基板处理装置及其所使用的基板支撑构件的制作方法

专利名称：基板处理装置及其所使用的基板支撑构件的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于对基板的主面实施使用了蚀刻液的蚀刻处理的基板处理 装置及其所使用的基板支撑构件。成为蚀刻处理对象的基板包括例如半导体
晶片、液晶显示装置用玻璃基板、等离子显示器用玻璃基板、FED (Field Emission Display:场发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁 盘用基板和光掩模用基板等。
背景技术：
在半导体器件的制造工序中，对半导体晶片(以下，仅称为"晶片")
进行使用了处理液的液处理。这种液处理的一种是向晶片的主面供给蚀刻液 而进行的蚀刻处理。这里所说的蚀刻处理除了包括用于在晶片的主面(晶片 本身或者在晶片上形成的薄膜)上形成图形的蚀刻处理外，还包括利用蚀刻 作用除去晶片主面的异物的清洗处理。
在用于利用处理液对晶片的主面实施处理的基板处理装置中，存在对多 个晶片统一实施处理的批量式的基板处理装置和对晶片一个一个地处理的单 张式的基板处理装置。单张式的基板处理装置例如具有旋转卡盘， 一边将
晶片保持为近似水平姿势一边使其旋转；处理液喷嘴，向该旋转卡盘所保持 的晶片的主面供给处理液；喷嘴移动机构，使该处理液喷嘴在晶片上移动。
例如，在要对晶片上形成有器件的器件形成面实施蚀刻处理时，使器件 形成面朝上将晶片保持在旋转卡盘上。然后，从处理液喷嘴向通过旋转卡盘 旋转的晶片的上表面喷出蚀刻液，并且通过喷嘴移动机构移动处理液喷嘴。 随着处理液喷嘴的移动，蚀刻液在晶片的上表面上的着落位置移动。通过使 该着落位置在晶片的上表面的旋转中心和周边区域之间扫描，从而能够使蚀 刻液遍布在晶片上表面的整个区域(例如，参照日本特开2007-88381号公报)。
但是，供给到晶片的上表面的中央部的蚀刻液受到由晶片旋转产生的离 心力的作用，向晶片的上表面的旋转半径方向的外方移动。因此，向除了提 供有来自处理液喷嘴的蚀刻液之外还提供有从上表面的中央部移动来的蚀刻液的晶片的上表面的周边区域，供给过量的蚀刻液。因此，晶片的上表面的 周边区域的蚀刻速率比中央部高，在晶片的上表面内出现处理不匀的情况。 本申请的发明人研究了利用使用了单张式的基板处理装置的蚀刻处理使
晶片薄型化(减薄(Thinning))的处理。更具体地说，将晶片的背面(未 形成有器件的非器件形成面)朝向上方，并且，将蚀刻能力高的硝氟酸作为 蚀刻液供给到晶片背面(上表面)。利用硝氟酸蚀刻除去晶片背面表层部的 晶片材料，由此将晶片薄型化。
本申请的发明人发现，蚀刻处理时的晶片的转速越高，晶片上表面的周 边区域和中央部之间的蚀刻速率之差变得越大。并且，发明人发现，若使晶 片以规定的低转速(40 60rpm)旋转，则周边区域和中央部之间的蚀刻速率 之差变小，蚀刻处理的面内均匀性变得比较良好。
但是，若以这种低转速使晶片旋转，则作用于晶片上表面上的蚀刻液的 离心力变小，移动到晶片的周边区域的蚀刻液难以从晶片上表面的周边区域 排除到晶片的侧方。因此，在该晶片上表面的周边区域上滞留蚀刻液，在该 区域形成蚀刻液厚的液膜(积液)。该厚的液膜高比率含有失活的蚀刻液， 不仅蚀刻能力低，而且从晶片的周边区域吸热，使晶片上表面的周边区域温 度下降。其结果是，存在蚀刻速率在晶片上表面的周边区域下降的问题。因 此，需要在晶片的周边区域也提高蚀刻速率，并进一步提高蚀刻处理的面内 均匀性。
特别是存在如下问题在对硅晶片等对蚀刻液的疏液性高的晶片实施蚀 刻处理的情况下，在晶片上表面的周边区域上形成的液膜(积液)的膜厚变 大，蚀刻速率在晶片上表面的周边区域的下降变得显著。

发明内容
本发明的目的是提供一种能够防止或抑制蚀刻液滞留在基板主面上，并 对基板主面实施均匀性良好的蚀刻处理的基板处理装置。
本发明的另一个目的是提供能够防止或抑制蚀刻液滞留在基板主面上， 由此，能够进行均匀性高的蚀刻处理的基板支撑构件。
本发明的基板处理装置包括基板保持机构，其具有延长面，所述延长 面形成为包围用于支撑基板的支撑部以及该支撑部所支撑的基板的一主面的侧方，并与该主面相连；旋转机构，使所述基板保持机构旋转；蚀刻液供给 机构，向所述基板保持机构所保持的基板的所述主面上供给蚀刻液。
"基板的主面和基板保持机构的延长面相连"是指，以基板主面上的蚀 刻液和延长面上的蚀刻液形成连续的液膜的方式进行接近配置的状态。
根据该结构，向基板的主面供给的蚀刻液在基板的主面上和基板保持机 构的延长面上扩展，在基板的主面上和基板保持机构的延长面上形成液膜。 此时，由于基板主面和基板保持机构的延长面相连，所以基板主面上的蚀刻 液和基板保持机构的延长面上的蚀刻液作为液膜连续。因此，在主面上的周 边区域，蚀刻液不停止而顺利地向基板保持机构的延长面上移动。这样一来， 在基板的整个区域形成比较薄且厚度几乎均匀的蚀刻液的液膜。由此，能够 防止或抑制蚀刻液滞留在基板主面上的周边区域，能够抑制或防止蚀刻速率 在周边区域下降，因此能够以良好的面内均匀性对基板的主面实施蚀刻处理。
优选所述延长面是对蚀刻液的亲液性比所述支撑部所支撑的所述主面更 高的表面。此时，能够进一步高效地促进基板主面上的蚀刻液向基板支撑构 件的延长面上的移动。因此，能够使供给到基板主面上的蚀刻液顺利地向基 板支撑构件的延长面上移动。其结果，在基板主面上形成的蚀刻液的液膜更 薄且厚度更均匀。因此，能够以更良好的面内均匀性进行蚀刻处理。
所述基板保持机构具有基板支撑构件和用于支撑所述基板支撑构件的基 座构件，所述支撑部和所述延长面设置在所述基板支撑构件上，所述旋转机 构包括使所述基座构件与所述基板支撑构件一起旋转的基座构件旋转机构。
根据该结构，供给到基板的主面的蚀刻液在基板的主面上以及基板支撑 构件的延长面上扩展，在基板的主面上以及基板支撑构件的延长面上形成连 续的液膜。由此，能够在支撑部所保持的基板的主面的整个区域形成比较薄 且厚度几乎均匀的蚀刻液的液膜。因此，能够以良好的面内均匀性对基板的 主面实施蚀刻处理。
另外，所述基板保持机构具有基座构件，所述基座构件具有所述支撑部 和所述延长面，所述旋转机构包括使所述基座构件旋转的基座构件旋转机构。 根据该结构，供给到基板的主面的蚀刻液在基板的主面上以及基座构件的延 长面上扩展，在基板的主面上以及基座构件的延长面上形成连续的液膜。由 此，能够在支撑部所保持的基板的主面的整个区域形成比较薄且厚度几乎均匀的蚀刻液的液膜。因此，能够以良好的面内均匀性对基板的主面实施蚀刻 处理。
优选所述支撑部将基板支撑为水平姿势，所述支撑部被设置为所述支撑 部所支撑的基板的所述主面高于所述延长面。
根据该结构，由于基板的主面(处理对象的主面)高于延长面，所以不 会阻碍蚀刻液从基板的主面向基板保持机构的延长面上的移动。因此，能够 使供给到基板的主面上的蚀刻液顺利地向基板保持机构的延长面上移动。
优选所述支撑部被设置为对所述支撑部所支撑的基板实施使用了蚀刻液 的处理之后的基板的所述主面高于所述延长面。此时，即使基板主面的高度 因蚀刻变低，直到蚀刻处理结束为止，也能够维持基板主面高于延长面的状 态。因此，经过蚀刻处理的整个期间，能够使供给到基板的主面上的蚀刻液 顺利地向基板保持机构的延长面上移动。
所述支撑部将基板保持为水平姿势，所述基板保持机构还可以包括锥面， 所述锥面与所述延长面中的基板的旋转半径方向的外方相连，并且，越向基 板的旋转半径方向的外方变得越低。
根据该结构，锥面与延长面的基板的旋转半径方向的外方相连。由于锥 面上的蚀刻液受重力作用，所以延长面上的蚀刻液的流速比较高。因此，促 进蚀刻液从基板的上表面向基板保持机构的延长面移动。其结果是，在基板 的主面上形成的蚀刻液的液膜变薄。由此，能够更加有效地防止或抑制蚀刻 液滞留在基板主面。
优选所述蚀刻液供给机构一边扫描通过所述旋转机构旋转的基板的所述 主面上的整个区域扫描， 一边供给蚀刻液。由此，能够向基板主面上的整个 区域直接供给蚀刻液。因此，在作为蚀刻液使用如硝氟酸等一发挥蚀刻能力 就立刻失活那样的液体时，也能够使基板主面的整个区域上的蚀刻速率变均 匀。
在该情况下，优选所述蚀刻液供给机构不仅在通过所述旋转机构旋转的 基板的主面上扫描，而且扫描到比该基板周端位置更靠基板旋转半径外方的 位置。由此，由于来自蚀刻液供给机构的蚀刻液直接供给到基板主面和延长 面的边界部分，所以易于在基板的主面上和延长面上之间形成连续的液膜。 因此，能够使在基板的主面上形成的蚀刻液的液膜的厚度更均匀化。由此，
7能够使蚀刻处理中的面内均匀性进一步提高。
进而，本发明的基板支撑构件，在使用蚀刻液处理基板的基板处理装置 中使用，用于支撑基板，包括延长面，所述延长面形成为包围用于支撑基板 的支撑部以及该支撑部所支撑的基板的一主面的侧方，并与该主面相连。
根据该结构，供给到基板的主面的蚀刻液在基板的主面上以及基板支撑 构件的延长面上扩展，在基板的主面上以及基板支撑构件的延长面上形成连 续的液膜。由此，能够在支撑部所保持的基板的主面的整个区域形成比较薄 且厚度几乎均匀的蚀刻液的液膜。因此，能够以良好的面内均匀性对基板的 主面实施蚀刻处理。
参照附图，通过下面叙述的实施方式的说明来明确本发明上述的或者进 一步的其他的目的、特征及效果。


图1是示意性地表示本发明第一实施方式的基板处理装置的结构的剖视图。
图2A是表示图1所示的基板处理装置的基板支撑构件的结构的俯视图。
图2B是从图2A的剖面线D-D观察到的剖视图。
图3是表示图1所示的基板处理装置的电气结构的框图。
图4是表示图1所示的基板处理装置中的晶片处理的一个例子的流程图。
图5是用于说明硝氟酸的着落点在晶片上表面和基板支撑构件上表面中
的移动路径的图解俯视图。
图6A是示意性地表示本发明第二实施方式的基板处理装置的结构的剖视图。
图6B是示意性地表示图6A所示的基板处理装置的结构的俯视图。 图7是表示图6A所示的基板处理装置的狭缝喷嘴的结构的立体图。 图8是表示图6A所示的基板处理装置的电气结构的框图。 图9是示意性地表示本发明第三实施方式的基板处理装置的结构的剖视图。
图10是表示图9所示的基板处理装置的电气结构的框图。
图11是表示在图9所示的基板处理装置中的晶片处理的一个例子的流程
8图。
图12是示意性地表示本发明第四实施方式的基板处理装置的结构的剖 视图。
具体实施例方式
图1是示意性地表示本发明的一个实施方式(第一实施方式)的基板处 理装置l的结构的剖视图。
该基板处理装置1是单张式的基板处理装置，用于对例如由硅晶片形成
的圆形的晶片W中的与器件形成区域侧的表面相反一侧的背面(非器件形成
面)实施蚀刻处理，该蚀刻处理是用于使晶片w减薄(薄型化)的处理。在
该实施方式中，作为蚀刻液，使用例如硝氟酸(氢氟酸和硝酸的混合液)。
该基板处理装置1在由隔壁(未图示)划分的处理室2内具有基板支 撑构件(基台(susceptor) ) 3，将晶片W以其背面为上表面保持在大致水 平姿势；旋转卡盘4，对基板支撑构件3进行支撑，使晶片W和基板支持构 件3围绕通过晶片W中心的铅垂轴线旋转；硝氟酸喷嘴5，用于向保持在基 板支持构件3上的晶片W上表面供给硝氟酸，并作为蚀刻液供给机构；DIW (ddonized water:去离子水)喷嘴6，用于向保持在基板支撑构件3上的晶 片W上表面供给DIW。基板支撑构件3和旋转卡盘4构成基板保持机构。
旋转卡盘4具有圆盘状的旋转基座9，固定在旋转轴8的上端，并作 为基座构件，该旋转轴8借助马达等旋转驱动机构(基座构件旋转机构)7 的旋转驱动力围绕铅垂轴线旋转；多个夹持构件IO，大致等间隔地设置在旋 转基座9的周边区域的多个位置上，用于夹持基板支撑构件3，使得晶片W 呈水平姿势。由此，旋转卡盘4在由多个夹持构件10夹持基板支撑构件3 的状态下，借助旋转驱动机构7的旋转驱动力使旋转轴8旋转，从而能够使 该晶片W在保持大致水平姿势的状态下围绕铅垂轴线旋转。
基板支撑构件3形成为直径比旋转基座9小的圆盘形状。在基板支撑构 件3的上表面的中央部，形成有用于容置保持晶片W的圆筒状的容置凹处(支 撑部)13。在基板支撑构件3的上表面形成有包围容置凹处13的圆环状的平 坦的第一圆环面12。
硝氟酸喷嘴5是在例如连续流的状态下喷出硝氟酸的直线喷嘴(straightnozzle)，安装于在旋转卡盘4的上方近似水平延伸的臂14的前端上。该臂 14被在旋转卡盘4的侧方近似铅垂地延伸的臂支撑轴15支撑。在该臂支撑 轴15上结合有喷嘴驱动机构16，借助该喷嘴驱动机构16的驱动力，使臂支 撑轴15旋转，从而能够使臂14摆动。
在硝氟酸喷嘴5上连接有硝氟酸供给管17。向硝氟酸供给管17供给来 自硝氟酸供给源的硝氟酸。在硝氟酸供给管17的中途部安装有硝氟酸阀18， 该硝氟酸阀18用于切换硝氟酸向硝氟酸喷嘴5的供给和停止供给。
DIW喷嘴6是例如以连续流的状态喷出DIW的直线喷嘴，该DIW喷嘴 6配置在旋转卡盘4的上方且其喷出口朝向晶片W的中央部。在该DIW喷 嘴6上连接有DIW供给管19，通过DIW供给管19供给来自DIW供给源的 DIW。在DIW供给管19的中途部安装有DIW阀20，该DIW阀20用于切 换DIW向DIW喷嘴6的供给和停止供给。
图2A是表示基板支撑构件3的结构的俯视图。图2B是从图2A的剖面 线D-D观察到的剖视图。
基板支撑构件3由对硝氟酸具有耐药液性的材料(树脂材料)，例如聚 氯乙烯(polyvinyl chloride)形成。
容置凹处13具有圆形的底面和从该底面的周边沿铅垂方向立起的内周 面。该内周面是具有与晶片W大致相等的直径的圆筒面。在容置凹处13的 底部28的上表面(底面)，沿着底部28的周边配置有圆环状的密封构件29， 该密封构件29作为用于支撑晶片W的支撑部。该密封构件29支撑晶片W 的下表面的周边区域。如图2B所示，密封构件29既可以是具有与晶片W下 表面线接触的唇(lip)的唇形密封圈(lip packing),也可以是与晶片W下 表面面接触的平面密封圈。在采用唇形密封圈作为密封构件29时，使唇形密 封圈的基端部具有充分的刚性，通过限制其变形量，从而能够精度较高地规 定所支撑的晶片W的上表面高度。
基板支撑构件3的第一圆环面12是从容置凹处13的内周面的上端向外 侧扩展的平坦面。该第一圆环面12在基板支撑构件3支撑了晶片W的状态 下，形成为与该晶片W的上表面平行的平坦面。另外，第一圆环面12在基 板支撑构件3保持了晶片W的状态下，设定在如下的高度容置凹处13所 保持的晶片W上表面上的硝氟酸和第一圆环面12上的硝氟酸作为液膜而连续。具体地说，第一圆环面12是比容置凹处13内所保持的晶片W (蚀刻处 理后的晶片W)的上表面还低的水平面。基板支撑构件3的第一圆环面12 的高度如下设定第一圆环面12和蚀刻处理前的晶片W上表面的台阶差S 例如为200^im左右，另夕卜，第一圆环面12和蚀刻处理后的晶片W上表面的 台阶差S例如为40pm左右。这样，第一圆环面12形成在基板支撑构件3保 持了晶片W的状态下与该晶片W上表面相连接的延长面，为了确保晶片W 上表面上的向外侧的液流，提供大致等效于将晶片W上表面假想扩张后的扩 张面的表面。
对基板支撑构件3的第一圆环面12实施用于提高对硝氟酸的亲液性(亲 水性)的(亲液化处理)亲水化处理。作为该亲液化处理，可以是例如喷砂 加工(粗面加工)。通过这种亲液化处理，基板支撑构件3的第一圆环面12 上的对硝氟酸的亲液性高于晶片W上表面(背面)上的对硝氟酸的亲液性。
在基板支撑构件3的第一圆环面12的周边区域以大致等间隔形成有多个 卡合用凹部30。各卡合用凹部30形成为与夹持构件对应，通过使各夹持构 件10与卡合用凹部30卡合，从而实现基板支撑构件3相对旋转卡盘4的固 定。
在容置凹处13的底部28形成有吸引孔31。第一吸引管32的一端连接 在吸引孔31上。在第一吸引管32的中途部安装有止回阀33。止回阀33允 许从吸引孔31被吸引到真空发生装置34侧的空气的通过，并且阻止空气向 反方向的流动。在该第一吸引管32的另一端能够连接有第二吸引管35的一 端。第二吸引管35的另一端连接到作为吸引机构的真空发生装置34。在第 二吸引管35的中途部安装有用于切换第二吸引管35的开关的吸引阀36。
另外，在容置凹处13的底部28形成有解除吸引用的溢流孔37。在溢流 孔37上连接有第一空气供给管38的一端。在第一空气供给管38的中途部安 装有用于开关第一空气供给管38的溢流阀39。在该第一空气供给管38的另 一端能够连接有第二空气供给管40的一端。在第二空气供给管40的另一端 连接有空气供给源，来自该空气供给源的空气通过第二空气供给管40供给至 第一空气供给管38。在第二空气供给管40的中途部上连接有由于开关第二 空气供给管40的开闭阀42。在这些配管和阀中，第一吸引管32、止回阀33、 第一空气供给管38及溢流阀39安装在基板支撑构件3上。
ii在真空发生装置35的运转状态中，在容置凹处13容置有晶片W，并且 若在第一吸引管32的另一端连接有第二吸引管35的一端的状态下， 一边关 闭溢流阀39—边打开吸引阀36,则底部28和晶片W之间的空间41内的空 气被吸引，该空间41变为负压，晶片W的下表面(器件形成面)被吸附保 持。然后，关闭吸引阀36，另外，即使第一吸引管32从第二吸引管35脱离， 通过止回阀33及出于关闭状态的溢流阀39，能够防止空气流入空间41内， 因此维持对晶片W的下表面的吸附保持。在该晶片W的吸附保持状态下， 晶片W下表面的周边区域和密封构件29的上部贴紧，由此，能够防止硝氟 酸进入到晶片W的下表面(器件形成区域)。
另外，若从晶片W吸附保持在基板支撑构件3上的状态，在第一空气供 给管38的另一端连接第二空气供给管49的一端，并且打开溢流阀39和开闭 阀42，则向底部28和晶片W之间的空间41内供给高压空气，从而解除空 间41内的减压状态。由此，解除晶片W的吸附保持，从而能够使晶片W从 基板支撑构件3脱离。
图3是表示基板处理装置1的电气结构的框图。
该基板处理装置1具有包括微型计算机的结构的控制装置50。
在该控制装置50上连接有作为控制对象的旋转驱动机构7、喷嘴驱动机 构16、硝氟酸阀18及DIW阀20等。
图4是表示在基板处理装置1中的晶片处理的一个例子的流程图。图5 是用于说明硝氟酸的着落点P在晶片W上表面和基板支撑构件3的第一圆环 面12上的移动路径的图解俯视图。
在处理晶片W之前，未处理的晶片W被保持在基板支撑构件3上。具 体地说，在基板支撑构件3的容置凹处13中容置了晶片W之后，保持关闭 溢流阀39的状态不变，打开吸引阀36。由此，晶片W的下表面(器件形成 面)被吸附保持。
然后，在处理晶片W时，搬运机械手(未图示)将保持着未处理的晶片 W的基板支撑构件3搬入到处理室2内，然后交接到旋转卡盘4上(步骤1)。 此时，狭缝喷嘴5退避到旋转卡盘4侧方的退避位置。另外，硝氟酸阀18 和DIW阀20都被控制在关闭状态。
在基板支撑构件3交接到旋转卡盘4上后，控制装置50驱动旋转驱动机
12构7，使旋转卡盘4以低转速(例如50rpm)匀速旋转。另外，控制装置50 驱动喷嘴驱动机构16,将硝氟酸喷嘴5引导至晶片W的上方。
在硝氟酸喷嘴5到达晶片W的上方时，控制装置50打开硝氟酸阀18， 从硝氟酸5喷出硝氟酸。另外，控制装置50驱动喷嘴驱动机构16，使硝氟 酸喷嘴5在晶片W上表面的与旋转中心C接近的接近位置Tl (着落的氟硝 酸能够在晶片W上扩展并通过旋转中心C那样确定的位置)的上方位置和基 板支撑构件3的第一圆环面12上的基板外位置T2的上方位置之间往复移动 (往复扫描)(S2:蚀刻处理)。
具体地说，使硝氟酸喷嘴沿着晶片W的旋转半径移动。此时，来自硝氟 酸喷嘴5的硝氟酸在晶片W上表面上的着落点P，在通过晶片W的旋转中 心C的圆弧形状的轨道中的从接近位置Tl至基板外位置T2的范围内， 一边 描画圆弧(近似直线状) 一边以匀速移动。接近位置Tl从旋转中心C仅分 开间隔L1。另外，基板外位置T2从晶片W的旋转中心C仅分开比晶片W 的半径大的间隔L2。在使用外径为200nm的晶片W的情况下，间隔Ll例 如为22.5mm左右，间隔L2例如为108mm左右。
在由于臂14的摆动，硝氟酸的着落点P到达基板支撑构件3上的基板外 位置T2时，控制装置50 —边持续打开硝氟酸阀18的状态， 一边驱动喷嘴驱 动机构16，使臂14以匀速摆动，使硝氟酸喷嘴5返回到晶片W上表面的接 近位置T1的上方。由此，在基板支撑构件3所保持的晶片W的上表面上， 实现硝氟酸的着落点P的往复扫描。硝氟酸的着落点P从晶片W的接近位置 Tl经由基板支撑构件3上的基板外位置T2再次返回到接近位置Tl，需要例 如大约1.5秒。然后，直到经过预定的处理时间，反复进行硝氟酸的着落点P 的往复扫描。此外，在该往复扫描过程中，从硝氟酸喷嘴5喷出的硝氟酸的 喷出流量保持在恒定(例如0.85L/min)。
在蚀刻处理中，供给到晶片W上表面上的硝氟酸受到由晶片W的旋转 产生的离心力的作用，从晶片W上表面移动到基板支撑构件3的第一圆环面 12上。另外，例如，在晶片W为硅晶片的情况下，其背面(上表面)对硝 氟酸的亲液性比较低(疏水性)，相对于此，基板支撑构件3的第一圆环面 12对硝氟酸的亲液性比较高(亲水性)，因此，硝氟酸从晶边W上表面顺 利地向基板支撑构件3的第一圆环面12上移动。因此，供给到晶片W的硝
13氟酸形成从晶片W上表面至基板支撑构件3的第一圆环面12上的连续的液 膜。因此，供给到晶片W上表面的硝氟酸顺利地移动到基板支撑构件3的第 一圆环面12，不会在晶片W的周边区域发生积液。
在蚀刻处理进行规定时间(例如300秒)之后，控制装置50关闭硝氟酸 阀18，并停止从硝氟酸喷嘴5喷出硝氟酸。另外，控制装置50驱动喷嘴驱 动机构16，使硝氟酸喷嘴5退避到旋转卡盘4的侧方的退避位置。
接着，控制装置50控制旋转驱动机构7，将旋转卡盘4的旋转速度加速 到规定的冲洗处理旋转速度(100rpm左右)，并且，打开DIW阀20，从DIW 喷嘴6向旋转状态的晶片W上表面的旋转中心供给DIW(步骤S3)。由此， 冲洗掉晶片W上的硝氟酸，对晶片W实施冲洗处理。该冲洗处理中来自DIW 喷嘴6的DIW的喷出流量例如为2.0L/min。
在该冲洗处理进行规定时间(例如60秒)之后，控制装置50关闭DIW 阀20而使冲洗处理结束。控制装置50进一步控制旋转驱动机构7，将旋转 卡盘4的旋转速度加速到规定的干燥旋转速度(1000 2000rpm左右)。由 此，晶片W上表面的DIW因离心力被甩开，晶片W被旋转干燥(步骤S4)。
在干燥处理进行规定时间(例如30秒)之后，控制装置50控制旋转驱 动机构7，使旋转卡盘4停止旋转。然后，处理完的晶片W与基板保持构件 3—起被搬送机械手搬出处理室(步骤S5)。
然后，将基板支撑构件3的第一空气供给管38连接到第二空气供给管 40上，并打开溢流阀39和开闭阀42，从而解除基板支撑构件3的底部28 和晶片W之间的空间41的减压状态。由此，晶片W的吸附保持被解除，从 而能够使晶片W从基板支撑构件3脱离。当然，即使不将第一空气供给管 38连接到空气供给管40而仅打开溢流阀39，也能够向基板支撑构件3的底 部28和晶片W之间的空间41供给大气中的空气，从而能够解除晶片W的 吸附保持。
接着，针对实施例和比较例进行说明。
进行如下试验向处于旋转状态的外径为200mm的晶片(硅晶片)W的 上表面(背面)，供给来自硝氟酸喷嘴5的硝氟酸，实施用于减薄的蚀刻处 理，其中，该硝氟酸喷嘴5构成为图l示出的扫描喷嘴的形态。
在该蚀刻试验中，使来自硝氟酸喷嘴5的硝氟酸的着落点P沿着上述图5所示的圆弧轨道在接近位置T1和基板外位置T2之间往复扫描，其中，该 接近位置Tl从旋转中心C隔开22.5mm，基板外位置T2相比晶片W的周端 边位于旋转半径方向的外方，从旋转中心C隔开108mm。将硝酸和氢氟酸以 体积比为5: 1的比率混合制成的硝氟酸，以0.85L/min的流量从硝氟酸喷嘴 5喷出到晶片W。蚀刻处理中的硝氟酸喷嘴5的移动速度例如为160mm/sec， 在蚀刻处理时的晶片W的旋转速度为52rpm。蚀刻处理时间为300秒。然后， 求出晶片W的蚀刻速率的面内分布(半径方向位置和蚀刻速率的关系)。另 外，目视观察在晶片W上表面的周边区域有无发生硝氟酸的积液。
在实施例1中，使用图1的基板处理装置1进行蚀刻处理。
在实施例2中，使用如下的基板处理装置进行蚀刻处理，即，该基板处 理装置采用未对第一圆环面12实施喷砂加工(粗面加工)的基板支撑构件， 以取代图1的基板处理装置1的基板支撑构件3。
在比较例中，不使用基板支撑构件3，而以能够保持晶片W的尺寸的旋 转卡盘保持晶片W。
蚀刻试验的结果是，在实施例1中，蚀刻速率的偏差(最大蚀刻速率和 最小蚀刻速率之差)为4pm/min，在实施例2中，蚀刻速率的偏差为6nm/min， 在比较例中，蚀刻速率的偏差为8nm/min。
另外，评价以下式子所表示的蚀刻均匀性。在实施例1中，蚀刻均匀性 为12.6%，在实施例2中，蚀刻均匀性为12.7%，在比较例1中，蚀刻均匀 性为19.4%。
蚀刻均匀性(%)=(最大蚀刻速-=:膨觸
2x平均蚀刻速率
进而，关于在蚀刻处理中的目视观察的结果，在实施例1中，在晶片W 的周边区域的硝氟酸的积液最小。
由此可知，在实施例1和实施例2中，蚀刻处理的面内均匀性良好。其 中，在实施例1中，蚀刻处理的面内均匀性特别优良。
如上所述，根据本实施方式，供给到晶片W的上表面上的硝氟酸在晶片 W上表面上和基板支撑构件3的第一圆环面12上扩展，在晶片W上表面上 和基板支撑构件3的第一圆环面12上形成液膜。此时，晶片W上表面上的 硝氟酸和基板支撑构件3的第一圆环面12上的硝氟酸作为液膜而连续。因此，在晶片W上表面的整个区域形成厚度比较薄且具有大致均匀的硝氟酸的液
膜。因此，即使在使晶片w以低转速旋转的情况下，也能够防止或抑制在晶
片W上表面上的周边区域中发生硝氟酸的积液，并能够使在晶片W上表面
的周边区域上的蚀刻速率与在晶片w上表面的中央部上的蚀刻速率大致相 等。由此，对晶片w的主面实施均匀的蚀刻处理。
图6A是示意性地表示本发明其他实施方式(第二实施方式)的基板处 理装置60的结构的剖视图。图6B是示意性地表示图6A所示的基板处理装 置60的结构的俯视图。在该第二实施方式中，对与第一实施方式所示的各部 对应的部分，标注与第一实施方式相同的附图标记，而省略说明。
在该第二实施方式中，使用将硝氟酸喷出为带状的狭缝喷嘴(蚀刻液供 给机构)61，代替由直线喷嘴构成的硝氟酸喷嘴5。
另外，在该实施方式中，使用在上表面包含锥面71的基板支撑构件70， 代替图2A和图2B所示的基板支撑构件3。即，由基板支撑构件70和旋转 卡盘4构成基板保持机构。
在狭缝喷嘴61上形成有狭缝喷嘴63，狭缝喷嘴63与基板支撑构件70 所保持的晶片W上表面相对，沿着规定的Y方向并直线状地开口。狭缝喷 嘴61由保持导轨(未图示)保持，并能够沿着与Y方向垂直的X方向滑动 移动。X方向和Y方向都是沿晶片W上表面的方向(水平方向)。在狭缝喷 嘴61上结合有狭缝喷嘴驱动机构64。借助该狭缝喷嘴驱动机构64的驱动力， 能够使狭缝喷嘴61沿着X方向滑动移动。在该狭缝喷嘴61上连接有硝氟酸 供给管17，供给来自硝氟酸供给源的硝氟酸。
在基板支撑构件70的上表面形成有圆环状的平坦的第二圆环面(延长 面)72，包围容置凹处13;圆环状的锥面71，与该第二圆环面72的晶片W 的旋转半径方向的外方相连，包围第二圆环面72。对第二圆环面72实施喷 砂加工(粗面加工)等的亲液化处理。锥面71形成为越向晶片W的旋转半 径方向的外方变得越低。可以对锥面71实施亲液化处理(例如喷砂加工)， 也可以不实施该亲液化处理。
对于第二圆环面72，其宽度比第一实施方式的基板支撑构件3的第一圆 环面12更窄，除此之外，与第一圆环面12大致相同。基板支撑构件70的其 他结构是与第一实施方式中的基板支撑构件3大致相同的结构。图7是表示狭缝喷嘴61的结构的立体图。
狭缝喷嘴61具有喷嘴体62，该喷嘴体62具有在Y方向上长的长方体状 的外形。对于喷嘴体62沿X方向的剖面形状，其下方部形成为前尖状。狭 缝喷出口 63形成在喷嘴体62的下端面。将狭缝喷出口 63的长度方向(Y方 向)的长度设定为大于晶片W的直径。狭缝喷出口63的开口宽度例如约为 0.5mm。狭缝喷出口 63沿着Y方向呈带状地喷出硝氟酸。
图8是表示基板处理装置60的电气结构的框图。
基板处理装置60具有包括微型计算机的结构的控制装置65。在该控制 装置65上连接有作为控制对象的旋转驱动机构7、狭缝喷嘴驱动机构64、硝 氟酸阀18和DIW阀20等。
再参照图6A和图6B，对晶片W的处理的一例进行说明。
在处理晶片W之前，未处理的晶片W保持在基板支撑构件70上。
然后，在处理晶片W时，保持着未处理的晶片W的基板支撑构件70由 搬送机械手(未图示)搬入到处理室2内，并交接到旋转卡盘4上。
将基板支撑构件70交接到旋转卡盘4上后，控制装置65驱动旋转驱动 机构7，使旋转卡盘4以极低转速(例如5rpm)匀速旋转。另夕卜，控制装置 65驱动狭缝喷嘴驱动机构64，将狭缝喷嘴61引导至晶片W上方。
在狭缝喷嘴61到达晶片W上方时，控制装置65打开硝氟酸阀18，从 狭缝喷出口 63以在Y方向具有宽度的带状轮廓(profile)喷出硝氟酸。另外， 控制装置65驱动狭缝喷嘴驱动机构64，使狭缝喷嘴61在扫描开始位置(在 图6A的右侧以双点划线表示)和返回位置(在图6A的左侧以双点划线表示) 之间，沿着X方向往复移动(往复扫描)，其中，该扫描开始位置位于基板 支撑构件70的锥面71的上方，该返回位置位于隔着晶片W的旋转中心的与 该扫描开始位置相反一侧，并且，该返回位置位于基板支撑构件70的锥面 71的上方。此外，在该往复移动中，从狭缝喷嘴61喷出的硝氟酸的喷出流 量保持在恒定(例如1.5L/min)。
在使硝氟酸呈带状喷出的狭缝喷嘴61中，与使用直线喷嘴的情况相比 较，向晶片W上表面供给的硝氟酸的流量多。另外，由于晶片W的转速是 极低转速(例如5rpm)，所以由晶片W的旋转产生的离心力几乎不作用于 晶片W上表面上的硝氟酸，因此，硝氟酸容易滞留在晶片W上。
17在晶片W是硅晶片的情况下，其背面(上表面)对硝氟酸的亲液性比较
低(疏水性)，相对于此，基板支撑构件70的第二圆环面72对硝氟酸的亲液性(亲水性)高。因此，硝氟酸从晶片W上表面向基板支撑构件70的第二圆环面72顺利地移动。另外，由于在第二圆环面72中的晶片W旋转半径方向的外方连接着锥面71，所以第二圆环面72上的硝氟酸的流速(向晶片W的旋转半径方向的外方的流速)比较高。因此，更进一步促进硝氟酸从晶片W的上表面上向基板支撑构件70的第二圆环面72移动。其结果是，在晶片W的上表面上形成的硝氟酸的液膜变薄。
在蚀刻处理进行规定时间(例如300秒)后，控制装置65关闭硝氟酸阀18，停止从狭缝喷嘴61喷出硝氟酸。另外，控制装置65驱动狭缝喷嘴驱动机构64，使狭缝喷嘴61退避到旋转卡盘4的侧方的退避位置。
然后，对晶片W实施上述的冲洗处理(参照图4的步骤S3)和上述的旋转干燥处理(参照图4的步骤S4)。在旋转干燥处理后，控制装置65控制旋转驱动机构7，使旋转卡盘4停止旋转。然后，处理完的晶片W与基板支撑构件70 —起被基板搬送机械手从处理室2搬出。
如上所述，根据该第二实施方式，供给到晶片W上表面的硝氟酸在晶片W上表面上以及基板支撑构件70的第二圆环面72上扩展，从而在晶片W上表面和基板支撑构件70的第二圆环面72上形成液膜。此时，晶片W上表面上的硝氟酸和基板支撑构件70的第二圆环面72上的硝氟酸作为液膜而连续。因此，即使在使晶片W以极低转速旋转的情况下，也会促进晶片W上的硝氟酸向基板支撑构件70的第二圆环面72的移动。因此，能够防止或抑制在晶片W上表面的整个区域形成硝氟酸厚的液膜。由此，能够以高的处理速率对晶片W上表面实施面内均匀性高的蚀刻处理。
图9是示意性地表示本发明的又一其他实施方式(第三实施方式)的基板处理装置80的结构的剖视图。在该第三实施方式中，对与第一实施方式所示的各部对应的部分，标注与第一实施方式相同的附图标记，而省略说明。
在该实施方式中，采用基板保持机构81以取代基板支撑构件3和旋转卡盘4。该基板保持机构81 —边保持晶片W —边旋转。
基板保持机构81具有固定在旋转轴8的上端的圆盘状的旋转基座82，该旋转轴8借助旋转驱动机构7的旋转驱动力围绕铅垂轴线旋转。旋转基座82由具有对硝氟酸的耐药液性的材料(特别是树脂材料)，例如聚氯乙烯形成。在旋转基座82上表面的中央部形成有用于容置保持晶片W的圆筒状的容置凹处(支撑部)84。在旋转基座82的上表面上形成有包围容置凹处84的圆环状的平坦的第三圆环面83。
容置凹处84具有圆形的底面和从该底面的周边沿铅垂方向立起的内周面。该内周面是具有与晶片W大致相等的直径的圆筒面。在容置凹处84的底部85的上表面(底面)沿着底部85的周边配置有圆环状的密封构件，该密封构件作为用于支撑晶片W的支撑部。由该密封构件29支撑晶片W的下表面的周边区域。密封构件29既可以是具有与晶片W下表面线接触的唇的唇形密封圈，也可以是与晶片W下表面面接触的平面密封圈。在采用唇形密封圈作为密封构件29时，使唇形密封圈的基端部具有充分的刚性，通过限制其变形量，能够精度较高地规定所支撑的晶片W的上表面高度。
旋转基座82的第三圆环面83是从容置凹处84的内周面的上端向外方扩展的平坦面。该第三圆环面83如下形成在旋转基座82上支撑有晶片W的状态下，呈与该晶片W的上表面平行的平坦面。另外，第三圆环面83设定为如下高度，即，在旋转基座82上支撑有晶片W的状态下，容置凹处84所保持的晶片W上表面上的硝氟酸和第三圆环面83上的硝氟酸能够作为液膜而连续，具体地说，第三圆环面83是低于容置凹处84所保持的晶片W (蚀刻处理后的晶片W)上表面的水平面。旋转基座82的第三圆环面83的高度设定为，第三圆环面83和蚀刻处理前的晶片W上表面的台阶差例如为200pm左右，并且，第三圆环面83和蚀刻处理后的晶片W上表面的台阶差例如为40pm左右。这样，第三圆环面83形成在旋转基座82上保持有晶片W的状态下与该晶片W相连的延长面，为了确保晶片W上表面上的向外方的液流，提供与将晶片W上表面假想扩张后的扩张面大致等效的表面。
在旋转基座82的第三圆环面83上，实施用于提高对硝氟酸的亲液性(亲水性)的亲液化处理(亲水化处理)。该亲液化处理例如可以是喷砂处理(粗面加工)。通过这种亲液化处理，旋转基座83的第三圆环面83上的对硝氟酸的亲液性高于晶片W上表面(背面)上的对硝氟酸的亲液性。
在容置凹处84的底部85上形成有吸引用的吸引孔86。在吸引孔86上连接着吸引管88的一端。吸引管88的另一端连接到作为吸引机构的真空装
19置发生装置87。在吸引管88的中途部安装有用于切换吸引管88的开闭的吸引阀90。
另外，在容置凹处84的底部85形成有用于解除吸引的溢流孔91。在该溢流孔91上连接着第三空气管92的一端。第三空气供给孔92连接到空气供给源。来自该空气供给源的空气通过第三空气供给管92供给到溢流孔91。在第三空气供给源92的中途部安装着用于开闭第三空气供给源92的溢流阀93。
在真空发生装置87的运转状态中，在容置凹处84容置了晶片W的状态下，当关闭溢流阀93并打开吸引阀90时，底部85和晶片W之间的空间94内的空气被吸引，该空间处于负压，从而晶片W的下表面(器件形成面)被吸附保持。在该晶片W的吸附保持状态下，晶片W下表面的周边区域和密封构件29的上部紧贴，由此，能够防止硝氟酸进入到晶片W下表面(器件形成区域)。
此外，从晶片W被吸附保持在旋转基座82的状态打开溢流阀93时，来自空气供给源的空气供给到底部85和晶片W之间的空间94内，从而解除空间94内的减压状态。由此，解除晶片W的吸附保持，从而能够使晶片W从旋转基座82脱离。
图IO是表示基板处理装置80的电气结构的框图。基板处理装置80具有包括微型计算机的结构的控制装置95。在该控制装置95上连接有作为控制对象的旋转驱动机构7、喷嘴驱动机构16、硝氟酸阀18、 DIW阀20、吸引阀90和溢流阀93。
图11是表示基板处理装置80中的晶片W的处理的一个例子的流程图。在处理晶片W时，未处理的晶片W由搬送机械手(未图示)搬入到处理室2内，并交接到基板保持机构81的旋转基座82上(步骤Sll)。此时，硝氟酸喷嘴5退避到基板保持机构81的侧方的退避位置。另外，硝氟酸阀18、 DIW阀20、吸引阀90和溢流阀93均被控制在关闭状态。
在将晶片W交接到旋转基座82上后，控制装置95打开吸引阀90。由此，能够使晶片W吸附保持在旋转基座82上(步骤S12)。
在将晶片W交接到旋转基座82上后，对晶片W实施步骤S13蚀刻处理、步骤S14的冲洗处理和步骤S15的旋转干燥。步骤S13的处理是与图4的步骤S2的蚀刻处理相同的处理，步骤S14的冲洗处理是与图4的步骤S3的冲洗处理相同的处理，步骤S15的旋转干燥是与图4的步骤S4的旋转干燥相同的处理。旋转干燥后，控制装置95控制旋转驱动机构7，使旋转基座82停止旋转。
然后，控制装置95打开溢流阀93，从而解除旋转基座82的底部85和晶片W之间的空间94的减压状态。由此，解除晶片W的吸附保持(步骤S16)，从而能够使晶片W从旋转基座82脱离。
然后，处理完的晶片W被搬送机械手从处理室2搬出(步骤S17)。
图12是示意性地表示本发明又一其他实施方式(第四实施方式)的基板处理装置100的结构的剖视图。在该第四实施方式中，对与第三实施方式所示的各部对应的部分，标注与第三实施方式相同的附图标记，而省略说明。
该第四实施方式与第三实施方式的不同点在于，设置有使基板保持机构81所保持的晶片W升降的基板升降机构101。通过该基板升降机构101，使晶片W在容置于容置凹处84的状态和从容置凹处84脱离到上方的状态之间升降。
基板升降机构101具有用于使晶片W相对于旋转基座82升降的多根(例如4根)升降销(lift pin) 102 (在图12中，仅图示两根升降销)。各升降销102插通到上下贯通旋转基座82而形成的贯通孔103，并以相对旋转基座82能够升降的方式设置。各升降销102的下端固定在圆板状的支撑板104上。在各支撑板104上连接着从旋转基座82的下表面垂下的圆筒状的波纹管
(bellows) 105的下端。
各波纹管105使用对硝氟酸具有耐药液性的树脂(例如聚氯乙烯
(polyvinyl chloride))并形成为伸縮自由，并包围对应的升降销102的周围。在旋转基座82的下表面紧贴连接着各波纹管105的上端，以便包围各贯通孔103的开口的周围。各波纹管105的下端紧贴连接支撑板104的整个周边。由波纹管105和支撑板104所包围的空间106仅通过贯通孔103与外部空间相连通。因此，在容置凹处84容置了晶片W的状态下，空间94和空间106作为整体被密封。
在旋转基座82的下方配置有包围旋转轴8的周围的圆环板状的支撑环107。支撑环107未被支撑在旋转轴8上，而被支撑在其他构件，例如保持处理室2整体的框(未图示)上。因此，支撑环107不伴随着旋转轴8的旋转而旋转。在支撑环107上结合有升降销升降驱动机构108。通过该升降销升降驱动机构108，能够使多根升降销102在突出位置(图12中用双点划线示出的位置)和退避位置(图12中用实线示出的位置)之间统一升降，该突出位置是升降销102的前端突出到旋转基座82的第三圆环面83的上方的位置，该退避位置是升降销102的底部85退避到旋转基座82的第三圆环面83的下方的位置。升降销升降驱动机构108作为控制对象连接到控制装置95 (参照图10)上。
在升降销102处于退避位置的状态下，各升降销102和各支撑板104被对应的波纹管105悬挂。支撑板104的下表面不与支撑环107的上表面抵接，因此，各升降销102仅由旋转基座82支撑。波纹管105受到升降销102和支撑板104的重量的影响，与无拘束状态相比伸长。
在从图12中用实线示出的状态，驱动升降销升降驱动机构108，将支撑环107上升时，支撑环107的上表面与支撑板104的下表面抵接并卡合。在该支撑环107和支撑板104卡合后，各升降销支撑在支撑环107上。然后，在将支撑环107继续上升时，升降销102和支撑板104上升，伴随它们的上升，波纹管105上升。
另一方面，在升降销102处于突出位置的状态下，由于晶片W从容置凹处84脱离到上方，所以搬送机械手(未图示)的手部(未图示)能够以从下方捞起到的方式访问晶片W。
另外，在从图12中用双点划线示出的状态，驱动升降销升降驱动机构108，使支撑环107下降时，升降销102和支撑板104下降，伴随它们的下降，波纹管105伸张。并且，通过将支撑环107继续下降，解除支撑板104和支撑环107的卡合。由此，各升降销102从支撑环107脱离，支撑在波纹管105上。
下面，说明第四实施方式的基板处理装置100中的晶片W的处理的一个例子。
在处理晶片W时，在将未处理晶片W搬入处理室内之前(图11的步骤Sll之前)，控制装置95驱动升降销升降驱动机构108，使升降销102上升到突出位置。然后，未处理的晶片W由未图示的搬送机械手搬入，并装载在
22多根升降销102上。然后，控制装置95驱动升降销升降驱动机构108，使升降销102下降到退避位置。由此，晶片W容置在容置凹处48内。由此，晶片W交接到旋转基座82上(相当于图11的步骤Sll)。
在真空发生装置87的运转状态下，控制装置95关闭溢流阀93并打开吸引阀90时，吸引空间94和空间106内的空气。此时，由于空间94和空间106封闭，所以这些空间94和空间106变为负压。由此，晶片W的下表面(器件形成面)被吸附保持(相当于图11的步骤S12)。
对各波纹管105进行材料的选择和形状的设计，使得每单位应力的收縮量变得比较小。因此，用于吸附保持晶片W的空气的吸引几乎不引起波纹管105收縮，从而升降销102也几乎没有上升。
接着，对晶片W实施一系列的处理(相当于图11的步骤S13 S15的处理)。这些一系列的处理结束后，控制装置95打开溢流阀93，从而解除空间94和空间106的减压状态。由此，解除晶片W的吸附保持(相当于图ll的步骤S16)。
接着，控制装置95驱动升降销升降驱动机构108，使升降销102上升到突出位置。由此，处理完的晶片W从容置凹处84脱离到上方。
然后，处理完的晶片W由基板搬送机械手从处理室2搬出(相当于图11的步骤S17)。
以上，说明了本发明的4个实施方式，但是，本发明也能够用其他实施方式实施。
在第二实施方式中，说明了使狭缝喷嘴61沿着水平方向的X轴方向往复移动的情况，但是，通过将狭缝喷嘴61安装在几乎水平延伸的臂上，并使臂摆动，也能够使狭缝喷嘴61在晶片W上方移动。
另外，在第一、第三和第四实施方式中，使来自销氟酸喷嘴5的硝氟酸的着落点P超过晶片W的周端面，往复扫描到其外方，但是，也可以使该硝氟酸的着落点P在晶片W的面内范围内往复扫描。
另外，在第一 第四实施方式中，以使硝氟酸喷嘴5和狭缝喷嘴61往复移动的情况为例进行了说明，但是，也可以使硝氟酸喷嘴5和狭缝喷嘴61分别在一个方向扫描。也就是，可以在使喷嘴5、 61往复移动的情况下，在向一个方向移动时，喷出硝氟酸，在向另一个方向移动时，停止喷出硝氟酸。另外，在上述四个实施方式中，说明了第一 第三圆环面12、 72、 83是与晶片W的上表面平行的平坦面的情况，但是第一 第三圆环面12、 72、83也可以相对晶片W的上表面倾斜，也可以用曲面(弯曲面、折曲面)形成。
另外，在上述四个实施方式中，对第一 第三圆环面12、 72、 83实施了亲液化处理，但是，也可以用对硝氟酸的亲液性高的材料形成基板支撑构件3、 70和旋转基座82。也就是，用对硝氟酸的耐药性高且对硝氟酸的亲液性高的材料形成基板支撑构件3、 70和旋转基座82。作为该材料，能够例示出例如聚氯乙烯(polyvinylhloride)和聚丙烯。
另外，既可以在第一实施方式的基板处理装置1中采用在第二实施方式所采用的基板支撑构件70，以取代基板支撑构件3，也可以在第二实施方式的基板处理装置60中采用在第一实施方式所采用的基板支撑构件3，以取代基板支撑构件70。
另外，也可以在第三实施方式和第四实施方式的旋转基座82 (参照图9和图12)的第三圆环面83的边缘部形成如第二实施方式的锥面71那样的锥面，该锥面越向晶片W的旋转半径方向外方变得越低。
另外，在上述4个实施方式中，以对晶片W实施用于减薄晶片W的蚀刻处理的基板处理装置l、 60、 80、 IOO为例进行了说明。也可以是对例如由氧化膜硅晶片构成的圆板状的晶片W中的器件形成面(上表面或者下表面)实施用于除去氧化膜的蚀刻处理的结构。在该情况下，优选使用例如氟酸作为蚀刻液。另外，在实施用于除去晶片W的氮化膜的蚀刻处理的情况下，也能够使用磷酸作为蚀刻液。
关于本发明的实施方法进行了详细地说明，但这些仅是为了明确本发明的技术性内容所使用的具体例子，本发明不应该理解为仅限于这些具体例子，而只根据附加的权利要求的范围限定本发明的思想和范围。
该申请对应于2008年1月31日向日本专利局提出的专利申请2008-21776号及2008年12月2日向日本专利局提出的专利申请2008-307995号，该申请的完全公开通过引用被编入这里。
2权利要求
1. 一种基板处理装置，其特征在于，包括基板保持机构，其具有延长面，所述延长面形成为，包围用于支撑基板的支撑部以及该支撑部所支撑的基板的一主面的侧方，并与该主面相连；旋转机构，其使所述基板保持机构旋转；蚀刻液供给机构，其向所述基板保持机构所保持的基板的所述主面上供给蚀刻液。
2. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于， 所述基板保持机构具有基板支撑构件和用于支撑所述基板支撑构件的基座构件，所述支撑部和所述延长面设置在所述基板支撑构件上， 所述旋转机构包括使所述基座构件与所述基板支撑构件一起旋转的基 座构件旋转机构。
3. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于， 所述基板保持机构具有基座构件，所述基座构件具有所述支撑部和所述延长面，所述旋转机构包括使所述基座构件旋转的基座构件旋转机构。
4. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于， 所述延长面是对蚀刻液的亲液性比所述支撑部所支撑的基板的所述主面更高的表面。
5. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于， 所述支撑部将基板支撑为水平姿势，所述支撑部设置为，所述支撑部所支撑的基板的所述主面高于所述延长面。
6. 如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于， 所述支撑部设置为，对所述支撑部所支撑的基板实施使用蚀刻液的处理之后的基板的所述主面比所述延长面更高。
7. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于， 所述支撑部将基板保持为水平姿势，所述基板保持机构还包括锥面，所述锥面与所述延长面中的基板的旋转半径方向的外方相连，并且，越向基板的旋转半径方向的外方变得越低。
8. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于， 所述蚀刻液供给机构一边扫描通过所述旋转机构旋转的基板的所述主面上的整个区域， 一边供给蚀刻液。
9. 如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于， 所述蚀刻液供给机构不仅在通过所述旋转机构旋转的基板的主面上扫描，而且扫描到比该基板周端位置更靠基板旋转半径外方的位置。
10. —种基板支撑构件，在使用蚀刻液对基板进行处理的基板处理装置 中使用，用于支撑基板，其特征在于，包括延长面，所述延长面形成为，包围用于支撑基板的支撑部以及该支 撑部所支撑的基板的一主面的侧方，并与该主面相连。
全文摘要
本发明提供基板处理装置及其所使用的基板支撑构件，该基板处理装置包括基板保持机构，具有延长面，所述延长面形成为，包围用于支撑基板的支撑部以及该支撑部所支撑的基板的一主面的侧方，并与该主面相连；旋转机构，使所述基板保持机构旋转；蚀刻液供给机构，向所述基板保持机构所保持的基板的所述主面上供给蚀刻液。
文档编号H01L21/683GK101499418SQ20091000960
公开日2009年8月5日 申请日期2009年1月23日 优先权日2008年1月31日
发明者新居健一郎, 滩和成 申请人:大日本网屏制造株式会社