁性检测元件附近穿过的磁通线性化。根据该旋转角检测设备，当定子芯块被移除时，在磁性检测元件附近穿过的磁通弯曲。当在磁性检测元件附近穿过的磁通弯曲时，甚至在旋转体的旋转角相同的情况下，检测结果也响应于旋转体与支撑体之间的位置偏离而变化。
【发明内容】
[0004]目的是提供一种旋转角检测设备，其具有相对于旋转体和支撑体之间的位置偏离的检测精度的较少退化。
[0005]提供旋转角检测设备以检测旋转体的旋转角，该旋转体相对于支撑体围绕其旋转轴中心旋转。在旋转角检测设备中，第一磁体与旋转体的旋转轴中心间隔开并且在与虚圆正切的方向上被磁化，该虚圆与旋转轴中心同轴。第二磁体被定位为相对于旋转轴中心与第一磁体相对，并且在与第一磁体相同的方向上被磁化。第一磁轭被固定到旋转体并且连接第一磁体的N极和第二磁体的N极。第二磁轭被固定到旋转体以相对于旋转轴中心与第一磁轭相对并且连接第一磁体的S极和第二磁体的S极。磁性检测元件被定位在旋转轴中心上并且被固定到支撑体。磁性检测元件输出电信号，该电信号随着由旋转体与支撑体之间的相对旋转生成的磁场的变化而改变。
[0006]第一磁体和第二磁体被定位为在通过旋转轴中心的第一方向上相互面对。第一磁轭和第二磁轭被定位为在第二方向上相互面对，第二方向与第一方向正交。
[0007]第一磁轭具有内表面，该内表面面对第二磁轭并且具有第一凹曲表面、第二凹曲表面和第一连接表面。第一凹曲表面在不同于第二方向的方向上从第一磁体的N极延伸，使得第一凹曲表面从第一磁体越接近第二磁体就越远离第二磁轭。第二凹曲表面从第二磁体的N极在不同于第二方向的方向上延伸，使得第二凹曲表面从第二磁体越接近第一磁体就越远离第二磁轭。第一连接表面连接第一凹曲表面和第二凹曲表面，并且具有在第一方向上延伸的平面或向着旋转轴中心突出的凸曲表面。
[0008]第二磁轭具有内表面，该内表面面对第一磁轭并且具有第三凹曲表面、第四凹曲表面和第二连接表面。第三凹曲表面从第一磁体的S极在不同于第二方向的方向上延伸，使得第三凹曲表面从第一磁体越接近第二磁体就越远离第一磁轭。第四凹曲表面从第二磁体的S极在不同于第二方向的方向上延伸，使得第四凹曲表面从第二磁体越接近第一磁体就越远离第一磁轭。第二连接表面连接第三凹曲表面和第四凹曲表面，并且具有在第一方向上延伸的平面或向着旋转轴中心突出的凸曲表面。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1是包括根据第一实施例的旋转角检测设备的电子节气门的示意性截面图；
[0010]图2是沿图1的线I1-1I截取的旋转角检测设备的示意性截面图；
[0011]图3是图2中所示的霍尔IC的电路框图；
[0012]图4是通过箭头方向示出穿过图2的截面图中的每个磁轭的磁通的示意图；
[0013]图5是示出一状态的示意图，在该状态中，每个磁轭从图4所示的参考位置顺时针方向旋转了 45° ;
[0014]图6是示出一状态的示意图，在该状态中，每个磁轭从图4所示的参考位置顺时针方向旋转了 90° ;
[0015]图7是示出一状态的示意图，在该状态中，每个磁轭从图4所示的参考位置逆时针方向旋转了 45° ;
[0016]图8是示出一状态的示意图，在该状态中，每个磁轭从图4所示的参考位置逆时针方向旋转了 90° ;
[0017]图9是由图3所示的霍尔元件检测的磁密度的特性图；
[0018]图10是由图3所示的霍尔IC输出的电信号的特性图；
[0019]图11是根据第二实施例的旋转角检测设备的示意性截面图；以及
[0020]图12是通过箭头方向示出穿过图11的截面图中的每个磁轭的磁通的示意图。
【具体实施方式】
[0021]将参考在附图中示出的多个实施例来详细描述旋转角检测设备。大体上，在所有实施例中，通过相同的附图标记来指示相同的结构。
[0022](第一实施例)
[0023]旋转角检测设备I被实施在例如如图1所示的用于车辆的电子节气门系统中。电子节气门系统由以下部件形成:外壳2、由外壳2可旋转支撑的旋转轴3、能够旋转地驱动旋转轴3的旋转致动器4以及旋转角检测设备10。外壳2是用于旋转轴3 (其是旋转体)的支撑体。旋转角检测设备10检测旋转轴3相对于外壳2的旋转角(旋转角位置)。表示所检测的旋转角的电信号被输入到外部设置的ECU (未示出)。ECU响应于从检测角检测设备10输入的电信号来反馈控制旋转致动器4。
[0024]将首先参考图1到图3来描述旋转角检测设备10的一般构造。旋转角检测设备10由第一磁体20、第二磁体30、第一磁轭40、第二磁轭50和霍尔IC60 (包括霍尔兀件61)形成。霍尔元件61是磁性检测元件。
[0025]第一磁体20在旋转轴3的径向方向上与旋转轴中心R间隔开，旋转轴3围绕该旋转轴中心R旋转，并且第一磁体20在与虚圆正切的方向上被磁化，该虚圆与旋转轴中心R同轴。第二磁体30被定位为相对于旋转轴中心R与第一磁体20相对。第一磁体20和第二磁体30被定位为相互面对所处的方向被称为第一方向D1。与旋转轴中心R和第一方向Dl正交的方向被称为第二方向D2。第一磁体20和第二磁体30在与第二方向D2平行的方向上被磁化。
[0026]第一磁轭40由磁性材料制成，并且连接第一磁体20的N极和第二磁体30的N极。第二磁轭50由磁性材料制成，并且被定位为以在第二方向D2上相互面对的方式相对于旋转轴中心R处于第一磁轭40的相对侧。第二磁轭50连接第一磁体20的S极和第二磁体30的S极。如图1所示，齿轮5被固定到旋转轴3的轴端部分。第一磁轭40和第二磁轭50被固定到齿轮5的径向内表面。第一磁轭40、第二磁轭50、第一磁体20和第二磁体30形成管状，该管状包围旋转轴中心R并且在旋转轴3旋转时与齿轮5 —起围绕旋转轴中心R旋转。
[0027]霍尔IC60在第一磁轭40和第二磁轭50之间的内部空间55中与旋转轴中心R —致的位置处被固定到支撑体2A。支撑体2A被固定到外壳2。如图3所示，霍尔IC60包括霍尔元件61、放大器电路62、A/D转换器电路63、信号处理电路64、D/A转换器电路65等。霍尔元件61是磁电转换元件，该元件使用霍尔效应并且输出与其磁性感测表面中的磁通密度对应的模拟信号。在图2所示的状态中，磁性感测表面与第一方向Dl正交，其中，旋转轴3被假定为处于参考角位置。放大器电路62对从霍尔元件61输出的模拟电信号进行放大。A/D转换器电路63将由放大器电路62放大的模拟电信号转换为数字电信号。信号处理电路64执行对从A/D转换器电路63输出的数字电信号的各种信号处理。信号处理电路64由例如DSP (数字信号处理器)形成，并且包括偏移校正电路66、幅度校正电路67、线性校正电路68等。线性校正电路68对应于线性校正部分，线性校正部分以某种方式执行对霍尔元件61的输出信号的校正，以使霍尔元件61的输出信号线性化，从而相对于旋转轴3的旋转角成比例地变化。D/A转换器电路64将从信号处理电路64输出的数字电信号转换为模拟电信号。霍尔IC60输出电信号，该电信号随着由旋转轴3与外壳2之间的相对旋转产生的磁场的变化而变化。
[0028]接下来将参考图4来描述旋转角检测设备10。第一磁轭40的面对第二磁轭50的内表面由第一凹曲表面41、第二凹曲表面42和第一平面43形成，第一平面43与两个凹曲表面41和42相邻。第一凹曲表面41并非与第二方向D2平行地延伸，而是从第一磁体20的N极延伸，延伸方式为当其从第一磁体20接近第二磁体30时越来越远离第二磁轭50。第二凹曲表面42并非与第二方向D2平行地延伸，而是从第二磁体30的N极延伸，延伸方式为当其从第二磁体30接近第一磁体20时越来越远离第二磁轭50。第一平面43与第一方向Dl平行地延伸，并且连接第一凹曲表面41和第二凹曲表面42。第一平面43对应于第一连接表面。第一磁轭40的外表面形状与其内表面形状相同。
[0029]第二磁轭50的面对第一磁轭40的内表面由第三凹曲表面51、第四凹曲表面52和第二平面53形成。第三凹曲表面51并非与第二方向D2平行地延伸，而是从第一磁体20的S极延伸，延伸方式为当其从第一磁体20接近第二磁体30时越来越远离第一磁轭40。第四凹曲表面52并非与第二方向D2平行地延伸，而是从第二磁体30的S极延伸，延伸方式为当其从第二磁体30接近第一磁体20时越来越远离第一磁轭40。第二平面53与第一方向Dl平行地延伸，并且连接第三凹曲表面51和第四凹曲表面52。第二平面53对应于第二连接表面。第二磁轭50的外表面形状与其内表面形状相同。
[0030]如图2所示，第一凹曲表面41的曲率半径的中心Cl与第二凹曲表面42的一致，并且位于第二磁轭50侧。S卩，中心Cl在第二方向D2上从旋转轴中心R向着第二磁轭50偏离。第三凹曲表面51的曲率半径的中心C2与第四凹曲表面52的一致，并且位于第一磁轭40侧。即，中心C2在第二方向D2上从旋转轴中心R向着第一磁轭40偏离。第一磁体20和第二磁体30间隔开并且被定位为使得在第一方向Dl上第一磁体20和旋转轴中心R之间的距离Xl与第二磁体30和旋转轴中心R之间的距离X2彼此相等(X1=X2)。第一磁轭40和第二磁轭50间隔开并且被定位为使得在第二方向D2上第一平面43和旋转轴中心R之间的距离Yl与第二平面53和旋转轴中心R之间的距离Y2相等(Y1=Y2)。距离Υ1、Υ2短于距离X1、Χ2。管状体(由第一磁轭40、第二磁轭50、第一磁体20和第二磁体30形成)相对于作为第一边界的第一虚拟平面SI成平面对称形状，该第一边界穿过旋转轴中心R并且在第二方向D2上延伸。管状体还相对于作为第二边界的第二虚拟平面S2成平面对称形状，该第二边界穿过旋转轴中心R并且在第一方向Dl上延伸。因此，管状体的横截面通常成椭圆形状。
[0031]如图4的箭头所示，从第一磁体20和第二磁体30的N极生成的磁通经由第一磁轭40、第一磁轭40与第二磁轭50之间的内部空间55以及第二磁轭50流到第一磁体20和第二磁体30的S极。磁体20和30的N极生成的磁通中的一些在从第一磁轭40的端部流到中心部分的过程中泄漏到内部空间55。
[0032]从第一磁轭40的第一凹曲表面41和第二凹曲表面42泄漏到内部空间55的磁通在沿着平行于第二方向D2的方向而不向着旋转轴中心R侧弯曲的路径中流到第二磁轭50的第三凹曲表面51和第四凹曲表面52。从第一磁轭40的第一平面43泄漏到内部空间55的磁通在与第二方向D2平行而不弯曲的路径中流到第二磁轭50的第二平面53。在图4中，未示出在第一磁轭40和第二磁轭50之外的磁通的方向。此外，在图4中，该方向指示方向，并且宽度指示磁通密度的幅度。即，随着箭头变得更宽，磁通密度增大。
[0033]接下来将参考图4到图9来描述旋转角检测设备10的操作。
[0034]( I)参考位置
[0035]当第一磁轭40和第二磁轭50位于如图4所示的参考位置处时，穿透霍尔元件61以及在霍尔元件61附近穿过的磁通以平行于霍尔元件61的磁性感测表面的路径流动。因为该原因，假定在参考位置处的旋转轴3的旋转角为0°，当旋转轴3的旋转角为0°时，如图9所示，由霍尔元件61检测的磁通密度为OmT。
[0036](2)旋转位置
[0037]当第一磁轭40和第二磁轭50随着旋转轴3旋转而从参考位置旋转时，穿透霍尔元件61以及在霍尔元件61附近穿过的磁通以横向于霍尔元件61的磁性感测表面的路径流动。例如，当旋转轴3的旋转角为45°时,磁通如图5所示那样流动。当旋转轴3的旋转角为-45°时，磁通如图6所示那样流动。当旋转轴3的旋转角为90°和-90°时，磁通如图7和图8所示那样，与霍尔元件61的磁性感测表面正交地流动。
[0038]如图9所示，当旋转轴3的旋转角从0°向着90°改变时，由霍尔元件61检测的磁通密度在正侧持续增大。当旋转角为90°时，由霍尔元件61检测的磁通密度达到在正侧的最大值。当旋转轴3的旋转角从90°向着180°改变时，由霍尔元件61检测的磁通密度持续减小到OmT。
[0039]另一方面，当旋转轴3的旋转角从0°向着-90°改变时，由霍尔元件61检测的磁通密度在负侧持续增大。当旋转角为-90°时，由霍尔元件61检测的磁通密度达到在负侧的最大值。当旋转轴3的旋转角从-90°向着-180°改变时，由霍尔元件61检测的磁通密度持续减小到OmT。
[0040]如上文的(I)和(2)中所描述的，霍尔元件61根据随着旋转轴3的旋转而变化的磁场的密度或强度来输出模拟电信号。霍尔IC60将从霍尔元件61输出的模拟电信号转换为数字电信号，执行包括线性校正的各种信号处理，然后将转换为模拟电信号之后的处理过的信号输出。图10是示出霍尔IC60的线性校正后的输出的特性图，该输出是线性的或者与旋转轴3的旋转角成比例。
[0041]如上文所描述的，根据第一实施例的旋转角检测设备10具有第一磁轭40，第一磁轭40的内表面面向第二磁轭50并且具有第一凹曲表面41和第二凹曲表面42。设备10还具有第二磁轭50，第二磁轭50的内表面面向第一磁轭40并且具有第三凹曲表面51和第四凹曲表面52。凹曲表面41、42、51和52中的每个都以倾斜的方式向着第一平面43或第二平面53延伸，而不与第二方向D2平行地延伸。S卩，凹曲表面41、42、51和52在与第二方向D2不同并且不与第二方向D2平行的方向上延伸。
[0042]因此，从第一凹曲表面41和第二凹曲表面42泄漏并且流到第三凹曲表面51和第四凹曲表面52的磁通采用沿着与第二方向D2平行的方向而不被弯曲的路径。即，与每个磁轭的端部与第二方向D2平行地从磁体延伸的情况相比，从第一磁轭40的端部泄漏到内部空间55中并且到达第二磁轭50的端部的磁通被抑制弯曲。因此，与比较性示例性情况相比，磁通变得在霍尔元件61附近的大范围上与第二方向D2平行。作为结果，即使霍尔元件61相对于第一磁轭40和第二磁轭50位置偏离，即即使旋转轴3相对于外壳2的位置是偏离的，也能够以较小的退化维持检测精度。
[0043]此外,第一磁轭40的内表面具有第一平面43和第二平面53。第一平面43与第一方向Dl平行地延伸以连接第一凹曲表面41和第二凹曲表面42。第二平面53也与第一方向Dl平行地，即与第一平面43平行地延伸，以连接第三凹曲表面51和第四凹曲表面52。第一平面43和第二平面53相互面对并且相互平行，其间夹置霍尔元件61。因此，从第一磁轭40的第一平面43泄漏到内部空间55并且到达第二磁轭50的第二平面53的磁通在沿着第二方向D2而不具有弯曲的路径上流动。因此，磁通在霍尔元件61及其外围的较宽范围上与第二方向D2平行地流动。作为结果，可能由霍尔元件61的位置偏离引起的检测精度的退化可以被更多地抑制。
[0044]此外，第一凹曲表面41和第二凹曲表面42的曲率半径的中心Cl相对于旋转轴中心R位于第二磁轭50侧。此外，第三凹曲表面51和第四凹曲表面52的曲率半径的中心C2相对于旋转轴中心R (即在第二方向D2上)位于第一磁轭40侧。因此，具有相对大的磁通密度的第一磁轭40或第二磁轭50的端部与霍尔元件61分隔开并且因此可以均衡霍尔元件61处与其周边区域周围的磁通密度。因此可以改善检测精度。
[0045]此外，第一磁体20和旋转轴中心R之间的距离Xl等于第二磁体30和旋转轴中心R之间的距离X2。另外，由第一磁轭40、第二磁轭50、第一磁体20和第二磁体30形成的管状体被形成为相对于作为边界的虚拟平面S成平面对称，该边界在第二方向D2上穿过旋转轴中心R。因此，磁通变得在霍尔元件61及其周边的较宽范围上与第二方向D2平行。
[0046](第二实施例)
[0047]将参考图11和图12，关于与第一实施例中的旋转角检测设备10的区别，来描述根据第二实施例的旋转角检测设备70。在旋转角检测设备70中，除了第一凹曲表面41和第二凹曲表面42之外，第一磁轭71面向第二磁轭73的内表面由第一凸曲表面72形成，第一凸曲表面72代替了第一实施例中的第一平面43。第一凸曲表面72连接第一凹曲表面41和第二凹曲表面42，并且向着旋转轴中心R突出。第一磁轭71的外表面的形状与内表面类似。除了第三凹曲表面51和第四凹曲表面52之外，第二磁轭73面向第一磁轭71的内表面由第二凸曲表面74形成，第二凸曲表面74代替了第一实施例中的第二平面53。第二凸曲表面74连接第三凹曲表面51和第四凹曲表面52，并且向着旋转轴中心R突出。两个凸曲表面72和74相互面对，并且其间在第二方向的距离比第一实施例中的更短。凸曲表面72和74之间的距离在第二方向D2上在旋转轴中心R处是最短的。第二磁轭73的外表面的形状与内表面类似。
[0048]第二实施例提供了与第一实施例类似的优点。此外，根据第二实施例，在相互面对的其间夹置有霍尔元件61的第一凸曲表面72和第二凸曲表面74之间的在第二方向D2上的距离随着越远离磁体20和30而变得越短。因此，在霍尔元件61及其周边的宽范围上，磁通之间的差别被减小了。因此能够抑制检测精度变低。
[0049](其它实施例)
[0050]可以如其它实施例那样来改动上述旋转检测设备。
[0051]第一磁轭和第二磁轭的凹曲表面和凸曲表面可以具有不同的曲率半径。第一磁轭和第二磁轭的外表面可以具有与内表面不同的形状。
[0052]第一磁轭的凹曲表面的曲率半径的中心可以与旋转轴中心一致。第一磁体和旋转轴中心之间的距离可以不同于第二磁体和旋转轴中心之间的距离。第一磁轭和第二磁轭的形状无需相对于虚拟表面成平面对称，该虚拟表面在第二方向D2上穿过旋转轴中心。
[0053]磁性检测设备无需是霍尔元件，而可以是诸如磁阻元件之类的设备。在霍尔元件被用作磁性检测设备的情况下，可以不提供包括各种处理电路的霍尔1C。即，旋转角检测设备可以仅包括霍尔元件，并且可以在外部附接各种处理。
[0054]旋转角检测设备可以用于车辆中的其它装置中或用于不同于车辆的其他系统中。
【权利要求】
1.一种用于检测旋转体(3)的旋转角的旋转角检测设备，所述旋转体(3)相对于支撑体(2、2A)围绕所述旋转体(3)的旋转轴中心(R)旋转,所述旋转角检测设备包括: 第一磁体(20)，其与所述旋转体的所述旋转轴中心(R)间隔开，并且在与虚圆正切的方向上被磁化，所述虚圆与所述旋转轴中心同轴； 第二磁体(30)，其被定位为相对于所述旋转轴中心与所述第一磁体相对，并且在与所述第一磁体相同的方向上被磁化； 第一磁轭(40、71)，其被固定到所述旋转体并且连接所述第一磁体的N极和所述第二磁体的N极； 第二磁轭(50、73)，其被固定到所述旋转体以相对于所述旋转轴中心与所述第一磁轭相对，所述第二磁轭连接所述第一磁体的S极和所述第二磁体的S极； 磁性检测元件(61)，其被定位在所述旋转轴中心上并且被固定到所述支撑体，所述磁性检测元件输出电信号，所述电信号随着由所述旋转体与所述支撑体之间的相对旋转生成的磁场的变化而改变， 其中，所述第一磁体(20)和所述第二磁体(30)被定位为在经由所述旋转轴中心的第一方向(Dl)上相互面对，并且所述第一磁轭(40、71)和所述第二磁轭(50、73)被定位为在第二方向(D2)上相互面对，所述第二方向(D2)与所述第一方向正交， 其中，所述第一磁轭(40、71)具有内表面，所述内表面面对所述第二磁轭并且具有第一凹曲表面(41)、第二凹曲表面(42)和第一连接表面(43、72)， 所述第一凹曲表面(41)在不同于所述第二方向的方向上从所述第一磁体的所述N极延伸，使得所述第一凹曲表面从所述第一磁体越接近所述第二磁体就越远离所述第二磁轭， 所述第二凹曲表面(42)在不同于所述第二方向的方向上从所述第二磁体的所述N极延伸，使得所述第二凹曲表面从所述第二磁体越接近所述第一磁体就越远离所述第二磁轭，并且 所述第一连接表面(43、72)连接所述第一凹曲表面和所述第二凹曲表面，并且具有在所述第一方向上延伸的平面(43)或向着所述旋转轴中心突出的凸曲表面(72)，并且 其中，所述第二磁轭(50、73)具有内表面，所述内表面面对所述第一磁轭并且具有第三凹曲表面(51)、第四凹曲表面(52)和第二连接表面(53、74)， 所述第三凹曲表面(51)在不同于所述第二方向的方向上从所述第一磁体的所述S极延伸，使得所述第三凹曲表面从所述第一磁体越接近所述第二磁体就越远离所述第一磁轭， 所述第四凹曲表面(52)在不同于所述第二方向的方向上从所述第二磁体的所述S极延伸，使得所述第四凹曲表面从所述第二磁体越接近所述第一磁体就越远离所述第一磁轭，并且 所述第二连接表面(53、74)连接所述第三凹曲表面和所述第四凹曲表面，并且具有在所述第一方向上延伸的平面(53)或向着所述旋转轴中心突出的凸曲表面(74)。
2.根据权利要求1所述的旋转角检测设备，其中: 所述第一连接表面(72)和所述第二连接表面(74)是向着所述旋转轴突出的凸曲表面。
3.根据权利要求1或2所述的旋转角检测设备，其中: 所述第一凹曲表面(41)和所述第二凹曲表面(42)具有相对于所述旋转轴中心在第二磁轭侧的曲率半径中心(Cl);并且 所述第三凹曲表面(51)和所述第四凹曲表面(52 )具有相对于所述旋转轴中心在第一磁轭侧的曲率半径中心(C2 )。
4.根据权利要求1或2所述的旋转角检测设备，其中: 所述第一磁体(20)和所述第二磁体(30)在所述第一方向上相对地与所述旋转轴中心间隔开相同的距离(X1、X2)。
5.根据权利要求1或2所述的旋转角检测设备，其中: 所述第一磁轭(40、71)和所述第二磁轭(50、73)被成形为相对于虚拟平面(SI)成平面对称，所述虚拟平面(SI)穿过所述旋转轴中心并且在所述第二方向上延伸。
6.根据权利要求1或2所述的旋转角检测设备，还包括: 线性校正部(68)，其用于将从所述磁性检测元件输出的电信号校正为对应于所述旋转体的旋转角线性变化。
7.根据权利要求1或2所述的旋转角检测设备，其中: 所述磁性检测元件(61)是霍尔元件。
8.根据权利要求1或2所述的旋转角检测设备，其中: 所述第一磁轭(40、71)和所述第二磁轭(50、73)在所述第二方向上相对地与所述旋转轴中心间隔开相同的距离(Yl、Y2 )。
9.根据权利要求1或2所述的旋转角检测设备，其中: 所述第一磁轭(40、71)和所述第二磁轭(50、73)被成形为相对于虚拟平面(S2)成平面对称，所述虚拟平面(S2 )穿过所述旋转轴中心并且在所述第一方向上延伸。
10.根据权利要求1或2所述的旋转角检测设备，其中: 所述第一磁体(20)和所述第二磁体(30)在所述第一方向上相对地与所述旋转轴中心间隔开相同的距离(X1、X2);并且 所述第一磁轭(40、71)和所述第二磁轭(50、73)在所述第二方向上相对地与所述旋转轴中心间隔开相同的距离(Yl、Y2)，所述距离(Yl、Y2)短于所述第一磁体和所述第二磁体在所述第一方向上与所述旋转轴中心间隔开的距离。
【文档编号】G01B7/30GK103727873SQ201310463621
【公开日】2014年4月16日 申请日期:2013年10月8日 优先权日:2012年10月12日
【发明者】本多仁美, 水谷彰利, 河野祯之 申请人:株式会社电装