专利名称：射频识别标签的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种射频识别标签，特别涉及可以粘贴在金属上的射频 识别标签。
背景技术：
RFID (Radio Frequency Identification)标签等非接触标签可以通过 无线通信读出/写入信息，可以进行产品的批产管理和生产工序的历史管 理等信息管理。因此，被期望用来代替当前的产品信息管理中采用的条 形码。
以往，在RFID标签中使用13.56MHz、 2，45GHz等频率，但现在对 953MHz等的UHF (Ultra High Frequency)频带的使用也已经解禁。但是， RFID标签具有如果粘贴在PC (Personal Computer)机箱、仪器、金属器 材等金属物体(高导电率物体)上就不能通信的性质。
另外，也存在即使粘贴在金属上也可以通信的RFID标签，例如 Intermec公司(美国)的封装粘铁标签(Encapsulated Stick Tag)、 AWID 公司(美国)的ProxLinkMT (APT1014)等。这些RFID标签较硬，厚 约4mm，作为粘贴在产品等上的标签而言比较大。此外，还提出了下面 的RFID标签。例如在利用金属箔等构成的磁性芯材的两面夹着线圈形成 的RFID用天线线圈(例如专利文献l)。并且，还有在蛇行的薄片上的 线圈间隙中插入了磁芯部件的结构的RPID用天线线圈(例如专利文献 1)。
专利文献1日本特幵2002—252518号公报 专利文献2 日本特开2002—117383号公报
但是，以往的RFID标签如前面所述厚且硬，存在难以粘贴在曲面 上使用的问题。
并且，在专利文献l、 2中，采用线圈夹着磁性芯材和磁芯部件的形 式，结构属于三维结构，比较复杂，所以存在制造成本大的问题。
发明内容
本发明就是鉴于上述情况而提出的，其目的在于，提供一种射频识 别标签，其较薄且具有挠性，可以降低制造成本，而且即使粘贴在金属 上也能够进行无线通信。
为了解决上述问题，本发明提供一种如图1所示可以粘贴在金属上
的射频识别标签，其特征在于，该射频识别标签具有薄膜30和在薄膜30 上形成为平面状的反F天线10，薄膜30被粘贴成为使形成的反F天线 lO的放射元件ll、短路棒(shortpin) 12和供电部13从金属突出。
根据这种射频识别标签，在薄膜30上形成平面状的反F天线10， 所以较薄且具有挠性，结构简单。
并且，薄膜30被粘贴成为使形成的反F天线10的放射元件11、短 路棒12和供电部13从金属突出，由此即使粘贴在金属上也能够进行无 线通信。
在本发明的射频识别标签中，在薄膜上形成平面状的反F天线，所 以较薄且具有挠性，可以粘贴在曲面上使用。并且，结构简单，所以能 够降低制造成本。
并且，薄膜被粘贴成为使形成的反F天线的放射元件、短路棒和供 电部从金属突出，所以即使粘贴在金属上也能够进行无线通信。
本发明的上述及其他目的、特征和优点，根据表示作为本发明的示 例的优选实施方式的附图及以下的相关说明将更加明确。
图1是第1实施方式涉及的RJFID标签的俯视图。 图2是表示图1中的反F天线和IC芯片的等效电路的图。 图3是表示反F天线的短路棒的位置和电容值的关系的图。 图4是表示反F天线的短路棒的位置和电阻值的关系的图。
图5是将反F天线粘贴在覆铜板上的立体图。
图6是说明反F天线的短路棒的位置、电容值、电阻值和电波的飞
射距离的关系的图。
图7是表示将图1所示的RFID标签粘贴在笔记本式PC的液晶背面
上的状态的立体图。
图8是表示将图1所示的RFID标签粘贴在笔记本式PC的指纹传感
器旁边的状态的立体图。
图9是表示反F天线的史密斯圆图(Smith chart)的模拟的图。
图IO是表示反F天线的史密斯圆图的实测值的图。
图11是被粘贴在作为特性变化的模型的金属框体上的RFID标签的
立体图。
图12是表示RFID标签单体和粘贴在金属框体上时的频率和电容值 的关系的图。
图13是表示RFID标签单体和粘贴在金属框体上时的频率和增益的 关系的图。
图14是表示使某个IC芯片通过半波折叠偶极天线进行无线通信时 的飞射距离为2.15m时，将该IC芯片应用于图1所示RFID标签时的增 益的图。
图15是说明RFID标签的指向性的图。
图16是表示图15所示RFID标签的指向性的图。
图17是第2实施方式涉及的RFID标签的俯视图。
图18是表示反F天线的史密斯圆图的模拟的图。
标号说明
IO反F天线；ll放射元件；12短路棒；13供电部；14接地底板； 20IC芯片；30薄膜；40金属框体。
具体实施例方式
以下，参照附图具体说明本发明的第l实施方式。
图1是第1实施方式涉及的RFID标签的俯视图。如图所示，RPID 标签由反F天线10、 IC芯片20和薄膜30构成。反F天线10为箔状金 属，在薄膜30的表面上形成为平面状。另外，在图1中，示出该RFID 标签被安装在例如电子设备的金属框体40上。
反F天线lO由放射元件ll、短路棒(匹配电路)12、供电部13和 接地底板14构成。放射元件11形成为与接地底板14的一边为相同长度 并与其并行， 一端连接至供电部13，另一端敞开。并且，在放射元件ll 的两端之间设有短路棒12，并与接地底板14连接。在供电部13和接地 底板14之间安装有IC芯片20，IC芯片20通过反F天线10例如以953MHz 的UHF频带电波与读写器进行无线通信。IC芯片20写入从读写器接收 的数据，并将所读出的数据发送给读写器。
形成有反F天线10的薄膜30被粘贴成使反F天线的放射元件11、 短路棒12和供电部13从金属框体40突出(从金属框体40上离开)。可 以利用双面胶带将薄膜30粘贴到金属框体40上，也可以利用粘接剂粘 贴。另外，在图1中，薄膜30被粘贴成使接地底板14的设有短路棒12 和供电部13的一边与金属框体40的一边一致，使反F天线10的放射元 件11、短路棒12和供电部13从金属框体40突出。这样，通过使放射元 件11、短路棒12和供电部13与金属框体40不重叠，可以与读写器进行 无线通信。
反F天线10的接地底板14的大小例如为横a是80mm、纵b是45mm 。 放射元件11的长度与接地底板14的横向大小相同，是80mm。放射元件 11与接地底板14的间隔c为5mm。放射元件11、短路棒12和供电部 13的宽度d、 e、 f为lmm。短路棒12与供电部13的间隔x根据IC芯片 20的阻抗确定。S卩，短路棒12的位置被确定为与IC芯片20的阻抗相匹 配。另外，薄膜30的大小与反F天线10的外框为相同大小或比其大， 以使反F天线10形成在薄膜30上。并且，前面叙述的反F天线的大小 仅是一例，不限于此。
反F天线10的材料例如是铜或银、铝等金属。反F天线10的厚度 考虑基于表皮效应的电流损失来确定。表皮效应根据流过反F天线的电 流的频率和材料的导电率确定，例如，如果材料是铜、电波的频率是
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913MHz,则需要2μm 3μm以上的厚度。换言之，反F天线10可以实 现例如薄至50ium以下的厚度。薄膜30是绝缘体，例如使用PET (聚对 苯二甲酸乙二醇酯)薄膜。薄膜30的厚度没有特别限定。
反F天线10的制造方法为，例如将铜箔切成图1所示的形状，利用 粘接剂等将其粘贴在薄膜30上。或者，例如通过丝网印刷等将铜印刷在 薄膜30上，并且印刷成图l所示的形状，形成反F天线IO。或者，例如 在薄膜30上蒸镀铜，而在薄膜30上形成图1所示形状的反F天线10。 或者，例如通过将层叠在薄膜30上的金属作为掩模进行蚀刻，在薄膜30 上形成图1所示形状的反F天线10。
这样，通过在薄膜30上形成反F天线，可以实现结构简单的RFID 标签，即使在金属上粘贴RFID标签，也能够与读写器无线通信。并且， 由于是在薄膜30上形成平面状的反F天线这样的简单结构，所以也能够 粘贴在金属的曲面上。并且，由于在薄膜30上形成平面状的反F天线， 所以容易制造，可以降低制造成本。
下面，简单说明将RFID标签粘贴在金属框体40上也能够进行通信 的原理。在电波射入金属表面时，该电波在金属表面上被反射。此时， 反射的电波的电场的相位相对入射电波的电场的相位偏移180度，使金 属内的电场为O。因此，在将RFID标签全体粘贴在金属框体40上时， 不能发送接收电波。
在图1所示的RFID标签中，将放射元件11、短路棒12和供电部 13安装成使它们从金属框体40突出。因此，在放射元件ll、短路棒12 和供电部13的部分不存在金属框体40，电波不会通过金属框体40反射， 所以能够进行无线通信。
下面，说明图1所示RFID标签的反F天线10与IC芯片20的电路。
图2是表示图1中的反F天线和IC芯片的等效电路的图。如图所示， 如果从IC芯片20的角度来看，则反F天线10可以视为是电阻Rl与线 圈Ll的电路。如果从反F天线10的角度来看，则IC芯片20可以视为 是具有电容器ci和电阻R2的电路。另外，图中的节点Nl对应于图1 中的供电部13，节点N2对应于接地底板14。IC芯片20的从反F天线10角度来看时的阻抗由IC芯片20的内部 电路决定(在图2中为电容器C1和电阻R2)。因此，通过改变反F天线 IO的阻抗，可以与IC芯片20的阻抗匹配。
如在图1中说明的那样，可以通过改变短路棒12和供电部13的间 隔x来改变反F天线10的阻抗(图2中的线圈Ll与电阻Rl的并联电路)。 因此，将反F天线10的短路棒12的位置确定为与IC芯片20的阻抗相 匹配。
可是，反F天线10的导纳根据图2的电路图表示为下式(1)。并且， IC芯片20的导纳根据图2的电路图表示为下式(2)。其中，式(1)、 (2) 中的j表示虚数，co表示角频率。
Y= (1/R1) + (1/jcoLl) ...... (1)
Y= (1/R2)十j(DCl ...... (2)
由此，为了使反F天线10与IC芯片20的阻抗匹配，需要具有R1 =R2的关系，为了使得不存在无效功率、并具有cdC1二1/coL1的关系， 需要确定短路棒12的位置。
下面，说明反F天线10的短路棒12的位置与电容值的关系。 图3是表示反F天线的短路棒的位置和电容值的关系的图。图中的 横轴表示图1中的短路棒12的位置(间隔x)，纵轴表示反F天线的电容 值Ccp (具有coCcp二l/o)Ll的关系)。另外，图示曲线中的x符号表示具 有在图1中说明的大小的反F天线10在电波频率为950MHz时的模拟结 果。
例如，IC芯片20的电容值为l.OpF时，根据图中的模拟结果可知， 如果将x的值设定为大约18mm，则可以实现阻抗匹配。并且，例如在 IC芯片20的电容值为0.5pF时，根据图中的模拟结果可知，如果将x的 值设定为大约35mm，则可以实现阻抗匹配。
另外，图示曲线图中的*符号表示具有在图1中说明的大小的反F 天线10在电波频率为950MHz时的实测值。可知实测值是大致符合模拟 结果的值。
下面，说明反F天线10的短路棒12的位置和电阻值的关系。
图4是表示反F天线的短路棒的位置和电阻值的关系的图。图中的 横轴表示图1中的短路棒12的位置(间隔x)，纵轴表示反F天线的电阻 值Rap。另外，图中的曲线表示具有在图1中说明的大小的反F天线10 在电波频率为950MHz时的模拟结果。
例如，在IC芯片20的电阻值为12500Q时，根据图中的模拟结果可 知，如果将x的值设定为大约20mm，则可以实现阻抗匹配。并且，例如 在IC芯片20的电阻值为17500Q时，根据图中的模拟结果可知，如果将 x的值设定为大约25mm，则可以实现阻抗匹配。
另外，如图3、 4所示，反F天线IO的电容值和电阻值分别根据短 路棒12的位置而变化。因此，不仅要使电容值和电阻值中的一方的值一 致，也需要考虑电容值和电阻值双方的模拟结果值来确定短路棒12的位 置。并且，在实际将RFID标签粘贴在金属上时，电阻值与模拟情况相比 有时也会产生很大变化，所以需要根据粘贴RHD标签的金属来调整电阻 值。
下面，说明将图1中的RPID标签粘贴在覆铜板上时的、反F天线 10的短路棒12的位置与电容值、电阻值及电波的飞射距离的关系。
图5是将反F天线粘贴在覆铜板上的立体图。在图中，在覆铜板52 上粘贴有RFID标签51。 RFID标签51是图1所示的RFID标签，具有反 F天线10和薄膜30。覆铜板52具有长方形的形状，具有205mmxl30mni 的大小。
图6是说明反F天线的短路棒的位置与电容值、电阻值和电波的飞 射距离的关系的图。图中的表61表示使粘贴在图5所示覆铜板52上的 RFID标签51以913MHz电波进行无线通信时的实测值。
如表61所示，在短路棒12的位置(间隔x)为20mm时，反F天 线10的电容值Ccp的实测值为1.28pF，电阻值为3264Q。电波的飞射距 离为190cm。在短路棒12的位置为25mm时，反F天线10的电容值Ccp 的实测值为1.10pF，电阻值为3242Q。电波的飞射距离为140cm。在短 路棒12的位置为30mm时，反F天线10的电容值Ccp的实测值为0.79pF， 电阻值为3772Q。电波的飞射距离为80cm。下面，说明将RFID标签粘贴在笔记本式PC上时的电波的飞射距离。
图7是表示将图1所示的RFID标签粘贴在笔记本式PC的液晶背面 上的状态的立体图。在图中，在笔记本式PC71的液晶屏背面72上粘贴 有RFID标签51 。 RFID标签51是图1所示的RFID标签，具有反F天 线10和薄膜30。另夕卜，反F天线10的短路棒12的位置为20mm。这样， 在笔记本式PC 71的液晶屏背面72上粘贴了 RFID标签51时，电波的飞 射距离为140cm。图8是表示将图1所示的RFID标签粘贴在笔记本式PC的指纹传感 器旁边的状态的立体图。在图中，在笔记本式PC71的指纹传感器73旁 边粘贴有RFID标签51 。 RFID标签51是图1所示的RFID标签，具有反 F天线10和薄膜30。另外，反F天线10的短路棒12的位置为20mm。 这样，在笔记本式PC 71的指纹传感器73旁边粘贴了 RFID标签51时， 电波的飞射距离为140cm。
下面，说明基于频率的反F天线10的阻抗变化。
图9是表示反F天线的史密斯圆图的模拟的图。图(A)表示短路 棒的位置为20mm时的阻抗变化。在使频率从800MHz变化为l.lGHz 时，阻抗按照图(A)中的箭头所示变化。图(B)表示短路棒的位置为 25mm时的阻抗变化。在使频率从800MHz变化为l.lGHz时，阻抗按照 图(B)中的箭头所示变化。图(C)表示短路棒的位置为30mm时的阻 抗变化。在使频率从800MHz变化为l.lGHz时，阻抗按照图(C)中的 箭头所示变化。
图IO是表示反F天线的史密斯圆图的实测值的图。图(A)表示短 路棒的位置为20mm时的阻抗变化。在使频率从800MHz变化为l.lGHz 时，阻抗按照图(A)中的箭头所示变化。图(B)表示短路棒的位置为 25mm时的阻抗变化。在使频率从800MHz变化为l.lGHz时，阻抗按照 图(B)中的箭头所示变化。图(C)表示短路棒的位置为30mm时的阻 抗变化。在使频率从800MHz变化为l.lGHz时，阻抗按照图(C)中的 箭头所示变化。图IO所示的阻抗的实测值表现出与图9所示的模拟大致 相同的变化。
但是，优选使反F天线10的阻抗的变化较小。这是因为如果阻抗根
据频率而发生较大变化，则难以实现与IC芯片20的电容值的匹配。图1 所示的反F天线10如图9、 IO所示，阻抗的变化较小，所以容易实现与 IC芯片20的阻抗的匹配。并且，由于基于频率的阻抗变化较小，所以能 够扩大使用的电波的频带。
下面，说明将图1所示RFID标签粘贴在金属框体上时的反F天线 IO的特性变化。
图11是被粘贴在作为特性变化的模型的金属框体上的RFID标签的 立体图。图中示出的金属框体81是铁制品，具有70mmxl00mmx5mm的 大小。金属框体81的导电率是lxl07S/m。 RFID标签51是图1所示的 RFID标签，具有反F天线10和薄膜30。短路棒12的位置为35mm。薄 膜30的厚度为0.2mm，反F天线10处于从金属框体81浮起0.2m的状 态。
图12是表示RFID标签单体和粘贴在金属框体上时的频率与电容值 的关系的图。图中实线表示图11所示的RFID标签51单体的频率和电容 值的关系。图中虚线表示将图11所示的RFID标签51粘贴在金属框体 81上时的频率和电容值的关系。如图所示，通过将RFID标签51粘贴在 金属框体81上，电容值在所有频率下大约上升0.085pF。
图13是表示KFID标签单体和粘贴在金属框体上时的频率与增益的 关系的图。图中实线表示图11所示的RJFID标签51单体的频率和增益的 关系。图中虚线表示将图11所示的RFID标签51粘贴在金属框体81上 时的频率和增益的关系。如图所示，通过将RFID标签51粘贴在金属框 体81上，增益在一部分频率下上升。
这样，通过将RFID标签51粘贴在金属框体81上，阻抗和增益变 化，所以如果能够实现适合于粘贴对象的金属框体的设计，则可以进一 步延长电波的飞射距离。
下面，说明某个IC芯片通过半波折叠偶极天线进行无线通信时的飞 射距离为2.15m时，将该IC芯片应用于图1所示RFID标签时的飞射距 离的预测情况。
图14是表示某个IC芯片通过半波折叠偶极天线进行无线通信时的
飞射距离为2.15m时，将该IC芯片应用于图1所示RFID标签时的增益 的图。在将通过半波折叠偶极天线进行无线通信时的飞射距离为2.15m 的IC芯片应用于图1所示RFID标签时，反F天线10的增益如图所示。 另外，图中的，表示反F天线10的短路棒12的位置为20mm时的增益， 图中的o表示反F天线10的短路棒12的位置为25mm时的增益，图中的 △(在图中表示为黑三角)表示反F天线10的短路棒12的位置为30mm 时的增益，图中的x表示反F天线10的短路棒12的位置为35mm时的增 仏
如图所示，在950MHz下，增益下降大约-2.2dBi -1.3dBi。短路棒 12的位置为25mm时下降-2.0dBi。
由于半波折叠偶极天线的增益是2dBi，所以在图1所示的RFID标 签中，相对半波折叠偶极天线的增益下降-4dBi。因此，10—a4x2.15 —l.lm， 当将半波折叠偶极天线中飞射距离为2.15m的IC芯片搭载于图1所示的 RFID标签上时，可以预测飞射距离为l.lm。
下面，说明RFID标签的指向性。
图15是说明RFID标签的指向性的图。RFID标签如图所示被配置 在x-y坐标平面上。另外，图中的RFID标签为图l所示的RFID标签。
图16是表示图15所示RFID标签的指向性的图。图15所示的RJFID 标签如图16所示，相比y轴方向，在x轴方向具有指向性。
这样，由于在薄膜30上形成平面状的反F天线10，所以较薄且具 有挠性，可以粘贴在金属框体的曲面上使用。并且，由于结构简单，可 以降低制造成本。
并且，薄膜30被粘贴成使形成的反F天线10的放射元件11、短路 棒12和供电部13从金属突出，由此即使粘贴在金属上也能够通信。
另外，在将RPID标签粘贴在金属之外的物体上时，不需要进行使 放射元件11、短路棒12和供电部13的部分突出的粘贴。
下面，参照附图具体说明本发明的第2实施方式。在第1实施方式 中，如在图1中说明的那样，供电部13与放射元件11的一端连接，短
路棒12位于放射元件11的两端之间。在第2实施方式中，短路棒12与
放射元件11的一端连接，供电部13位于放射元件11的两端之间。
图17是第2实施方式涉及的RFID标签的俯视图。RFID标签如图 所示由反F天线90、 IC芯片100和薄膜110构成。反F天线90例如利 用金属箔构成，粘贴在薄膜110上。另外，在图17中，示出该RFID标 签例如粘贴在电子设备的金属框体120上。
反F天线90由放射元件91、供电部92、短路棒93和接地底板94 构成。放射元件91形成为与接地底板94的一边相同的长度并与其并行， 一端连接到短路棒93，另一端敞开。并且，在放射元件91的两端之间设 有供电部92。在供电部92和接地底板94之间安装着IC芯片100， IC芯 片100通过反F天线卯例如以953MHz的UHF频带的电波与读写器进 行无线通信。IC芯片100写入从读写器接收的数据，并且将所读出的数 据发送给读写器。
形成有反F天线90的薄膜110被粘贴成使放射元件91、供电部92 和短路棒93从金属框体120突出(从金属框体120上离开)。可以利用 双面胶带将RFID标签粘贴到金属框体上，也可以利用粘接剂粘贴。另夕卜， 在图中，使接地底板94的设有供电部92和短路棒93的一边与金属框体 120的一边一致地来粘贴薄膜110，使放射元件91、供电部92和短路棒 93从金属框体120突出。这样，通过使放射元件91、供电部92和短路 棒93不与金属框体120重叠，可以与读写器进行电波的收发。
供电部92和短路棒93的间隔x根据IC芯片100的阻抗来确定。即， 供电部92的位置被确定为使得与IC芯片100的阻抗相匹配。另外，薄 膜110的大小与反F天线90的外框相同或比其大，以便将反F天线90 形成在薄膜110上。
反F天线90、薄膜110的材料、制造方法与在图1中说明的情况相 同，所以省略其说明。
下面，说明基于频率的反F天线90的阻抗变化。
图18是表示反F天线的史密斯圆图的模拟的图。图(A)表示短路 棒的位置为20mm时的阻抗变化。在使频率从800MHz变化为l.lGHz
时，阻抗按照图(A)中的箭头所示变化。图(B)表示短路棒的位置为
25mm时的阻抗变化。在使频率从800MHz变化为1.1 GHz时，阻抗按照 图(B)中的箭头所示变化。
另外，如图18所示，图17的反F天线90的阻抗的变化大于图1的 反F天线10。因此，图17的反F天线90相比图1的反F天线10，更难 以实现阻抗的匹配。并且，由于基于频率的阻抗变化大，所以图17的反 F天线卯相比图1的反F天线，所使用的电波的频带较窄。
这样，在短路棒93位于放射元件91的一端，供电部92位于放射元 件91的两端之间时，RFID标签也能够粘贴在金属框体120上进行无线 通信。
另外，在将RFID标签粘贴在金属之外的物体上时，不需要使放射 元件11、短路棒12和供电部13的部分突出来进行粘贴。
以上仅示出了本发明的原理。另外，本行业人员可以实现多种变形、 变更，本发明不限于以上示出并说明的准确结构及应用示例，所有对应 的变形例和等同物都应该视为基于所附权利要求及其等同物的本发明的 范围。
权利要求
1.一种可以粘贴在金属上的射频识别标签，其特征在于，该射频识别标签具有薄膜；在所述薄膜上形成为平面状的反F天线，所述薄膜被粘贴成使形成的所述反F天线的放射元件、短路棒和供电部从所述金属突出。
2. 根据权利要求1所述的射频识别标签，其特征在于，所述供电部 形成于所述放射元件的一端，所述短路棒形成于所述放射元件的两端之 间。
3. 根据权利要求2所述的射频识别标签，其特征在于，确定所述短 路棒的位置，以使得与所安装的半导体装置的阻抗相匹配。
4. 根据权利要求l所述的射频识别标签，其特征在于，所述短路棒 形成于所述放射元件的一端，所述供电部形成于所述放射元件的两端之 间。
5. 根据权利要求4所述的射频识别标签，其特征在于，确定所述供 电部的位置，以使得与所安装的半导体装置的阻抗相匹配。
6. 根据权利要求1所述的射频识别标签，其特征在于，所述反F天线通过印刷而被形成在所述薄膜上。
7. 根据权利要求1所述的射频识别标签，其特征在于，所述反F天线由金属箔形成，并粘贴在所述薄膜上。
8. 根据权利要求1所述的射频识别标签，其特征在于，通过蒸镀而 在所述薄膜上形成所述反F天线。
9. 根据权利要求1所述的射频识别标签，其特征在于，通过对层叠 在所述薄膜上的金属进行蚀刻而形成所述反F天线。
10. 根据权利要求1所述的射频识别标签，其特征在于，所述薄膜 由聚对苯二甲酸乙二醇酯构成。
全文摘要
本发明提供一种射频识别标签，其较薄且具有挠性，即使粘贴在金属上也能够进行通信，而且制造成本低。反F天线(10)具有放射元件(11)、短路棒(12)、供电部(13)和接地底板(14)，并且在薄膜(30)的表面上形成为平面状。薄膜(30)例如是聚对苯二甲酸乙二醇酯等的绝缘膜，被粘贴成使形成于其表面上的反F天线(10)的放射元件(11)、短路棒(12)和供电部(13)从电子设备等的金属框体(40)突出。
文档编号H01Q1/38GK101208827SQ20058005027
公开日2008年6月25日 申请日期2005年6月28日 优先权日2005年6月28日
发明者山雅城尚志, 甲斐学, 马庭透 申请人:富士通株式会社