第Ⅲ族氮化物基化合物半导体器件的制作方法

专利名称：第Ⅲ族氮化物基化合物半导体器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及第III族氮化物基化合物半导体器件，其具有已经提供有
负电极的n-型区域的特征形状。如本文所用的，术语"第III族氮化物基 化合物半导体器件，，包括由式AlxGaylih+yN (OS x《l, 0《y《l， 0《x+y《l)表 示的半导体；包含预定元素以形成例如n-型/p-型导电的此类半导体；其中 的一部分第HI族元素被B或Tl替代， 一部分第V族元素被P、 As、 Sb 或Bi替代的此类半导体。
背景技术：
在AlxGayIni_x_yN半导体的m中，已经提高了半导体的结晶度，并且 已经很好地控制了其电导率，使得可制造多种半导体器件诸如发光二极 管、激光二极管和HEMT (例如，高电子迁移率晶体管)。目前，在通常 的半导体器件制造工艺中，通过外延生长在C-面或A-面蓝宝石衬底、硅 衬底或SiC衬底上形成多个第III族氮化物基化合物半导体层。在4艮多情 况下，当在上述异质衬底上形成这样的第III族氮化物基化合物半导体外 延层时，外延生长的生长表面是C-面使得每个第III族氮化物基化合物半 导体层的厚度沿着c-轴增长。而且，当在作为生长衬底的具有C-面作为主 面的GaN厚层上进行外延生长时，外延生长表面是C-面使得外延膜的厚 度沿着c-轴增长。
同时，当GaN衬底的厚度方向是c-轴方向时，垂直于c-轴的一个 表面是Ga-极性表面，另一表面是N-极性表面。Ga-极性是平行于c-轴 彼此连接的Ga原子和氮原子之间的Ga原子到氮原子的向量的方向。 而氮-极性是平行于c-轴彼此连接的氮原子和Ga原子之间的氮原子到 Ga原子的向量的方向。相应地，Ga-极性表面定义为其指向外部的垂直 向量等同于Ga-极性的表面。而氮-极性表面定义为其指向外部的垂直向 量等同于氮-极性的表面。
当在前述异质衬底上外延生长GaN使得C-面为生长表面时，外延 膜的最上层表现为Ga-极性表面。当采用C-面GaN衬底并且在Ga-极
性表面上外延生长GaN时，外延膜的最上层表现为Ga-极性表面。然 而，本领域技术人员知道当在GaN衬底的N-极性表面上通过MOVPE (例如，金属氧化物气相外延)或卣化物VPE (即，卣化物气相外延) 进行外延生长时，不能形成具有高结晶度的外延膜。
在第III族氮化物基化合物半导体层的厚度方向是c-轴方向并且堆叠 多个这样的半导体层的情况下，两层之间的界面表现为C-面。在这种情况 下，已知在HEMT或具有MQW (多量子阱)发光层的发光器件中产生 如下问题。
在具有在InAlGaN层和n-型GaN层之间提供的二维电子气体层的 HEMT中，当InAlGaN层的极化大于GaN的极化并且每个层间界面表 现为C-面时，电子倾向于积累在异质界面中。因此，在这种情况下， 可能无法获得期望的器件特性。例如，无法获得常关型器件 (normally-off )。
当第III族氮化物基化合物半导体形成在具有R-面((1-102)面)作 为主面的蓝宝石衬底上，4吏得半导体的A-面((11-20)面)即非极性面作 为生长表面时，则不形成垂直于异质界面的极化场。在这种情况下，通常， 可以制造常关型晶体管，并且电子运动不受极化场的影响，这在高速操作 中是有利的。
关于发光器件，已经提出所谓的II型量子阱有源层，其为MQW发 光层(有源层)，该层中电子被量子化并且限定在一个层中，而空穴在 另一个层中。当在非极性表面诸如非极性A-面((11-20)面)上提供II 型量子阱有源层时，有源层不受极化的影响，从而实现高的发光效率。
因此，近来已经商业化了 A-面GaN衬底或M-面GaN衬底，并且 其中在这样的GaN衬底上提供厚度方向为a-轴或m-轴(即，非极性轴) 的第III族氮化物基化合物半导体层的器件已经引起兴趣。
日本专利申请公开(kokai) No. 2007-43164公开了在n-型GaN衬 底的N-极性表面上难以形成电极，该表面与其上已经提供器件的Ga-极性表面相反。

发明内容
与在Ga极性C-面上形成的情形相比，即使在第III族氮化物基化合 物半导体的非极性A-面或M-面上形成电极例如Ti/Al双层电极，也不易 形成欧姆电极。实际上，通it^ 500~600 。C下加热可在Ga-极性C-面上 形成Ti/Al欧姆电极，然而在A-面或M-面上形成Ti/Al欧姆电极需要在 700 ~卯0 'C下加热。当对器件施加这样高的温度时，可能损害器件的特性。
鉴于前述，本发明的一个目的是通过在相对低的温度下加热，在具 有作为GaN衬底的非极性A-面或M-面、作为GaN衬底的N-极性C-面或除了 Ga-极性C-面之外的面的主面的n-型区域中形成负电极。
因此，在本发明的第一方面中，提供通过外延生长第III族氮化物基 化合物半导体制造的并具有提供有负电极的n-型区域的第III族氮化物基 化合物半导体器件；其中所述n-型区域由通过外延生长形成的n-型第III 族氮化物基化合物半导体层的表面限定，并具有一个或更多个不平行于c-轴并且在表现除了第III族元素极性C-面以外的主面的所W面上通过蚀 刻形成的表面。
在本发明的第二方面中，提供通过外延生长第III族氮化物基化合物 半导体制造的并具有提供有负电极的n-型区域的第III族氮化物基化合物 半导体器件；其中所述n-型区域由n-型第III族氮化物基化合物半导体的 表面限定，所^面表现为A-面或M-面作为其主面，并且提供有不平行 于c-轴且通过蚀刻形成的表面。
如本文所用的，术语"第III族元素极性"在GaN的情况下指的是Ga-极性。在混合的晶体或其它半导体的情况下，第III族元素原子存在于 层的表面并且每个均结合存在于该层或衬底中的三个氮原子。根据第一 方面，当n-型区域由通过外延生长形成的第III族氮化物基化合物半导 体膜的表面限定时，n-型区域的面表现为除了第III族元素极性C-面之外 的面。表述"除了第III族元素极性C-面之外的面"指的是N-极性C-面或 除了C-面之外的面。在该面中，通过蚀刻形成不平行于c-轴的其它表面。 表述"不平行于c-轴的表面"指的是例如表现为除了 A-面或M-面之外的面 的表面。最优选地，暴露出垂直于c-轴的表面即表现为C-面的表面。根据 第二方面，当n-型区域由第III族氮化物基化合物半导体衬底的主面限定
时，该主面表现为A-面或M-面。在A-面或M-面中，通过蚀刻形成不平 行于c-轴的其它表面。
平行于c-轴的表面是例如表现为A-面或M-面的表面。因此，在本发 明中，不平行于c-轴的表面表示表现为C-面或相对于外延生长表面倾斜的 倾斜表面。倾斜表面由指数(aia2a3c)表示，其中c不为0。最优选的表 面是C(0001 )表面。当表面是除表现为C-面的表面之外的表面时，优 选具有较大"c"值的表面。表面的法线和c-轴之间的角理想为0°，优选 45°或更小，更优选30。或更小，仍更优选15。或更小。当该角落入上述 范围中时，暴露的表面主要为Ga-极性。换言之，本发明的要旨在于负 电极不直接形成在A (11-20)面或M (1-100)面上，而是通过预先蚀 刻来提供表现C-面的表面或至少不表现A-面或M-面的表面形成所述负 电极。当在倾斜的表面诸如(11-22)表面或(11-24)表面，即，根据 本发明的"半极表面"上形成负电极时，通过蚀刻形成具有更类似于C-面的特性的表面。例如，虽然C-面具有高的抗蚀刻性，但是通过与C-面具有小的离角(off angle)的外延膜的弱蚀刻可暴露C-面。
本发明的第三方面涉及根据第一方面的器件的具体实施方案，其中 提供有负电极的n-型区域由表现A-面作为其主面的半导体层的表面限 定，并且通过蚀刻形成的至少第III族元素极性C-面区域暴露于负电极， 即与负电极相接触。
本发明的第四方面涉及根据第二方面的器件的具体实施方案，其中 通过蚀刻形成的至少第III族元素极性C-面区域暴露于负电极，即与负 电极接触，该负电极形成在n-型第III族氮化物基化合物半导体衬底的表 面上，所^J^面表现A-面或M-面作为其主面。
本发明的第五方面涉及根据第一或第三方面的器件的具体实施方 案，其中在具有R-面作为其主面的蓝宝石衬底上外延生长第III族氮化物
基化合物半导体。在蓝宝石衬底的R-面中生长的第III族氮化物基化合物 半导体具有A-面生长表面，a-轴为生长轴。
本发明的第六方面涉及根据前述方面的器件的具体实施方案，其中 通过气相沉积依次形成含有至少钛(Ti)或钒(V)的第一金属层和含 有至少铝(Al)的第二金属层提供负电极。
在除了表现第III族元素极性C-面的表面以外的第III族氮化物基化
合物半导体的表面上提供的负电极难以形成为欧姆电极。因此，在除了表
现第III族元素极性C-面的表面以外的第III族氮化物基化合物半导体的
表面上形成负电极时，形成具有更类似于c-面的特性的表面。结果，暴露
的表面显示出第III族元素极性，从而通it^相对低温下加热，负电极可 用作欧姆电极。
当负电极在A-面或M-面上形成时本技术是尤其有利的，所述A-面或 M-面是平行于第III族氮化物基化合物半导体的c-轴的表面。由于外延膜 的晶体取向可由生长衬底的晶体取向确定，所以可通过蚀刻容易地形成每 个均具有C-面侧壁的条紋图案化的微沟或类似结构。每个微沟具有相对面 对的侧壁，侧壁之一为N-极性表面而另一个为Ga-极性表面。因此，虽然 暴露N-极性侧表面，即与负电极接触，但是另 一暴露的Ga-极性侧表面， 即与负电极接触的表面表现出本发明的效果。通it^相对低温下加热，与 Ga-极性C-面接触的负电极部分可容易地提供欧姆电极。
当在除了表现A-面或M-面的面之外的第III族氮化物基化合物半导体 的表面例如N-极性C-面上形成负电极时，本发明也是有利的。根据本发 明，通过蚀刻暴露出与未蚀刻表面相比可更容易在其上形成欧姆电极的表 面。在这种情况下，暴露的表面优选具有更类似于Ga-极性C面的那些特 性。
当负电极由Ti/Al双层或由包括含Ti层和含Al层的金属多层形成时， 本发明也是尤其有利的。例如，当上述负电极在n-GaN的Ga-极性C-面 上形成时，Ti通过替代n-GaN表面处存在的Ga原子形成TiN薄膜。认为 由此形成的TiN薄膜提高了欧姆性能。如果负电极形成在除了表现Ga-极 性C面的表面之外的表面上，则难以用Ti替代Ga，或者TiN薄膜没有完 全覆盖整个表面。基于这样的原因，无法提高欧姆性能。因此，通过蚀刻 暴露Ga-极性C面或通过蚀刻形成表现出较高Ga-极性的表面，由包括含 Ti层和含Al层的金属多层形成的负电M示出提高的欧姆性能。该技术 也可适用于除了 n-GaN之外的混合晶体。
而且，该技术也可适用于由V/A1双层或由包括含V层和含Al层的金 属多层形成负电极。


由于在结合附图考虑时通过参考优选实施方案的以下详细描述，本 发明的各种其它的目的、特征和许多附带优势变得更易于理解，所以将
会容易地获悉本发明的各种其它的目的、特征和许多附带优势，附图中
图1是根据本发明一个实施方案的第III族氮化物基化合物半导体发 光器件100的横截面图2是根据本发明另一个实施方案的第III族氮化物基化合物半导体 发光器件200的横截面图3是根据本发明又另一个实施方案的第m族氮化物基化合物半导
体发光器件300的横截面图；和
图4是根据本发明的还另一个实施方案的第III族氮化物基化合物半 导体发光器件400的横截面图。
具体实施例方式
本发明的特性特征在于当在除了表现第III族元素极性C-面的表面 之外的表面上形成负电极时，通过蚀刻暴露表现出更高Ga-极性的表面， 最优选表现C-面的表面。对于适用于本发明的半导体器件的结构和特性没 有特定的限制，只要保持上述特征特性即可。
通过在除了表现第III族元素极性C-面的表面之外的表面中的蚀刻形 成C-面并不总是困难的。当外延生长表面表现为A-面或M-面时，第III 族氮化物基化合物半导体层的C-面取向可由所用衬底的取向面确定。例 如，当形成条状掩模时，使得条的纵向调整为平行于第III族氮化物基化 合物半导体层的C-面，即垂直于c-轴。然后，通过干蚀刻形成微沟使得它
们垂直于作为生长表面的A-面或M-面并且平行于C-面。虽然侧壁的一个 是N-极性表面，另一个是Ga-极性表面，但是每个微沟的两个侧壁表现出 第III族氮化物基化合物半导体层的C-面。因此，通过调节Ga-极性表面， 可提高电极和半导体之间的欧姆接触。
实施方案1
图1是根据本发明一个实施方案的第III族氮化物基化合物半导体发
光器件100的横截面图。第III族氮化物基化合物半导体发光器件100具 有通过在R-面蓝宝石衬底10上外延生长而堆叠的以下第III族氮化物基化 合物半导体层。每层的厚度方向与a-轴方向一致。具体地，在R-面蓝宝石 衬底10上提供由氮化铝(A1N)形成的緩冲层(未示出，厚度约15 nm )， 并且在緩冲层上形成由硅(Si)掺杂的GaN制成的n-接触层11 (厚度 约4nm)。在n-接触层ll上，由堆叠结构形成用于改善静电击穿电压的层 110，该堆叠结构包括未掺杂的GaN层(厚度300 nm)和硅(Si)掺杂 的GaN层(厚度30 nm)。在用于改善静电击穿电压的层110上形成由 多层结构制成的n-覆盖层12 (厚度约74nm)，该多层结构具有十个堆 叠的未掺杂的In(uGa。,9N层、未掺杂的GaN层和硅(Si)掺杂的GaN层 的组。
在n-覆盖层12上提供由交替堆叠的七个阱In。.25GaQ.75N层(厚度约 3nm)和GaN势垒层(厚度3nm)的组合制成的多量子阱(MQW)发 光层13。在发光层13上形成由包括p-Alo.3Ga。.7N层和p-In,Gao.92N层的 多层结构制成的p-覆盖层14 (厚度约33 nm )。在p-覆盖层14上提供由 包括具有不同镁浓度的两个p-GaN层的堆叠结构制成的p-接触层15 (厚 度约80腿)。
在p-接触层15上形成由氧化铟锡(ITO)制成的光学透明电极20， 并且在n-接触层ll的暴露表面上形成负电极30。负电极30由钛(Ti)层 (厚度约20nm)和铝(Al)层(厚度约2nm)形成。在光学透明电 极20上形成由金(Au)合金制成的电极垫25。
n-接触层11的暴露表面设置有通过蚀刻得到的条紋图案化的微沟。每 个条紋图案化的微沟lis均具有侧壁，该侧壁表现n-接触层11的C-面。 将每个微沟的宽度和沟间距调整为0.2 nm,并且将每个沟的深度调整为1 jim。在已经形成负电极30的整个区域上形成条紋图案化的微沟。应说明 微沟宽度、沟间距和沟深度可各自调整为期望值。通过由此提供的微沟， 具有Ti/Al堆叠结构的负电极30表现出与在n-接触层11中形成的C-面侧 壁lis的优异的欧姆接触。用Ga-极性C-面侧壁可尤其容易地得到该欧姆 接触。为了形成欧姆负电极，在400 600。C下对负电极30进行退火。例 如，在约500。C下加热足以实现退火。200810134757.4
说明书第8/10页
实施方案2
图2是根据本发明的另一实施方案的第III族氮化物基化合物半导体 发光器件200的横截面图。第III族氮化物基化合物半导体发光器件200 具有通it^ A-面n-GaN衬底120上外延生长而堆叠的以下第III族氮化物 基化合物半导体层。每层的厚度方向与a-轴方向一致。具体地，在A-面 n-GaN村底120上形成由硅(Si)掺杂的GaN制成的n-接触层11 (厚度 约4nm)。在n-接触层ll上，由堆叠结构形成用于改善静电击穿电压的层 110,该堆叠结构包括未掺杂的GaN层(厚度300 nm)和硅(Si)掺杂 的GaN层(厚度30 nm)。在用于改善静电击穿电压的层110上形成由 多层结构制成的n-覆盖层12 (厚度约74nm)，该多层结构具有十个堆 叠的未掺杂In(uGa。,9N层、未掺杂GaN层和硅(Si)掺杂GaN层的组。
在n-覆盖层12上提供由七个交替堆叠的阱In^Ga^N层(厚度约 3 nm)和GaN势垒层(厚度3 nm)的组合制成的多量子阱(MQW)发 光层13。在发光层13上形成由包括p-型Al(uGa。.7N层和p-In^Ga^N层 的多层结构制成的p-覆盖层14 (厚度约33 nm )。在p-覆盖层14上提供 由包括具有不同镁浓度的两个p-GaN层的堆叠结构制成的p-接触层15(厚 度约80nm)。
在p-接触层15上形成由氧化铟锡(ITO)制成的光学透明电极20， 并且在n-GaN衬底120的背表面上形成负电极30。负电极30由钬(Ti) 层(厚度约20nm)和铝(Al)层(厚度约2nm)形成。在光学透明 电极20上形成由金(Au) ^Jr制成的电极垫25。
n-GaN衬底120的背表面提供有通过蚀刻得到的条紋图案化的微沟。 每个条紋图案化的微沟120s均具有侧壁，该侧壁表现n-GaN衬底120的 C-面。将每个微沟的宽度和沟间距调整为2nm，并且将每个沟的深度调整 为5nm。在已经形成负电极30的整个区域上形成条紋图案化的微沟。应 说明微沟宽度、沟间距和沟深度可各自调整为期望值。通过由此提供的 微沟，具有Ti/Al堆叠结构的负电极30表现出与在n-GaN衬底120中形 成的C-面侧壁120s的优异的欧姆接触。用Ga-极性C-面侧壁可尤其容易 地得到该欧姆接触。为了形成欧姆负电极，在400 600。C下对负电极30 进行退火。例如，在约500'C下加热足以实现退火。
实施方案2的改变
在图2所示的第III族氮化物基化合物半导体发光器件200中，当A-面n-GaN衬底120变为M-面n-GaN衬底时，每层的厚度方向与m-轴一 致。通过蚀刻，M-面n-GaN衬底的背表面提供有条紋图案化的微沟，每 个微沟均具有侧壁，该侧壁表现C-面。在这种情况下，可在约500。C下对 负电极进行退火。
实施方案3
图3是根据本发明另 一个实施方案的第III族氮化物基化合物半导体 发光器件300的横截面图。除了采用C-面n-GaN衬底121代替A-面n-GaN 衬底120之外，图3所示的第III族氮化物基化合物半导体发光器件300 具有和图2所示的第III族氮化物基化合物半导体发光器件200相同的结 构。在这种情况下，外延生长表面为Ga-极性表面，并且形成负电极的其 它表面为N-极性表面。在该结构中，优选以倾斜表面121s的形式形成表 面凹凸，而不是提供垂直于N-极性C-面的表面。在图3中，倾斜角调节 为450。
倾斜表面可具有单一倾斜角度或可具有不同的值。在实施方案3中， 不应该暴露出表现A-面或M-面的倾斜表面。可对衬底的整个背表面进行 加工以提供具有例如45。或组0。的离角的单一倾斜的表面，而不是形成凹 凸即倾斜的表面121s。
实施方案3的改变
在图3所示的第III族氮化物基化合物半导体发光器件300中，可使 用A-面或M-面n-GaN衬底代替C-面n-GaN衬底121。在该改变中，不 应该暴露出表现A-面或M-面的倾斜表面。可对衬底的整个背表面进行加 工以提供具有例如45。或《10。的离角的单一倾斜表面，而不是形成凹凸即 倾斜的表面121s。
实施方案4
图4是根据本发明另 一个实施方案的第III族氮化物基化合物半导体 发光器件400的横截面图。除了提供倾斜表面lls，而不是n-接触层11的凹
凸之外，图4所示的第III族氮化物基化合物半导体发光器件400具有与 图1所示的第III族氮化物基化合物半导体发光器件100相同的结构。在 图4中，倾斜角调整为45。。
倾斜表面可具有单一的倾斜角度或可具有不同的值。在实施方案4中， 不应该暴露出表现A-面或M-面的倾斜表面。可对衬底的整个背表面进行 加工以提供具有例如45。或《10。的离角的单一倾斜表面，而不是形成凹凸 即倾斜表面lls，。
实施方案4的改变
在图4所示的第III族氮化物差^化合物半导体发光器件400中，当釆 用异质衬底而不是R-面蓝宝石衬底时，根据衬底的主面的类型，第III族 氮化物基化合物半导体的外延生长发生在不是c-轴或a-轴方向的方向上。 在这种情况下，形成负电极的区域提供有作为更类似于C-面的那些特性的 表面的凹凸。优选地，在某些情况下，形成C-面状表面作为倾斜表面而不 是平行于外延生长方向的表面。该倾斜表面可具有单一倾斜角度或不同的 值。在本改变中，不应该暴露出表现A-面或M-面的倾斜表面。
权利要求
1.一种第III族氮化物基化合物半导体器件，其通过外延生长第III族氮化物基化合物半导体制造并具有提供有负电极的n-型区域；其中所述n-型区域由通过外延生长形成的n-型第III族氮化物基化合物半导体层的表面限定，并且具有一个或更多个不平行于c-轴的且在表现除了第III族元素极性C-面以外的主面的所述表面上通过蚀刻形成的表面。
2. —种第III族氮化物基化合物半导体器件，其通过外延生长第III族 氮化物基化合物半导体制造并具有提供有负电极的n-型区域；其中所述n-型区域由n-型第III族氮化物基化合物半导体衬底的表面 限定，所i^面表现A-面或M-面作为其主面，并且提供有不平行于c-轴并且通过蚀刻形成的表面。
3. 根据权利要求1所述的第III族氮化物基化合物半导体器件，其中所 述提供具有负电极的n-型区域由表现A-面作为其主面的所述半导体层的 表面限定，并且通过蚀刻形成的至少第III族元素极性C-面区域暴露于所 述负电极。
4. 根据权利要求2所述的第III族氮化物基化合物半导体器件，其中通 过蚀刻形成的至少第III族元素极性C-面区域暴露于所述负电极，所述负 电极形成在所述n-型第III族氮化物基化合物半导体衬底的表面上，所述 表面表现A-面或M-面作为其主面。
5. 根据权利要求1所述的第III族氮化物基化合物半导体器件，其中所 述第III族氮化物基化合物半导体外延生长在具有R-面作为其主面的蓝宝 石衬底上。
6. 根据权利要求3所述的第III族氮化物基化合物半导体器件，其中所 述第III族氮化物基化合物半导体外延生长在具有R-面作为其主面的蓝宝 石衬底上。
7. 根据权利要求1所述的第III族氮化物基化合物半导体器件，其中通 过气相沉积依次形成含有至少钛(Ti)或钒(V)的笫一金属层和含有 至少铝(Al)的第二金属层来提供所述负电极。
8. 根据权利要求2所述的第III族氮化物基化合物半导体器件，其中通 过气相沉积依次形成含有至少钛(Ti)或钒(V)的第一金属层和含有 至少铝(Al)的第二金属层来提供所述负电极。
9. 根据权利要求3所述的第III族氮化物基化合物半导体器件，其中通 过气相沉积依次形成含有至少钛(Ti)或钒(V)的第一金属层和含有 至少铝(Al)的第二金属层来提供所述负电极。
10. 根据权利要求4所述的第III族氮化物基化合物半导体器件，其中通 过气相沉积依次形成含有至少钛(Ti)或钒(V)的第一金属层和含有 至少铝(Al)的第二金属层来提供所述负电极。
11. 根据权利要求5所述的第III族氮化物基化合物半导体器件，其中通 过气相沉积依次形成含有至少钛(Ti)或钒(V)的第一金属层和含有 至少铝(Al)的第二金属层来提供所述负电极。
全文摘要
一种第III族氮化物基化合物半导体器件，其中在除了Ga-极性C-面的表面上形成负电极。在第III族氮化物基化合物半导体发光器件中，在R-面蓝宝石衬底上形成n-接触层、用于改善静电击穿电压的层、由具有十个堆叠的未掺杂In_0.1Ga_0.9N层、未掺杂GaN层以及硅(Si)掺杂GaN层的组的多层结构制成的n-覆盖层、由交替堆叠的In_0.25Ga_0.75N阱层和GaN势垒层的组合制成的多量子阱(MQW)发光层、由包括p-型Al_0.3Ga_0.7N层和p-In_0.08Ga_0.92N层的多层结构制成的p-覆盖层、和由包括具有不同镁浓度的两个p-GaN层的堆叠结构制成的p-接触层(厚度约80nm)。通过蚀刻，为具有沿c-轴的厚度方向的n-接触层提供条纹图案化微沟，每个微沟具有表现C-面的侧壁，由此在负电极和每个C-面侧壁之间建立欧姆接触。
文档编号H01L33/38GK101355131SQ20081013475
公开日2009年1月28日 申请日期2008年7月25日 优先权日2007年7月27日
发明者斋藤义树, 牛田泰久 申请人:丰田合成株式会社