专利名称：快闪存储卡的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及存储技术领域，尤其涉及一种快闪存储卡。
背景技术：
TF卡又称microSD,是一种极细小的快闪存储卡,这种卡主要于手机上使用，但因它拥有体积极小的优点，随着不断提升的容量，它慢慢开始于GPS设备、便携式音乐播放器和一些快闪存储器盘中使用，它的尺寸一般为15mmX IlmmX Imm—相当于手指甲盖的大小，它亦能够以转接器来接驳于SD卡插槽中使用。TF卡的基板(substrate)设计中，在对闪存芯片(FLASH IC)电路连接设计部分，通常为基板和闪存芯片上相同属性的焊盘(pad)位置相对应，即闪存芯片上的电路引出焊盘(即IO pad)可以直接通过金线(Gold wire)连接至基板的焊盘(substrate IO pad)上，如图1所示，基板I’和闪存芯片2’上相同属性焊盘的排列顺序对应，相应焊盘之间通过金线3’连接，金线之间互不干涉。基板和闪存芯片相应焊盘连接的金线路径上不允许存在其它的金线，否则会产生线(wire)交叉，难以或不能实现焊盘之间的连接。由于不同的闪存芯片上IO引脚顺序不同，因此不同的闪存芯片不能共用基板上已存在的一组打线焊盘。如果其它类型闪存直接使用已有的基板上的焊盘，则会出现线交叉的现象。图2示出了基板和闪存芯片焊盘之间连接的简化图，其中基板上焊盘按A、B、C、D、E、F、G、H从上而下的顺序排列，与该基板适配的闪存芯片上焊盘按A1、B1、C1、D1、E1、F1、GUHl从上而下的顺序排列，其中，Al、B1、Cl、Dl、El、Fl、Gl、Hl的属性分别依次与A、B、C、D、E、F、G、H属性相匹配，因此，基板与闪存芯片上相应焊盘通过金线连接时，金线之间互不干涉。图3示意了采用图2中基板匹配另一种闪存芯片的情形，该闪存芯片上焊盘从上到下依次为B1、C1、F1、G1、H1、A1、D1、E1，此时基板与闪存芯片上相同属性焊盘连接时出现金线交叉的情况，这种连接方式是不允许的。为了应对多种FLASH，有两种解决措施:(I)同一基板上设计多组焊盘，应对不同种类的FLASH，但是由于基板面积有限，焊盘的组数有限；(2)设计多款基板，这种情况下，基板款数增多，将会带来库存积压，备料繁琐，成本高涨等问题，显然也并不经济。
实用新型内容本实用新型旨在解决同一基板应对不同闪存芯片时，基板的焊盘与闪存芯片的焊盘因位置变化而产生金线交叉的问题，增强基板通用性，降低库存压力，缩短产品周期，降低基板设计成本。为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是:提供一种快闪存储卡，包括控制模块，分别与所述控制模块电连接的存储模块和外部接口，所述控制模块与所述存储模块之间设有用于电路转接的转接模块，且所述转接模块分别与所述控制模块和所述存储模块电连接。其中，所述的快闪存储卡还包括基板，所述基板设有第一焊盘组，所述存储模块包括闪存芯片，所述闪存芯片上设有IO属性与所述第一焊盘组相对应的第二焊盘组；所述转接模块包括转接电路板，所述转接电路板与所述第一焊盘组和所述第二焊盘组均电连接使第一焊盘组和第二焊盘组中相同IO属性的焊盘电连接。其中，所述转接电路板上设置有第三焊盘组和第四焊盘组，所述第三焊盘组与所述第一焊盘组之间以及第四焊盘组与所述第二焊盘组之间分别通过金线连接，所述第三焊盘组和第四焊盘组的对应焊盘之间通过转接电路板内部走线电连接而使第一焊盘组和第二焊盘组中相同IO属性的焊盘电连接。其中，所述转接电路板、所述闪存芯片与所述基板层叠排布。其中，所述转接电路板粘贴于所述基板上。其中，所述转接电路板粘贴于所述闪存芯片上。其中，所述闪存芯片是Nand Flash。本实用新型的有益效果是:通过转接模块实现控制模块和存储模块的电连接，使得控制模块和存储模块之间可以灵活适配，对于同样的控制模块可以适配连接不同的存储模块，即对于设置有同一控制模块的基板而已，可以适配不同的存储模块，增强基板的通用性。
图1是现有技术的TF卡中电路连接结构示意图；图2是现有技术的TF卡中基板与闪存芯片焊盘之间连接的简化图；图3是现有技术采用图2中基板匹配另一种闪存芯片的连接示意图；图4是本实用新型的快闪存储卡的结构框图；图5是本实用新型的快闪存储卡的封装结构示意图；图6是本实用新型的快闪存储卡的电路连接结构示意图。标号说明:I’、基板；2’、闪存芯片；3’、金线；100、控制模块；200、存储模块；300、转接模块；400、外部接口 ；1、基板；11、第一焊盘；2、闪存芯片；21、第二焊盘；3、金线；4、塑封件；5、转接电路板；51、第三焊盘；52、第四焊盘。
具体实施方式
为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。请参阅图4，本实施方式的快闪存储卡包括控制模块100、存储模块200、转接模块300及外部接口 400，控制模块100与外部接口 400电气连接，存储模块200通过转接模块300与控制模块100电气连接，其中，存储模块为NANDFlash (闪存)。通过转接模块实现控制模块和存储模块的电连接，使得控制模块和存储模块之间可以灵活适配，对于同样的控制模块可以适配连接不同的存储模块。图5示意了本实施例快闪存储卡的封装结构图，其中，包括塑封件4以及封装于塑封件4内的基板1、闪存芯片2和转接电路板5，与图4中结构框图对应，基板I上即设置有可实现各种控制功能的控制模块100，而外部接口 400则一般露出在塑封件4表面用于与外设通信，闪存芯片2即构成所谓的存储模块200，转接电路板5构成转接模块300。请同时结合图5和图6，以下介绍在该快闪存储卡中各模块之间的连接关系。基板I上设有第一焊盘组，其中第一焊盘组包括有多个具有相应IO属性(如电源焊盘、输入输出接口焊盘、时钟信号焊盘等等)的第一焊盘11，第一焊盘11的数量及相应属性对应于通用闪存芯片的要求，图6中示意性地表示了基板I上第一焊盘11的排布，其中按从上而下的顺序依次排列有焊盘A、B、C、D、E、F、G、H。闪存芯片2上设有第二焊盘组，同样地，第二焊盘组也包括多个具有相应IO属性的第二焊盘21，图6中闪存芯片2上第二焊盘按从上而下的顺序依次排列有B1、Cl、Fl、Gl、Hl、Al、Dl、El，其中，同样字母的焊盘表示属性相同应当电连接。转接电路板5层叠设置于闪存芯片2上，较优地，转接电路板5粘接于闪存芯片2上便于固定；转接电路板5也可以夹设于基板I与闪存芯片2之间，此时，转接电路板5可以是粘接于基板I上，也可以是粘接于闪存芯片2上。转接电路板5上设有第三焊盘组和第四焊盘组，其中第三焊盘组包括多个依次与第一焊盘组中第一焊盘11对应的第三焊盘51，第四焊盘组包括多个依次与第二焊盘组中第二焊盘对应的第四焊盘52。如图6，第三焊盘51按从上而下的顺序依次排布有A3、B3、C3、D3、E3、F3、G3、H3，各第三焊盘51分别对应地与第一焊盘11通过金线3连接；第四焊盘52按从上而下的顺序依次排布有B2、C2、F2、G2、H2、A2、D2、E2，各第四焊盘52分别对应地与第二焊盘21通过金线3连接；各金线之间互不交叉。而为了实现基板I和闪存芯片2上相同IO属性焊盘之间的电连接，转接电路板5上通过内部走线将相应的第三焊盘51和第四焊盘52连接在一起。例如对于A属性的焊盘，基板I上第一焊盘A通过金线3连接至转接电路板5上第三焊盘A3，而闪存芯片2上第二焊盘Al则通过金线3连接至转接电路板5上第四焊盘A2，在转接电路板5内部则通过内部走线将第三焊盘A3和第四焊盘A2连接在一起，这样即实现了基板I上第一焊盘A与闪存芯片2上第二焊盘A2之间的电连接。其他相同IO属性焊盘之间的电连接亦是相同的方式。本实用新型中，在基板和闪存芯片之间通过转接电路板作为过渡，基板和闪存芯片上的焊盘通过现有的wire bonding技术均通过金线连接至转接电路板上,可保证各金线之间不交叉；而转接电路板通过内部走线再使基板和闪存芯片上具有相同属性的焊盘电连接，转接电路板上内部走线方式可以根据需要灵活设置，这样即可实现基板和闪存芯片之间的灵活配合。对于不同类别的闪存芯片，可使用同样的基板，而相同的闪存芯片也可与不同的基板配合，增强基板的通用性，降低了其库存压力和研发成本，缩短了产品生产周期。以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
权利要求1.一种快闪存储卡，包括控制模块，分别与所述控制模块电连接的存储模块和外部接口，其特征在于，所述控制模块与所述存储模块之间设有用于电路转接的转接模块，且所述转接模块分别与所述控制模块和所述存储模块电连接。
2.根据权利要求1所述的快闪存储卡，其特征在于:所述的快闪存储卡还包括基板，所述基板设有第一焊盘组，所述存储模块包括闪存芯片，所述闪存芯片上设有IO属性与所述第一焊盘组相对应的第二焊盘组；所述转接模块包括转接电路板，所述转接电路板与所述第一焊盘组和所述第二焊盘组均电连接使第一焊盘组和第二焊盘组中相同IO属性的焊盘电连接。
3.根据权利要求2所述的快闪存储卡，其特征在于:所述转接电路板上设置有第三焊盘组和第四焊盘组，所述第三焊盘组与所述第一焊盘组之间以及第四焊盘组与所述第二焊盘组之间分别通过金线连接，所述第三焊盘组和第四焊盘组的对应焊盘之间通过转接电路板内部走线电连接而使第一焊盘组和第二焊盘组中相同IO属性的焊盘电连接。
4.根据权利要求2所述的快闪存储卡，其特征在于:所述转接电路板、所述闪存芯片与所述基板层叠排布。
5.根据权利要求4所述的快闪存储卡，其特征在于:所述转接电路板粘贴于所述基板上。
6.根据权利要求5所述的快闪存储卡，其特征在于:所述转接电路板粘贴于所述闪存芯片上。
7.根据权利要求2所述的快闪存储卡，其特征在于:所述闪存芯片是NandFlash。
专利摘要本实用新型公开了一种快闪存储卡，包括控制模块，分别与所述控制模块电连接的存储模块和外部接口，所述控制模块与所述存储模块之间设有用于电路转接的转接模块，且所述转接模块分别与所述控制模块和所述存储模块电连接。本实用新型中通过转接模块实现控制模块和存储模块的电连接，使得控制模块和存储模块之间可以灵活适配，对于同样的控制模块可以适配连接不同的存储模块，即对于设置有同一控制模块的基板而已，可以适配不同的存储模块，增强基板的通用性。
文档编号G11C16/02GK203070773SQ20122066140
公开日2013年7月17日 申请日期2012年12月5日 优先权日2012年12月5日
发明者孙日欣, 卢伟, 李振华, 袁正红 申请人:深圳佰维存储科技有限公司