技术特征：
技术总结
本发明的实施方式提供一种高品质的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备控制电路，所述控制电路是在对存储单元写入数据的情况下，进行对字线施加第1电压的第1编程，进行对字线施加比第1电压低的第2电压的第1编程验证，进行对字线施加比第1电压低且比第2电压高的第3电压的第2验证，在进行第1及第2验证之后，调整对位线施加的电压，进行第1编程、第1及第2验证，当完成第2验证时，进行对字线施加比第1电压高的第4电压的第2编程，当完成第2编程时，进行对字线施加比第4电压高的第5电压的第3编程。
技术研发人员：中川知己;细野浩司
受保护的技术使用者：东芝存储器株式会社
技术研发日：2017.08.16
技术公布日：2018.10.09