技术特征：
技术总结
本发明公开了一种存储器件，该存储器件包括第一半导体层、在第一半导体层上的第二半导体层、以及上位线。第一半导体层包括在第一方向上延伸并在与第一方向垂直的第二方向上彼此平行的下位线、以及衬底。第二半导体层包括在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上延伸的垂直柱。上位线连接到垂直柱并在第二半导体层上在第一方向上延伸。上位线布置为在第二方向上具有第一节距。下位线布置为在第二方向上具有第二节距。第一节距和第二节距具有不同的长度。
技术研发人员：沈相元;任琫淳
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2017.06.27
技术公布日：2018.01.05