所述间隔的所述映射是基于与所述组存储器单元相关的先前确定的阈值电压分布。
12.根据权利要求7到11中任一权利要求所述的方法，其中使用经指派以表示所述感测电压之间的所述间隔中的每一者的所述阈值电压值的所述内插过程包含将所述经指派阈值电压值拟合到曲线。
13.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中所述方法包含: 使用控制器以确定所述组存储器单元的所述软数据； 使用控制器以确定与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的所述数量；以及 使用控制器以经由所述内插过程推断与所述组存储器单元相关的所述阈值电压分布的所述至少一部分。
14.一种用于操作存储器的方法，其包括: 使用分开某个电压量的多个感测电压确定用于各自编程为多个数据状态中的一者的一组存储器单元的软数据，其中所述软数据包括多个不同软数据值； 确定与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的数量； 正规化与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的所述经确定数量； 指派阈值电压值以表示所述感测电压之间的间隔中的每一者；以及使用经指派以表示所述感测电压之间的所述间隔中的每一者的所述阈值电压值及与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的所述正规化数量经由内插过程来推断与所述组存储器单元相关的阈值电压分布的至少一部分。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述多个感测电压分开不同电压量。
16.根据权利要求14所述的方法，其中正规化与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的所述经确定数量包含均衡与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的所述经确定数量的权重。
17.根据权利要求14所述的方法，其中所述多个不同软数据值是4个。
18.根据权利要求14到17中任一权利要求所述的方法，其中推断与所述组存储器单元相关的所述阈值电压分布的至少所述部分包含推断与所述组存储器单元相关的阈值电压分布曲线。
19.根据权利要求14到17中任一权利要求所述的方法，其中所述方法包含确定与所述组存储器单元相关的所述阈值电压分布的所述部分的宽度。
20.根据权利要求14到17中任一权利要求所述的方法，其中所述方法包含: 使用直方图构建器来确定与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的所述数量； 使用正规化引擎来正规化与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的所述经确定数量； 使用解译引擎来指派所述阈值电压值以表示所述感测电压之间的所述间隔；以及使用内插引擎来经由所述内插过程推断与所述组存储器单元相关的所述阈值电压分布的所述至少一部分。
21.—种设备，其包括: 存储器单元的阵列；以及 控制器，其耦合到所述阵列且经配置以: 确定各自编程为多个数据状态中的一者的一组存储器单元的软数据，其中所述软数据包括多个不同软数据值； 确定与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的数量；以及 使用与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的所述经确定数量执行内插过程以推断与所述组存储器单元相关的阈值电压分布曲线的至少一部分。
22.根据权利要求21所述的设备，其中所述控制器经配置以使用多个感测电压确定所述组存储器单元的所述软数据，其中所述多个感测电压中的每一者分开相同电压量。
23.根据权利要求21到22中任一权利要求所述的设备，其中所述控制器经配置以基于与所述组存储器单元相关的所述经推断阈值电压分布曲线确定用来确定所述组存储器单元的数据状态的感测电压。
24.根据权利要求23所述的设备，其中用来确定所述组存储器单元的数据状态的所述感测电压对应于所述经推断阈值电压分布曲线的最小值。
25.—种设备，其包括: 存储器单元的阵列； 控制器，其耦合到所述阵列且经配置以: 确定各自编程为多个数据状态中的一者的一组存储器单元的软数据，其中所述软数据包括多个不同软数据值；以及 确定与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的数量；以及内插引擎，其经配置以使用与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的 所述经确定数量经由内插过程来推断与所述组存储器单元相关的阈值电压分布的至少一部分。
26.根据权利要求25所述的设备，其中所述控制器是在与所述阵列相同的半导体裸片上。
27.根据权利要求25所述的设备，其中所述控制器是在不同于所述阵列的半导体裸片上。
28.根据权利要求25所述的设备，其中所述控制器包含在与所述阵列相同的半导体裸片上的电路及在不同于所述阵列的半导体裸片上的电路。
29.根据权利要求25所述的设备，其中所述控制器包含所述内插引擎。
30.根据权利要求25到29中任一权利要求所述的设备，其中所述内插过程是线性内插过程。
31.根据权利要求25到29中任一权利要求所述的设备，其中所述内插过程是多项式内插过程。
32.根据权利要求25到29中任一权利要求所述的设备，其中所述内插过程是三次样条内插过程。
33.一种设备，其包括: 存储器单元的阵列；以及 控制器，其耦合到所述阵列且经配置以: 使用分开某个电压量的多个感测电压确定用于各自编程为多个数据状态中的一者的一组存储器单元的软数据，其中所述软数据包括多个不同软数据值； 确定与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的数量； 正规化与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的所述经确定数量； 指派阈值电压值以表示所述感测电压之间的间隔中的每一者；以及 使用经指派以表示所述感测电压之间的所述间隔的所述阈值电压值及与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的所述正规化数量执行内插过程来推断与所述组存储器单元相关的阈值电压分布曲线的至少一部分。
34.根据权利要求33所述的设备，其中所述控制器包含: 直方图构建器，其经配置以确定与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的所述数量； 正规化引擎，其经配置以正规化与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的所述经确定数量； 解译引擎，其经配置以指派所述阈值电压值以表示所述感测电压之间的所述间隔；以及 内插引擎，其经配置以使用经指派以表示所述感测电压之间的所述间隔的所述阈值电压值及与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的所述正规化数量执行内插过程来推断与所述组存储器单元相关的所述阈值电压分布曲线的至少所述部分。
35.根据权利要求33所述的设备，其中所述控制器经配置以: 通过创建用于所述不同软数据值中的每一者的直方图确定与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的所述数量，其中每一直方图的高度对应于与用于所述特定直方图的所述软数据值相关的存储器单元的所述数量；以及 通过调整多个所述直方图的所述高度正规化与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的所述经确定数量，使得与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的所述数量的权重相等，其中调整所述多个直方图的所述高度之后的每一直方图的所述高度对应于与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的所述正规化数量。
36.根据权利要求35所述的设备，其中调整所述多个直方图的所述高度包含降低所述多个直方图的所述高度。
37.根据权利要求33到36中任一权利要求所述的设备，其中所述多个感测电压分开不同电压量。
38.根据权利要求37所述的设备，其中: 所述多个感测电压中的第一感测电压及第二感测电压分开第一电压量； 所述多个感测电压中的所述第二感测电压及第三感测电压分开不同于所述第一电压量的第二电压量； 所述多个感测电压中的所述第三感测电压及第四感测电压分开所述第二电压量；以及 所述多个感测电压中的所述第四感测电压及第五感测电压分开所述第一电压量。
39.根据权利要求33到36中任一权利要求所述的设备，其中所述多个感测电压中的每一者分开不同电压量。
【专利摘要】本发明包含用于经由内插推断与存储器单元相关的阈值电压分布的设备及方法。多个实施例包含确定各自编程为多个数据状态中的一者的一组存储器单元的软数据，其中所述软数据包括多个不同软数据值；确定与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的数量；以及使用与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的所述经确定数量经由内插过程推断与所述组存储器单元相关的阈值电压分布的至少一部分。
【IPC分类】G11C16-34, G11C16-06
【公开号】CN104662612
【申请号】CN201380049036
【发明人】沈震雷, 威廉·H·拉德克
【申请人】美光科技公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2013年8月29日
【公告号】EP2891154A1, US8848453, US20140063975, US20150023110, WO2014036297A1