技术特征：
技术总结
存储器阵列的操作方法存储器阵列包括一第一存储单元、一第二存储单元及一第三存储单元，共享一栅极并沿着栅极的延伸方向依序配置。存储器阵列的操作方法包括以下步骤。提供一第一偏压至第一存储单元的一信道，以编程第一存储单元。提供一第二偏压至第二存储单元的一信道，以禁止编程第二存储单元。提供一第三偏压至第三存储单元的一信道，以编程或禁止编程第三存储单元。第一偏压与第三偏压不相同。
技术研发人员：陈永翔;张耀文;杨怡箴
受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司
技术研发日：2016.10.17
技术公布日：2018.04.24