1.一种电压调节器，其具有：
用于施加输入馈电电压的馈电电压输入端；
用于输出输出馈电电压的馈电电压输出端；
在所述电压馈电输入端与所述电压馈电输出端之间串联连接的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，其中，与所述第二场效应晶体管相比，所述第一场效应晶体管具有更高的工作电压；
调节器，所述调节器设置成基于参考电压来调节所述第一场效应晶体管的栅极电压与所述第二场效应晶体管的栅极电压以调节所述输出馈电电压。
2.根据权利要求1所述的电压调节器，其中，所述第一场效应晶体管是高压晶体管，并且所述第二场效应晶体管是低压晶体管。
3.根据权利要求1或2所述的电压调节器，其中，与所述第二场效应晶体管相比，所述第一场效应晶体管具有更高的电阻。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电压调节器，其中，与所述第二场效应晶体管相比，所述第一场效应晶体管具有更高的栅极氧化层厚度。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的电压调节器，其中，与所述第一场效应晶体管相比，所述第二场效应晶体管具有更大的沟道宽度。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的电压调节器，其中，与所述第一场效应晶体管相比，所述第二场效应晶体管具有更高的增益。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的电压调节器，其中，所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管构成级联。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的电压调节器，其中，所述调节器设置成将所述输出馈电电压调节到所期望的电压值。
9.根据权利要求8所述的电压调节器，其中，所述所期望的电压值通过所述参考电压给出。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的电压调节器，其中，所述调节器设置成当所述输出馈电电压低于所期望的电压值时提高所述第一场效应晶体管的栅极电压与所述第二场效应晶体管的栅极电压并且当所述输出馈电电压高于所期望的电压值时降低所述第一场效应晶体管的栅极电压与所述第二场效应晶体管的栅极电压。
11.根据权利要求10所述的电压调节器，其中，所述调节器具有电荷泵并且设置成借助电荷泵提高所述第一场效应晶体管的栅极电压和所述第二场效应晶体管的栅极电压。
12.根据权利要求10或11所述的电压调节器，其中，所述调节器具有另一场效应晶体管，所述另一场效应晶体管一方面与所述第一场效应晶体管的栅极和所述第二场效应晶体管的栅极连接而另一方面与所述低馈电电势连接，并且所述调节器设置成借助打开所述另一场效应晶体管来减小所述第一场效应晶体管的栅极电压和所述第二场效应晶体管的栅极电压。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的电压调节器，其中，所述调节器具有比较器，所述比较器设置成将所述参考电压与代表所述输出馈电电压的比较电压进行比较，并且所述调节器设置成基于所述比较的结果来调节所述第一场效应晶体管的栅极电压与所述第二场效应晶体管的栅极电压。
14.根据权利要求13所述的电压调节器，具有分压器，所述分压器与所述电压馈电输出端连接并且设置成由所述输出馈电电压产生所述比较电压。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的电压调节器，其中，所述第一场效应晶体管的栅极与二极管的正极耦合，并且所述第二场效应晶体管的栅极与所述二极管的负极耦合。
16.根据权利要求15所述的电压调节器，其中，所述二极管借助连接为二极管的场效应晶体管实现。
17.根据权利要求1至16中任一项所述的电压调节器，其中，所述第二场效应晶体管以三阱结构构造。
18.根据权利要求1至17中任一项所述的电压调节器，其中，所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管是n沟道场效应晶体管。