测试系统及其操作方法与流程

本公开主张2017年12月22日申请的美国临时申请案第62/609,661号及2018年1月8日申请的美国正式申请案第15/864,374号的优先权及益处，该美国临时申请案及该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。

本公开涉及一种测试系统及其操作方法，并且更具体地涉及一种动态随机存取记忆体(dynamicrandomaccessmemory，dram)的测试系统及其操作方法。

背景技术：

动态随机存取记忆体(dynamicrandomaccessmemory，dram)是一种随机存取记忆体的形态。该种形态的随机存取记忆体将每个位元的数据储存在单独的电容器中。最简单的dram胞包括单个n型金属氧化物半导体(n-typemetal-oxide-semiconductor，nmos)晶体管和单个电容器。如果电荷储存在电容器中，则根据所使用的惯例，该胞被称为储存逻辑高。如果不存在电荷，则称该胞储存逻辑低。由于电容器中的电荷随时间消耗，因此dram系统需要额外的更新电路来周期性地更新储存在电容器中的电荷。由于电容器只能储存非常有限的电荷量，为了快速区分逻辑1和逻辑0之间的差异，通常每个位元使用两个位元线(bitline，bl)，其中位元线对中的第一位被称为位元线真(bitlinetrue，blt)，另一个是位元线补数(bitlinecomplement，blc)。单个nmos晶体管的栅极由字元线(wordline，wl)控制。

上文的“现有技术”说明仅是提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

技术实现要素：

本公开的一实施例提供一种动态随机存取记忆体(dynamicrandomaccessmemory，dram)的测试系统。该dram包括一阵列。该阵列包括一第一记忆列、一第二记忆列、一测试胞。该第一记忆列包括一第一字元线以及该第二记忆列包括一第二字元线。该第二字元线紧邻该第一字元线。该测试胞受控于该第二字元线。该测试系统包括一工作站。该工作站经配置以基于该测试胞的一漏电荷，评估该第二记忆列上的一列锤子效应，其中该漏电荷是由施加到该第一字元线的一脉冲的一ac成分引起。

在本公开的一些实施例中，该工作站还经配置以测量由该ac成分引起的一漏电流，并且通过将该漏电流乘以该第一字元线的一个启动周期来计算该漏电荷。

在本公开的一些实施例中，该测试系统还包括一电源供应器。该电源供应器经配置以提供具有一高状态和一低状态的该脉冲。该工作站进一步经配置以建立该高状态的一临界电压电平和来自该测试胞的一临界漏电荷之间的一关系，该临界漏电荷是由该ac成分引起，其中该列锤子效应，因应于该临界电压电平和该临界漏电荷，发生。

在本公开的一些实施例中，该第一记忆列包括包含一晶体管的一记忆胞。该测试系统还包括一电源供应器。该电源供应器经配置以分别向该晶体管的一漏极和一源极提供一第一电压和一第二电压，其中该工作站经配置以建立该第一电压、该第二电压和来自该测试胞的该临界漏电荷之间的关系，该临界漏电荷是由该ac成分引起，其中该列锤子效应，因应于该第一电压、该第二电压和该临界漏电荷，发生。

在本公开的一些实施例中，该电源供应器还经配置以向该晶体管的一基极提供一第三电压，其中该工作站经配置以建立该第一电压、该第二电压、该第三电压和该临界漏电荷之间的关系，其中该列锤子效应，因应于该第一电压、该第二电压、该第三电压和该临界漏电荷，发生。

在本公开的一些实施例中，该第一记忆列包括包含一晶体管的一记忆胞，并且该测试系统还包括一电源供应器。该电源供应器经配置以向该晶体管的一基极提供一第二电压，其中该工作站经配置以建立该第二电压与来自该测试胞的一临界漏电荷之间的关系，该临界漏电荷是由该ac成分引起，其中该列锤子效应，因应于该第二电压和该临界漏电荷，发生。

在本公开的一些实施例中，该工作站还经配置以通过从由该脉冲引起的一第二电荷中消除由该脉冲的dc成分引起的一第一电荷来计算该漏电荷。

在本公开的一些实施例中，以交错的方式向该第一字元线施加一dc电流和该脉冲，其中该工作站经配置以测量来自该测试胞的一第一漏电流，该第一漏电流是由该dc电流引起；测量来自该测试胞的一第二漏电流，该第二漏电流是由该脉冲引起；并且基于该第一漏电流和该第二漏电流评估该列锤子效应。

在本公开的一些实施例中，该工作站还经配置以通过将该第一漏电流乘以该第一字元线的一个启动周期来计算该第一电荷，并且通过将该第二漏电流乘以一个启动周期来计算该第二电荷。

在本公开的一些实施例中，该工作站还经配置以通过相互消除该第一电荷和该第二电荷来计算该漏电荷。

本公开的一实施例，提供一种测试方法。该测试方法包括：将一脉冲施加到一记忆体阵列的一第一字元线；以及基于来自一测试胞的一漏电荷来评估该记忆体阵列的一第二字元线上的一列锤子效应，该漏电荷是由该脉冲的一ac成分引起，其中该第二字元线紧邻该第一字元线，并且其中该测试胞受控于该第二字元线。

在本公开的一些实施例中，该测试方法还包括：测量由该ac成分引起的一漏电流；以及通过将该漏电流乘以该第一字元线的一个启动周期来计算该漏电荷。

在本公开的一些实施例中，该脉冲具有一高状态和一低状态。该测试方法还包括：建立该高状态的一临界电压电平和来自该测试胞的一临界漏电荷之间的关系，该临界漏电荷是由该ac成分引起，其中该列锤子效应，因应于该临界电压电平和该临界漏电荷，发生。

在本公开的一些实施例中，该测试方法还包括：将一第一电压和一第二电压分别提供给受控于该第一字元线的一晶体管的一漏极和一源极；以及建立该第一电压、该第二电压和来自该测试胞的一临界漏电荷之间的关系，该临界漏电荷是由该ac成分引起，其中该列锤子效应，因应于该第一电压、该第二电压和该临界漏电荷，发生。

在本公开的一些实施例中，该测试方法还包括：向晶体管的一基极提供一第三电压；以及建立该第一电压、该第二电压、该第三电压和该临界漏电荷之间的一关系，其中该列锤子效应，因应于该第一电压、该第二电压、该第三电压和该临界漏电荷，发生。

在本公开的一些实施例中，该测试方法还包括：向该晶体管的一基极提供一第二电压；以及建立该第二电压与来自该测试胞的一临界漏电荷之间的关系，该临界漏电荷是由该ac成分引起，其中该列锤子效应，因应于该第二电压和该临界漏电荷，发生。

在本公开的一些实施例中，该测试方法还包括：通过从由该脉冲引起的一第二电荷中消除由该脉冲的一dc成分引起的一第一电荷来计算该漏电荷。

在本公开的一些实施例中，该测试方法还包括：将一dc电流施加到该第一字元线；测量来自该测试胞的一第一漏电流，该第一漏电流是由该dc电流引起；测量自该测试胞的一第二漏电流，该第二漏电流是由该脉冲引起；以及基于该第一漏电流和该第二漏电流评估该列锤子效应。

在本公开的一些实施例中，该测试方法还包括：通过将该第一漏电流乘以该第一字元线的一个启动周期来计算该第一电荷；以及通过将该第二漏电流乘以该一个启动周期来计算该第二电荷。

在本公开的一些实施例中，该测试方法还包括：通过相互消除该第一电荷和该第二电荷来计算该漏电荷。

在本公开中，工作站能够建立一临界漏电荷与该第一电压、该第二电压、该第三电压、该ac脉冲的一高状态的一电压电平、该ac脉冲的一低状态的一电压电平中的至少一个之间的关系，并进而能够基于该关系创建用于eda工具的模型，这有助于dram的设计。

上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，从而使下文的本公开详细描述得以获得优选了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属技术领域中技术人员应了解，可相当容易地利用下文公开的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本公开所属技术领域中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的构思和范围。

附图说明

参阅实施方式与权利要求合并考量附图时，可得以更全面了解本公开的公开内容，附图中相同的元件符号是指相同的元件。

图1是根据本公开的一些实施例的一种动态随机存取记忆体(dynamicrandomaccessmemory，dram)的测试系统的示意图。

图2是根据本公开的一些实施例的图1所示的该dram的示意图。

图3的示意式说明根据本公开的一些实施例的图1所示的该dram的一测试。

图4是根据本公开的一些实施例的用于说明一列锤子效应的图3的该dram沿线a-a的剖面示意图。

图5是根据本公开的一些实施例的用于说明一列锤子效应的图3的该dram的剖面示意图。

图6是根据本公开的一些实施例的一测试方法的流程图。

图7是根据本公开的一些实施例的图6所示的操作62的流程图。

图8的示意式说明根据本公开的一些实施例的图1所示的该dram的另一测试的一操作。

图9的示意式说明根据本公开的一些实施例的图1所示的该dram的该另一测试的另一操作。

图10的波形示意式说明以图8和图9的测试方法测试出的该dram的一漏电流。

图11是根据本公开的一些实施例的另一测试方法的流程图。

图12是根据本公开的一些实施例的又另一测试方法的流程图。

图13是根据本公开的一些实施例的图12所示的操作88的流程图。

图14是根据本公开的一些实施例的图1的该工作站的方框示意图。

附图标记列表

1测试系统

6测试方法

7测试方法

8测试方法

9电脑系统

10动态随机存取记忆体

11记忆体阵列

12工作站

14电源供应器

16探针

17探针

18探针

19探针

60操作

62操作

72操作

80操作

82操作

84操作

86操作

88操作

100记忆胞

101基板

102测试胞

104第一源极区

106第一漏极区/第二漏极区

107栅极结构

108栅极结构

109导电材料

110介电质材料

112第二源极区

620操作

622操作

880操作

882操作

884操作

900处理器

902网络接口

904输入/输出(input/output，i/o)装置

906储存器

908记忆体

910用户空间

912内核

914总线

bl1位元线

bl2位元线

blm位元线

c1电容器

cv1曲线

cv2曲线

d1漏极

d2漏极

g1栅极

g2栅极

i1漏电流

i2漏电流

m1晶体管

mt晶体管

n0端子

n1端子

n2端子

n3端子

q1漏电荷

q2漏电荷

s1源极

s2极极

wl1字元线

wl2字元线

wln字元线

具体实施方式

本公开的以下说明伴随并入且组成说明书的一部分的附图，说明本公开的实施例，然而本公开并不受限于该实施例。此外，以下的实施例可适当整合以下实施例以完成另一实施例。

“一实施例”、“实施例”、“例示实施例”、“其他实施例”、“另一实施例”等是指本公开所描述的实施例可包含特定特征、结构或是特性，然而并非每一实施例必须包含该特定特征、结构或是特性。再者，重复使用“在实施例中”一语并非必须指相同实施例，然而可为相同实施例。

为了使得本公开可被完全理解，以下说明提供详细的步骤与结构。显然，本公开的实施不会限制该技艺中的技术人士已知的特定细节。此外，已知的结构与步骤不再详述，以免不必要地限制本公开。本公开的优选实施例详述如下。然而，除了实施方式之外，本公开亦可广泛实施于其他实施例中。本公开的范围不限于实施方式的内容，而是由权利要求定义。

图1是根据本公开的一些实施例的一种动态随机存取记忆体(dynamicrandomaccessmemory，dram)10的测试系统1的示意图。参考图1，测试系统1包括一工作站12和一电源供应器14。

工作站12用于测量dram10的一漏电流，从而评估一列锤子效应，其将详细说明于图3至5。更详细地，工作站12用于通过使用一探针16来感测来自dram10的一端子n0的一电信号来测量该漏电流。

电源供应器14用于通过一探针17向dram10的一端子n1提供一脉冲，从而仿真一列锤子效应，其将详细说明如下。该脉冲的一高(high)状态的一电压电平是影响dram10的一列锤子效应的一因素，其将详细说明如下。因此，有可能分析该脉冲在该高状态的不同电压电平下的列锤子效应，这有利于dram10的设计。此外，该脉冲的一低(low)状态的一电压电平也是影响一列锤子效应的另一因素。类似地，电源供应器14用于分别经由探针18和19向dram10的端子n2和n3提供一第一电压和一第二电压。因此，有可能分析在该第一电压和该第二电压中的每一者的不同电压电平下的列锤子效应，这有助于dram10的设计。

一操作员能够通过测量该漏电流来计算与一列锤子效应相关联的一漏电荷。因此，一电路设计者能够基于所计算的该漏电荷与一列锤子效应之间的关系来创建用于电子设计自动化(electronicdesignautomation，eda)工具的模型，这有助于dram的设计。

图2是根据本公开的一些实施例的图1所示的dram10的示意图。参考图2，dram10包括一记忆体阵列11。

记忆体阵列11包括以二维阵列布置的多个记忆胞100。记忆胞100用于储存数据。除了记忆胞100之外，记忆体阵列11还包括多个字元线wl1至wln和多个位元线bl1至blm，其中n和m是正整数。字元线wl1至wln和位元线bl1至blm用于控制相关记忆胞140的操作。同一行中的记忆胞140以及用于存取那些记忆胞140的字元线可一同被认为是一记忆列。

此外，记忆体阵列11还包括多个测试胞102。测试胞102做为一伪记忆胞。更详细地说，除了测试胞102不包括用于储存表示数据内容的电荷的元件之外，测试胞102通常具有与记忆胞100相同的元件和结构。

基于来自一特定记忆列中的测试胞102的一漏电流，是可能可以评估该特定记忆列上的一列锤子效应。在本实施例中，dram10的该等记忆列的每一者配备有一个测试胞102。然而，本公开不限于此。在一些实施例中，只有特定的记忆列配备有测试胞102。

记忆胞100包括一晶体管m1和一电容器c1。晶体管m1做为一开关，并由相关字元线来控制。电容器c1用于储存表示数据的一电荷。

在本实施例中，当与字元线wl1相关联的记忆列(在下文中，称为一第一记忆列)在一自更新周期内被存取一临界次数时，与字元线wl2相关联的记忆列(在下文中，称为一第二记忆列)容易受到一列锤子效应。更详细地说，当该第一记忆列，在例如一自更新周期内的一给定时间段内，被存取超过例如约300,000次时，该第二记忆列容易受到一列锤子效应，即一列锤子效应可能会发生。为了便于更好地理解该列锤子效应，假定与字元线wl2相关联的一电容器(在下文中，称为第二电容器)具有一逻辑高(high)。字元线wl2紧邻字元线wl1。如果字元线wl1在给定的时间段内被存取超过例如大约300,000次，则由该第二电容器储存的数据可能从该逻辑高翻转到一逻辑低。这种情况被称为该列锤子效应。由于这种翻转并非意图，所以这种翻转可能导致dram10异常工作或提供错误的数据。

测试胞102包括一晶体管mt。以受控于字元线wl2的测试胞102为例，晶体管mt的一栅极耦合到字元线wl2、晶体管mt的一漏极耦合到位元线blm，并且晶体管mt的一源极耦合到端子n0以被探针16感测。在本实施例中，晶体管mt的漏极耦合到位元线blm。然而，本公开不限于此。在一些实施例中，晶体管mt的漏极耦合到另一位元线。在一些实施例中，晶体管mt具有与晶体管m1相同的长宽比，由此准确地仿真晶体管m1的操作。因此，测试胞102被称为伪记忆胞。然而，本公开不限于此。在一些实施例中，晶体管mt具有与晶体管m1不同的长宽比。

图3的示意式说明根据本公开的一些实施例的图1所示的dram10的一测试。参考图3，为了便于理解该测试，以字元线wl1和wl2为例。为了仿真字元线wl1的一存取操作，从电源供应器14经由探针17提供一交流(alternatingcurrent，ac)脉冲，并将其施加到与字元线wl1相关联的端子n1。该ac脉冲不含一直流(directcurrent，dc)成分。因应于该ac脉冲的一高状态，引起来自与字元线wl2相关联的晶体管m1的一漏电流i1。当与漏电流i1相关联的一漏电荷q1达到一临界量时，储存在与字元线wl2相关联的电容器c1中的数据被翻转，即发生列锤子效应。

因应于该ac脉冲的该高状态，同样也引起来自晶体管m2的一漏电流i2。通常，漏电流i2的大小与漏电流i1的大小相同。因此，与漏电流i2相关联的一漏电荷q2的量与与漏电流i1相关联的漏电荷q1的量相同。如前所述，工作站12用于通过探针16和端子n0测量漏电流i2的大小。因此，工作站12能够基于由该ac脉冲引起的漏电荷q2来评估该第二记忆列上的一列锤子效应。

更详细地，工作站12用于测量由该ac脉冲的一ac成分引起的漏电流i2，并且通过将漏电流i2乘以字元线wl1的一个启动周期来计算漏电荷q2。

工作站12可以连续监测与字元线wl2相关联的电容器c1的数据是否翻转。当数据翻转时，工作站12将当前漏电荷q2记录为一临界漏电荷。工作站12可以基于漏电荷和列锤子效应之间的关系来创建用于eda工具的模型，这有助于dram的设计。例如，电路设计人员可以通过使用eda工具运行模型来执行模拟。当模拟结果反映漏电荷q2达到该临界漏电荷时，电路设计者可以理解一列锤子效应会发生并且因此可以调整dram10的设计。

为了更好地理解为什么发生一列锤子效应，在图4和5中，引入了半导体元件之间的相互作用。

图4是根据本公开的一些实施例的用于说明一列锤子效应的图3的dram10沿线a-a的剖面示意图。参考图4，晶体管m1包括在一基板101中的一第一源极区104、由一导电材料109和一介电质材料110界定出的一栅极结构108、一第一漏极区106。晶体管mt包括一第二源极区112、也由导电材料109和介电质材料110界定出的一栅极结构107、第二漏极区106。晶体管mt和晶体管m1共享相同的掺杂区，并且该掺杂区做为晶体管m1的第一漏极区106和晶体管mt的第二漏极区106。

在操作中，当晶体管m1因应于该ac脉冲的一高状态而导通时，储存在第一源极区104和第一漏极区106中的电子移动到晶体管m1的栅极结构108，并且俘获在栅极结构108的底部与基板101之间的界面处。

图5是根据本公开的一些实施例的用于说明一列锤子效应的图3的dram10的剖面示意图。参考图5，在图4所示的该操作后，当晶体管m1因应于该ac脉冲的一低状态而不导通时，一些电子移动回到最初储存电子的第一源极区104和第一漏极区106。然而，一些被俘获的电子可能被重新发射到第二源极区112，导致漏电流i2。由于类似的原因，一些被俘获的电子可能被重新发射到与字元线wl2相关联的晶体管m1，导致漏电流i1和与字元线wl2相关联的电容器c1的电位的降低。

鉴于上述的移动和重新发射动作，该ac脉冲的一高状态的一电压电平还可以影响漏电流i2的量值(并且也可以影响漏电流i1的量值)。更详细地说，一操作员能够设定该高状态的一预定电压电平、计算该漏电荷、并观察是否发生一列锤子效应。通过重复这样的过程，该操作员可以找到该高状态的一临界电压电平和出现该列锤子效应的一临界漏电荷。因此，工作站12建立该高状态的该临界电压电平和该临界漏电荷之间的关系，并且基于该关系创建用于eda工具的模型，这有助于dram的设计。类似地，通过使用相同的方法，工作站12还可以基于该ac脉冲的一低状态的一临界电压电平与一临界漏电荷之间的关系来创建用于eda工具的模型。

类似地，施加到与字元线wl1相关联的晶体管m1的一源极s1的一第一电压的一电压电平还可以影响漏电流i2的量值(并且也可以影响漏电流i1的量值)。一操作员能够设定该第一电压的一预定电压电平、计算漏电荷、并观察是否发生一列锤子效应。通过重复这样的过程，操作员可以找到该第一电压的一临界电压电平和发生列锤子效应的一临界漏电荷。因此，工作站12建立该第一电压的该临界电压电平和该临界漏电荷之间的关系，并且基于该关系创建用于eda工具的模型，这有助于dram的设计。

类似地，施加到与字元线wl1相关联的晶体管m1的一漏极d1的一第二电压的电压电平还可以影响漏电流i2的量值(并且也可以影响漏电流i1的量值)。操作员能够设定该第二电压的一预定电压电平、计算漏电荷、并观察是否发生列锤子效应。通过重复这样的过程，操作员可以找到该第二电压的一临界电压电平和发生列锤子效应的一临界漏电荷。因此，工作站12建立该第二电压的该临界电压电平和该临界漏电荷之间的关系，并且基于该关系创建用于eda工具的模型，这有助于dram的设计。

类似地，从电源供应器12提供并施加到晶体管m1的一基极的一第三电压的一电压电平还可以影响漏电流i2的量值(并且也可以影响漏电流i1的量值)。操作员能够设定该第三电压的一预定电压电平、计算漏电荷、并观察是否发生列锤子效应。通过重复这样的过程，操作员可以找到该第三电压的一临界电压电平和出现列锤子效应的一临界漏电荷。因此，工作站12建立该第三电压的该临界电压电平和该临界漏电荷之间的关系，并且基于该关系创建用于eda工具的模型，这有助于dram的设计。

在一些实施例中，工作站12能够建立一临界漏电荷与该第一电压、该第二电压、该第三电压、该ac脉冲的一高状态的一电压电平、该ac脉冲的一低状态的一电压电平中的至少一个之间的关系。因此，工作站12能够基于该关系创建用于eda工具的模型，这有助于dram的设计。

图6是根据本公开的一些实施例的一测试方法6的流程图。参考图6，测试方法6包括操作60和62。

测试方法6从操作60开始，其中施加一脉冲到一第一字元线(类似于字元线wl1)。

测试方法6进行到操作62，其中基于来自受控于一第二字元线(类似于字元线wl2)的一测试胞(类似于测试胞102)的一漏电荷(类似漏电荷q2)，来评估一列锤子效应，该漏电荷是由该脉冲的一ac成分引起。

在本公开中，测试方法6促进了dram的设计。

测试方法6仅仅是一个示例，并不意图将本公开限制在权利要求中明确记载的范围之外。可以在测试方法6之前，期间和的后提供额外的操作，并且可以替换，消除或移动所描述的一些操作以用于该方法的另外的实施例。

图7是根据本公开的一些实施例的图6所示的操作62的流程图。参考图7，操作62包括操作620和622。

操作62从操作620开始，其中测量来在受控于该第二字元线的该测试胞的一漏电流(类似漏电流i2)，该漏电流是由该ac成分引起。

操作62进行到操作622，其中通过将该漏电流乘以该第一字元线的一个启动周期来计算该漏电荷。

操作62仅仅是一个示例，并非旨在将本公开限制在权利要求中明确记载的范围之外。可以在操作62之前，期间和的后提供额外的操作，并且可以替换，消除或移动所描述的一些操作以用于该方法的另外的实施例。

图8的示意式说明根据本公开的一些实施例的图1所示的dram10的另一测试的一操作。对于图3的实施例中讨论的该测试，需要一纯的ac脉冲(即，该ac脉冲不包括任何dc成分)。然而，在某些情况下，电源供应器12可能不能提供纯的ac脉冲。在这种情况下，可应用在图8至10所示的实施例中讨论的该测试。

参照图8，一直流电流(dccurrent)被施加到字元线wl1。工作站12测量来自测试胞120的一第一漏电流i20，第一漏电流i20是由该dc电流引起。

图9的示意式说明根据本公开的一些实施例的图1所示的dram10的该另一测试的另一操作。参考图9，包括一ac成分和一dc成分的一脉冲被施加到字元线wl1，其中在一实施例中，该dc成分的一电压电平与该dc直流的一电压电平相同。工作站12测量来自测试胞120的一第二漏电流i22，第二漏电流i22是由该脉冲引起。

工作站12用于基于第一漏电流i20和第二漏电流i22评估字元线wl2上的一列锤子效应，其将详细说明于图10。

在本实施例中，图8和9所示的该等操作在顺序上是可以互换的。此外，该dc电流和该脉冲以一交错方式施加到字元线wl1。

图10的波形示意式说明以图8和图9的测试方法测试出的dram10的一漏电流。参考图10，一水平轴表示时间、一垂直虚线表示字元线wl1的一个启动周期、并且一垂直轴表示电流。

一曲线cv1表示由字元线wl1的一个启动周期中的该dc电流引起的第一漏电流i20。曲线cv1下方的区域表示由该dc电流引起的该第一电荷。工作站12用于通过将第一漏电流i20乘以字元线wl1的一个启动周期来计算该第一电荷。

一曲线cv2表示由字元线wl1的一个启动周期中的该脉冲引起的第二漏电流i22。曲线cv2下的区域表示由该脉冲引起的该第二电荷。工作站12用于通过将第二漏电流i22乘以字元线wl1的一个启动周期来计算该第二电荷。

曲线cv1和cv2之间的一区域表示由该脉冲的该ac成分引起的该漏电荷。工作站12用于通过相互消除该第一电荷和该第二电荷来计算该漏电荷，这意味着工作站12用于通过从由该脉冲引起的该第二电荷中消除由该脉冲的该dc成分引起的该第一电荷来计算该漏电荷。

通过采用图8至10所示的该另一测试，即使电源供应器14不能提供纯的ac脉冲，仍然可以评估一列锤子效应。

图11是根据本公开的一些实施例的另一测试方法7的流程图。参考图7，测试方法7类似于参照图6所描述和附图说明的测试方法6，除了例如测试方法7包括操作72之外。在操作72中，通过从由该脉冲引起的一第二电荷中消除由该脉冲的一dc成分引起的一第一电荷来计算该漏电荷。

测试方法7仅仅是一个示例，并不意图将本公开限制在权利要求中明确记载的范围之外。可以在测试方法7之前，期间和的后提供额外的操作，并且可以替换，消除或移动所描述的一些操作以用于该方法的另外的实施例。

图12是根据本公开的一些实施例的又另一测试方法8的流程图。参考图12，测试方法8包括操作80、82、84、86、88。

测试方法8从操作80开始，其中施加一dc电流到一第一字元线(类似于字元线wl1)。

测试方法8进行到操作82，在操作82中，测量来自受控于一第二字元线的一测试胞的一第一漏电流，该第一漏电流是由该dc电流引起。

测试方法8继续到操作84，其中施加包括一ac成分和一dc成分的一脉冲到该第一字元线。

测试方法8进行到操作86，其中测量来自该测试胞的一第二漏电流，该第二漏电流是由该脉冲引起。

测试方法8进行到操作88，其中基于该第一漏电流和该第二漏电流评估一列锤子效应。

测试方法8仅仅是一个示例，并不意图将本公开限制在权利要求中明确记载的范围之外。可以在测试方法8之前，期间和的后提供额外的操作，并且可以替换，消除或移动所描述的一些操作以用于该方法的另外的实施例。

图13是根据本公开的一些实施例的图12所示的操作88的流程图。参考图13，操作88包括操作880、882和884。

操作88从操作880开始，其中通过将该第一漏电流乘以该第一字元线的一个启动周期来计算一第一电荷。

操作88进行到操作882，其中通过将该第二漏电流乘以一个启动周期来计算该第二电荷。

操作88继续操作884，其中通过相互消除该第一电荷和该第二电荷来计算该漏电荷。

操作88仅仅是一个例子，并不意图将本公开限制在权利要求中明确记载的范围之外。可以在操作88之前，期间和的后提供额外的操作，并且可以替换，消除或移动所描述的一些操作以用于该方法的另外的实施例。

图14是根据本公开的一些实施例的图1的工作站12的方框示意图。关于图6至7及11至13描述的该等工具、系统、或操作中的一或多个是通过图14中的工作站12的一或多个电脑系统9实现在一些实施例中。电脑系统9包含一处理器900、一记忆体908、网络接口(networkinterface，i/f)902、一储存器906以及经由一总线914或其他互连沟通机制沟通地耦合的一输入/输出(input/output，i/o)装置904。

在一些实施例中，记忆体908包含耦合至总线914以储存要被处理器900执行的数据或指令(如，一内核912、一用户空间910、内核或用户空间的部分及其组件)的随机存取记忆体(randomaccessmemory，ram)、其它动态储存装置、只读记忆体(read-onlymemory，rom)或其他静态储存装置。在一些实施例中，记忆体908也经配置储存在执行被处理器900所执行的指令期间的暂时变数或其他中间信息。

在一些实施例中，储存器906，诸如磁盘或光盘是耦合至总线914，以储存数据或指令，如，内核912、用户空间910、等。i/o装置904包含用户能够与系统互动的输入装置、输出装置、或经组合的输入/输出装置。输入装置包含，例如向处理器900沟通信息及命令的键盘、小键盘、鼠标、轨迹球、轨迹板、或光标方向键。输出装置包含，例如向用户沟通信息的显示器、印表机、声音合成器等。

在一些实施例中，关于图6至7及11至13描述的该等工具及系统的一或多个操作或功能是通过处理器900实现，处理器900是经程序化以用于执行这些操作及功能。记忆体908、i/f902、储存器906、i/o装置904、硬件组件、及总线914中的一或多个是可操作地接收用于被处理器900处理的指令、数据、设计规则、网表、布局、模型及其他参数。

在一些实施例中，关于图6至7及11至13描述的该等工具及系统的一或多个操作或功能是通过与处理器900分开或代替处理器900的专用硬件(如，通过所包括的一个或多个专用集成电路(applicationspecificintegratedcircuits，asic))来实施。一些实施例在单一asic中并入多于一个所述操作或功能。

在一些实施例中，该等操作及功能以储存在非暂时性电脑可读记录介质中的程序的函数被实现。非暂时性电脑可读记录介质的实例包括但不限于外部/便携或内部/内建储存或记忆胞，如下列中的一或多者，光盘诸如dvd、磁盘诸如硬盘、半导体记忆体诸如rom、ram、记忆卡等。

在本公开中，工作站12能够建立一临界漏电荷与该第一电压、该第二电压、该第三电压、该ac脉冲的一高状态的一电压电平、该ac脉冲的一低状态的一电压电平中的至少一个之间的关系。因此，操作员能够基于该关系创建用于eda工具的模型，这有助于dram的设计。

本公开的一实施例，提供一种动态随机存取记忆体(dynamicrandomaccessmemory，dram)的测试系统。该dram包括一阵列。该阵列包括一第一记忆列、一第二记忆列、一测试胞。该第一记忆列包括一第一字元线以及该第二记忆列包括一第二字元线。该第二字元线紧邻该第一字元线。该测试胞受控于该第二字元线。该测试系统包括一工作站。该工作站经配置以基于该测试胞的一漏电荷，评估该第二记忆列上的一列锤子效应，其中该漏电荷是由施加到该第一字元线的一脉冲的一ac成分引起。

本公开的一实施例，提供一种测试方法。该测试方法包括：将一脉冲施加到一记忆体阵列的一第一字元线；以及基于来自一测试胞的一漏电荷来评估该记忆体阵列的一第二字元线上的一列锤子效应，该漏电荷是由该脉冲的一ac成分引起，并且其中该测试胞受控于该第二字元线。

虽然已详述本公开及其优点，然而应理解可进行各种变化、取代与替代而不脱离权利要求所定义的本公开的构思与范围。例如，可用不同的方法实施上述的许多工艺，并且以其他工艺或其组合替代上述的许多工艺。

再者，本公开的范围并不受限于说明书中所述的工艺、机械、制造、物质组成物、手段、方法与步骤的特定实施例。该技艺的技术人士可自本公开的公开内容理解可根据本公开而使用与本文所述的对应实施例具有相同功能或是达到实质相同结果的现存或是未来发展的工艺、机械、制造、物质组成物、手段、方法、或步骤。据此，这些工艺、机械、制造、物质组成物、手段、方法、或步骤是包含于本公开的权利要求内。