专利名称：提高高压栅氧化层均匀性的工艺方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体器件制造工艺，尤其涉及一种提高高压栅氧化 层均匀性的工艺方法。
技术背景在目前的高压器件制造中，栅氧化层前后通常的主要流程是 步骤l，制作浅沟槽隔离(STI)，如图l所示；步骤2,高压阱(HVNWell)注入，如图2所示；步骤3，生长栅氧化层，如图3所示；步骤4，淀积多晶硅，制造栅极的氧化硅侧墙，如图4所示。 在这个制作过程中，在浅沟槽完成后再生长栅氧化层，这时由于硅衬 底上与浅沟槽边缘处氧化速率的不同，导致栅氧化层厚度不均匀，出现在 浅沟槽边缘栅氧化层偏薄的现象(如图5所示)，此处的开启电压(Vt) 比较低，因此对整个晶体管来讲，Id-Vg (漏极电流一栅极电压)曲线在 亚阈区出现双驼峰现象，增大了器件的漏电流，晶体管特性变差，如图6 所示。发明内容本发明要解决的技术问题是提供一种提高高压栅氧化层均匀性的工 艺方法，克服了现有技术存在的浅沟槽边缘与硅衬底表面氧化层厚度不均 匀的缺陷，优化了晶体管特性。 '
为解决上述技术问题，本发明提供一种提高高压栅氧化层均匀性的工 艺方法，包括如下步骤步骤l，高压阱注入；步骤2，生长栅氧化层； 步骤3，刻蚀浅沟槽隔离；步骤4，淀积多晶硅及制造栅极的氧化硅侧墙。 在步骤2和步骤3之间依次增加二步多晶硅淀积、氮化硅淀积。 在步骤3和步骤4之间依次增加步骤步骤A，生长垫衬氧化层；步 骤B，淀积氧化层；步骤C，化学机械研磨及氧化层刻蚀；步骤D，去除 氮化硅层。步骤B采用高密度等离子体化学气相淀积氧化层。 步骤D采用磷酸去除氮化硅层。和现有技术相比，本发明具有以下有益效果本发明通过调换常规高 压器件浅沟槽隔离与栅氧化层生长的前后顺序，避开了浅沟槽边缘与硅衬 底表面氧化层生长速率不同的问题，从而可以得到均匀的氧化层厚度。此 外，本发明在栅氧化层与氮化硅之间淀积多晶硅，保护栅氧化层；浅沟槽 隔离完成后，在多晶硅/氧化硅上再次生长多晶硅形成栅极，优化了晶体 管特性。
图1是现有技术的步骤1完成后晶体管的结构示意图； 图2是现有技术的步骤2完成后晶体管的结构示意图； 图3是现有技术的步骤3完成后晶体管的结构示意图； 图4是现有技术的步骤4完成后晶体管的结构示意图； 图5是图4的局部放大示意图；图6是现有技术的工艺步骤完成后晶体管的Id-Vg曲线图；图7是本发明的步骤1完成后晶体管的结构示意图； 图8是本发明的步骤2完成后晶体管的结构示意图； 图9是本发明的步骤3完成后晶体管的结构示意图； 图10是本发明的步骤4完成后晶体管的结构示意图；图11是本发明的步骤5完成后晶体管的结构示意图； 图12是本发明的步骤6完成后晶体管的结构示意图； 图13是本发明的步骤7完成后晶体管的结构示意图； 图14是本发明的步骤8完成后晶体管的结构示意图；图15是图14的局部放大示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明。 本发明提供一种提高高压栅氧化层均匀性的工艺方法，包括如下步步骤l，高压阱注入，如图7所示；步骤2，栅氧化层生长，多晶硅淀积，氮化硅淀积，如图8所示； 步骤3，刻蚀浅沟槽隔离，如图9所示；步骤4，生长垫衬氧化层(liner oxide)，如图10所示； 步骤5，高密度等离子体化学气相淀积氧化层，如图ll所示； 步骤6，化学机械研磨(CMP)及氧化层刻蚀，如图12所示。 步骤7，用磷酸泡掉氮化硅层，如图13所示； 步骤8，淀积多晶硅及制造氧化层侧墙，如图14所示。
现有技术是在浅沟槽完成后再生长栅氧化层，这时由于硅衬底上与浅 沟槽边缘氧化速率的不同，导致在浅沟槽边缘栅氧化层偏薄的现象(如图5所示)。而本发明通过调换常规高压器件浅沟槽隔离与栅氧化层生长的前后顺序，避开了浅沟槽边缘与硅衬底表面氧化层生长速率不同的问题,从而可以得到均匀的氧化层厚度(如图15所示)。此外，本发明在栅氧化 层与氮化硅之间淀积多晶硅，保护栅氧化层；浅沟槽隔离完成后，在多晶 硅/氧化硅上再次生长多晶硅形成栅极，优化了晶体管特性。
权利要求
1、 一种提高高压栅氧化层均匀性的工艺方法，其特征在于，包括如 下步骤步骤l，高压阱注入；步骤2，生长栅氧化层；步骤3，刻蚀浅 沟槽隔离；步骤4，淀积多晶硅及制造栅极的氧化硅侧墙。
2、 如权利要求1所述的提高高压栅氧化层均匀性的工艺方法，其特征在于，在步骤2和步骤3之间依次增加二步多晶硅淀积、氮化硅淀积。
3、 如权利要求1所述的提高高压栅氧化层均匀性的工艺方法，其特征在于，在步骤3和步骤4之间依次增加步骤步骤A，生长垫衬氧化层; 步骤B，淀积氧化层；步骤C，化学机械研磨及氧化层刻蚀；步骤D，去 除氮化硅层。
4、 如权利要求3所述的提高高压栅氧化层均匀性的工艺方法，其特 征在于，步骤B采用高密度等离子体化学气相淀积氧化层。
5、 如权利要求3所述的提高高压栅氧化层均匀性的工艺方法，其特 征在于，步骤D采用磷酸去除氮化硅层。
全文摘要
本发明公开了一种提高高压栅氧化层均匀性的工艺方法，包括如下步骤步骤1，高压阱注入；步骤2，生长栅氧化层；步骤3，刻蚀浅沟槽隔离；步骤4，淀积多晶硅及制造栅极的氧化硅侧墙。本发明通过调换常规高压器件浅沟槽隔离与栅氧化层生长的前后顺序，避开了浅沟槽边缘与硅衬底表面氧化层生长速率不同的问题，从而可以得到均匀的氧化层厚度，优化了晶体管特性。
文档编号H01L21/82GK101145543SQ20061003109
公开日2008年3月19日 申请日期2006年9月13日 优先权日2006年9月13日
发明者君 胡, 郭永芳, 钱文生 申请人:上海华虹Nec电子有限公司