3-D非易失性存储器中的部分坏的块的操作的制作方法

文档序号:14420857阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
在3‑D块可擦除非易失性存储器中识别部分坏的块,每个部分坏的块具有一个或多个不可操作的可单独选择的NAND串的集合和一个或多个可操作的可单独选择的NAND串的集合。可操作的NAND串的集合在两个或更多个部分坏的块内被识别并被映射,以形成一个或多个虚拟块,一个或多个虚拟块被独立地分配虚拟块地址。虚拟块地址在列表中维护并且用来存取虚拟块。

技术研发人员:D.埃亚;I.巴兰;A.李;M.科查尔;M.帕利蒂卡;Y.Y.恩格;A.巴勒拉奥
受保护的技术使用者:桑迪士克科技有限责任公司
技术研发日:2016.06.09
技术公布日:2018.05.11
当前第2页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1