用于非易失性存储器设备操作的方法、系统和设备与流程

文档序号:14650602发布日期:2018-06-08 21:43阅读:来源:国知局
用于非易失性存储器设备操作的方法、系统和设备与流程

技术特征:

1.一种非易失性存储器单元,包括:

CES元件;以及

导电元件,用于响应于字线上的电压信号将所述CES元件的第一端子连接到位线;

其中所述CES元件响应于跨所述CES元件的第一端子和第二端子施加第一电压,同时维持通过所述CES元件的第一电流以将所述CES元件的存储器状态置于第一存储器状态;

其中所述CES元件响应于在所述第一端子与所述第二端子之间施加第二电压,同时维持通过所述CES元件的第二电流以将所述CES元件的存储器状态置于第二存储器状态;并且

其中响应于读取操作中在所述第一端子和第二端子之间施加第三电压,所述CES元件的存储器状态可至少部分地基于通过所述CES元件的测量电流来检测。

2.根据权利要求1所述的存储器单元,其中所述CES元件包括电阻和电容,并且其中所述电容响应于所述CES元件从所述第一存储器状态到所述第二存储器状态的转变而增加,所述增加的电容吸收所述第一端子上的过量电荷,并且在所述第一端子随后从所述位线断开连接的情况下通过所述电阻大体上消散所述过量电荷。

3.根据权利要求2所述的存储器单元,其中所述电容响应于所述CES元件的物理变换而增加。

4.根据前述权利要求中任一项所述的存储器单元,其中所述第三电压的幅度被限制为小于或等于所述第二电压的幅度。

5.根据前述权利要求中任一项所述的存储器单元,其中所述存储器单元响应于停留时间内在所述第一端子与第二端子之间施加所述第二电压而被置于所述第二存储器状态。

6.根据前述权利要求中任一项所述的存储器单元,其中所述第一电压的幅度大于所述第二电压的幅度,并且其中所述第二电流的幅度大于所述第一电流的幅度。

7.根据前述权利要求中任一项所述的存储器单元,其中所述第一存储器状态包括导电或低阻抗存储器状态,并且其中所述第二存储器状态包括绝缘或高阻抗存储器状态。

8.根据前述权利要求中任一项所述的存储器单元,其中所述CES元件包括CeRAM元件。

9.根据前述权利要求中任一项所述的存储器单元,其中在所述读取操作期间,所述测得的电流的幅度被限制为小于所述第一电流和所述第二电流的幅度,以保持所述CES元件的存储器状态。

10.一种方法,包括:

在非易失性存储器元件的第一端子和所述非易失性存储器元件的第二端子之间施加第一电压,同时在所述第一端子和第二端子之间维持第一电流,以在第一写入操作中将所述非易失性存储器元件置于第一存储器状态;

在所述非易失性存储器元件的第一端子和第二端子之间施加第二电压,同时在所述第一端子和第二端子之间维持第二电流,以在第二写入操作中将所述非易失性存储器元件置于第二存储器状态;以及

在读取操作中在所述第一端子和第二端子之间施加第三电压。

11.根据权利要求10所述的方法,其中所述第一端子和第二端子之间的电容响应于所述存储器单元被置于所述第二存储器状态而增加,并且其中所述电容响应于所述非易失性存储器元件被置于所述第一存储器状态而减少。

12.根据权利要求10或权利要求11所述的方法,其中所述非易失性存储器元件包括CES元件。

13.根据权利要求10至12中任一项所述的方法,其中,所述非易失性存储器元件包括电阻和电容,并且所述方法还包括:

响应于将所述非易失性存储器元件置于所述第二存储器状态而增加所述电容,所述增加的电容吸收所述第一端子上的电荷;以及

响应于将所述第一端子从位线断开连接,通过所述电阻消散所述吸收的电荷。

14.根据权利要求10至12中任一项所述的方法,其中,所述非易失性存储器元件包括电阻和电容,并且所述方法还包括:

响应于将所述非易失性存储器元件置于所述第一存储器状态而增加所述电容,所述增加的电容吸收所述第一端子上的电荷;以及

响应于将所述第一端子从位线断开连接,通过所述电阻消散所述吸收的电荷。

15.根据权利要求13或权利要求14所述的方法,其中所述电容响应于所述非易失性存储器元件的物理变换而增加。

16.根据权利要求10至15中任一项所述的方法,其中响应于在停留时间内在所述第一端子和第二端子之间施加所述第二电压,所述存储器单元被置于所述第二存储器状态。

17.根据权利要求10至16中任一项所述的方法,其中所述第一存储器状态包括导电或低阻抗存储器状态,并且其中所述第二存储器状态包括绝缘或高阻抗存储器状态。

18.根据权利要求10至17中任一项所述的方法,还包括至少部分地基于在所述写入操作期间所述第三电流的施加期间所测量的通过所述非易失性存储器元件的第三电流,来检测所述非易失性存储器元件的存储器状态,其中,在所述读取操作期间,所述第三电流的幅度被限制为小于所述第一电流的幅度以维持所述非易失性存储器元件的存储器状态。

19.根据权利要求10至18中任一项所述的方法,其中所述第一电压的幅度大于所述第二电压的幅度,并且其中所述第二电流的幅度大于所述第一电流的幅度。

20.根据权利要求10至19中任一项所述的方法,其中,所述第二电压的幅度大于所述第一电压的幅度,并且其中,所述第一电流的幅度大于所述第二电流的幅度。

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