。
[0031]所述电容探测单元103，与所述第一扫描线Scanl、第三扫描线Scan3、所述读取信号线RL和所述公共电压端Vcom相连，用于在所述第一扫描线Scanl和所述公共电压端Vcom的控制下进行重置，并在所述第三扫描线Scan3的控制下，对掌纹信息进行采集，并将采集到的所述掌纹信息传出至所述读取信号线RL。
[0032]需要说明的是，第一，在每个区域中可以只包括一个第一子像素10和一个第二子像素11，也可以除包括一个第一子像素10和一个第二子像素11外，还包括多个第三子像素，所述第三子像素包括所述显示单元101。只要能通过所述光感识别单元102采集到手掌的位置信息，通过所述电容探测单元103采集到的掌纹信息即可。
[0033]第二，上述的掌纹信息与手掌的凹部(谷线)和凸部(脊线)有关。
[0034]其中，可以根据脊线到相邻脊线之间的距离，谷线到相邻谷线之间的距离以及子像素的尺寸，来选择每个区域中第三子像素的个数。
[0035]本发明实施例提供了一种阵列基板，在所述第一扫描线的控制下，通过数据线向所述显示单元101输入数据信号，可以使该阵列基板应用于显示装置时，保证正常的图像显示；在所述第二扫描线的控制下，通过公共电压端输入的电压信号，所述光感识别单元102可以采集到手掌的位置信息，并将该位置信息传出至所述读取信号线，以达到对手掌位置识别的目的；在此基础上，可以在手掌位置范围内的第三扫描线的控制下，通过所述电容探测单元103对掌纹信息进行采集，并将采集到的掌纹信息传出至所述读取信号线，以达到掌纹识别的目的。这样一来，一方面，通过将光感识别单元102和电容探测单元103集成在阵列基板上，使该阵列基板具有掌纹识别功能，当该阵列基板应用于显示装置时，可以使该显示装置结构简单；另一方面，由于通过所述光感识别单元102可以采集到手掌的位置信息，因此，可以只在手掌位置范围内进行掌纹识别，从而可以缩短掌纹识别的时间。
[0036]如图2所示，所述显示单元101包括第一晶体管Tl和第一电容Cl。
[0037]所述第一晶体管Tl的栅极与所述第一扫描线Scanl相连，第一级与所述数据线DL相连，第二级与所述第一电容Cl的一端相连。
[0038]所述第一电容Cl的另一端与所述公共电压端Vcom相连。
[0039]需要说明的是，所述第一电容Cl可以是由像素电极与公共电极构成的液晶电容，也可以是由像素电极与公共电极构成的液晶电容以及存储电容构成的等效电容，具体在此不做限定。
[0040]此外，显示单元101还可以包括其它与该显示单元101功能相同的结构，在此不再一一赘述，但都应当属于本发明的保护范围。
[0041]如图2所示，所述光感识别单元102包括第二晶体管T2、第三晶体管T3和第二电容C2 ;其中，所述第二晶体管T2为光敏晶体管。
[0042]所述第二晶体管T2的栅极和第一级均与公共电压端Vcom相连，第二级与所述第二电容C2的一端相连。
[0043]第三晶体管T3的栅极与所述第二扫描线Scan2相连，第一级与所述第二电容C2的一端相连，第二级与所述读取信号线RL相连。
[0044]第二电容C2的另一端与所述公共电压端Vcom相连。
[0045]需要说明的是，该光感识别单元102还可以包括多个与第三晶体管T3并联的开关晶体管，或者包括多个与第二晶体管T2并联的光敏晶体管。上述仅仅是对光感识别单元102的举例说明，其它与该光感识别单元102功能相同的结构在此不再一一赘述，但都应当属于本发明的保护范围。
[0046]如图2所示，所述电容探测单元103包括第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第三电容C3和探测电极D ;其中，所述第五晶体管T5为放大晶体管。
[0047]所述第四晶体管T4的栅极与所述第一扫描线Scanl相连，第一级与公共电压端Vcom相连，第二级与所述第三电容C3的一端相连。
[0048]所述第五晶体管T5的栅极与所述第三电容C3的一端相连，第一级与公共电压端Vcom相连，第二级与所述第六晶体管T6的第一级相连。
[0049]所述第六晶体管的栅极与所述第三扫描线Scan3相连，第二端与所述读取信号线RL相连。
[0050]所述探测电极D与所述第三电容C3的一端相连。
[0051]所述第三电容C3的另一端与所述第一扫描线Scanl相连。
[0052]需要说明的是，该电容探测单元103还可以包括多个与第四晶体管T4或第六晶体管T6并联的开关晶体管。上述仅仅是对电容探测单元103的举例说明，其它与该电容探测单元103功能相同的结构在此不再一一赘述，但都应当属于本发明的保护范围。
[0053]本发明实施例中，所有晶体管可以是N型晶体管，也可以是P型晶体管。本发明实施例均以晶体管为N型进行说明。
[0054]其中，本发明对晶体管的第一级、第二级不做限定，第一级可以是漏极，第二级可以是源极；或者第一级可以是源极，第二级可以是漏极。当为P型晶体管时，由于P型晶体管的源极电压高于漏极电压，因此，第一级为源极，第二级为漏极。当为N型晶体管时，与P型晶体管正好相反。
[0055]此外，考虑到低温多晶硅薄膜晶体管的漏电流较小，因此，本发明实施例优选所有晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。
[0056]以图2为例，首先说明显示单元101的工作过程。在显示阶段，第一扫描线Scanl逐行输入扫描信号，与第一扫描线Scanl相连的第一晶体管Tl处于导通状态，数据线DL输入的信号对第一电容Cl的一端(像素电极)充电，使之与另一端(公共电极)之间产生压差，以在所述阵列基板应用于显示装置时驱动液晶进行偏转，从而进行显示。这样，当所有第一扫描线Scanl依次扫描完后，便可以完成一帧画面的显示。
[0057]与此同时，由于电容探测单元103中的第四晶体管T4的栅极，以及第三电容C3的另一端均与所述第一扫描线Scanl相连，因此，当该第一扫描线Scanl输入信号时，第四晶体管T4处于导通状态，第三电容C3通过第四晶体管T4进行放电，从而进行重置。
[0058]在此基础上，对光感识别单元102和电容探测单元103的工作过程进行说明，其中，以所有晶体管均为N型晶体管且结合如图3所示的时序图为例进行说明。
[0059]在第一阶段(Pl)，第二扫描线Scan2逐行输入扫描信号，与第二扫描线Scan2相连的第三晶体管T3处于导通状态。
[0060]其中，当有手掌覆盖在与该光感识别单元102对应的位置处时，第二晶体管T2(光敏晶体管)接收到光照强度变化，使得与其第二级连接的第二电容C2的一端的电势发生改变，并通过第三晶体管Τ3将此信号传出至读取信号线RL，以便可以经过读取信号线RL传送至信号接收装置进行处理，从而可以判断此处是否有手掌覆盖。
[0061]此处，信号接收装置例如可以通过手掌覆盖后，第二晶体管Τ2接收到光照强度变化后第二电容C2的电位差值与无触控阈值进行比较，依此判断此处是否有手掌覆盖。其中，如果判断此处有手掌覆盖，此处的坐标可通过当前输入信号的第二扫描线Scan2和输出信号的读取信号线RL确定。
[0062]这样，当所有第二扫描线Scan2依次扫描完之后，便可以确定出手掌的位置。
[0063]在上述基础上，由于在第一阶段中，手掌的位置已经被确定，因此，在通过电容探测单元103采集手掌的掌纹信息时，可以只向手掌位置范围内的第三扫描线Scan3输入信号。
[0064]基于此，在第二阶段(P2)，在手掌位置范围内，第三扫描线Scan3逐行输入扫描信号，与第三扫描线Scan3相连的第六晶体管T6处于导通状态。
[0065]其中，如果手掌与屏幕接触，那么在触控的过程中，如图4a所示，手掌的凹部(谷线)与探测电极D之间的形成耦合电容Cf，在此基础上，如图4b所示，由于电容探测单元103内除了作为基准电容的第三电容C3外，作为放大作用的第五晶体管T5还存在寄生电容Ct，基于此，由于耦合电容Cf相对于第三电容C3和作为放大作用的第五晶体管T5自身的寄生电容Ct而言，足够小。这样一来，如图4b所示，第五晶体管T5的栅极电势会增加，由于第五晶体管T5为N型晶体管，因此第五晶体管T5处于放大开启状态，第五晶体管T5会将公共电压端Vcom的信号进行放大，并通过处于导通状态的第六晶体管T6传出至读取信号线RL。
[0066]或者，在触控过程中，如图4a所示，手掌的凸部(脊线)与探测电极D之间的形成耦合电容Cf’，在此基础上，如图4c所示，由于电容探测单元103内除了作为基准电容的第三电容C