产生恒定电压的装置（变体）的制作方法

从现有技术中可了解到类似技术方案，参见例如USSR专利第1229742号说明书，所述说明书包含以下基本特征组合：

整流器(DC电压源)；

-DC脉冲电压转换器，所述DC脉冲电压转换器的输入端连接到所述DC电压源的输出端；

-脉冲电压DC转换器，所述脉冲电压DC转换器的输入端连接到所述DC脉冲电压转换器(DLC过滤器)的输出端；

-第一电阻分压器，所述第一电阻分压器的相应输出端连接到所述DLC过滤器的输出端；

-线路稳定器，所述线路稳定器的输入端连接到所述脉冲电压DC转换器的输出端；

-第二电阻分压器，所述第二电阻分压器的输出端之一连接到所述线路稳定器的输出端，且所述第二电阻分压器的另一输出端连接到所述DC电压源的负输出端；

-负载，所述负载的第一输出端连接到所述线路稳定器的输出端，且所述负载的第二输出端连接到所述DC电压源的负输出端；

-控制电路，所述控制电路的第一输入端连接到DC输出电压选择器的输出端，所述控制电路的第二输入端连接到所述第二电阻分压器的输出端，且所述控制电路的输出端连接到所述DC脉冲电压转换器的控制输入端。

对于用于获得DC电压的装置的提出的第一实施例和上述类似技术方案来说，以下特征是相同的：

-DC电压源；

-DC脉冲电压转换器，所述DC脉冲电压转换器的输入端连接到所述DC电压源的输出端；

-脉冲电压DC转换器，所述脉冲电压DC转换器的相应输入端连接到所述DC脉冲电压转换器的相应输出端；

-DC输出电压选择器(第一电阻分压器)，所述DC输出电压选择器的相应输出端连接到所述脉冲电压DC转换器的输出端；

-控制电路，所述控制电路的第一输入端连接到所述DC电压输出选择器的输出端，且所述控制电路的输出端连接到所述DC脉冲电压转换器的控制输入端。

对于用于获得DC电压的装置的提出的第二实施例和上述类似技术方案来说，以下特征是相同的：

-DC电压源；

-DC脉冲电压转换器，所述DC脉冲电压转换器的输入端连接到所述DC电压源的输出端；

-脉冲电压DC转换器；

-DC输出电压选择器，所述DC输出电压选择器的相应输出端连接到所述DC脉冲电压转换器的输出端；

-控制电路，所述控制电路的第一输入端连接到所述DC输出电压选择器的输出端。

类似技术方案也是已知的，关于包含以下基本特征组合的原型，参见选择作为最近现有技术的US专利第6747420B2号：

-DC电压源；

-DC脉冲电压转换器，所述DC脉冲电压转换器的输入端连接到所述DC电压源的输出端；

-脉冲电压DC转换器，所述脉冲电压DC转换器具有连接到负载的输出端之一的正输出端，所述脉冲电压DC转换器的输入端连接到所述DC脉冲电压转换器的输出端；

-负载，所述负载的输出端之一连接到所述脉冲电压DC转换器的正输出端；

-调节器，所述调节器的一个输出端(第一输入端)用于连接到所述负载的另一输出端；

-比例调节器，所述比例调节器的一个输出端连接到所述调节器的控制(第二)输入端；

-DC输出电压选择器，所述DC输出电压选择器的相应输出端连接到DLC过滤器的输出端；

-控制电路，所述控制电路的第一输入端连接到DC输出电压选择器的输出端，所述控制电路的第二输入端连接到所述调节器的输出端，且所述控制电路的输出端连接到所述DC脉冲电压转换器的控制输入端。

对于提出的第一实施例和所述原型来说，以下特征是相同的：

-DC电压源；

-DC脉冲电压转换器，所述DC脉冲电压转换器的输入端连接到所述DC电压源的输出端；

-脉冲电压DC转换器，所述脉冲电压DC转换器具有连接到负载的输出端之一的正输出端，且所述脉冲电压DC转换器的相应输入端连接到所述DC脉冲电压转换器的相应输出端；

-调节器，所述调节器的一个输出端(第一输入端)用于连接到所述负载的另一输出端；

-比例调节器，所述比例调节器的一个输出端连接到所述调节器的控制(第二)输入端；

-DC输出电压选择器，所述DC输出电压选择器的相应输出端连接到DLC过滤器的输出端；

-控制电路，所述控制电路的第一输入端连接到所述DC电压输出选择器的输出端，且所述控制电路的输出端连接到所述DC脉冲电压转换器的控制输入端。

对于提出的第二实施例和所述原型来说，以下特征是相同的：

-DC电压源；

-DC脉冲电压转换器，所述DC脉冲电压转换器的输入端连接到所述DC电压源的输出端；

-脉冲电压DC转换器，所述脉冲电压DC转换器具有连接到负载的输出端之一的正输出端；

-调节器，所述调节器具有连接到所述负载的另一输出端的第一输入端；

-比例调节器，所述比例调节器的一个输出端连接到所述调节器的控制(第二)输入端；

-DC输出电压选择器，所述DC输出电压选择器的相应输出端连接到DLC过滤器的输出端；

-控制电路，所述控制电路的第一输入端连接到所述DC输出电压选择器的输出端。

任一以上类似技术方案无法实现的技术成果确保了在更大输出电压范围内负载上的稳定DC电压，而输出电压和输出电流的脉冲分量的大小大幅降低。

出于类似目的的现有技术中已知的装置不可能实现以上技术成果，因为关于确保在更大输出电压范围内负载上的稳定DC电压，而大幅降低输出电压和输出电流的脉冲分量的大小的问题没有如其保证那样被重视，这是因为人们认为负载上获得的稳定DC电压范围以及输出电压和输出电流的脉冲分量的大小完全满足现行要求。

考虑到类似现有技术方案的特征和分析，可以断定的是：提供用于获得在更大输出电压范围内负载上的稳定DC电压而大幅降低输出电压和输出电流的脉冲分量的大小的装置的目的在现今依然是保持电流。

根据本发明的第一实施例，上述技术成果由用于获得DC电压的装置实现，所述装置包括：DC电压源；DC脉冲电压转换器，所述DC脉冲电压转换器的输入端连接到所述DC电压源的输出端；脉冲电压DC转换器，所述脉冲电压DC转换器具有连接到负载的输出端之一的正输出端，且所述脉冲电压DC转换器的输入端连接到所述DC脉冲电压转换器的输出端；调节器，所述调节器具有连接到所述负载的另一输出端的第一输入端；比例调节器，所述比例调节器的一个输出端连接到所述调节器的控制(第二)输入端；DC输出电压选择器，所述DC输出电压选择器的相应输出端连接到DLC过滤器的输出端；和控制电路，所述控制电路的第一输入端连接到所述DC电压输出选择器的输出端，且所述控制电路的输出端连接到由反馈节点供电的所述DC脉冲电压转换的控制输入端，所述反馈节点的一个输出端连接到所述比例调节器的输入端，且所述反馈节点的另一输出端连接到所述调节器的输出端，而所述控制电路的第二输入端连接到所述调节器的第一输入端，所述第一输入端用于连接到所述负载的另一输出端。

根据提出的技术方案的第一实施例，通过控制由来自控制电路的输出端的控制信号将DC电压转换成脉冲电压的过程，包含反馈节点及其连接以及控制电路的第二输入端到用于连接到负载的另一输出端的调节器的第一输入端的连接使得将DC电压转换成脉冲电压和以特定脉冲持续时间获得脉冲电压成为可能，所述电压到达脉冲电压DC转换器的输入端，且在适当转换和过滤后允许在其输出端获得整流电压。

所述整流电压经由负载到达调节器的第一输入端，因此，DC电流流过负载和调节器。与流过负载的电流成比例的反馈电压从调节器的输出端通过反馈节点到比例调节器的输入端。在比例调节器中，由于深度负反馈的作用，反馈电压与输出电压选择器的电压相比，由于所述对比，控制电压形成在比例调节器的输出端，所述控制电压传递到调节器的第二(控制)输入端并确保具有选定大小的电流将通过负载，而确保抑制负载中电流的脉冲分量(相应地，抑制负载上的电压)。

为在负载上提供所需输出电压水平，负载的整流电压施加到输出电压选择器，来自所述输出电压选择器的部分上述整流电压传递到控制电路。由于部分整流电压与参考电压的对比，在控制电路中形成控制信号，所述控制信号传递到DC脉冲电压转换器的控制输入端。由于上述控制DC电压到脉冲电压的转换并将在所述DC电压到脉冲电压的转换期间形成的脉冲电压供应到脉冲电压DC转换器的输入端的过程及在相应转换和过滤后，负载上获得稳定的整流电压，所述整流电压的大小由DC输出电压选择器确定并可以高达数百伏甚至更多的规模部署。

因此，在更大输出电压范围内在负载上获得稳定DC电压，而大幅降低输出电压和输出电流的脉冲分量的大小。

以此方式，上述技术成果通过提出的技术方案的第一实施例实现。

根据本发明的第二实施例，上述技术成果由用于获得DC电压的装置实现，所述装置包括：DC电压源；DC脉冲电压转换器，所述DC脉冲电压转换器的输入端连接到所述DC电压源的输出端；脉冲电压DC转换器，所述脉冲电压DC转换器具有连接到负载的输出端之一的正输出端；调节器，所述调节器具有连接到所述负载的另一输出端的第一输入端；比例调节器，所述比例调节器的一个输出端连接到所述调节器的控制(第二)输入端；DC输出电压选择器，所述DC输出电压选择器的相应输出端连接到DLC过滤器的输出端；和控制电路，所述控制电路的第一输入端连接到所述DC输出电压选择器的输出端，所述DC输出电压选择器由反馈节点供电，所述反馈节点的一个输出端连接到所述比例调节器的输入端，且所述反馈节点的另一输出端连接到所述调节器的输出端，其中所述DC脉冲电压转换器的输出端经由第一电隔离节点连接到脉冲电压DC转换器的输入端，所述控制电路的输出端经由第二电隔离节点连接到所述DC脉冲电压转换器的控制输入端，且所述控制电路的第二输入端连接到用于连接到负载的第二输出端的调节器的第一输入端。

根据本发明的第二实施例，由于控制由来自第二电隔离节点(所述第二电隔离节点确保在控制电路与DC脉冲电压转换器之间没有电接触的情况下传输控制信号)的输出端的控制信号将DC电压转换成脉冲电压，和将在经由第一电隔离节点(所述第一电隔离节点确保在DC脉冲电压转换器与脉冲电压DC转换器之间没有电接触的情况下传输脉冲电压)将DC电压转换成脉冲电压期间形成的脉冲电压供应到上述脉冲电压DC转换器的输入端的过程，包含反馈节点及其连接，控制电路的第二输入端到用于连接到负载的另一输出端的调节器的第一输入端的连接，脉冲电压DC转换器的输出端经由第一电隔离节点的连接，以及控制电路的输出端经由第二电隔离节点到DC脉冲电压转换器的控制输入端的连接允许DC电压转换成脉冲电压并允许以特定脉冲持续时间获得脉冲电压，所述脉冲电压传递到脉冲电压DC转换器的输入端，且在适当转换和过滤之后，允许在其输出端获得整流电压。

所述整流电压经由负载到达调节器的第一输入端，因此，DC电流流过负载和调节器。与流过负载的电流成比例的反馈电压从调节器的输出端通过反馈节点到比例调节器的输入端。在比例调节器中，由于深度负反馈的作用，反馈电压与输出电压选择器的电压相比，由于所述对比，控制电压形成在比例调节器的输出端，所述控制电压传递到调节器的第二(控制)输入端并确保具有选定大小的电流将通过负载，而确保抑制负载中电流的脉冲分量(相应地，抑制负载上的电压)。

为在负载上提供所需输出电压水平，负载的整流电压施加到输出电压选择器，来自所述输出电压选择器的部分上述整流电压传递到控制电路。由于部分整流电压与参考电压的对比，在控制电路中形成控制信号，所述控制信号经由第二电隔离节点(所述第二电隔离节点确保在控制电路与DC脉冲电压转换器之间没有电接触的情况下传输控制信号)传递到DC脉冲电压转换器的控制输入端。由于上述控制DC电压到脉冲电压的转换，和将在经由第一电隔离节点(所述第一电隔离节点确保在DC脉冲电压转换器与脉冲电压DC转换器之间没有电接触的情况下传输脉冲电压)将DC电压转换成脉冲电压期间形成的脉冲电压供应到脉冲电压DC转换器的输入端的过程和随后的适当转换及过滤，在负载上获得稳定的整流电压，所述整流电压的大小由DC输出电压选择器确定并可以高达一百伏甚至更多的规模部署。

因此，在更大输出电压范围内在负载上获得稳定DC电压，而大幅降低输出电压和输出电流的脉冲分量的大小。

以此方式，上述技术成果通过提出的技术方案的第二实施例实现。

现有技术方案的分析表明上述方案均不包含本发明的每一实施例的所有基本特征或区别特征，从而得出结论：用于获得DC电压的装置的实施例满足专利新颖性和创造性。

参考以下说明书和图式详细阐述所述提出的用于获得DC电压的装置：图1和图2展示用于获得DC电压的装置的电路图；图3和图4展示负载上的电压的时序图，所述时序图选自US专利第6747420B2号(原型)的说明书并由于本发明的第二实施例的用于获得DC电压的装置的实验而获得。

根据本发明的第一实施例(参见图1)，所述用于获得DC电压的装置包括：

-例如使用具有过滤器的全波整流器的任何已知类型的DC电压源(1)；

-例如以恒频矩形脉冲发生器(3)形式的DC脉冲电压转换器(2)，所述恒频矩形脉冲发生器(3)的一个输出端(4)(所述DC脉冲电压转换器(2)的第一输入端)连接到所述DC电压源(1)的正输出端(5)，且所述恒频矩形脉冲发生器(3)的另一输出端(6)(所述DC脉冲电压转换器(2)的第二输入端)连接到所述DC电压源(1)的负输出端(7)；参考电压源(8)，所述参考电压源(8)的一个输出端(9)连接到所述DC电压源(1)的负输出端(7)；受控开关(11)，所述受控开关(11)的输入端(12)连接到所述恒频矩形脉冲发生器(3)的输出端(13)；运算放大器(14)，所述运算放大器(14)的一个输出端(15)连接到所述受控开关(11)的控制输入端(16)，且所述运算放大器(14)的反相(“-”)输入端(17)连接到所述参考电压源(8)的输出端(18)；第一电容器(19)，所述第一电容器(19)的一个板(20)连接到所述受控开关(11)的输出端(21)，且所述第一电容器(19)的另一板(22)经由变压器(25)的初级绕组的输出端(23)和(24)连接到所述DC电压源(1)的负输出端(7)；第二电容器(36)，所述第二电容器(36)的一个板(27)经由变压器的次级绕组的输出端(28)和(29)连接到二极管(31)的阳极(30)，所述二极管(31)的阴极(32)连接到所述第二电容器(36)的另一板(33)；电阻器(34)，所述电阻器(34)的一个输出端(35)连接到所述二极管(31)的阴极(32)，且所述电阻器(34)的另一输出端(36)连接到所述二极管(31)的阳极(30)；和MOSFET(37)，所述MOSFET(37)的漏极(38)连接到所述DC电压源(1)的正输出端(5)，所述MOSFET(37)的栅极(39)连接到所述二极管(31)的阴极(32)，且所述MOSFET(37)的源极(40)连接到所述二极管(31)的阳极(30)；

-例如以二极管(42)形式的脉冲电压DC转换器(41)，阴极(43)(所述脉冲电压DC转换器(41)的第一输入端)连接到MOSFET(37)的漏极(40)(所述DC脉冲电压转换器(2)的第一输出端)，且阳极(44)(所述脉冲电压DC转换器(41)的第二输入端)连接到所述变压器(25)的初级绕组的第二输出端(24)(所述DC脉冲电压转换器(2)的第二输出端)；抗流器(45)，所述抗流器(45)的一个输出端(46)连接到所述二极管(42)的阴极(43)；和电容器(47)，所述电容器(47)的一个板(48)连接到所述DC电压源(1)的负输出端(7)，且所述电容器(47)的另一板(49)连接到所述抗流器(45)的另一输出端(40)，所述输出端(40)为用于连接到负载的输出端之一的脉冲电压DC转换器(41)的正输出端；

-负载(51)，所述负载(51)的一个输出端(52)连接到所述抗流器(45)的另一输出端(50)(连接到所述脉冲电压DC转换器(41)的正输出端)；

-例如以受控晶体管(54)形式的调节器(53)，所述受控晶体管(54)的集电极(55)(即，用于连接到所述负载(51)的另一输出端(56)的所述调节器(53)的第一输入端)连接到所述负载(51)的另一输出端，且所述受控晶体管(54)的发射极(57)经由检测电阻器(58)连接到所述DC电压源(1)的负输出端(7)；

-例如以DC电压源(60)形式的比例调节器(59)；第一电阻器(61)，所述第一电阻器(61)的一个输出端(62)连接到所述DC电压源(60)的正输出端(63)；第二(可变)电阻器(64)，所述第二(可变)电阻器(64)的一个输出端(65)连接到所述第一电阻器(61)的另一输出端(66)；第三电阻器(67)，所述第三电阻器(67)的一个输出端(68)连接到所述第二(可变)电阻器(64)的另一输出端(69)，且所述第三电阻器(67)的另一输出端(70)连接到所述DC电压源(60)的负输出端(71)及所述DC电压源(1)的负输出端(7)；和运算放大器(72)，所述运算放大器(72)的非反相(“+”)输入端(73)连接到所述第二(可变)电阻器(64)的第三输出端(74)，所述运算放大器(72)的反相(“-”)输入端(75)(经由电阻器(76))连接到所述参考电压源(78)的正输出端(77)，且输出端(79)(所述比例调节器(59)的输出端)连接到受控晶体管(54)的基极(80)(所述调节器(53)的第二输入端)，其中所述参考电压源(78)的负输出端(81)连接到所述DC电压源(1)的负输出端(7)；

-例如以电阻器形式的反馈节点(82)，所述电阻器的一个输出端(83)连接到所述比例调节器(59)的输入端(连接到所述运算放大器(72)的反相(“-”)输入端(75))，且所述电阻器的另一输出端(84)连接到所述受控晶体管(54)的发射极的输出端(57)(所述调节器(53)的输出端)；

-例如以第一(可变)电阻器(86)形式的DC输出电压选择器(82)，所述第一(可变)电阻器(86)的一个输出端(87)连接到所述脉冲电压DC转换器(41)的抗流器(45)的输出端(50)；第二电阻器(88)，所述第二电阻器(88)的一个输出端(89)连接到所述第一(可变)电阻器(86)的另一输出端(90)和第三输出端(91)，且所述第二电阻器(88)的另一输出端(92)连接到所述DC电压源(1)的负输出端(7)；

-例如以第一运算放大器(94)形式的控制电路(93)，所述第一运算放大器(94)的非反相(“+”)输入端(95)连接到所述第一参考电压源(97)的正输出端(96)，且反相(“-”)输入端(98)(所述控制电路(93)的第一输入端)连接到所述第一(可变)电阻器(86)的输出端(91)(所述DC输出电压选择器(85)的输出端)；第二运算放大器(99)，所述第二运算放大器(99)的非反相(“+”)输入端(100)连接到所述第二参考电压源(102)的正输出端(101)，且反相(“-”)输入端(103)(所述控制电路(93)的第二输入端)连接到所述受控晶体管(54)的集电极(55)(用于连接到所述负载(51)的另一输出端的所述调节器(53)的第一输入端)；组合器(104)，所述组合器(104)的第一输入端(105)连接到所述第一运算放大器(94)的输出端(106)，所述组合器(104)的第二输入端(107)连接到所述第二运算放大器(99)的输出端(108)，且所述组合器(104)的输出端(109)(所述控制电路(93)的输出端)连接到所述DC脉冲电压转换器(2)的受控输入端(110)，所述受控输入端(110)是所述运算放大器(14)的非反相(“+”)输入端，其中所述第一参考电压源(97)的负输出端(111)和所述第二参考电压源(102)的负输出端(112)连接到所述DC电压源(1)的负输出端(7)。

根据第一实施例(参见图1)，所述提出的用于获得DC电压的装置按照以下方式操作：

来自所述DC电压源(1)的输出端(5)和(7)的DC电压到达恒频矩形脉冲发生器(3)的相应输入端(4)和(6)(所述DC脉冲电压转换器(2)的输入端)，所述恒频矩形脉冲发生器(3)产生恒频矩形脉冲，所述恒频矩形脉冲从恒频矩形脉冲发生器(3)的输出端(13)传递到受控开关(11)的‘信息’输入端(12)，并且，如果受控开关(11)的触点闭合，恒频矩形脉冲经由以下路径通过受控开关(11)的输出端(21)：第一电容器(19)-变压器(25)的初级绕组(输出端(23)和(24))-变压器(25)的次级绕组(输出端(28)和(29))-MOSFET(37)的栅极(39)和源极(40)上的电容器(26)、并联二极管(31)和电阻器(34)。

因此，MOSFET(37)将从DC电压源(1)的输出端(5)传递到MOSFET(37)的DC电压转换成脉冲电压，并且这些脉冲从MOSFET(37)的源极(40)传递到脉冲电压DC转换器(41)的第一输入端(在抗流器(45)的输出端(46)上)，在所述脉冲电压DC转换器(41)的输出端(抗流器(45)的输出端(50))处，在适当转换(二极管(42))和过滤(抗流器(45)和电容器(47)之后，开始建立DC电压。

DC电压出现在脉冲电压DC转换器(41)的输出端(抗流器(45)的输出端(50))之后，所述DC电压到达负载(51)的第一输出端(52)。

获得的DC电压还到达可变电阻器(86)的第一输出端(87)，所述第一输出端(87)是DC输出电压选择器(85)的输入端。

一部分由第一(可变)电阻器(86)的滑块的位置限定的电压从DC输出电压选择器(85)的输出端(从电阻器(86)的输出端(91))传递到第一运算放大器(94)的反相(“-”)输入端(98)(控制电路(93)的第一输入端)，在所述第一运算放大器(94)的非反相(“+”)输入端(95)上，电压来自第一参考电压源(97)的正输出端(96)。由于第一运算放大器(94)的输出端(106)上的这些电压的对比，形成从第一运算放大器(94)的输出端(106)传递到控制电路(93)的组合器(104)的第一输入端(105)的控制电压。

控制电压从控制电路(93)的组合器(104)的输出端(109)传递到DC脉冲电压转换器(2)的控制输入端(传递到运算放大器(14)的非反相(“+”)输入端(110))。

到达运算放大器(14)的非反相(“+”)输入端(110)的控制电压与参考电压源(8)的从参考电压源(8)的输出端(18)传递到运算放大器(14)的反相(“-”)输入端(17)的电压相比较。由于对比而获得的电压从运算放大器(14)的输出端(15)传递到受控开关(11)的控制输入端(16)，所述受控开关(11)闭合或断开其触点，从而经由以下路径改变到达DC脉冲电压转换器(2)的MOSFET(37)的栅极(39)的脉冲的负载因数：第一电容器(19)-变压器(25)的初级绕组-变压器(25)的次级绕组-第二电容器(26)和并联二极管(31)及电阻器(34)。

当负载(51)上的电压增加超过选定水平，在电阻器(86)的输出端(91)(DC输出电压选择器(85)的输出端)上形成递增DC电压，并且在所述递增DC电压与控制电路(93)的第一参考电压源(97)的电压相比之后，在运算放大器(94)的输出端上形成递减控制电压，所述递减控制电压经由组合器(104)传递到DC脉冲电压转换器(2)的运算放大器(14)的非反相(“+”)输入端(110)。由于递减控制电压与参考电压源(8)的电压的对比，逻辑零电压作用于受控开关(11)的控制输入端(16)，从而断开受控开关(11)的触点。因此，恒频矩形脉冲的负载因数在以下路径增加：第一电容器(19)-变压器(25)的初级绕组-变压器(25)的次级绕组-第二电容器(26)、并联二极管(31)和电阻器(34)-到MOSFET(37)的栅极(39)，由于上述路径，在所述恒频矩形脉冲从MOSFET(37)的源极(40)传递到脉冲电压DC转换器(41)的输入端(抗流器(50)的输出端(46))且转换成DC电压之后，负载(51)上的DC电压降低到选定水平。

如果负载(51)上的电压降低到选定水平以下，所有控制电压形成为相反值，从而闭合受控开关(11)的触点并增加恒频矩形脉冲的负载因数，并且负载(51)上的DC电压增加到选定水平。

因此，负载(51)上的DC电压(由小脉冲)稳定在选定水平，所述DC电压由DC输出电压选择器(85)确定并可以高达数百伏甚至更大的范围设置。

当整流电压从脉冲电压DC转换器(41)的输出端(抗流器(45)的输出端(50))到达负载(51)时，负载电流通过负载(51)及随后通电的受控晶体管(54)和调节器(53)的检测电阻器(58)，从而导致检测电阻器(58)的电压降。所述电压降通过反馈节点(82)传递到比例调节器(59)的运算放大器(72)的反相(“-”)输入端(75)并与比例调节器(59)的参考电压源(78)的电压组合，所述组合电压经由比例调节器(59)的第四电阻器(76)传递到运算放大器(72)的相同反相(“-”)输入端(75)。(由于分裂比例调节器(59)的输出电流选择器的第一电阻器(61)、第二(可变)电阻器(64)与第三电阻器(67)之间的DC电压源(60)的电压而获得的)来自比例调节器(59)的输出电流选择器的电压从比例调节器(59)的第二(可变)电阻器(64)的输出端(74)到达比例调节器(59)的运算放大器(72)的非反相(“+”)输入端(73)。由于运算放大器(72)的非反相(“+”)输入端(73)和反相(“-”)输入端(75)上的电压的对比，负反馈控制电压形成在运算放大器(72)的输出端(79)上且传递到受控晶体管(54)的基极(80)(调节器(53)的第二输入端)。

如果流过负载(51)的电流增加，那么调节器(53)的可变电阻器(58)上的电压降增加。同时，比例调节器(59)的运算放大器(72)的反相(“-”)输入端(75)上的电压增加，和相应地，比例调节器(59)的运算放大器(72)的输出端(79)上的传递到受控晶体管(54)的基极(80)(调节器(53)的输入端)的控制电压降低，并减少流过受控晶体管(54)的电流，从而抑制负载(51)中的电流的脉冲分量。

如果流过负载(51)的电流降低，那么调节器(53)的检测电阻器(58)上的电压降降低，和相应地，比例调节器(59)的运算放大器(72)的输出端(79)上的控制电压增加，从而使通过受控晶体管(54)和负载(51)的电流增加到选定水平。这样也确保抑制输出电流和输出电压中的脉冲分量。

如果比例调节器(59)的运算放大器(72)的非反相(“+”)输入端(73)上的DC电压(所述DC电压通过输出电流选择器的第二(可变)电阻器(64)的输出端(74)且因第二(可变)电阻器(64)的滑块的移动而形成，这是由于DC电流流经以下路径：DC电压源(60)的正输出端(63)、第一电阻器(61)、第二(可变)电阻器(64)、第三电阻器(67)、DC电压源(60)的负输出端(71))增加，那么比例调节器(59)的运算放大器(72)的输出端(79)处的控制电压也将增加。当所述递增控制电压到达受控晶体管(54)的基极(80)(调节器(53)的第二输入端)时，流过受控晶体管(54)且随后流过负载(51)和调节器(53)的检测电阻器(58)的电流增加。同时，来自检测电阻器(58)(来自调节器(53)的输出端)的递增控制电压经由反馈节点(82)传递到比例调节器(59)的运算放大器(72)的反相(“-”)输入端(75)，并且增加直到运算放大器(72)的反相(“-”)输入端(75)上的电压等于源自输出电流选择器的运算放大器(72)的非反相(“+”)输入端(73)上的电压。并且，上述情形在负载电流增加时发生，所述负载电流的大小由源自输出电流选择器的第二(可变)电阻器(64)的输出端(74)的DC电压水平确定。

因此，用处于输出电流选择器指定水平的小脉冲稳定通过负载(51)的DC电流(这是由于反馈节点(82)的负反馈效应)。

当电流流过负载(51)及随后通电的受控晶体管(54)和调节器的检测电阻器(58)时，在受控晶体管(54)的集电极(55)-发射极(57)连接点处的功率与流过受控晶体管(54)的电流和连接点处的电压降成比例地消耗。来自受控晶体管(54)的集电极(55)的电压传递到控制电路(93)的第二运算放大器(99)的反相(“-”)输入端(103)，所述第二运算放大器(99)的非反相(“+”)输入端(100)处的电压来自控制电路(93)的第二参考电压源(102)。由于第二运算放大器(99)的输出端(108)处的这些电压的对比，形成传递到控制电路(93)的组合器(104)的第二输入端(107)的控制电压。

控制电压从组合器(104)的输出端(109)(从控制电路(93)的输出端)传递到DC脉冲电压转换器(2)的控制输入端(传递到运算放大器(14)的非反相(“+”)输入端(110)。

到达运算放大器(14)的非反相(“+”)输入端(110)的控制电压与DC电压源(8)的从DC电压源(8)的输出端(18)传递到运算放大器(14)的反相(“-”)输入端(17)的电压相比较。由于对比而获得的电压从运算放大器(14)的输出端(15)传递到受控开关(11)的控制输入端(16)，所述受控开关(11)闭合或断开其触点，从而改变到达DC脉冲电压转换器(2)的MOSFET(37)的栅极(39)的脉冲的负载因数。

如果受控晶体管(54)的集电极(55)-发射极(57)连接点处的电压降增加超过选定水平，那么在对比控制电路(93)的第二参考电压源(102)的电压之后，将在运算放大器(99)的输出端形成递减控制电压，所述递减控制电压经由组合器(104)传递到运算放大器(14)的非反相(“+”)输入端(110)。由于递减控制电压与参考电压源(8)的电压的对比，逻辑零电压作用于受控开关(11)的控制输入端(16)，从而断开受控开关(11)的触点。因此，恒频矩形脉冲的负载因数在以下路径增加：第一电容器(19)-变压器(25)的初级绕组-变压器(25)的次级绕组-第二电容器(26)、并联二极管(31)和电阻器(34)-到MOSFET(37)的栅极(39)，因此在所述恒频矩形脉冲从MOSFET(37)的源极(40)传递到脉冲电压DC转换器(41)的输入端(抗流器(45)的输出端(46))且转换成DC电压之后，调节器(53)的受控晶体管(54)的集电极(55)-发射极(57)连接点处的电压降降低到选定水平，所述选定水平是最低可能水平，以此水平可保证受控晶体管(54)的功能。同时，在受控晶体管(54)的集电极(55)-发射极(57)连接点处消耗的功率是选定负载电流的最低可能功率。

因此，受控晶体管(54)的集电极(55)-发射极(57)连接点处的DC电压以能够保证受控晶体管(54)的功能的最低可能水平稳定，并由第二参考电压源(102)的电压确定，所述第二参考电压源(102)是控制电路(93)的一部分，从而确保受控晶体管(54)的集电极(55)-发射极(57)连接点处的耗散功能，即，最小能量损耗。

因此，根据第一实施例，所述提出的用于通过包括调节器和比例调节器之间的负反馈获得DC电压的装置确保在更大输出电压范围内负载上的稳定DC电压，同时以最小能量损耗大幅降低输出电压和输出电流的脉冲分量的大小。

根据本发明的第二实施例(参见图2)，所述提出的用于获得DC电压的装置包括：

-例如使用具有过滤器的全波整流器的任何已知类型的DC电压源(1)；

-例如以恒频矩形脉冲发生器(3)形式的DC脉冲电压转换器(2)，所述恒频矩形脉冲发生器(3)的一个输出端(4)(所述DC脉冲电压转换器(2)的第一输入端)连接到所述DC电压源(1)的正输出端(5)，且所述恒频矩形脉冲发生器(3)的另一输出端(6)(所述DC脉冲电压转换器(2)的第二输入端)连接到所述DC电压源(1)的负输出端(7)；参考电压源(8)，所述参考电压源(8)的一个输出端(9)连接到所述DC电压源(1)的正输出端(5)，且所述参考电压源(8)的另一输出端(10)连接到所述DC电压源(1)的负输出端(7)；受控开关(11)，所述受控开关(11)的输入端(12)连接到所述恒频矩形脉冲发生器(3)的输出端(13)；运算放大器(14)，所述运算放大器(14)的一个输出端(15)连接到所述受控开关(11)的控制输入端(16)，且所述运算放大器(14)的反相(“-”)输入端(17)连接到所述参考电压源(8)的输出端(18)；MOSFET(19)，所述MOSFET(19)的栅极(20)连接到所述受控开关(11)的输出端(21)，且所述MOSFET(19)的源极(22)经由电阻器(23)连接到所述DC电压源(1)的负输出端(7)；

-例如以变压器(24)形式的第一电隔离节点，所述变压器(24)的初级绕组的一个输出端(25)连接到所述MOSFET(19)的漏极(26)，且所述变压器24的初级绕组的另一输出端(27)连接到DC电压源(1)的正输出端(5)；

-例如以二极管(29)形式的脉冲电压DC转换器(28)，所述二极管(29)的阳极(30)(所述脉冲电压DC转换器(28)的输入端)连接到第一电隔离节点的变压器(24)的次级绕组的输出端(31)之一；和电容器(32)，所述电容器(32)的一个板(33)连接到所述二极管(29)的阴极(34)(其中所述二极管(29)的阴极(34)是用于连接负载的输出端之一的脉冲电压DC转换器(28)的正输出端))，且所述电容器(32)的另一输出端(35)连接到第一电隔离节点的变压器(24)的次级绕组的另一输出端(36)并连接到主体(装置的与输入部分电隔离的输出部分的组件的共用连接点)；

-负载(37)，所述负载(37)的一个输出端(38)连接到所述脉冲电压DC转换器(28)的正输出端(所述二极管(29)的阴极(34))，所述正输出端用于连接到负载(37)的输出端(38)之一；

例如以受控晶体管(40)形式的调节器(39)，所述受控晶体管(40)的集电极(41)(用于连接到所述负载(37)的另一输出端(42)的调节器(39)的第一输入端)连接到(sic)；和检测电阻器(43)，所述检测电阻器(43)的一个输出端(44)连接到晶体管(40)的发射极(45)，且所述检测电阻器(43)的另一输出端(46)连接到主体(装置的与输入部分电隔离的输出部分的组件的共用连接点)；

比如使用第一(交替)电阻器(48)完成电流输出的的指示器(47)，其中，所述电阻器(48)连接到恒压脉冲电压转换器(28)正极端子(二极管(29)的正极端子(34))的一个输出端(49)，以作负载(37)的一个输出端(38)，和第二电阻器(51)，所述第二电阻器(51)的一个输出端(52)连接到第一(可变)电阻器(48)的另一输出端(53)和第三输出端(50)，且所述第二电阻器(51)的另一输出端连接到主体(装置的与输入部分电隔离的输出部分的组件的共用连接点)；

-例如以DC电压源(56)形式的比例调节器(55)；第一电阻器(57)，所述第一电阻器(57)的一个输出端(58)连接到所述DC电压源(56)的正输出端(59)；第二(可变)电阻器(60)，所述第二(可变)电阻器(60)的一个输出端(61)连接到所述第一电阻器(57)的另一输出端(62)；第三电阻器(63)，所述第三电阻器(63)的一个输出端(64)连接到所述第二(可变)电阻器(60)的另一输出端(65)，且所述第三电阻器(63)的另一输出端(66)连接到所述DC电压源(56)的负输出端(67)；和运算放大器(68)，所述运算放大器(68)的非反相(“+”)输入端(69)连接到所述第二(可变)电阻器(60)的第三输出端(70)，所述运算放大器(68)的反相(“-”)输入端(71)(经由电阻器(74))连接到所述参考电压源(73)的正输出端(72)，且输出端(75)(所述比例调节器(55)的输出端)连接到受控晶体管(40)的基极(76)(所述调节器(39)的第二输入端)，其中所述参考电压源(73)的负输出端(77)连接到主体(装置的与输入部分电隔离的输出部分的组件的共用连接点)；

-例如以电阻器形式的反馈节点(78)，所述电阻器的一个输出端(79)连接到所述比例调节器(55)的输入端(连接到所述运算放大器(68)的反相(“-”)输入端(71))，且所述电阻器的另一输出端(80)连接到所述受控晶体管(40)的发射极的输出端(45)(所述调节器(39)的输出端)；

-例如以第一运算放大器(82)形式的控制电路(81)，所述第一运算放大器(82)的非反相(“+”)输入端(83)连接到所述第一参考电压源(97)的正输出端(84)，且反相(“-”)输入端(86)(所述控制电路(81)的第一输入端)连接到所述DC输出电压选择器(47)的输出端(所述DC输出电压选择器(47)的第一(可变)电阻器(48)的输出端(50))；第二运算放大器(87)，所述第二运算放大器(87)的非反相(“+”)输入端(88)连接到所述第二参考电压源(90)的正输出端(89)，且反相(“-”)输入端(91)(所述控制电路(81)的第二输入端)连接到所述受控晶体管(40)的集电极(41)(用于连接到所述负载(37)的另一输出端的所述调节器(39)的第一输入端)；组合器(92)，所述组合器(92)的第一输入端(93)连接到所述第一运算放大器(82)的输出端(94)，且所述组合器(92)的第二输入端(95)连接到所述第二运算放大器(87)的输出端(96)，其中所述第一参考电压源(85)的负输出端(107)和所述第二参考电压源(90)的负输出端(108)连接到主体(装置的与输入部分电隔离的输出部分的组件的共用连接点)，并且所述组合器(92)的输出端(97)是控制电路(81)的输出端；

-例如以半导体LED(99)形式的第二电隔离节点(98)，所述半导体LED(99)的阳极(100)(第二电隔离节点(98)的输入端)连接到所述控制电路(81)的组合器(92)的输出端(97)，且所述半导体LED(99)的阴极(101)连接到主体(装置的与输入部分电隔离的输出部分的组件的共用连接点)；和光电晶体管(102)，所述光电晶体管(102)的一个输出端(103)连接到所述DC电压源(1)的负输出端(7)，且所述光电晶体管(102)的另一输出端(104)经由电阻器(105)连接到所述DC电压源(1)的正输出端(5)以及所述DC脉冲电压转换器(2)的控制输入端，即，连接到所述DC脉冲电压转换器(2)的运算放大器(14)的反相(“-”)输入端(106).

根据第二实施例(参见图2)，所述提出的用于获得DC电压的装置按照以下方式操作：

当来自所述DC电压源(1)的输出端(5)和(7)的DC电压到达恒频矩形脉冲发生器(3)的相应输入端(4)和(6)(所述DC脉冲电压转换器(2)的输入端)时，所述恒频矩形脉冲发生器(3)产生恒频矩形脉冲，所述恒频矩形脉冲从恒频矩形脉冲发生器(3)的输出端(13)传递到受控开关(11)的‘信息’输入端(12)，并且，如果受控开关(11)的触点闭合，恒频矩形脉冲从受控开关(11)的输出端(21)传递到MOSFET(19)的栅极(20)，并从MOSFET(19)的漏极(26)传递到第一电隔离节点的变压器(24)的初级绕组的输出端(25)。

当恒频矩形脉冲出现在到第一电隔离节点的变压器(24)的次级绕组的输出端(31和36)且到达脉冲电压DC转换器(28)的输入端(二极管(29)的阳极(30)和电容器(32)的板(35))时，所述恒频矩形脉冲转换成DC电压。在DC电压出现在脉冲电压DC转换器的正输出端(二极管(29)的阴极(34))之后，所述DC电压到达负载(37)的第一输出端(38)和可变电阻器(48)的第一输出端(49)，所述第一输出端(49)是DC输出电压选择器(47)的输入端。

一部分由第一(可变)电阻器(48)的滑块的位置限定的电压从DC输出电压选择器(47)的输出端(从电阻器(48)的输出端(50))传递到第一运算放大器(82)的反相(“-”)输入端(86)(控制电路(81)的第一输入端)，在所述第一运算放大器(94)的非反相(“+”)输入端(83)上，电压来自第一参考电压源(85)的正输出端(84)。由于第一运算放大器(82)的输出端(94)上的这些电压的对比，形成从第一运算放大器(82)的输出端(94)传递到控制电路(81)的组合器(92)的第一输入端(93)的控制电压。

控制电压经由第二电隔离节点(98)从控制电路(81)的组合器(92)的输出端(97)传递到DC脉冲电压转换器(2)的控制输入端(传递到运算放大器(14)的非反相(“+”)输入端(106))。

到达运算放大器(14)的反相(“-”)输入端(106)的控制电压与参考电压源(8)的从参考电压源(8)的输出端(18)传递到运算放大器(14)的非反相(“+”)输入端(17)的电压相比较。由于对比而获得的电压从运算放大器(14)的输出端(15)传递到受控开关(11)的控制输入端(16)，所述受控开关(11)闭合或断开其触点，从而改变到达DC脉冲电压转换器(2)的MOSFET(19)的栅极(20)的脉冲的负载因数。

当负载(37)上的电压增加超过选定水平，在电阻器(48)的输出端(50)(DC输出电压选择器(47)的输出端)上形成递增DC电压，并且在所述递增DC电压与控制电路(81)的第一参考电压源(85)的电压相比之后，在运算放大器(94)的输出端上形成递减控制电压，所述递减控制电压通过第二电隔离节点(98)。同时，在第二电隔离节点(98)的输出端(104)形成递增控制电压，所述递增控制电压传递到DC脉冲电压转换器(2)的运算放大器(14)的反相(“-”)输入端(106)。由于递减控制电压与参考电压源(8)(输出端18)的电压的对比，逻辑零电压作用于受控开关(11)的控制输入端(16)，从而断开受控开关(11)的触点。因此，第一电隔离节点的变压器(24)的次级绕组的输出端(31和36)上的恒频矩形脉冲的负载因数增加，并且在所述恒频矩形脉冲到达DC脉冲电压转换器(28)的输入端且转换成DC电压之后，负载(37)上的DC电压降低。

如果负载(37)上的电压降低到选定水平以下，所有控制电压形成为相反值，从而闭合受控开关(11)的触点，降低第一电隔离节点的变压器(24)的次级绕组的输出端(31和36)处的恒频矩形脉冲的负载因数并使负载(37)上的DC电压增加到选定水平。

因此，负载(37)上的DC电压(由小脉冲)稳定在选定水平，所述DC电压由DC输出电压选择器(47)确定并可以高达数百伏甚至更大的范围设置。

当整流电压从脉冲电压DC转换器(28)的输出端(二极管(29)的输出端(34))到达负载(37)时，负载电流通过负载(37)及随后通电的受控晶体管(40)和调节器(39)的检测电阻器(43)，从而导致检测电阻器(43)的电压降。所述电压降通过反馈节点(78)传递到比例调节器(55)的运算放大器(68)的反相(“-”)输入端(71)并与比例调节器(55)的参考电压源(73)的电压组合，所述组合电压经由比例调节器(55)的第四电阻器(74)传递到运算放大器(68)的相同反相(“-”)输入端(71)。(由于分裂比例调节器(55)的输出电流选择器的第一电阻器(57)、第二(可变)电阻器(60)与第三电阻器(63)之间的DC电压源(56)的电压而获得的)来自比例调节器(55)的输出电流选择器的电压从比例调节器(55)的第二(可变)电阻器(60)的输出端(70)到达比例调节器(55)的运算放大器(68)的非反相(“+”)输入端(69)。由于运算放大器(68)的非反相(“+”)输入端(69)和反相(“-”)输入端(71)上的电压的对比，负反馈控制电压形成在运算放大器(68)的输出端(75)上且传递到受控晶体管(40)的基极(76)(调节器(39)的第二输入端)。

如果流过负载(37)的电流增加，那么调节器(39)的可变电阻器(43)上的电压降增加。同时，比例调节器(55)的运算放大器(68)的反相(“-”)输入端(71)上的电压增加，和相应地，比例调节器(55)的运算放大器(68)的输出端(75)上的传递到受控晶体管(40)的基极(76)(调节器(39)的第二输入端)的控制电压降低，并减少流过受控晶体管(40)的电流，从而抑制负载(37)中的电流的脉冲分量。

如果流过负载(37)的电流降低，那么调节器(39)的检测电阻器(43)上的电压降降低，和相应地，比例调节器(55)的运算放大器(68)的输出端(75)上的控制电压增加，从而使通过受控晶体管(40)和负载(37)的电流增加到选定水平。这样也确保抑制输出电流和输出电压中的脉冲电流分量。

如果比例调节器(55)的运算放大器(68)的非反相(“+”)输入端(69)上的DC电压(所述DC电压通过输出电流选择器的第二(可变)电阻器(60)的输出端(70)且因第二(可变)电阻器(60)的滑块的移动而形成，这是由于DC电流流经以下路径：DC电压源(56)的正输出端(59)、第一电阻器(57)、第二(可变)电阻器(60)、第三电阻器(63)、DC电压源(56)的负输出端(67))增加，那么比例调节器(55)的运算放大器(68)的输出端(75)处的控制电压也将增加。当所述递增控制电压到达受控晶体管(40)的基极(76)(调节器(39)的第二输入端)时，流过受控晶体管(40)且随后流过负载(37)和调节器(39)的检测电阻器(43)的电流增加。同时，来自检测电阻器(43)(来自调节器(39)的输出端)的递增控制电压经由反馈节点(78)传递到比例调节器(55)的运算放大器(68)的反相(“-”)输入端(71)，并且增加直到运算放大器(68)的反相(“-”)输入端(71)上的电压等于源自输出电流选择器的运算放大器(68)的非反相(“+”)输入端(69)上的电压。并且，上述情形在负载电流增加时发生，所述负载电流的大小由源自输出电流选择器的第二(可变)电阻器(60)的输出端(70)的DC电压水平确定。

因此，用处于输出电流选择器指定水平的小脉冲稳定通过负载(37)的DC电流(这是由于反馈节点(78)的负反馈效应)。

当电流流过负载(37)及随后通电的受控晶体管(40)和调节器(39)的检测电阻器(43)时，在受控晶体管(40)的集电极(41)-发射极(45)连接点处的功率与流过受控晶体管(40)的电流和连接点处的电压降成比例地消耗。来自受控晶体管(40)的集电极(41)的电压传递到第二运算放大器(87)的反相(“-”)输入端(91)(控制电路(81)的第二输入端)，所述第二运算放大器(87)的非反相(“+”)输入端(88)处的电压来自第二参考电压源(90)的正输出端(89)。由于第二运算放大器(87)的输出端(96)上的这些电压的对比，形成从第二运算放大器(87)的输出端(96)传递到控制电路(81)的组合器(92)的第二输入端(95)的控制电压。

控制电压经由第二电隔离节点(98)从组合器(92)的输出端(97)(控制电路(81)的输出端)传递到DC脉冲电压转换器(2)的控制输入端(传递到运算放大器(14)的反相(“-”)输入端(106))。

到达运算放大器(14)的反相(“-”)输入端(106)的控制电压与DC电压源(8)的从DC电压源(8)的输出端(18)传递到运算放大器(14)的非反相(“+”)输入端(17)的电压相比较。由于对比而获得的电压从运算放大器(14)的输出端(15)传递到受控开关(11)的控制输入端(16)，所述受控开关(11)闭合或断开其触点，从而改变到达DC脉冲电压转换器(2)的MOSFET(19)的栅极(20)的脉冲的负载因数。

如果受控晶体管(40)的集电极(41)-发射极(45)连接点处的电压降增加超过选定水平，那么在与第二参考电压源(90)的电压相比较之后，将在运算放大器(87)的输出端(96)形成递减控制电压，所述递减控制电压将传递到第二电隔离节点(98)。同时，在第二电隔离节点(98)的输出端(104)形成递增控制电压，所述递增控制电压传递到DC脉冲电压转换器(2)的运算放大器(14)的反相(“-”)输入端(106)。

由于递减控制电压与参考电压源(8)的输出端18处的电压的对比，逻辑零电压作用于受控开关(11)的控制输入端(16)，从而断开受控开关(11)的触点。因此，第一电隔离节点的变压器(24)的次级绕组的输出端(31和36)上的恒频矩形脉冲的负载因数增加，并且在所述恒频矩形脉冲到达DC脉冲电压转换器(28)的输入端且转换成DC电压之后，受控晶体管(40)的集电极(41)-发射极(45)连接点处的DC电压降降低到选定水平，所述选定水平是保证受控晶体管(40)的功能的最小可能水平。同时，在受控晶体管(40)的集电极(41)-发射极(45)连接点处消耗的功率是选定负载电流的最低可能功率。

因此，受控晶体管(40)的集电极(41)-发射极(45)连接点处的DC电压以能够保证受控晶体管(40)的功能的最低可能水平稳定，并由第二参考电压源(90)的电压确定，所述第二参考电压源(90)是控制电路(81)的一部分，从而确保受控晶体管(40)的集电极(41)-发射极(45)连接点处的耗散功能，即，最小能量损耗。

因此，根据第二实施例，所述提出的用于通过包括调节器和比例调节器之间的负反馈获得DC电压的装置确保在更大输出电压范围内负载上的稳定DC电压，同时以最小能量损耗大幅降低输出电压和输出电流的脉冲分量的大小。

为证实本发明提出的实施例获得更稳定DC电压而进行了实验，实验结果通过负载上的电压的时序图说明，参见图3(制造根据本发明的第二实施例的装置)。

图4展示选自US专利第6747420B2号的说明书的负载上的电压的时序图。

时序图的对比展示与US专利第6747420B2号相比负载上的DC电压的稳定性大幅增加，并且脉冲分量实际减少到零。

这也证实已获得上述技术成果。

装置的功能块可以不同方式提供。因此，调节器的晶体管可为双极的、MOSFET或IGBT。DC脉冲电压转换器可以脉冲宽度调制器微电路等形式提供。

输出电压可通过改变控制电路的相应参考电压控制，例如使用脉冲宽度调制控制电压转换器，或通过将控制协议(例如DALI)的代码转换成控制电压，或控制效应对控制电压的其他任何转换。

上述情况也适用于输出电流选择器。

在装置的功能块的任何实施例中，将在更大输出电压范围内在负载上获得稳定DC电压，而大幅降低输出电压和输出电流的脉冲分量，即，将获得上述技术成果。

上述技术成果通过装置的输入端与输出端之间的电隔离及没有所述隔离的情况下获得。