的半导体 装置8的一个变型例的半导体装置8a。图19是根据第八实施例的半导体装置8a的框图。 如图19中所示，半导体装置8a包括采用开关电容器电路84a替代升压电路84的电源电路 82a。此外，包括电源电路82a的控制芯片81的参考数字是81a。
[0147] 开关电容器电路84a放大从电源10输出的电力并产生第一电源电压Vx。开关电 容器电路84a包括升压单兀86和振荡器87。升压单兀86根据从振荡器87输出的时钟信 号通过控制开关SWa、SWal和SWa2,利用电容器Cal和Ca2执行升压操作。此外，振荡器87 接收来自控制电路12的控制信号的输入，并在其中开关SWx处于断开状态的时段内产生时 钟信号。
[0148] 因此各种电路可用于升压电路84。此外，开关电容器电路消耗较低电力并可在低 操作电压下开始操作，且因此在电源10是微电力源时非常有效。
[0149] 第九实施例
[0150] 将在第九实施例中说明作为根据第七实施例的半导体装置7的另一模式的半导 体装置9。图20是根据第九实施例的半导体装置9的框图。
[0151 ] 如图9中所示，在第九实施例中，提供通过将整流单元92、电压检测电路93以及第 三开关（例如开关SWz)加入控制芯片11而构造的控制芯片91。第四端子（例如端子Po) 以及第五端子（例如端子Pi)加入这种控制芯片91中。
[0152] 端子Po与充电电容器Cx的一端连接。端子Pi与接收从另一装置输出的电力信 号的非接触親合单元（例如天线ANTr)的一端连接。整流单元92对通过天线ANTr接收的 电力信号执行全波整流。开关SWz设置在端子Po和第五端子Pi之间。更具体地，开关SWz 连接至整流单元92的下一级。电压检测电路93监视连接开关SWz和整流单元92的布线 的输入电压，并响应于输入电压已经达到一定电压而将开关SWz从断开状态切换至导通状 ??τ〇
[0153] 根据这种构造，根据第九实施例的半导体装置9可在天线ANTr用于通信等时停止 对充电电容器Cx的充电。更具体地，当天线ANTr用于通信时或当从天线ANTr获得电力用 于对充电电容器Cs充电时，会发生用于通信的信号强度降低的故障。但是，通过采用根据 第九实施例的半导体装置9，能在电压检测电路93检测由于来自天线ANTr的电力降低造成 电压降低时，将开关SWx切换至断开状态，并提高通信信号的信号强度。
[0154] 虽然已经根据若干实施例说明了本发明，但是本领域技术人员将认识到可在处于 随附权利要求的精神和范围内以各种变型实现本发明，且本发明不限于上述实例。
[0155] 此外，权利要求的范围不受上述实施例的限制。
[0156] 而且，注意到申请人意图涵盖所有权利要求元素的等同项，即使在起诉过程中进 行后续修改。
[0157] 第一至第九实施例可根据本领域技术人员的需要进行组合。
[0158] 例如，根据上述实施例的半导体装置可采用半导体衬底、半导体层、扩散层（扩散 区）等的导电类型（P型或η型）相反的构造。因此，当η型和p型中的一种的导电类型是 第一导电类型时，且另一导电类型是第二导电类型时，第一导电类型可被设定为Ρ型且第 二导电类型可被设定为η型，且第一导电类型可被设定为η型且第二导电类型可被设定为 Ρ型。
【主权项】
1. 一种半导体装置，包括： 第一端子，所述第一端子与充电电容器的一端连接，所述充电电容器积累从电源输出 的电荷并且产生第一电源电压； 第二端子，所述第二端子与将第二电源电压供应至第一电路的电源布线的一端连接； 第三端子，所述第三端子与平滑电容器的一端连接，所述平滑电容器抑制所述第二电 源电压的波动； 第一开关，所述第一开关设置在所述第一端子和所述第二端子之间； 第二开关，所述第二开关设置在所述第二端子和所述第三端子之间；以及 控制电路，所述控制电路控制所述第一开关和所述第二开关的导通/断开状态， 其中，在将所述第一开关从断开状态切换至导通状态之后，所述控制电路响应于所述 第二电源电压已经满足一定条件，将所述第二开关从断开状态切换至导通状态。2. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述控制电路响应于所述第一电源电压 已经达到第一设定电压，将所述第一开关从断开状态切换至导通状态，并且响应于所述第 一电源电压已经达到低于所述第一设定电压的第二设定电压，将所述第一开关从断开状态 切换至导通状态。3. 根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述控制电路响应于所述第二电源电压 已经达到第三设定电压，将所述第二开关从断开状态切换至导通状态，并且响应于所述第 二电源电压已经达到低于所述第三设定电压的第四设定电压，将所述第二开关从断开状态 切换至导通状态。4. 根据权利要求3所述的半导体装置，其中 所述第三设定电压高于所述第一设定电压，并且 所述第四设定电压高于所述第二设定电压并且低于所述第一设定电压。5. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中 所述控制电路包括第一电压检测电路和第二电压检测电路， 所述第一电压检测电路控制所述第一开关处于导通状态，直至所述第一电源电压的电 压达到第一设定电压，并且随后达到低于所述第一设定电压的第二设定电压，并且 所述第二电压检测电路控制所述第二开关处于导通状态，直至所述第二电源电压的电 压达到第三设定电压，并且随后达到低于所述第三设定电压的第四设定电压。6. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中 所述控制电路包括电压检测电路和电容连接确定电路， 所述电压检测电路控制所述第一开关处于导通状态，直至所述第一电源电压的电压达 到第一设定电压，并且达到低于所述第一设定电压的第二设定电压，并且 所述电容连接确定电路响应于所述电压检测电路已经将所述第一开关切换至导通状 态并且响应于从所述第一电路接收到用于通知已经完成激活的激活通知信号，控制所述第 二开关处于导通状态。7. 根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括： 电流限制电阻器，所述电流限制电阻器串联插入至第二开关；以及 第三开关，所述第三开关并联连接至所述第二开关以及所述电流限制电阻器， 其中，所述控制电路响应于所述第三端子的电压已经达到一定电压值，将所述第三开 关从断开状态切换至导通状态。8. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述平滑电容器是第一平滑电容器的 情况下，所述半导体装置进一步包括： 第四端子，所述第四端子与所述充电电容器的所述一端连接； 第五端子，所述第五端子与将第三电源电压供应至第二电路的电源布线的一端连接； 第六端子，所述第六端子与第二平滑电容器的一端连接，所述第二平滑电容器抑制所 述第三电源电压的波动； 第三开关，所述第三开关设置在所述第四端子和所述第五端子之间；以及 第四开关，所述第四开关设置在所述第五端子和所述第六端子之间， 在所述第三开关从断开状态切换至导通状态之后，所述控制电路响应于所述第三电源 电压已经满足一定条件，将所述第四开关从断开状态切换至导通状态。9. 根据权利要求8所述的半导体装置，其中，在所述充电电容器是第一充电电容器的 情况下，所述半导体装置进一步包括： 第七端子，所述第七端子与第二充电电容器的一端连接，所述第二充电电容器的所述 一端连接至所述第四端子； 第八端子，所述第八端子连接至所述电源；以及 第五开关，所述第五开关设置在所述第七端子和所述第八端子之间， 所述控制电路响应于用于激活所述第二电路的激活请求，将所述第五开关从断开状态 切换至导通状态。10. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述平滑电容器是第一平滑电容器， 并且所述充电电容器是第一充电电容器的情况下，所述半导体装置进一步包括： 第四端子，所述第四端子与所述充电电容器的所述一端连接； 第五端子，所述第五端子与将第三电源电压供应至第二电路的电源布线的一端连接； 第六端子，所述第六端子与第二平滑电容器的一端连接，所述第二平滑电容器抑制第 三电源电压的波动； 第七端子，所述第七端子连接至第二充电电容器的一端，所述第二充电电容器的所述 一端连接至所述第四端子； 第八端子，所述第八端子连接至所述电源； 第三开关，所述第三开关设置在所述第四端子和所述第五端子之间；以及 第四开关，所述第四开关设置在所述第七端子和所述第八端子之间，并且 所述控制电路响应于用于激活所述第二电路的激活请求，将所述第四开关从断开状态 切换至导通状态并且将所述第三开关从断开状态切换至导通状态。11. 根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括： 第四端子，所述第四端子与所述充电电容器的所述一端连接； 第五端子，所述第五端子与非接触耦合单元的一端连接，所述非接触耦合单元接收从 另一装置输出的电力信号；以及 电源电路，所述电源电路设置在所述第四端子和所述第五端子之间。12. 根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述电源电路包括 整流单元，所述整流单元整流通过所述非接触耦合单元接收的所述电力信号，以及 放大器电路，所述放大器电路与所述整流单元串联连接，并且放大所述电力信号并产 生所述第一电源电压。13. 根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括： 第四端子，所述第四端子与所述充电电容器的所述一端连接； 第五端子，所述第五端子与所述电源连接；以及 电源电路，所述电源电路设置在所述第四端子和所述第五端子之间，其中 所述电源电路包括 升压电路，所述升压电路升高从所述电源输出的电力并且产生所述第一电源电压， 逆流防止电路，所述逆流防止电路与所述升压电路并联连接，并且防止升压的第一电 源电压引起到所述电源的逆流，以及 第三开关，所述第三开关设置在所述升压电路的输出和所述第四端子之间，并且 所述控制电路在所述第一电源电压达到预先设定的升压电压的时段内将所述第三开 关切换至导通状态。14. 根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括： 第四端子，所述第四端子与所述充电电容器的所述一端连接； 第五端子，所述第五端子与所述电源连接；以及 电源电路，所述电源电路设置在所述第四端子和所述第五端子之间， 其中，所述电源电路包括 开关电容器电路，所述开关电容器电路放大从所述电源输出的电力，并且产生所述第 一电源电压，以及 逆流防止电路，所述逆流防止电路并联连接至所述开关电容器电路，并且防止升压的 第一电源电压引起到所述电源的逆流，并且 所述控制电路输出用于使所述开关电容器电路操作的使能信号，直至所述第一电源电 压达到预先设定的升压电压。15. 根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括： 第四端子，所述第四端子与所述充电电容器的所述一端连接； 第五端子，所述第五端子与非接触耦合单元的一端连接，所述非接触耦合单元接收从 另一装置输出的电力信号； 整流单元，所述整流单元整流通过所述非接触耦合单元接收的电力信号；以及 第三开关，所述第三开关设置在所述第四端子和所述第五端子之间， 其中，通过监视到连接所述第三开关和所述整流单元的布线的输入电压，所述第三开 关响应于所述输入电压已经达到一定电压，从断开状态切换至导通状态。16. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中 所述第二端子是设置在所述半导体装置内部的内部端子，并且 基于所述第二电源电压操作的负载电路形成在与所述第一开关和所述第二开关相同 的半导体芯片上。17. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述充电电容器的电容值小于所述平滑 电容器的电容值。
【专利摘要】本发明涉及一种半导体装置。根据一个实施例，半导体装置包括：第一开关(SWx)，其切换是否供应通过积累电源(10)输出的电荷而产生的第一电源电压(Vx)，作为至第一电路(13)的第二电源电压(VDD)；以及第二开关(SW1)，其切换是否将抑制第二电源电压(VDD)波动的平滑电容器(C1)连接至第一电路(13)，并且第一开关(SWx)响应于第一电源电压(Vx)已经达到足够的电压而切换至导通状态，并且随后第二开关(SW1)响应于第二电源电压(VDD)已经达到足够的电压而切换至导通状态。
【IPC分类】G05F1/56
【公开号】CN105388949
【申请号】CN201510536660
【发明人】野口宏一朗, 野濑浩一, 池永佳史, 吉田洋一
【申请人】瑞萨电子株式会社
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2015年8月27日
【公告号】US20160065070