带有不对称引线的磁阻磁头的制作方法

专利名称：带有不对称引线的磁阻磁头的制作方法
技术领域：
本发明涉及磁阻(MR)磁头，具体来说涉及MR磁头的电引线。
通常包括MR读出元件和感应写入元件的MR磁头越来越多地用于记录和读出存入磁介质中的数据。MR磁头的主要优点是它们允许增大磁记录系统的位密度。
在D.Hannon等人的文章“ALLICAT型磁阻磁头的设计和性能”(1993年磁记录会议汇编，MINNESOTA大学磁记录总部，1993年9月13—15日，B2)中公开了一种典型的MR磁头，该MR磁头示意地表示在本发明的

图1中。图1是一个常规的MR磁头10的有效表面的底视图，该图是从磁介质观察得到的。MR元件11夹在磁屏蔽层12和磁屏蔽/写入磁极层14之间。
虽然图1中没有表示出，但MR元件为三层结构，即一个软相邻层、一个设在软相邻层之上的中介层、和一个设在绝缘层之上的MR膜。软相邻层由软磁材料构成，如坡莫合金、CoZrMo等。中个层由非磁性材料构成，如Ti、SiO2等。MR膜由磁阻材料构成，如NiFe。软相邻层经纵向流过MR元件11的偏置电流在MR膜中提供横向磁偏置。MR膜的纵向磁偏置是由硬偏置磁铁层16、18提供的，层16、18紧靠着MR元件11的相对的两端并且由导电和磁硬材料构成，例如钴合金(如CoPtCr)。
硬偏置磁铁16、18和MR元件11都设在一个绝缘层20上，绝缘层20设在磁屏蔽层12上。磁屏蔽层12由磁软但实际硬的材料构成，如CoHfNb。引线层22、24分别设在硬偏置磁铁层16、18上。引线层22、24由导电材料制成，并且分别经硬偏置磁铁层16、18电连接到MR元件11的相对的两端。
绝缘层26设在引线层22、24以及MR元件11之上，由坡莫合金或其它合适材料构成的磁屏蔽/写入磁极层14设在绝缘层26之上。由坡莫合金或其它合适材料制成的写入磁极层28设在磁屏蔽/写入磁极层14之上，绝缘层30设在层14和层28之间。
磁屏蔽/写入磁极层14和写入磁极层28在后部(未示出)进行磁偶合以形成感应写入元件的磁通通路。穿过磁屏蔽/写入磁极层14和写入磁极层28形成一个写入线圈(未示出)。因此，当给写入线圈加上一个电流时，绝缘层30就形成一个写入间隙，用于将信息写到磁介质上。根据所谓MR效应使用MR元件11从磁介质中读出信息，其中MR膜根据它的磁化角来改变它的电阻。
写入磁极层28有一个中心线32，中心线32偏离MR膜11的中心线34，以补偿例如旋转的传动装置中的偏斜。常规的MR磁头10是宽读/窄写型MR磁头，即向磁介质写入的磁道比读出的磁道宽些。发生这种情况的原因是写入磁极层28的宽度大于MR元件11的宽度。
在MR磁头中，例如在常规的MR磁头10中，其中的写入磁极层设在模制的引线层上，已确认，在高记录密度时存在交叉磁道响应的非线性问题。T.Anthony等人在文章“用于高密度记录的双条纹磁阻磁头”(1993年磁记录会议汇编，磁记录总部，MINNESOTA大学，1993年9月13—15日，B3)中认为这种非线性来源“弯曲位”，这些“弯曲位”作为在写入磁极中产生的模制的引线的高低不平的分布状态的结果被写在磁介质上。参照本发明的附图1，每个引线层22、24在MR元件11上方抬起形成的台阶是在相继沉积每个层(包括磁屏蔽/写入磁极层14和写入磁极层28)过程中作为隆起产生的。因为磁屏蔽/写入磁极层14和写入磁极层28包括这些隆起，所以当将数据写在磁介质上时，就在每个磁道的两端产生了相位差，于是产生了“弯曲位”。
在沉积随后的一些层之前先将绝缘层26压平，就可能解决这个问题。但这一解决方案可能会带来一些附加问题。例如，挤压绝缘层26引起的污染会明显降低MR元件11的性能。此外，压平步骤可能增加制造MR磁头10的复杂性和成本费用，这是不希望的。
众所周知，将引线层22、24的高度减小相同的数值可减小“弯曲位”问题。但高度的减小会增加引线层22、24的电阻，这也是不希望的。通过增加磁介质远端的引线层22、24的后部的厚度，即在引线层22、24的后部包括一个台阶，可能减小电阻的最终增加，这也是公知的。尽管如此，这样一个带有台阶的引线结构也不可能完全补偿电阻的增加。
本发明的一个目的是提供一种能向磁盘、磁带、或其它磁质写入信息并从中读出信息的改进的MR磁头。
本发明的第二个目的是提供一种能将在高记录密度时交叉磁道响应的任何非线性减至最小的MR磁头。
本发明的第三个目的是提供一种能将高记录密度时交叉磁道响应的任何非线性减至最小同时又不产生污染问题的MR磁头。
本发明的第四个目的是提供一种制造MR磁头的方法，它能将写入磁极中引线表面的高低不平的形状的任何转折重复减至最小。
本发明的第五个目的是提供一种引线最好连到一个单端前置放大电路的MR磁头。
按本发明，MR磁头有一个MR膜，MR膜电连接到两个引线层上，每个引线层都具有一个不同的厚度。在本发明的一个优选实施例中，MR磁头包括一个写入磁极，写入磁极在较薄的引线层上延伸并在MR膜上终止，因此写入磁极不在较厚的引线层上延伸。
还是按本发明，MR磁头包括一个MR膜，MR膜电连接到两个引线层上，每个引线层都有一个不同的电阻。在本发明的另一个实施例中，较薄的引线层连到一个单端前置放大电路，较厚的引线层连接到地或连接到一个参考电压。
下面，参考附图详细描述本发明，其中
图1是一个常规的MR磁头的底视图；图2是一个按照本发明的MR磁头的底视图；图3是图2所示的MR磁头的一个剖面图；图4是使用差分结构的图2所示的MR磁头的示意图；图5是使用了一个单端结构的图2所示的MR磁头的示意图；图6是在该单端结构中沿信号通路的各个电阻的示意图；以及图7是使用图2所示的MR磁头的一个直接存取存储设备的顶视图。
在所有这些附图中，相似的标号表示相似的元件。
现在参照图2和图3，其中表示按本发明的一个磁阻(“MR”)磁头，一般用标号50表示，用于向相对于MR磁头50移动的磁介质50(仅在图3中表示)的磁道写入二进制位和从该磁头读出二进制位。磁道可能和旋转磁盘、磁带、或其它磁介质相关。
实践中，MR磁头50是使用传统的真空沉积技术制作的，例如化学蒸汽沉积、离子蒸汽沉积、溅射方法、无电涂敷和电镀技术。MR磁头50包括一个夹在磁屏蔽层12和磁屏蔽/写入磁极层54之间的MR元件11。
虽然为清楚起见图中没有表示出来，但MR元件11最好为常规的三层结构，如一个软相邻层、一个中介膜(设在软相邻层之上)、和一个MR薄膜(设在中介膜之上)。软相邻层由软磁性材料制成，如坡莫合金、CoZrMo(钴锆钼)、等等。中介膜由非磁性材料制成，如钛(Ti)、二氧化硅(SiO2)，等等。MR膜由磁阻材料制成，如NiFe。
MF膜在T方向的优选厚度是0.005到0.03微米。例如MR膜的厚度可为0.03微米，而中介层的厚度为0.01微米并且软相邻层的厚度为0.02微米。MR元件11的三层中的每一层在W方向的宽度为0.3至4微米，在H方向的高度(仅在图3中表示出)为0.3至4微米。虽然MR元件11是作为一个三层结构说明的，但MR元件11也可以为任何其它的常规结构。
MR元件11的三层依次设在一个绝缘层20上，绝缘层20又设在磁屏蔽层12上。磁屏蔽层12由磁软但实际硬的材料(如Co-HfNb)制成，并且在T方向的厚度约为0.5至2.5微米。磁屏蔽/写入磁极层54由坡莫合金或其它适宜材料制成，并且在T方向的厚度约为0.5至3.5微米。
硬偏置磁铁层16、18设在绝缘层20上，和MR元件11的相对的两个侧面紧挨着。硬偏置磁铁层16、18由诸如钴合金(如CoPtCr)之类的导电并且是磁硬材料制成，并且有大约和MR元件11厚度相同的厚度。硬偏置磁铁层16、18提供MR元件11的MR膜的纵向磁偏置。也可以通过任何其它常规偏置技术(如交换偏置)按其它方式提供MR膜的纵向磁偏置。硬偏置磁铁层16、18在H方向的高度约等于MR元件11的高度。
引线层56设在硬偏置磁铁层16和绝缘层20的上面。类似地，引线层58设在硬偏置磁铁层18和绝缘层20之上。引线层56、58分别具有端部60、62，这些端部60、62的位置靠近磁介质52。引线层56的端部60在T方向比引线层58的端部62薄。引线层56、58分别通过硬偏置磁铁层16、18电连接到MR元件11。于是，当引线层56、58通过MR元件11驱动一个偏置电流时，磁通沿围绕MR元件11的MR膜和软相邻层并穿过MR膜和软相邻层的一个圆进行流动，于是在MR膜中产生横向磁偏置。
引线层56和引线层58可分别单独沉积形成。另外，还可同时沉积引线层56、以及引线层58的下部，接着再沉积引线层58的其余部分。
在MR元件11、引线层56、58、以及绝缘层20上沉积一个绝缘层64。在绝缘层64上沉积磁屏蔽/写入磁极层54。磁屏蔽层12和磁屏蔽/写入磁极层54之间在T方向的间隔最好是0.1到1微米，而MR元件11处在该间隔的一半的位置。
引线层56至少在端部60附近的T方向厚度小于引线层58在端62附近的T方向厚度。引线层56在端部60附近的厚度最好小于0.1微米。引线层56在端部60附近的厚度小于引线层58在端部62附近的厚度的二分之一则更好。例如，引线层56的端部60的厚度可以为0.05微米，而引线层58的端部62的厚度是0.1微米。引线层56和58例如由Ta(钽)、W(钨)、等材料构成，这种材料能在电阻率、抗腐蚀性能、和搭接行为之间提供良好的折衷。
为了把引线层56相对于引线层58的最终的较大的电阻减至最小，如果必要，可使引线层56的后部(即，端部60的远端)比引线层56的端部60更厚些。引线层56的这个较厚的部分从台阶72处开始，如图3中的部分剖面线所示。引线层56的后部的厚度例如可以和引线层58的端62的厚度相同，因此允许引线层56的后部和引线层58的端部62同时进行沉积。
因为引线层56的端部60比引线层58的端部更薄些，从MR元件11到引线层56的端部60的构形台阶比从MR元件11到引线层58的端部62的构形台阶更浅些。在引线层56的端部60上随后沉积的那些层中再重新构成这些较浅的台阶。
在磁屏蔽/写入磁极层54上沉积绝缘层66，并在绝缘层66上沉积一个写入磁极层68。绝缘层20、64和66可由绝缘材料构成，如Al2O3、SiO2、以及类似的材料。绝缘层66在磁屏蔽/写入磁极层54和写入磁极层68之间形成一个写入间隙，并且绝缘层66在T方向的厚度最好为0.3至0.6微米。
写入磁极层68例如由坡莫合金构成，并且在T方向的厚度最好为0.5至4微米，并且在W方向的宽度最好为0.5至6微米。写入磁极层68的中心线70最好偏离MR元件11的中心线34，以便例如对一个旋转式传动装置(未示出)的偏斜进行补偿。还有，写入磁极层68最好比MR元件11更宽些，因此该MR磁头50是宽写/窄读型的MR磁头。
更为优选的是，写入磁极层68在引线层56的端部60上延伸并在MR元件11上终止，但不在引线层58的端部62上延伸。
图4是使用本发明的MR磁头50的一个差分前置放大电路。使用MR磁头的差分前置放大电路在本领域中是公知的，因此这里只作简单讨论。恒定直流Jb提供给MR磁头50。使用电容器82、84、和电阻器86、88将MR磁头50交流偶合到一个常规的差分放大器90，即从由流过MR磁头50的恒定电流Ib产生的信号S1和S2中除掉大的直流电压分量。差分放大器90提供放大的输出Vs使用该输出Vs测量MR元件11的电阻变化。另外，在一个本领域中公知的电路结构中，可向MR磁头50提供一个恒定的直流电压Vb并通过一个电流敏感的差分前置放大器测量电流的变化。
按此结构，本发明允许大幅度降低引线层58的电阻，不会引起通过写入磁极层68把“弯曲位”写入磁介质52的现象，这是很有益处的。事实上，本发明已考虑了引线层58的电阻的降低，这种电阻的降低完全补偿了引线层58的电阻的任何可能的增加。引线层58变厚在磁屏蔽/写入磁极层54中产生较大的隆起，这种较大的隆起不会使弯曲位写入磁介质52中，这是因为写入宽度几乎完全是由写入磁极层68的宽度决定的，并且磁屏蔽/写入磁极层54中的较大的隆起位于写入磁极层68的宽度的外部。
图5是一个和单端前置放大电路一道使用的本发明的MR磁头50的示意图。使用MR磁头的单端前置放大电路在本领域中是众所用知的，因此这里只进行简单的讨论。在Klassen的美国专利No.4,712,144和Klein等人的美国专利No.5,122,915中公开了这种常规的单端前置放大电路的实例。从International BusinessMachine Corporation可购到的型号为IBM H2344—A4(IBM是该公司的一个注册商标)的直接存取存储设备(DASD)中可得到常规单端前置放大电路的另一个实例。因为单端前置放大电路通常较为简单，并且比差分前置放大电路消耗的功率更少，所以单端前置放大电路是优选的。
一般来说，给常规的单端前置放大电路92提供一个正的电压(V+)，如图5所示。由单端前置放大电路92向MR磁头50的一个引线提供一个恒定的平均直流电流Ib。MR磁头50的另一个引线接地(如图5所示)，或者接到一个参考电压。虽然加到MR磁头50的这个直流平均电流保持不变，但通过MR元件11的电阻的变化还要产生一个交变电流。这个交流电流被单端前置放大电路92放大，产生一个放大的输出电压V0。另外，在一个本领域中公知的不同的单端电路中，可向MR磁头50提供一个恒定的直流电流Ib，并通过一个电压灵敏放置放大器测量电压的变化。
虽然从简单化和功率消耗观点出发，单端前置放大电路是优选的，但单端前置放大电路可能存在噪声问题。如下面将要讨论的，本发明通过设计MR磁头使引线层58(即较粗的引线)接地或接参考电压并使引线层56(即较细的引线)接单端前置放大电路，就可能减小这个噪声问题。本发明人发现，在单端前置放大电路中噪声的主要来源是磁介质向MR磁头的微小电容偶合以及从MR磁头的引线到一个传动装置和一个保持MR磁头的悬体的微小电容。产生这种情况的原因是这些部件中的每一个部件的“地”相对于单端前置放大电路的“地”来说都不是一个真正的“地”。
图6是沿从单端前置放大电路92、经MR磁头50、到地的信号通路的各个电阻的示意图。这些电阻包括单端前置放大电路的输入电阻R输入、引线层56的电阻R引线56、MR元件11的电阻RMR、以及引线层58的电阻R引线58。MR元件11在其电阻的中心处(RRM/2)经电容偶合C噪声检测噪声电流I噪声。总输入侧电阻RT1由下述方程给出RT1＝R输入＋R引线56＋RMR/2(1)总接地侧电阻RT2由下述方程给出RT2＝R引线58＋RMK/2 (2)并联电阻 输入噪声电流I输入噪声由下述方程给出 对照例常规MR磁头的每一个引线都有相同的厚度(如，100nm左右)和相同的电阻(如4Ω左右)。一般来说，一个MR元件的电阻约20Ω.单端输入前置放大电路的输入电阻约2.5Ω。求解上述方程(1)至(4)，其中R输入＝2.5Ω，R引线56＝R引线58＝4Ω，RMR＝20Ω，从而得到输入噪声电流J输入噪声＝0.460×I噪声。
例1在例1中，将引线层58的厚度增加到约200nm，从而相对于对照例将接地的引线层58的电阻减小到约2Ω。并且，将引线层56的厚度减小到约67nm，从而相对于对照例将引线层56(接单端前置放大器92)的电阻增加到约6Ω。求解上述方程(1)—(4)，其中R输入＝2.5Ω，R引线56＝6Ω，R引线58＝2Ω，并且RMR＝20Ω，则得到的输入噪声电流I输入噪声＝0.393×I噪声。因此，例1将输入噪声电流I输入噪声减小了14％。
但在例1中保持和对照例相同的总电阻RT1＋RT2＝30.5Ω，并保持和对照例相同的信号电平。因而，在例1中保持该信号电平，但由于引线层56较薄却减小了由“弯曲位”引起的相位误差，并且把对MR磁头50拾取的环境噪声的灵敏度降低了14％。
例2在例2中，把接地的引线层58的厚度增加到约200nm，即为对照例中引线层58的厚度的一半，从而把引线层58的电阻增加到2Ω左右。接单端前置放大器92的引线层56的电阻为4Ω，和对照例中的情况一样。求解上述方程(1)—(4)，其中R输入＝2.5Ω，R引线56＝4Ω，R引线58＝2Ω，并且RMR＝20Ω，则得到的输入噪声电流I输入噪声＝0.421×I噪声。因此，例2将输入噪声电流I输入噪声减小了8％。
但在例2中，将对照例的总电阳RT1＋RT2＝30.5Ω降低到例2中的总电阻RT1＋RT2＝28.8Ω，这还可将数据信号提高8％。图此，相对于数据信号而言，输入噪声电流I输入噪声总共减小了16％。较小的源电阻还将输入到单端前置放大电路92的热噪声减小了约3％。于是，在该例中，维持了由于“弯曲位”产生的相位误差的大小，同时又实现了在提高信号和降低噪声方面的改进。
例1和例2两者都减小了接地或接参考电压的引线层58的电阻，同时又不会通过写入磁极层68把弯曲位写到磁介质52上。引线层58变厚会在磁屏蔽/写入磁极层54中产生较大的隆起，这种较大的隆起使弯曲位不会写入磁介质52，这是因为写入宽度几乎完全由写入磁极层68的宽度决定，并且磁屏蔽/写入磁极层54中的较大的隆起位于写入磁极层68的外部。
通过材料选择、增加横截面积(即厚度和宽度)、以及降低长度这些方式的任意一个组合都可按其它方式降低引线层58的电阻。
图7是一个直接存取存储设备120(即，磁盘驱动单元)的一个平面图，其中使用了多个MR磁头(图7中只表示出一个MR磁头)。直接存取存储设备120包括一个旋转的传动装置122和一个外壳124，它封闭了具有两个相对的磁表面(图中仅示出了一个磁表面)130的一组磁盘(图中仅示出一个磁盘)128。磁盘128具有一系列信息道132，信息道132在磁表面130上按同心图案排列。磁盘128平行安装以便能通过一个整体式的主轴及电机组件134同时转动。磁盘控制器(未示出)按可工作方式控制该整体式的主轴及电机组件134，以便例如沿如图7中箭头138所示的顺时针(CW)方向以基本上恒定的速度转动磁盘128。
旋转的传动装置122包括多个传动杆144(图中仅表示出一个)，每个传动杆144相对于对应的盘表面130支撑至少一个滑块144。每个滑块144包括一个气浮支承表面(未示出)，并且在滑块的一个侧表面上安装至少一个MR磁头。支承杆142由一个传动装置驱动器(未示出)双向可转动地驱动，以便按图7中箭头148所示的自一个磁道132至另一个磁道132的一个弧形移动MR磁头50。支承杆142安装在确定MR磁头50的转动轴的一个枢轴150上。枢轴150包括一个轴承套152，用于靠近磁盘表面30的MR磁头50的同时定位。
虽然表示并描述了本发明的几个实施例，但对本领域的技术人员来说其它的一些变化都将是显而易见的。因此，本发明不限于这些实施例，而是期望覆盖所有落入由下面的权利要求书确定的本发明的范围内的这些变化。
权利要求
1.一种磁阻磁头，包括一个绝缘层；一个设在所说绝缘层上的磁阻膜；一个设在所说绝缘层上并电连接到所说磁阻膜的第一端的第一引线层，所说第一引线层有一个靠近磁介质定位的端部；以及一个设在所说绝缘层上并电连接到所说磁阻膜的第二端的第二引线层，所说第二引线层有一个靠近所说磁介质定位的一个端部，所说第二引线层的所说端部的厚度大于所说第一引线层的所说端部一个预定的数量。
2.如权利要求1所述的磁阻磁头，其特征在于所说第一引线层的所说端部的厚度小于或约为0.1微米。
3.如权利要求2所述的磁阻磁头，其特征在于所说第一引线层的所说端部的所说厚度小于或约为所说第二引线层的所说端部的所说厚度的一半。
4.如权利要求1所述的磁阻磁头，其特征在于所说第一引线层有一个台阶部分，台阶部分的厚度大于所说第一引线层的所说端部的所说厚度。
5.如权利要求1所述的磁阻磁头，其特征在于进一步还包括一个写入磁极层，它在所说第一引线层上延伸并在所说磁阻膜上终止，因此所说写入磁极层不在所说第二引线层的所说端部上延伸。
6.如权利要求5所述的磁阻磁头，其特征在于所说第一引线层连接到一个单端前置放大电路。
7.如权利要求6所述的磁阻磁头，其特征在于所说第二引线层接地或接一个参考电压。
8.如权利要求5所述的磁阻磁头，其特征在于所说第一和第二引线层都连接到一个差分前置放大器上。
9.一种磁阻磁头，包括一个绝缘层；一个设在所说绝缘层上的磁阻膜；一个设在所说绝缘层上并电连接到所说磁阻膜的第一端的第一引线层；所说第一引线层有一个靠近磁介质定位的端部；以及一个设在所说绝缘层上并电连接到所说磁阻膜的第二端的第二引线层，所说第二引线层有一个靠近所说磁介质定位的端部，所说第二引线层的所说端部的电阻小于所说第一引线层的所说端部的电阻一个预定的数值。
10.如权利要求9所述的磁阻磁头，其特征在于所说第一引线层连接到一个单端前置放大电路。
11.如权利要求10的磁阻磁头，其特征在于所说第二引线层接地或接一个参考电压。
12.如权利要求11的磁阻磁头，其特征在于所说第二引线层的所说端部的厚度大于所说第一引线层的所说端部的厚度。
13.如权利要求12所述的磁阻磁头，其特征在于所说第一引线层的所说端部的所说厚度小于或约为0.1微米。
14.如权利要求13所述的磁阻磁头，其特征在于所说第一引线层的所说端部的所说厚度小于或约为所说第二引线层的所说端部的所说厚度的一半。
15.如权利要求12所述的磁阻磁头，其特征在于进一步还包括一个写入磁极层，它在所说第一引线层上延伸并在所说磁阻膜上终止，因此所说写入磁极层不在所说第二引线层的所说端部上延伸。
16.一种制造磁阻磁头的方法，包括如下步骤(a)在一个绝缘层的第一部分上沉积一个磁阻膜；(b)在所说绝缘层的第二部分上沉积一个第一引线层，使所说第一引线层电连接到所说磁阻膜的第一端，并使所说第一引线层的一个端部靠近一个磁介质定位；以及(c)在所说绝缘膜的第三部分上沉积一个第二引线层，使所说第二引线层电连接到所说磁阻膜的第二端，并使所说第二引线层的一个端部靠近所说磁阻膜定位，所说沉积第二引线层的步骤还包括一个分步骤使所说第二引线层的所说端部的厚度大于所说第一引线层的所说端部的厚度一个预定的数值。
17.如权利要求16所述的制造磁阻磁头的方法，其特征在于步骤(b)还包括如下一个分步骤(b1)在所说第一引线层中形成一个台阶部分，所说台阶部分的厚度大于所说第一引线层的所说端部的所说厚度。
18.如权利要求17所述的制造磁阻磁头的方法，其特征在于所说第二引线层的所说端部的所说厚度大约等于所说第一引线层的所说台阶部分的所说厚度。
19.如权利要求16所述的制造磁阻磁头的方法，其特征在于还包括如下步骤(d)沉积一个写入磁极层，它在所说第一引线层上延伸并在所说磁阻膜上终止，因此所说写入磁极层不在所说第二引线层上延伸。
20.一种直接存取存储设备，包括一个外壳；至少一个装在所说外壳中围绕一个轴旋转的磁盘；在所说磁盘的至少一个表面上存储数据的多个磁道，所说磁道按围绕所说轴的一个图案排列；一个磁阻磁头，所说磁阻磁头具有；一个绝缘层；一个设在所说绝缘层上的磁阻膜；一个设在所说绝缘层上并电连接到所说磁阻膜的第一端的第一引线层，所说第一引线层有一个靠近所说磁盘的所说表面定位的一个端部；以及一个设在所说绝缘层上并电连接到所说磁阻膜的第二端的第二引线层，所说第二引线层有一个靠近所说磁盘的所说表面定位的一个端部，所说第二引线层的所说端部的厚度大于所说第一引线层的所说端部的厚度一个预定的数值；以及一个传动装置，按可工作方式连接到所说磁阻磁头，用于相对所说磁盘的所说表面移动所说磁阻磁头。
21.一种磁阻磁头，包括一个磁阻膜；一个第一引线，电连接到所说磁阻膜的第一端，所说第一引线层有一个靠近磁介质定位的端部；一个第二引线，电连接到所说磁阻膜的第二端，所说第二引线层有一个靠近所说磁介质定位的端部，所说第二引线层的所说端部的电阻小于所说第一引线层的所说端部的电阻一个预定的数值；以及一个单端前置放大电路，所说第一引线电连接到所说单端前置放大电路。
全文摘要
一种MR磁头，包括一个电连接到两个引线层的MR膜，这两个引线层就厚度和电阻而论，至少有一个量是不对称的。按本发明的优选实施例，MR磁头包括一个写入磁极，写入磁极在较薄的引线层上延伸并在MR膜上终止，因此写入磁极不在较厚的引线层上延伸。在本发明的另一个优选实施例中，较薄的引线层连到一个单端前置放大电路，较厚的引线层接地或接一个参考电压。
文档编号G11B5/48GK1114448SQ9510479
公开日1996年1月3日 申请日期1995年5月4日 优先权日1994年5月31日
发明者厄尔·艾伯特·坎宁安 申请人:国际商业机器公司