一种l-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法

一种l-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及分析化学材料制备技术领域，具体涉及L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法。
【背景技术】
[0002]近年来，由于纳米孔金膜具有大的比表面积及良好的化学稳定性，在催化、传感器和燃料电池等方面引起了人们的广泛兴趣。通常采用去合金法制备，首先制备含金的双金属合金，如Au-Ag，Au-zn等，然后利用化学或电化学的方法将较活泼的金属选择性去除，即可得到纳米孔金。
[0003]在催化及电化学应用中，纳米孔金需要固定于固体基底，如金电极、玻碳电极和硅的基底表面，制备的主要方法有:金基底腐蚀法、直接粘结法和沉积合金/去合金法等。目前尚未见在ITO基底上制备纳米孔金膜的报道。

【发明内容】

[0004]本发明旨在提出一种L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法。
[0005]本发明的技术方案在于:
一种Z-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法，采用如下步骤:
步骤1:纳米金银合金膜电极的制备:
将ITO导电玻璃划成4.0cmX0.5cm的长方形，随后依次用稀氨水、
无水乙醇、亚沸水各超声清洗10 min ;后采用循环伏安法沉积金银合金纳米膜。
[0006]步骤2:纳米孔金膜电极的制备:
将制得的金银合金纳米膜电极浸泡在此104溶液中，12h后取出，并在烘箱中放置I h，即制得纳米多孔金膜电极。
[0007]步骤3:L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备:
将制得的纳米多孔金膜电极浸泡在lmmol/L Z-半胱氨酸水溶液中，在4°C冰箱中保存约2 h后取出，冲洗干净并用高纯氮气吹干，即制得L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极。
[0008]优选地，所述的超声清洗的电解液的组成为:0.2 mmol/L HAuCl4,0.2mmol/LAgNO3, 0.02mol/L氨水和0.05mol/L磷酸盐缓冲溶液。
[0009]更优选地，所述的采用循环伏安法沉积金银合金纳米膜是需要N2保护。
[0010]或者更优选地，所述的制备纳米金银合金膜电极的条件为:电位范围O?-1.4 V，扫速0.05 V/s，圈数40圈，温度30°C。
[0011]本发明的技术效果在于:
本发明采用电化学沉积金银合金及去合金化法在ITO电极表面制备了纳米孔金膜，电极制备方法简单，孔膜结构及表面积可由电沉积条件调控。
【具体实施方式】
[0012]一种L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法，采用如下步骤:
步骤1:纳米金银合金膜电极的制备:
将ITO导电玻璃划成4.0cmX0.5cm的长方形，随后依次用稀氨水、
无水乙醇、亚沸水各超声清洗10 min ;后采用循环伏安法沉积金银合金纳米膜。
[0013]步骤2:纳米孔金膜电极的制备:
将制得的金银合金纳米膜电极浸泡在此104溶液中，12h后取出，并在烘箱中放置I h，即制得纳米多孔金膜电极。
[0014]步骤3:L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备:
将制得的纳米多孔金膜电极浸泡在lmmol/L Z-半胱氨酸水溶液中，在4°C冰箱中保存约2 h后取出，冲洗干净并用高纯氮气吹干，即制得L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极。
[0015]其中，超声清洗的电解液的组成为:0.2 mmol/L HAuCl4,0.2mmol/LAgNO3, 0.02mol/L氨水和0.05mol/L磷酸盐缓冲溶液。采用循环伏安法沉积金银合金纳米膜是需要N2保护。制备纳米金银合金膜电极的条件为:电位范围O?-1.4 V，扫速0.05 V/S，圈数40圈，温度30°C。
【主权项】
1.一种L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法，其特征在于:采用如下步骤: 步骤1:纳米金银合金膜电极的制备: 将ITO导电玻璃划成4.0cmX0.5cm的长方形，随后依次用稀氨水、 无水乙醇、亚沸水各超声清洗10 min ;后采用循环伏安法沉积金银合金纳米膜； 步骤2:纳米孔金膜电极的制备: 将制得的金银合金纳米膜电极浸泡在此104溶液中，12h后取出，并在烘箱中放置I h，即制得纳米多孔金膜电极； 步骤3:L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备: 将制得的纳米多孔金膜电极浸泡在lmmol/L Z-半胱氨酸水溶液中，在4°C冰箱中保存约2 h后取出，冲洗干净并用高纯氮气吹干，即制得L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极。
2.如权利要求1一种Z-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法，其特征在于:所述的超声清洗的电解液的组成为:0.2 mmol/L HAuCl4,0.2mmol/L AgNO3, 0.02mol/L氨水和0.05mol/L磷酸盐缓冲溶液。
3.如权利要求2—种L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法，其特征在于:所述的采用循环伏安法沉积金银合金纳米膜是需要N2保护。
4.如权利要求3—种L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法，其特征在于:所述的制备纳米金银合金膜电极的条件为:电位范围O?-1.4 V，扫速0.05 V/s，圈数40圈，温度 30。。。
【专利摘要】本发明涉及分析化学材料制备技术领域，具体涉及L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法。一种L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法，将ITO导电玻璃划成4.0cm×0.5cm的长方形，依次用稀氨水、无水乙醇、亚沸水各超声清洗10min；采用循环伏安法沉积金银合金纳米膜。将制得的金银合金纳米膜电极浸泡在HClO4溶液中，12h后取出，并在烘箱中放置1h，制得纳米多孔金膜电极。将纳米多孔金膜电极浸泡在lmmol/LL-半胱氨酸水溶液中，在4℃冰箱中保存约2h后取出，冲洗干净并用高纯氮气吹干，即制得L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极。本发明采用电化学沉积金银合金及去合金化法在ITO电极表面制备了纳米孔金膜，电极制备方法简单，孔膜结构及表面积可由电沉积条件调控。
【IPC分类】B82Y40-00, G01N27-30
【公开号】CN104655696
【申请号】CN201410756606
【发明人】白晓东
【申请人】白晓东
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2014年12月11日