技术特征：
技术总结
本发明公开了一种NAND Flash电压自动补偿方法和装置，芯片存储技术领域。所述方法，包括：检测目标NAND Flash的温度状态电压；所述温度状态电压用于表征所述目标NAND Flash的温度状态；根据所述温度状态电压以及预设的参考电压获取对所述目标NAND Flash中各存储单元的当前判定电压进行调整的调整量；根据所述调整量对所述目标NAND Flash中各存储单元的当前判定电压进行补偿调整，得到各所述存储单元的目标判定电压。解决了在不同温度条件下现有的NAND Flash中的各存储单元所存储的数据所代表的阈值电压范围出现偏移，使得读取存储单元中的数据时，容易会出现误判的技术问题。取得了避免因温度变化导致的误判，提高数据读写准确度的有益效果。
技术研发人员：苏志强;刘会娟;张现聚;邓龙利
受保护的技术使用者：北京兆易创新科技股份有限公司
技术研发日：2017.03.17
技术公布日：2017.09.15