对半导体存储器装置进行编程的方法与流程

技术特征：

技术总结
对半导体存储器装置进行编程的方法。在对半导体存储器装置进行编程的方法中，在待命周期期间，对联接至所选择的存储器单元串中所包括的多个存储器单元的字线施加待命电压，并且在第一编程周期期间，对联接至所选择的存储器单元串的已编程存储器单元中的至少一个的字线施加第一预偏置电压。第一预偏置电压大于待命电压。

技术研发人员：权殷美;金智善;安尚太
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：2017.03.21
技术公布日：2018.01.09