储器单元。编程操作(例如，写入操作)可包含施加多个程序脉冲(例如，16V到20V)于选定字线以将耦合到所述选定存取线的选定单元的阈值电压(Vt)增加到对应于目标(例如，所需)数据状态的所需程序电压电平。
[0022]例如读取或程序验证操作的感测操作可包含感测耦合到选定单元的位线的电压及/或电流变化以确定选定单元的数据状态以及与其相关的软数据。感测操作可涉及将高于提供给与选定存储器单元相关的源极线(例如，源极线123)的电压(例如，偏压电压)的电压提供给与所述选定存储器单元相关的位线(例如，位线107-1)(例如，使所述位线偏压)。感测操作可替代地包含在选定单元开始导电时对位线预充电且接着放电，及感测放电。
[0023]感测选定单元的状态可包含将多个斜坡感测信号(例如，读取电压)提供给选定字线，同时将多个选通信号(例如，读取选通电压)提供给耦合到所述串的未选定单元的字线，所述选通信号足以将未选定单元置于独立于未选定单元的Vt的导电状态中。对应于经读取及/或验证的选定单元的位线可经感测以确定选定单元是否响应于施加于选定字线的特定感测电压而导电。例如，可由位线电流达到与特定状态相关的特定参考电流时的字线电压来确定选定单元的数据状态及/或相关软数据。
[0024]所属领域的一般技术人员将明白，在对NAND串中的选定存储器单元执行的感测操作中，所述串的未选定存储器单元经偏压以处于导电状态中。在此感测操作中，可基于对应于所述串的位线上感测到的电流及/或电压来确定选定单元的数据状态及/或相关软数据。例如，可基于位线电流是否在给出时段中改变特定量或达到特定电平来确定选定单元的数据状态及/或相关软数据。
[0025]当选定单元处于导电状态中时，电流在所述串的一端处的源极线接触件与所述串的另一端处的位线接触件之间流动。因而，与感测选定单元相关的电流经载送通过所述串中的其它单元、单元堆叠之间的扩散区域及选择晶体管中的每一者。
[0026]图2说明根据本发明的多个实施例的多个阈值电压(Vt)分布、感测电压及数据(例如，硬数据及软数据)指派的图201。图2中所示的实例可表示(例如)先前结合图1描述的存储器单元111-1、...、111-N。例如，图2中所示的实例可表示第一页(例如，下页)2位(例如，4个状态)存储器单元。如所属领域的一般技术人员明白，第二页(例如，上页)2位存储器单元(图2中为了简单起见没有展示)的类似表示可包含第一页的Vt分布、感测电压及数据指派以及为第一页的镜像的Vt分布、感测电压及数据指派。然而，本发明的实施例不限于2位存储器单元的此实例，如所属领域的一般技术人员将明白。
[0027]如图2中所示，Vt分布225-1及225_2表示存储器单元可被编程的两个目标数据状态(例如，分别为LI及L2)。目标状态LI可对应于数据I且目标状态L2可对应于数据Oo S卩，存储器单元中的每一者的数据状态可对应于多个(例如，两个)数据值(例如，硬数据)中的一者。例如，在图2中说明的实例中，存储器单元可被编程的第一数据状态(例如，L2)对应于数据O (例如，硬数据值O可为响应于读取请求的输出)，且存储器单元可被编程的第二数据状态(例如，LI)对应于数据I (例如，硬数据值I可为响应于读取请求的输出)。然而，本发明的实施例不限于此类特定数据指派。
[0028]Vt分布225-1及225_2可表示编程为对应目标状态的多个存储器单元，其中Vt分布曲线的高度指示编程为Vt分布(例如，平均来说)内的特定电压的单元的数目。Vt分布曲线的宽度指示表示特定目标状态的电压范围(例如，用于L2的Vt分布曲线225-2的宽度表示对应于硬数据O的电压范围)。
[0029]在感测(例如，读取)操作期间，位于Vt分布225-1与225-2之间的感测(例如，读取)电压可用以区分状态LI与L2。在对NAND串中的选定存储器单元执行的读取操作中，所述串的未选定存储器单元可用选通电压偏压以处于导电状态中。当串中的全部单元处于导电状态中时，电流可在所述串的一端处的源极线接触件与所述串的另一端处的漏极线接触件之间流动。因而，可基于当选定单元开始导电时(例如，响应于(经由选定字线)施加于所述单元的控制栅极的特定读取电压)对应于特定串的位线上感测到的电流及/或电压来确定选定单元的数据状态。例如，可基于位线电流是否在给出时段内改变特定量或达到特定电平来确定选定单元的数据状态。其它类型的读取操作也是可能的，如所属领域的一般技术人员将明白。
[0030]存储器单元的每一数据状态(例如，LI及L2)可具有与其相关的软数据。例如，与每一数据状态相关的Vt分布(例如，225-1或225-2)可具有指派到其的软数据(例如，位)。如本文中先前描述，软数据可对应于数值的最低有效位，所述数值对应于当选定存储器单元导电时(或停止导电时，在下降斜坡读取操作的情况下)施加于所述单元的斜坡感测信号的振幅。在图2中说明的实例中，使用两个位来提供与数据状态相关的软数据(例如，质量及/或置信度信息)。
[0031]与存储器单元的数据状态相关的软数据可指示与存储器单元相关的Vt在与存储器单元的数据状态相关的Vt分布内的位置。例如，在图2中说明的实施例中，与数据状态L2相关的软数据00指示存储器单元的Vt位于大于Vt分布225-2内的读取电压R5的电压处(例如，存储器单元的Vt经定位朝向Vt分布225-2的中间)，且与数据状态LI相关的软数据00指示存储器单元的Vt位于小于Vt分布225-1内的读取电压Rl的电压处(例如，存储器单元的Vt经定位朝向Vt分布225-1的中间)。此外，与数据状态L2相关的软数据10指示存储器单元的Vt位于Vt分布225-2内的读取电压R4与R5之间的电压处，且与数据状态LI相关的软数据10指示存储器单元的Vt位于读取电压Rl与R2之间的电压处(例如，软数据10指示存储器单元的Vt经定位比软数据00更靠近朝向Vt分布的边沿)。此外，与数据状态L2相关的软数据11(例如，硬数据O)指示存储器单元的Vt位于读取电压R3与R4之间的电压处。此外，与数据状态LI相关的软数据11(例如，硬数据I)指示存储器单元的Vt位于读取电压R2与R3之间的电压处(例如，硬数据不一定匹配所述单元最初被编程的目标状态)。
[0032]与存储器单元的数据状态相关的软数据还可指示与存储器单元相关的Vt是否对应于存储器单元的数据状态的概率。例如，在图2中说明的实施例中，与数据状态L2相关的软数据00指示存储器单元的Vt对应于数据状态L2的极大概率，与数据状态L2相关的软数据10指示存储器单元的Vt对应于数据状态L2的适度概率(例如，小于极大概率的概率)，且与数据状态L2相关的软数据11指示存储器单元的Vt对应于数据状态L2的微弱概率(例如，小于适度概率的概率)。此外，与数据状态LI相关的软数据00指示存储器单元的Vt对应于数据状态LI的极大概率，与数据状态LI相关的软数据10指示存储器单元的Vt对应于数据状态LI的适度概率，且与数据状态LI相关的软数据11指示存储器单元的Vt对应于数据状态LI的微弱概率。
[0033]本发明的实施例不限于图2中所示的读取电压及/或软数据指派。例如，更大数量的读取电压及/或软数据指派可用来指示Vt分布内的更精确Vt位置及/或Vt是否对应于数据状态的更精确概率。然而，为了简单起见且为了不混淆本发明的实施例，图2中说明5个读取电压及表示6个不同硬数据质量及/或置信度水平的6个软数据值(例如，6个不同软数据概率)。此外，虽然读取电压在图2中被展示为分开相同电压量，但是本发明的实施例并无此限制(例如，读取电压可分开不同电压量)，如本文中将进一步描述。
[0034]例如可通过使用多个读取电压(例如，Rl到R5)对存储器单元执行多个感测(例如，读取)操作来确定与存储器单元的数据状态相关的软数据，如本文中将进一步描述(例如，结合图4A到5C)。软数据可用来推断与存储器单元相关的Vt分布(例如，Vt分布曲线)，如本文中将进一步描述(例如，结合图4A到5C)。在多个实施例中，读取操作还可确定存储器单元的数据状态。例如，可通过相同读取操作确定与存储器单元的数据状态及与存储器单元的数据状态相关的软数据两者。
[0035]图3说明呈根据本发明的多个实施例的存储器装置330的形式的设备的框图。如本文中使用，“设备”可指(但不限于)多种结构中的任何一者或结构组合，例如电路、裸片、模块、装置或系统。
[0036]如图3中所示，存储器装置330包含耦合到存储器阵列300的控制器332。存储器阵列300可为(例如)先前结合图1描述的存储器阵列100。虽然图3中展示一个存储器阵列，但是本发明的实施例并无此限制(例如存储器装置330可包含耦合到控制器332的一个以上存储器阵列)。
[0037]控制器332可包含(例如)控制电路及/或固件。控制器332可包含在与存储器阵列300相同的物理装置(例如