技术特征：
技术总结
本发明属于集成电路技术领域，具体为一种应用于5G基站的CMOS集成电路带隙基准源。本发明电路结构包括带隙基准核心模块、带隙基准补偿模块、电压电流转换模块以及启动电路模块；带隙基准核心模块、带隙基准补偿模块、电压电流转换模块通过PMOS晶体管的栅端电压偏置连接构成带隙基准源的核心电路。本发明通过加入NMOS晶体管和电阻来提高带隙基准的精度。该带隙基准源在室温下输出1.2V的电压，且具有较低的温度系数和较高的电源抑制比；由晶体管和电阻组成的混合高阶矫正网络，使得该电路在超过120度的温度下仍然具有很好的线性度，特别适合用作5G基站的CMOS集成电路带隙基准源。
技术研发人员：马顺利;任俊彦;魏继鹏;李宁;叶凡
受保护的技术使用者：复旦大学
技术研发日：2018.12.27
技术公布日：2019.03.19