一种数字低压差稳压器的制作方法

文档序号:14745352发布日期:2018-06-19 23:51阅读:来源:国知局
一种数字低压差稳压器的制作方法

技术特征:

1.一种数字低压差稳压器,其特征在于,包括数字比较器、移位寄存器、第一晶体管阵列、第二晶体管阵列、第一电容、第一电阻和负载;

所述数字比较器的正向输入端与参考电压连接,所述数字比较器的反向输入端与输出电压连接,所述数字比较器输出端与移位寄存器的输入端连接;

所述移位寄存器的输出端与第一晶体管阵列的电压输入端连接;

所述第一晶体管阵列的电流输出端通过所述负载接地,同时与数字比较器的反向输入端连接;

所述第二晶体管阵列的电压输入端与电源电压连接,第二晶体管阵列的电流输出端通过所述负载接地,所述第二晶体管阵列的接地端通过第一电阻接地,同时通过第一电容与第二晶体管阵列的电流输出端连接。

2.根据权利要求1所述数字低压差稳压器,其特征在于:所述第一晶体管阵列包括多片晶体管电路,每片晶体管电路包括第一反相器和第三场效应管;

所述第一反相器包括第一P沟道场效应管和第一N沟道场效应管;所述第一P沟道场效应管的栅极和第一N沟道场效应管的栅极相互连接,作为第一晶体管阵列的电压输入端,并同时与所述移位寄存器的输出端连接;所述第一P沟道场效应管的漏极与电源电压连接,第一P沟道场效应管的源极与第一N沟道场效应管的漏极连接,第一N沟道场效应管的源极接地,同时通过第二电容接地;

所述第三场效应管的栅极与第一P沟道场效应管的漏极连接,同时通过第三电容接地;所述第三场效应管的漏极接电源电压;所述第三场效应管的源极作为第一晶体管阵列的电流输出端与所述负载连接。

3.根据权利要求1所述数字低压差稳压器,其特征在于:所述第二晶体管阵列包括多片晶体管电路,每片晶体管电路包括第二反相器和第四场效应管;

所述第二反相器包括第二P沟道场效应管和第二N沟道场效应管;所述第二P沟道场效应管的栅极和第二N沟道场效应管的栅极相互连接,作为第二晶体管阵列的电压输入端,并同时与电源电压连接;所述第二P沟道场效应管的漏极与电源电压连接,第二P沟道场效应管的源极与第二N沟道场效应管的漏极连接,第二N沟道场效应管的源极作为接地端通过第一电阻接地,同时通过第四电容接地;

所述第四场效应管的栅极与第二P沟道场效应管的漏极连接,同时通过第五电容接地;所述第四场效应管的漏极接电源电压;所述第四场效应管的源极作为第二晶体管阵列的电流输出端与所述负载连接。

4.根据权利要求1所述数字低压差稳压器,其特征在于:所述第一晶体管阵列和第二晶体管阵列的晶体管电路的总数为n,其中第二晶体管阵列的数量为m,第二晶体管阵列的数量为n-m;所述m的取值在1/10n~1/5n之间。

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