存储器装置的制作方法

技术总结
本发明的实施方式提供一种可靠性高的存储器装置。实施方式的存储器装置包含：第1存储单元，设置在沿与半导体衬底交叉的方向延伸的半导体层的侧面上；以及控制器，控制对所述第1存储单元的写入动作；并且在第1编程动作后的第1验证动作时，在進行对所述第1存储单元的数据读取后，对所述半导体层进行充电。

技术研发人员：桥本寿文;中野威
受保护的技术使用者：株式会社东芝
文档号码：201610137236
技术研发日：2016.03.10
技术公布日：2017.03.22