专利名称：用于将元件置入于基座中的方法
技术领域：
本发明涉及一种用于将一个或更多元件置入于一基座中的方法。
利用本发明涉及的方法加工的基座在电子产品中用作电元件，通常为半导体元件，尤其是微电路所用的基座。基座的任务是为元件提供一机械附连基座并提供与基座上或基座外部的其它元件的所需电连接。基座可为一电路板，因此作为本发明的目的的方法紧密涉及电路板制造技术。基座也可为某些其它基座，例如用于封装一个或多个元件的基座，或者一整个功能模块的基座。
其中，电路板制造技术不同于微电路制造之处在于微电路制造技术中所用的衬底为一半导体材料，而电路板的基座材料为绝缘体。微电路制造技术通常还比电路板制造技术昂贵得多。
电路板制造技术不同于封装技术在于封装技术用于形成一便于其操作处理的环绕着半导体元件的封装。半导体元件的封装的表面具有接触部分，通常为突起，它们容许封装好的元件能够简便地安装于电路板上。半导体封装还包含导体，电压可以通过导体而连接于实际的半导体上，将封装外部的突出接触部分连接于半导体元件表面上的接触区域上。
然而，利用常规技术制造的元件的封装占用了大量的空间。电子装置的微型化引导人们试图除去半导体元件的封装。举例来说，为此目的，已发展了所谓的倒装片技术，其中将不带封装的半导体元件直接装配于电路板表面上。然而，在倒装片技术中存在许多困难。举例来说，可能会产生关于连接可靠性的问题，特别是当在电路板和半导体元件之间产生机械应力的情况下。机械应力必须通过在芯片和电路板之间增添适当的未充满情况而得以均匀开。这个程序减缓了过程并且增大了制造成本。应力尤其产生于使用柔性电路板和电路板大大弯曲的情况下。
本发明的目的是创建一种方法，利用这种方法可以可靠经济地将未封装的微电路置入于一基座中。
本发明基于将半导体元件或者至少部分半导体元件在板的制作过程中置入于一基座如一电路板中，其中，或者说，基座结构的部分环绕着半导体元件制造。根据本发明，半导体元件的馈通在基座中制作以便使得孔在基座的第一和第二表面之间延伸。在孔已经制作完成之后，一聚合物膜散布于基座结构的第二表面上以便使得聚合物膜也从基座结构的第二侧覆盖着为半导体元件制作的馈通。在聚合物膜硬化之前，或者在部分硬化之后，从基座的第一侧的方向将半导体元件置放于已经制作完成的孔中。半导体元件被压在聚合物膜上以便使得它们附着于聚合物膜上。在这之后，聚合物膜进行最后的硬化。根据本发明，在元件置放于孔中之前，在基座中制作一导电图案，并且元件置于孔中的方式使得元件相对于基板上所制作的导电图案对准。
更具体而言，根据本发明的方法的特征在于权利要求1的特征部分所述的内容。
借助于本发明获得了显著的优点。这是因为，借助于本发明，可以制造一种半导体元件置入其内部的电路板。本发明还使得可以制造一种环绕着元件的小型、可靠的元件封装。
本发明还可以有大量的实施例，它们提供了显著的附加优点。
举例来说，借助于本发明的优选实施例，元件封装阶段、电路板制造阶段、以及半导体元件的装配和触点制作阶段可以组合起来形成单个整体。各个过程阶段的组合带来了重要的逻辑优点并且使得能够制造更小、更可靠的电子模块。另一个优点在于这种制造方法可以大部分利用一般所用的电路板制造和装配技术。
根据本发明的一个优选实施例，这种复合式过程的整体性比例如使用倒装片技术来制造电路板并将元件附连于电路板上更为简便。利用这些优选实施例，与常规型方案相比，可以得到以下优点不需要软焊来与元件形成触点，而是可通过在半导体元件的接触区域顶部上生长导体来制造电触点。这就意味着不需要使用熔化的金属来连接元件，因此不会在金属之间形成化合物。金属之间的化合物一般为脆性，因此与通过软焊制作的连接相比，可靠性得以提高。特别是在小连接处，连接中的金属化合物的脆性会引起大问题。根据一个优选实施例，在无焊方案中可比软焊方案中得到明显更小的结构。无焊触点制作方法还存在的优点在于不需要高温来形成触点。过程温度更低就容许在选择电路板、元件封装或电子模块的其它材料时具有更大选择。在这种方法中，电路板、元件、和直接连接于元件上的导电层的温度可保持于20-85℃的范围内。只有当需要对所使用的聚合物膜进行固化处理(聚合处理)时才会需要较高的温度，例如大约150℃。然而，在整个过程中，基板和元件的温度可保持于200℃以下。如果本方法使用通过其它方法，例如化学方法或电磁辐射方法而非通过高温作用硬化的聚合物膜，则在一个优选实施例中，在整个过程中，基板和元件的温度可保持于100℃以下。
由于使用本方法使得能够制造更小的结构，因此元件相距可更为紧密。各元件之间的导体也就可以更短，而电子电路的电属性就由于例如减少了损失、干扰和延迟时间而得以改进。
本方法还使得能够制造三维结构，因为基板和嵌于基板中的元件可相互叠放地装配。
在本方法中，还可以减少不同金属之间的界面。
这种方法容许一种无铅过程。
本发明还容许其它优选实施例。关于本发明，举例来说，可使用柔性电路板。另外，这个过程容许电路板互相叠放地装配。
借助于本发明，还可以制造极薄的结构，其中半导体元件不管其厚度如何都完全保护于一基座例如电路板内。
由于半导体元件可完全置于电路板内部，因此电路板与半导体元件之间的连接方式在机械上来说既耐久又可靠。
在下文中，将借助于实例并参照附图对本发明进行研究。
图1示出了根据本发明的一个过程的一组剖面。
图2示出了根据本发明的第二过程的一组剖面。
图3示出了一种可能的接触成形方法的示意图。
图4示出了根据本发明的第三过程的一组剖面。
图1中所示的这组插图示出了根据本发明的一种可能过程。在下文中，将分阶段对图1的过程进行研究。
阶段A(图1A)在阶段A中，为电路板制造过程选择一适合的基板1。基板1可为例如玻璃纤维加强环氧树脂板，如FR4型板。由于实例过程不需要高温，在实例过程中，基板1因此就可为一种有机板。因此基板1可选择一种价格便宜的柔性有机板。通常，基板1选择一种已经涂有导电材料2通常为铜的板。当然，也可使用无机板。
阶段B(图1B)在阶段B中，在基板中为电触点制作通孔3。孔3可以例如利用电路板制造中所用的某些已知方法，如机械钻孔法来制作。
阶段C(图1C)在阶段C中，金属生长于在阶段B中制作的通孔中。在实例过程中，金属4还生长于电路板的顶部上，从而也增大了导电层2的厚度。
所生长的导电材料4为铜，或具有足够导电性的某些其它材料。铜的金属化过程可以通过用一薄层化学铜来涂敷孔然后使用电化学铜生长方法来继续涂敷过程而进行。在实例中使用了化学铜，因为其也将在聚合物顶部上形成表面并且在电化学涂敷过程中起电导体的作用。因此，金属就可使用一种湿化学方法来生长，因而生长方法非常廉价。另外，举例来说，导电层4也可以通过向通孔中充以导电膏来制作。
阶段D(图1D)在阶段D中，对电路板表面上的导电层制作图案。这可以通过使用众所周知的电路板制造方法来进行。举例来说，导电层的图案根据在阶段B中制作的孔来对准。
举例来说，导线图案的制造可以通过在金属4的表面上层压一光刻聚合物膜来进行，所需的导电图案通过引导光穿过一图案掩模而形成于该聚合物膜上。在暴露之后，将聚合物膜进行显示，这时从其上除去所需区域并且位于聚合物下方的铜4露出。接着，在膜下方露出的铜被蚀刻掉，从而留下所需的导电图案。聚合物起所谓的蚀刻掩模的作用，而开口5形成于金属层4中，在开口5的底脚处露出电路板的基板。在这之后，也将聚合物膜从铜4之上除去。
阶段E(图1E)在阶段E中，在基板中为微电路制作孔6。这些孔延伸穿过整个基板，从第一表面1a延伸至第二表面1b。举例来说，这些孔可以通过利用一铣床进行机械铣削而制作。举例来说，孔6也可以通过冲压加工而制作。孔6相对于电路板的导电图案4对准。在阶段B中制作的孔3也可用于帮助对准，但是这种对准方式也是相对于导电图案4来进行，因为导电图案4关于孔3具有特定的位置。
阶段F(图1F)在阶段F中，在基板的第二表面1b上并在孔6上方制作一形成了一电绝缘的聚合物膜7。聚合物膜7的制作方式使得其具有足够的刚性以便保持其形状的主要特征，然而其并未硬化，因此可以通过将各个元件压入薄膜中而将它们附连于其上。聚合物膜还应当具有足够的刚性以便在以下过程阶段中，能够使压入膜中的元件保持基本上不可相对于基座运动。
举例来说，在阶段F中制作的聚合物膜可为一预浸处理型膜。
如果需要的话，一金属涂层8也可在阶段F中制作于聚合物膜7的顶部上。
在实例过程中，阶段F通过在电路板表面上层压一薄聚合物膜(例如，大约40μm)而执行，在其之上为一层铜(例如，大约5μm)。层压过程借助于压力和热来进行。在实例过程中，膜因此就是一种RCC(树脂涂敷的铜)箔。然后层压过程必须执行至未完成状态，以便使得聚合物并未完全硬化。这通过将层压温度设置成足够低并且/或者缩短热处理的持续时间来实现。
阶段G(图1G)在阶段G中，微电路板18从基板的第一表面1a的这一侧装配于孔6中。装配过程可以使用一精密装配机来进行，微电路18相对于电路板的导电图案对准。象在阶段E中那样，在阶段B中制作的孔可以用来帮助对准。
微电路18的安装方式使得它们在孔6的“底部”中粘附于聚合物膜7上。进行装配的最适用方法是使用一个力来使得微电路18稍微推压入聚合物膜7内部，因此使得微电路18更好地保持就位。如果所装配的微电路18具有穿入聚合物膜7内部的接触突起9，则也有利于这个过程。
图3示出了一种有意思的替代实施例，其中微电路的接触突起9如此之长以致它们正好穿过聚合物膜7延伸至金属涂层8。在那种情况下，就不需要在聚合物膜7中制作孔(阶段K)以便在微电路中制作触点，因为孔在装配元件时形成。此外，孔的金属化阶段(阶段L)也可得以简化，因为接触突起9自动地形成穿过聚合物膜7的导体柱。在图3的实施例中，接触突起也可为尖锐形状，以便提高它们的刺穿能力。如果接触突起9足够长并且足够尖锐，则它们也可刺穿金属涂层8并且原则上在微电路18与金属涂层8之间形成一电触点。
阶段H(未示出)在阶段H中，聚合物膜7借助于固化处理而硬化。固化处理基本上包括一热处理，但是这个过程也可采用除了加热以便使聚合物硬化的某些其它处理方法。如果需要的话，阶段H也可以省去，特别是在聚合物通过热处理而进行固化的情况下。然而，在这个阶段对聚合物进行硬化可防止在阶段I中微电路相对于基座运动。
阶段I(图1I)在阶段I中，通过将为微电路制作的孔中充以填充材料10而将微电路固定于电路板的基板上。在实例过程中，这个阶段通过将铸造环氧树脂从电路板的第一表面(1a)散布于孔中并散布于微电路顶部上而进行。环氧树脂利用一刮刀来刮平并且通过在一高压锅中进行固化而得以硬化。同时，如果这个过程不包括阶段H的话，聚合物膜7也得以硬化。
阶段J(图1J)在阶段J中，一聚合物膜11形成于电路板的第一表面(1a)上，随后一薄金属涂层12形成于聚合物膜之上。
在实例过程中，阶段J通过在电路板表面上层压一薄聚合物膜(例如，大约40μm)而执行，在其之上为一层铜(例如，大约5μm)。层压过程借助于压力和热来进行。在实例过程中，膜因此就是一种RCC(树脂涂敷的铜)箔。
举例来说，聚合物膜也可通过将呈液体形式的聚合物散布于电路板上来制作。因此，层压过程对阶段J来说并非必要。必要的是要将一绝缘层，通常为一聚合物膜，制作于电路板上，该电路板包含置入的元件，特别是置入的微电路。根据本发明，聚合物膜自身可为填充聚合物膜或非填充聚合物膜。聚合物膜也可涂敷上金属，但是这并非必要，因为导电表面也可以在以后制作于已经附连于电路板上的聚合物层之上。
阶段J使得可以在实例过程中使用在电路板制造中所用的常规型制造方法和工作阶段，然而仍能够将微电路和其它元件埋于电路板内。
阶段K(图1K)在阶段K中，在聚合物膜7和11中(同时在导电箔8和12中)制作孔13，通过孔13可以与导电图案和电路板的馈通(导电材料4)以及与微电路建立接触。
举例来说，孔13可以使用激光或其它适用的方法来制作。在阶段D中制作的导电图案，或者在阶段B中制作的通孔可以用来进行对准。
阶段L(图1L)阶段L与阶段C相对应。在阶段L中，在孔13中和电路板的表面上制作一导电层14。
在实例过程中，首先使用三阶段表面去污处理来清洁馈通(孔13)。在这之后，通过首先在聚合物上形成一催化SnPd表面然后在表面上沉积一薄层(大约2Fm)化学铜，而对馈通进行金属化。铜14的厚度通过电化学沉积处理而增大。
另外，馈通也可以充以导电膏或者利用某些其它适用的微通金属化方法来制作。
阶段M(图1M)在阶段M中，按照与阶段D中相同的方式来形成一导电图案。
阶段N和O(图1N和1O)在阶段N和O中，一光刻聚合物14散布于电路板表面上并在聚合物14中形成所需的图案(按照与阶段D和M中类似的方式)。暴露过的聚合物膜显示出来，但是保持于电路板上的聚合物膜图案并未除去。
阶段P(图1P)在阶段P中，对在先前阶段中形成的聚合物膜图案的连接区域进行涂敷16。举例来说，涂层16可以带有Ni/Au涂层或OSP(有机表面保护)。
图1的实例示出了一个过程，其可用来开发本发明。因此，本发明决不受限于上述的过程，相反，本发明包括很大一组不同的过程及其最终产品，在权利要求书的最大可能的范围内并考虑到等价解释。特别地，本发明决不受限于实例中所示的布图，相反，对于本发明所属领域的普通技术人员来说，很显然，根据本发明的过程可以用来制造许多种与此处所公开的实例大不相同的电路板。因此，图中的微电路和连接只是用于对制造过程进行示例说明。
因此，可以对以上所公开的实例的方法做出为数众多的改变，而不会偏离根据本发明的思想。这些改变可以涉及不同阶段中所述的制造方法，或者，举例来说，涉及各个阶段的相互顺序。例如，阶段B同样可以在阶段D之后进行，即程序可为将钻头对准于图案上，而非将图案对准于所钻的孔上。相应地，阶段D和E的顺序也可以倒换过来。然后就在形成导电图案之前制作元件孔6。在那种情况下，导电图案就相对于孔6(以及孔3)对准。不管阶段B、D和E的执行顺序，在阶段F中制作的聚合物膜7都覆盖着孔6和形成于基板的第二表面1b上的导电图案。
觉得需要的阶段也可以加入以上所公开的实例的过程中。举例来说，可以将一箔层压于电路板的第一侧(1a)上，该箔在阶段H中所进行的铸造过程中保护着电路板的表面。这种保护箔制造成覆盖着除了孔6之外的所有其它区域。保护箔在利用刮刀散布铸造环氧树脂时使电路板的表面保持清洁。保护箔可以在阶段I之前在适当的阶段中制作并且在铸造完成之后立即从电路板表面上除去。
借助于这种方法，还可以制造有待附连于电路板上的元件封装。这种封装也可包括若干互相电连接起来的半导体元件。
这种方法还可用于制造整个电模块。图1中所示的过程也可按照以下方式应用，即只在微电路的接触表面所处的电路板的第二侧(1b)上制作导电结构。
举例来说，在这种方法使得可以制造的电路板或电模块中，所用的基板的厚度处于50至200微米的范围内，而微电路的厚度处于50至150微米的范围内。举例来说，导体的间距可以在50至250微米的范围内变化，而微馈通的直径可为例如15至50微米。因此，一层式构造中的单块板的总厚度将会大约为100至300微米。
本发明还可以按照以下方式应用，即使得电路板互相叠放地进行装配，从而形成一多层式电路结构，在该多层式电路结构中，若干根据图1制造的电路板互相叠放地设置并且相互电连接在一起。互相叠放的电路板也可为如下这种电路板，其中导电结构只形成于电路板的第二侧1b上，但是其仍包括馈通，电触点也可通过这些馈通从电路板的第一侧形成于微电路上。图2示出了一种这样的过程。
图2示出了电路板之间的互相连接。在下文中，按阶段对这个过程进行描述。
阶段2A(图2A)图2A示出了互相叠放的电路板。举例来说，最下面的电路板可以在图1的改变过的过程的阶段J之后获得。在这种情况下，图1的过程就通过省去阶段1C而改变。
举例来说，中间和上面的电路板可以在图1的改变过的过程的阶段M之后获得。在这种情况下，图1的过程通过省去阶段1C并且只在电路板的第二侧(1b)上执行阶段J、K和L而改变。
除了电路板之外，图2A还示出了置于电路板之间的预浸处理环氧树脂层21。
阶段2B(图2B)在阶段2B中，电路板借助于预浸处理环氧树脂层21层压在一起。此外，在电路板的上表面上制作一涂有金属的聚合物膜22。这个过程与图1的过程的阶段J相对应。在实例过程中，涂有金属的聚合物膜22也位于电路板的上表面上。
阶段2C(图2C)在阶段2C中，为了形成触点，在电路板中钻出孔23。
在阶段2C之后，举例来说，过程可以如下继续进行阶段2D在阶段2D中，导电材料按照与阶段1C相同的方式生长于电路板顶部上和通孔23中。
阶段2E在阶段2E中，按照与阶段1D中相同的方式对电路板表面上的导电层制作图案。
阶段2F在阶段2F中，按照与阶段1N和10中相同的方式，一光刻聚合物散布于电路板表面上并在聚合物中形成所需的图案。暴露过的聚合物膜显示出来，但是保持于电路板上的聚合物膜图案并未除去。
阶段2G在阶段2G中，按照与阶段1P中相同的方式，对在先前阶段中形成的聚合物膜图案的连接区域进行金属化。
以图2的实例为基础，很显然，这种方法也可用于制造许多种三维电路结构。举例来说，这种方法可以用于使得若干存储电路相互叠放，从而形成一包含若干存储电路的封装，其中存储电路互相连接并且形成一工作整体。这种封装可称为三维多片模块。这种模块中的芯片可以自由选择并且芯片之间的触点可以根据选定的电路简便地制作。
本发明还使得电磁保护装置能够环绕着置入于基座中的元件制作。这是因为图1的方法可改成使得在阶段1E中所示的孔6可连同在阶段1B中所进行的孔3的制作一起制作。在那种情况下，在阶段1C中制作的导电层4也将覆盖着为元件制作的孔6的侧壁。图4A示出了在按照上述方式改变的过程中的阶段1F之后的基座结构的剖面。
在图4A中所示的中间阶段之后，可以通过按照与阶段1G相似的方式装配微电路，象阶段1H中那样将聚合物膜硬化，并且按照与阶段1I相似的方式来附连微电路而得以继续进行这个过程。在此之后，可以按照与阶段1J相似的方式在电路板的第一表面上形成聚合物和金属箔。图4B示出了在这些过程阶段之后基座结构的一个实例剖面。
在图4B中所示的中间阶段之后，可以通过在聚合物膜中制作与阶段1K的孔相似的孔以制作触点而得以继续进行这个过程。在此之后，可以按照与阶段1L相似的方式在孔中和板表面上制作一导电层。图4C示出了在这些过程阶段之后基座结构的一个实例剖面。为了清楚起见，在孔中和板表面上按照与阶段1L相似的方式制作的导电层用黑色突出显示。
在图4C中所示的中间阶段之后，可以通过象在阶段1M中那样对板表面上的导电层制作图案并且象在阶段1N中一样涂敷板表面而得以继续进行这个过程。在这些阶段之后，通过几乎没有破损的金属箔来包围着微电路，这些金属箔形成了一有效的保护装置以防由电磁相互作用所引起的干扰。这种构造示于图4D中。在图4D中所示的中间阶段之后，执行与阶段1O和1P相对应的阶段，在其中一保护箔和连接制作于电路板表面上。
在图4D中，用黑色突出显示了保护着微电路的金属层的剖面。此外，微电路的基底用网纹突出显示。网纹用于提醒为微电路制作的孔的所有侧面都由金属箔所覆盖。因此，微电路就由没有破损的金属箔沿侧向包围着。除此以外，一金属板可设计于微电路上方，其在制作电路板的导电图案时一起制作。类似地，在微电路之下制作一尽可能完整的金属箔。举例来说，在微电路之下制作触点意味着必须在金属箔中制作小间隙，如图4D中所示。然而，这些间隙可以制成沿侧向很窄或者相应地沿垂直方向很薄，以便使得它们不会削弱防止电磁干扰的保护效果。
在研究图4D的实例时，还必须考虑到最终结构还包括与图中所示的平面成直角延伸的部件。这种成直角延伸的结构由连接于图4D的左手微电路的左手边上的隆起触点上的导体来表示，其从沿侧向包围着微电路的金属箔与微电路之下的导电层之间向观察者延伸。
因此，图4D所示的方案就提供了一种具有良好电磁干扰防护性能的微电路。由于保护装置直接环绕着微电路制作，因此这种构造还能防止包含于电路板中的元件之间产生的相互干扰。大多数电磁保护结构也可以接地，因为沿侧向包围着微电路的金属箔可与电路上方的金属板保持电连接。而电路板的连接又可以设计成使得金属板通过电路板的导电结构接地。
权利要求
1.一种用于将至少一个元件置入于一基座中的方法，该元件在其第一表面上具有接触区域，这种方法包括取得基座的基板，该基板具有一第一表面和一第二表面，在基板上制作导电图案并且为该至少一个元件制作至少一个孔，以便使得每个孔在第一表面和第二表面之间延伸穿过基板，将一绝缘聚合物层散布于基板的第二表面上，以便使得绝缘聚合物层覆盖着为元件所制作的至少一个孔，将至少一个元件置于至少一个孔中，以便使得元件相对于在基板上所制作的导电图案对准并且元件的第一表面压靠在绝缘聚合物层上，以及将绝缘聚合物层硬化。
2.根据权利要求1所述的方法，其中元件的第一表面被压于未硬化的绝缘聚合物层中。
3.根据权利要求1所述的方法，其中元件的第一表面被压于部分硬化的绝缘聚合物层中。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中绝缘聚合物层通过将一RCC箔置于基板的第二表面上而制造。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中绝缘聚合物层通过将一预浸处理环氧树脂膜散布于基板的第二表面上而制造。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中绝缘材料在为元件制作的孔的侧壁上生长，以便环绕着元件形成干扰保护。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中元件的接触区域具有与其相连接的接触突起，并且元件置于孔中的方式使得接触突起推压入绝缘聚合物层的内部。
8.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中元件的接触区域具有与其相连接的接触突起，接触突起的高度至少同绝缘聚合物层的厚度一样大，并且元件置于孔中的方式使得接触突起穿过了绝缘聚合物层。
9.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中在硬化的绝缘聚合物层中为元件制作接触开口，以及在接触开口中和绝缘聚合物层的顶部上制作用于与元件形成电接触的导体。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，其中在基板的至少第二表面(1b)上制作导电图案，并且其中待散布于基板的第二表面(1b)上的绝缘聚合物层的散布方式使得其覆盖着在第二表面(1b)上制作的导电图案。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，其中元件的第一表面被推压入绝缘聚合物层中，该绝缘聚合物层与由导电层形成的导电图案相接触。
12.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，其中至少一个组导电图案位于绝缘聚合物层与电路板的基板之间，元件的第一表面被推压靠在该绝缘聚合物层上。
13.根据权利要求1-12中任一项所述的方法，其中基板由绝缘材料构成。
14.根据权利要求1-13中任一项所述的方法，其中元件通过利用填充材料填充制作于基板上的孔而固定就位。
15.根据权利要求1-14中任一项所述的方法，其中元件为一微电路，并且在将微电路置于基板上所制作的孔中之后，从基板的第一表面的方向形成与微电路的电触点。
16.根据权利要求1-15中任一项所述的方法，其中通过在元件的接触区域中或在其接触突起的顶部上生长导电材料而形成与元件的电触点。
17.根据权利要求1-16中任一项所述的方法，其中使用电路板制造技术而无需焊料来形成与微电路的电触点。
18.根据权利要求1-17中任一项所述的方法，其中一个以上的元件置入于基座中，并且在基板中为每一个待置入于基座中的元件制作一分离的孔，并且每一个待置入于基座中的元件位于其自己的孔中。
19.根据权利要求1-18中任一项所述的方法，其中制造了一多层式结构，其中有至少四个导电层互相叠放起来。
20.根据权利要求1-19中任一项所述的方法，其中制造了一第一基座和至少一个第二基座，至少两个微电路置入于该第一基座中，并且至少两个微电路置入于该至少一个第二基座中，并且这些基座互相叠放地装配和固定以便使得基座相对彼此对准。
21.根据权利要求1-19中任一项所述的方法，其中制造第一和第二基座以及一中间层，第二基座置于第一基座上方并且第二基座相对于第一基座对准，中间层置于第一和第二基座之间，以及第一和第二基座借助于中间层而互相层叠。
22.根据权利要求21所述的方法，其中制造至少一个第三基座并为每个第三基座制造一中间层，每个第三基座又置于第一和第二基座上方并且每个第三基座相对于下方的基座之一对准，一中间层置于每个第三基座下方，以及第一、第二和每个第三基座借助于中间层而互相层叠。
23.根据权利要求20-22中任一项所述的方法，其中穿过互相叠放地固定的各基座钻出馈通孔，并且在所钻的孔中制作导体以便将每个基座的电子电路互相连接起来从而形成一工作整体。
24.根据权利要求1-23中任一项所述的方法，其中，在处理过程中，电路板、元件、或直接连接于元件上的导电层的温度低于200℃，并且优选地处于20-85℃的范围内。
25.一种电子模块，其利用根据权利要求1-24中任一项所述的方法制造。
全文摘要
本出版物公开了一种方法，其中将形成了部分电子电路的半导体元件或者至少某些半导体元件在基座的制造过程中置入于一基座如一电路板中，这时，或者说，基座结构的部分环绕着半导体元件制造。根据本发明，半导体元件的馈通在基座中制作以便使得孔在基座的第一和第二表面之间延伸。在孔已经制作完成之后，一聚合物膜散布于基座结构的第二表面上以便使得聚合物膜也从基座结构的第二表面侧覆盖着为半导体元件制作的通孔。在聚合物膜硬化之前，或者在部分硬化之后，从基座的第一表面的方向将半导体元件置放于在基座中所制作的孔中。半导体元件被压在聚合物膜上以便使得它们附着于聚合物膜上。在这之后，聚合物膜进行最后的硬化。
文档编号H01L23/538GK1625926SQ03803098
公开日2005年6月8日 申请日期2003年1月28日 优先权日2002年1月31日
发明者R·托米宁 申请人:伊姆贝拉电子有限公司