面板结构与检测系统的制作方法

本实用新型是涉及一种检测用的工件，特别是涉及一种检测用的面板结构以及检测系统。

背景技术：

电子产品在制作、包装、测试、搬运乃至最终装配和使用时，随时都有遭受静电放电的破坏而造成无法正常运作的可能。因此，需多电子产品上会设置静电防护相关的结构或是元件。然而，电子产品的制作过程包括许多的程序与步骤，在部分的程序与步骤中，半成品或成品上不一定有静电防护结构或是元件的保护，这导致制作过程中的静电破坏现象无法有效被防止。有时，基于制作程序与机台设备的限制，不一定可以在每一个制作程序后立即安排检测步骤以检测静电放电的损坏是否发生。因此，在静电放电的损坏发生之后直到检测到损坏的期间，可能已继续进行了部分的程序，这导致成本与制作工艺时间上的损耗。此外，即便是存在有静电防护结构或是元件，制作过程中最好仍是将静电累积现象控制在安全的范围，才得以确保制作工艺良率。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种面板结构，用以检测制作工艺环境中的静电产生情形。

本实用新型的再一目的在于提供一种检测系统，可监控制作工艺环境中的静电产生情形以反馈给制作工艺条件的调整与控制，用于降低静电造成的损坏现象。

为达上述目的，本实用新型提供一种面板结构，其包括第一基板、检测构件以及信号传输单元。检测构件配置于第一基板上，且检测构件彼此独立地位于不同检测面积中。各检测构件包括以一介电结构分隔的一第一检测电极以及一第二检测电极，且各检测构件的第一检测电极与第二检测电极在对应的检测面积内重叠设置。信号传输单元电连通于检测构件，以记录检测构件的电信号。

在本实用新型的一实施例中，上述的各检测构件所包括的第一检测电极与第二检测电极实质上彼此平行。

在本实用新型的一实施例中，上述的介电结构包括多个独立的介电层单元。各介电层单元设置于其中一个检测构件的第一检测电极与第二检测电极之间并独立于其他介电层单元。

在本实用新型的一实施例中，上述的介电结构包括一介电层。检测构件的个别第一检测电极设置于介电层的一第一表面，且检测构件的个别第二检测电极设置于介电层的一第二表面。第一表面与第二表面彼此相对。

在本实用新型的一实施例中，上述的面板结构还包括多个功能构件，其中功能构件设置于第一基板上，位于一功能区内。检测构件位于功能区周边。

在本实用新型的一实施例中，上述的功能构件包括显示元件、发光元件、触控元件、感测元件或其组合。

在本实用新型的一实施例中，上述的各检测构件的第一检测电极与第二检测电极各自为金属层。

在本实用新型的一实施例中，上述的面板结构还包括一第二基板。检测构件设置于第一基板与第二基板之间。

本实用新型还提供一种检测系统，其包括前述的面板结构以及信号处理装置。面板结构中的信号传输单元将所记录的检测构件的电信号传输给信号处理装置，供信号处理装置分析检测构件的电信号。

在本实用新型的一实施例中，上述的信号传输单元与信号处理装置以无线传输方式传输检测构件的电信号。

基于上述，本实用新型的优点在于，采用设置有多个检测构件的面板结构来检测生产制作过程中发生的静电累积现象。将检测系统的检测结果反馈至制作条件的调整，有助于降低静电在制作过程中过度累积造成静电放电而损坏构件的机率。

为让本实用新型能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。

附图说明

图1为本实用新型一实施例的检测系统的示意图；

图2为本实用新型的一实施例的检测方法；

图3为本实用新型另一实施例的面板结构的示意图；

图4为本实用新型的一实施例的面板结构的局部剖面示意图；

图5为本实用新型的另一实施例的面板结构的局部剖面示意图；

图6为本实用新型的再一实施例的面板结构的局部剖面示意图；

图7为本实用新型的又一实施例的面板结构的局部剖面示意图。

符号说明

10：检测系统

100、100’、100A、100B、100C、100D：面板结构

110、150：基板

120：检测构件

122：第一检测电极

124：第二检测电极

130：信号传输单元

140：功能构件

200：信号处理装置

AA：功能区

I1、I2：介电结构

IA：检测面积

P1：第一表面

P2：第二表面

PO：外侧表面

S1～S3：步骤

W：传输线

具体实施方式

图1为本实用新型一实施例的检测系统的示意图。请参照图1，检测系统10包括面板结构100以及信号处理装置200，且面板结构100以及信号处理装置200彼此信号连通。面板结构100包括基板110、多个检测构件120 以及信号传输单元130。多个检测构件120与信号传输单元130都配置于基板110上。另外，信号传输单元130电连通于检测构件120，以记录检测构件120的电信号。面板结构100的信号传输单元130会将所记录的检测构件120的电信号传输给信号处理装置200，供信号处理装置200分析个别检测构件120的电信号。在一实施例中，信号传输单元130与信号处理装置200可采用无线传输方式传输检测构件120的电信号，也可选择以有线传输方式来传输。

在图1中，以斜线填满的面积来表示多个检测面积IA，且检测构件120彼此独立地位于不同检测面积IA中。在此，每个检测面积IA中设置一个检测构件120，或是每个检测面积IA可以视为单个检测构件120的面积范围。检测面积IA彼此不重叠以独立地在基板110的不同位置处执行检测功能。检测构件120可以采N排M列的方式排列在基板110上，其中N与M都是正整数。不过，在其他的实施例中，检测构件120可采其他的方式排列，例如相邻两列彼此错移一距离、放射状的排列方式、不规律的排列方式、沿着螺旋路径排列的方式、沿着折曲(zigzag)路径排列的方式等。也就是说，多个检测构件120的排列方式可以依照不同的需求调整。图1中所表示的阵列排列方式仅是举例说明之用，并非用以限定本实用新型。

以本实施例来说，检测构件120可以通过各自的传输线W连接至信号传输单元130，使得产生于个别检测构件120上的电信号可独立地纪录于信号传输单元130中。检测构件120不会被输入特定的电信号。检测构件120的电信号主要相关于其所在位置处的静电累积现象，因此可以用以检测静电累积现象。具体来说，信号传输单元130不对检测构件120输入特定信号而仅读取与记录个别检测构件120的电信号。记录于信号传输单元130中的电信号则可传输给信号处理装置200且经信号处理装置200分析后来获得整个面板结构100的静电累积分布情形。由此执行静电累积现象的检测。

图2为本实用新型的一实施例的检测方法。请参照图1与图2，前述实施例的检测系统10进行检测的方法可以包括以下步骤。首先，如步骤S1所述，将面板结构100放置于制作工艺环境中。此处所记载的制作工艺环境是指欲执行的制作工艺步骤的制作工艺机台内或是制作工艺站位上。举例而言，当欲执行的制作工艺步骤为镀膜制作工艺时，制作工艺环境为镀膜机台的镀膜腔室内。当欲执行的制作工艺步骤为蚀刻制作工艺时，制作工艺环境为蚀刻机台的蚀刻腔室内。在本实施例中，可以使用面板结构100直接在制作工艺环境中执行静电累积现象的检测。

接着，如步骤S2所述，执行欲进行的制作工艺。此外，如步骤S3所述，可以读取与分析来自面板结构100的电信号，而得到面板结构100在这样的制作工艺步骤中所受到的静电累积现象。也就是说，本实施例将面板结构100放置于制作工艺环境中直接进行要执行的制作工艺。如此一来，面板结构100受到的静电累积现象可以作为以相同制作工艺来制作产品时，半成品所受到的静电累积情形。

步骤S2与步骤S3可以同时进行。在一实施例中，信号传输单元130与信号处理装置200可采用无线传输方式传输电信号。因此，制作工艺环境是封闭的腔室时，信号传输单元130所记录的电信号仍可以传输至信号处理装置200，从而即时的分析出面板结构200在制作工艺环境内受到的静电累积情形。如此一来，当信号处理装置200分析的结果显示出面板结构100的某个位置处发生静电累积现象超过预设程度时，可以即时地终止制作工艺，或是调整制作工艺条件。

另外，可选择在步骤S2完成后才进行步骤S3。在一实施例中，面板结构100上的信号传输单元130可包括存储器或类似的存储介质，因此执行步骤S2过程中，信号传输单元130可以持续地记录并存储各个检测构件120上的电信号。完成步骤S2后，再将面板结构100上的信号传输单元130与信号处理装置200电讯连通，使得信号处理装置200接收信号传输单元130所记录的电信号。在此，可将面板结构100自制作工艺环境中取出，再使信号传输单元130与信号处理装置200电讯连通。此时，信号传输单元130与信号处理装置200的电讯连通可以是通过有线式的传输技术也可以通过无线式的传输技术来实现。不过，也可选择在完成对应的制作工艺步骤后，将面板结构100留在制作工艺环境中，并使信号传输单元130与信号处理装置200以无线方式电讯连通。

信号处理装置200接着分析取得的电信号后，操作者或是制造设备(机台)即可利用分析结果判别步骤S2的制作工艺执行过程中是否有某些位置发生了不希望的静电累积情形。由此分析结果来判断制作工艺条件是否需要调整。举例来说，步骤S2中所执行的制作工艺为镀膜制作工艺时，若某些位置发生了不希望的静电累积，可选择调整镀膜腔室内的气体的流速、调整镀膜速度、调整面板结构100的移动方式或调整其他制作工艺条件来降低局部区域中静电累积异常的情形。经过这样的检测以及依据检测结果来调整制作工艺条件，可以有效的避免制作过程中因不当的静电累积导致构件损坏的情形。当然，上述调整方式仅是举例说明之用，不需以此为限。

步骤S1至步骤S3所示的检测方法可以在执行个别制作工艺的过程当中即时进行检测，或是在执行完个别制作工艺步骤后即检测出是否有不想要的静电累积情形。一但有不想要的静电累积情形发生可以立即地调整制作工艺条件，而得到合适的制作工艺条件。之后，采用调整过的制作工艺条件进行实际产品的制作生产，则可降低制作实际产品的过程中因为静电放电而损坏构件的情形。也就是说，本实施例采用面板结构100作为检测工件，以获得安全性较高的制作工艺参数与条件，并且采用调整后的制作工艺参数与条件来执行实际产品的生产制作。如此，可以有效防止制作过程中的静电放电损坏。

另外，可以使用同一个面板结构100于不同制作工艺步骤中重复执行步骤S1至步骤S3所示的检测方法，以获得合适的制作工艺。举例而言，制作产品需要执行的制作工艺步骤包括依序进行镀膜制作工艺与蚀刻制作工艺等步骤时，可以先使用面板结构100于镀膜机台(或镀膜设备)中进行步骤S1至步骤S3而调整出镀膜制作工艺的合适条件。接着，再以同一个面板结构100于蚀刻机台(或蚀刻设备)中进行步骤S1至步骤S3而调整出蚀刻制作工艺的合适条件。因此，面板结构100可以重复使用。

另外，面板结构100也可以应用于实际制造的产品上。图3为本实用新型另一实施例的面板结构的示意图。请参照图3，面板结构100’包括基板110、多个检测构件120、信号传输单元130以及多个功能构件140。在本实施例中，多个检测构件120、信号传输单元130与功能构件140都配置于基板110上，且基板110、多个检测构件120与信号传输单元130的配置关系与电连接关系可以参照图1的相关说明。另外，基板110具有一功能区AA，其中功能构件140都位于功能区AA内，而检测构件120位于功能区AA周边。在本实施例中，功能构件140包括显示元件、发光元件、触控元件、感测元件或其组合。功能构件140是指用来实现电子产品所需要的功能的构件。当电子产品是显示装置或是需要显示功能时，功能构件140可为显示元件。当电子产品是触控感测装置或是需要触控感测功能时，功能构件140即为触控感测元件。在此实施例中，检测构件120可以保留于最终的电子产品上，但不以此为限。

面板结构100’可以应用于图1的检测系统中也可以执行如图2的检测方法。也就是说，面板结构100’的作用可参照面板结构100。以面板结构100’执行如图2的检测方法时，会同时地进行功能构件140的个别构件的制作。因此，面板结构100’上的检测构件120可用来即时监测功能构件140的制作过程中，在制作工艺环境内是否有不想要的静电累积情形产生。如有，可以即时调整制作工艺条件，避免功能构件140在制作过程中受到静电放电损坏。若无，则继续进行预定的制作工艺步骤以将功能构件140制作出来。

图4为本实用新型的一实施例的面板结构的局部剖面示意图，其中图4呈现出面板结构的基板、检测构件与信号传输单元。请参照图4，面板结构100A可以作为前述面板结构100或100’的剖面结构的实施方式。因此，面板结构100A中有部分构件的标注符号相同于前述的面板结构100或100’的对应构件，而可视为具有相同或近似的结构与功能。具体而言，面板结构100A包括基板110、多个检测构件120、信号传输单元130以及介电结构I1。在本实施例中，检测构件120彼此独立地位于不同检测面积IA中，且各检测构件120包括以一介电结构I1分隔的一第一检测电极122以及一第二检测电极124。各检测构件120的第一检测电极122与第二检测电极124在对应的检测面积IA内重叠设置。

第一检测电极122与第二检测电极124可以分别是金属层，且两金属层实质上彼此平行而由介电结构I1分隔开来。此时，各检测构件120具有金属层-介电层-金属层(MIM)形式的电容结构。不过，第一检测电极122与第二检测电极124的材质可以是非金属导电材料，例如氧化物导电材料、有机导电材料或是含碳导电材料等。氧化物导电材料包括有铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锡、氧化锌等。含碳导电材料包括石墨、石墨烯、奈米碳管等。

各检测构件120的第一检测电极122与第二检测电极124可以分别连接至信号传输单元130。信号传输单元130可将同一检测构件120的第一检测电极122与第二检测电极124的信号搭配成对而记录为此一检测构件120的电信号。此外，这些检测构件120的电信号会独立被记录与存储于信号传输单元130中，以独立地检测个别检测构件120所在位置的静电累积情形。

在本实施例中，介电结构I1为整层连续分布于这些检测构件120之间的介电层。以介电层构成的介电结构I1具有相对的第一表面P1与第二表面P2。检测构件120的个别第一检测电极122设置于介电结构I1的第一表面P1，而检测构件120的个别第二检测电极124设置于介电结构I1的第二表面P2。

图5为本实用新型的另一实施例的面板结构的局部剖面示意图，其中图5呈现出面板结构的基板、检测构件与信号传输单元。图5的面板结构100B相似于图4的面板结构100A，不过，在图5中，介电结构I2是对应于检测构件120的独立介电层单元。也就是说，每个检测构件120包括第一检测电极122、第二检测电极124以及以介电层单元构成的介电结构I2。每个检测构件120的介电结构I2彼此独立。面板结构100B中的基板110、第一检测电极122、第二检测电极124与信号传输单元130可参照图4的相关说明，而不另赘述。

图6为本实用新型的再一实施例的面板结构的局部剖面示意图，其中图6呈现出面板结构的基板、检测构件与信号传输单元。图6的面板结构100C相似于图4的面板结构100A，不过，在图6中，面板结构100C还包括有另一基板150。在此，基板110可视为第一基板而基板150可视为第二基板，且检测构件120以及介电结构I1都设置于第一基板(基板110)与第二基板(基板150)之间。当前述的面板结构100或100’采用面板结构100C的剖面结构来实施时，执行图2的步骤S2时，将会是在基板110或是基板150的外侧表面PO执行要进行的制作工艺(例如镀膜、蚀刻等)，而不影响检测构件120本身的结构。

图7为本实用新型的又一实施例的面板结构的局部剖面示意图，其中图7呈现出面板结构的基板、检测构件与信号传输单元。图7的面板结构100D相似于图5的面板结构100B，不过，在图7中，面板结构100D还包括有另一基板150。在此，基板110可视为第一基板而基板150可视为第二基板，且检测构件120以及介电结构I2都设置于第一基板(基板110)与第二基板(基板150)之间。当前述的面板结构100或100’采用面板结构100D的剖面结构来实施时，执行图2的步骤S2时，将会是在基板110或是基板150的外侧表面PO执行要进行的制作工艺(例如镀膜、蚀刻等)，而不影响检测构件120本身的结构。

综上所述，本实用新型的实施例将多个检测构件设置于基板上而构成检测用的面板结构。检测结构可用于独立地检测个别位置处的静电累积情形。如此，将面板结构置入制作工艺环境中进行个别制作工艺，可即时监测个别位置处的静电累积情形，以作为调整制作工艺条件的参考依据并且可依照检测结果调整出合适的制作工艺来制作产品。由此，可以提高制作工艺良率，避免制作过程中发生静电放电导致产品中的构件损坏的情形。