专利名称：：固体电解电容器的制造方法
技术领域：
：本发明涉及具有高性能的固体电解电容器的制造方法。
背景技术：
：作为一般的卷绕型固体电解电容器，已知的有图1所示的电容器。如图1的剖视图所示，固体电解电容器100包括电容器元件10、有底的外壳11、密封构件12、支承板13、引线14A以及14B。在电容器元件10中连接引线接头(leadtab)16A、16B，引线接头16A、16B上分别电连接引线14A、14B。电容器元件10被收纳在有底的外壳11中，收纳的电容器元件10通过密封构件12被密封。有底的外壳11的开口端附近进行横拧-卷曲加工，在加工的卷曲部分配置有支撑板13。图2是说明电容器元件10的图，表示部分分解的状态。如图2所示，电容器元件10如下形成将表面形成有电介体被膜的阳极体21和阴极体22隔着隔片23卷曲，利用止卷带24固定形成。在电容器元件10中，引线14A通过引线接头16A与阳极体21连接，弓丨线14B通过引线接头16B与阴极体22连接。作为具有这种结构的固体电解电容器100的电解质，使用由导电性高分子形成的固体电解质等，该固体电解质填充到阳极体21和阴极体22的空隙间。作为由导电性高分子形成的固体电解质，例如在日本特开平2-15611号公报中公开了聚噻吩。
发明内容随着近年的电子机器的数字化，上述这种固体电解电容器也需要小型化、大容量化、低ESR化。其中，所述的ESR是指等值串联电阻。此外，在使用环境苛刻的车载机器和工业机器领域中，对具有高耐压性的固体电解电容器的要求更高。目前，作为使固体电解电容器有高耐压性的方法，包括在阳极体表面形成电介体被膜时的化成处理中，提高化成电压，从而使电介体被膜高耐压化的方法。但是，在提高化成电压时，具有固体电解电容器的漏电流和短路产生率增加的问题。本发明可以制造漏电流和短路产生率低且具有高耐压性的固体电解电容器，并提供该固体电解电容器的制造方法。本发明的第1方案是一种固体电解电容器的制造方法，包括形成具有阳极体的电容器元件的工序，该阳极体在表面具有电介体被膜；使含有导电性高分子前体单体和氧化剂的聚合液含浸电容器元件中的工序；使硅烷化合物或含有硅烷化合物的溶液含浸已含浸过所述聚合液的电容器元件的工序；以及在含浸硅烷化合物或含硅烷化合物的溶液后，使前体单体聚合，从而形成导电性高分子层的工序。在本发明的第1方案中，含硅烷化合物的溶液包含硅烷化合物和有机溶剂，含硅烷化合物的溶液中的硅烷化合物的浓度优选为10重量％以上。在本发明的第1方案中，有机溶剂优选含有醇类、烃类、酯类和酮类有机溶剂中的至少1种。本发明的第2方案是一种固体电解电容器的制造方法，其包括将表面具有电介体被膜的阳极体和阴极体卷绕，形成电容器元件的工序；使含有导电性高分子前体单体和氧化剂的聚合液含浸电容器元件后，使前体单体聚合，从而形成导电性高分子层的工序；以及使硅烷化合物或含硅烷化合物的溶液含浸形成有导电性高分子层的电容器元件后，使之干燥，从而在导电性高分子层表面形成硅烷化合物层的工序。在本发明的第2方案中，形成硅烷化合物层的工序中的干燥温度优选为50°C以上150°C以下。在本发明的第2方案中，含硅烷化合物的溶液包含硅烷化合物和有机溶剂，含硅烷化合物的溶液中的硅烷化合物的浓度为5重量％以上。根据本发明，可以制造漏电流和短路产生率低，而且具有高耐压性的可靠性高的固体电解电容器。在以下本发明的详细描述中，结合附图，对本发明的前述和其它的主题、特征、方式和优点进行更加详细的说明。附图的简单说明图1是一般的卷绕型的固体电解电容器的剖视图。图2是为了说明图1的固体电解电容器中的电容器元件的图。图3是表示第一实施方式涉及的电容器元件的制造工序的流程图。图4是表示第二实施方式涉及的电容器元件的制造工序的流程图。具体实施例方式以下，对本发明的实施方案进行说明。另外，在下述附图中，相同或相应的部分使用相同的参照符号，不对其重复说明。另外，为了使附图明确和简化，附图中的长度、大小、宽等尺寸关系可以适当改变，并不表示实际尺寸。<第1实施方式>通过第1实施方式的固体电解电容器的制造方法制造的固体电容器500的结构，除了导电性高分子层的结构以外，其余结构和图1和图2表示的普通的固体电解电容器100相同。因此，下文中使用图1和图2对固体电解电容器500的结构进行说明。第1实施方式中，制造的固体电解电容器500包括电容器元件50、有底的外壳11、密封构件12、支撑板13以及引线14A、14B。电容器元件50连接引线接头16A、16B，其中的弓丨线接头16A、16B分别和引线14A、14B电连接。电容器元件50被收纳在有底的外壳11中，收纳的电容器元件50通过密封构件12被密封。有底的外壳11的开口端附近进行了横拧、卷曲加工，在加工的卷曲部分配置有支撑板13。电容器元件50包括与引线接头16A连接的阳极体21、与引线接头16B连接的阴极体22以及隔片23。另外，阳极体21和阴极体22中至少在阳极体21表面形成有电介体被膜。在固体电解电容器500中，阳极体21、阴极体22和隔片23各自间的空隙内形成有导电性高分子层。该导电性高分子层中存在硅烷化合物，阳极体21的电介体被膜附近的导电性高分子层中的硅烷化合物的浓度(g/cm3)比其它部分的硅烷化合物的浓度(g/cm3)低。使用图3对上述固体电解电容器500的制造方法进行说明。首先，在步骤S31中，在表面形成有电介体被膜的阳极体21与阴极体22间插入隔片23，将其卷绕而形成的终端利用止卷带24固定，从而形成电容器元件50。另外，阳极体21和阴极体22中分别连接引线接头16A、16B。然后，在步骤S32中，调配含有前体单体和氧化剂的聚合液，使该聚合液含浸到电容器元件50中。所述的前体单体是通过聚合形成导电性高分子的化合物。然后，在步骤S33中，在含浸到电容器元件50的聚合液的化学聚合完成前，在电容器元件50中含浸硅烷化合物或含有硅烷化合物的含硅烷化合物溶液。之后，在步骤S34中，含浸到电容器元件50的聚合物中的化学聚合完成，从而形成导电性高分子层。通过上述工序，制造具有存在硅烷化合物的导电性高分子层的电容器元件50。然后，该电容器元件50被收纳在有底的外壳11中后，经过利用密封构件12的电容器50的密封、有底的外壳11的开口端附近的横拧、卷曲加工、对该卷曲加工部分的支撑板13的配置，从而制造图1所示的固体电解电容器500。硅烷化合物具有提高导电性高分子的分子量分布和结晶性，通过交联效果强化导电性高分子链的键的作用。因此，导电性高分子层中存在硅烷化合物的固体电解电容器相对于导电性高分子层中不存在硅烷化合物的固体电解电容器而言，漏电流、短路产生率不会增加，耐压性提高。但是，由于硅烷化合物不具备导电性，所以使添加了硅烷化合物的聚合液含浸卷绕体，使前体单体化学聚合时，电容器的ESR可能变高。相对于此，第1实施方式中，使聚合液含浸电容器元件50，然后使硅烷化合物或含硅烷化合物的溶液含浸后，使前体单体完成化学聚合。由此，可以将电介体被膜附近的导电性高分子层中的硅烷化合物的浓度控制得很低，所以可以降低固体电解电容器500的ESR。由此，可以抑制固体电解电容器的漏电流和短路产生率的增加，而且提高固体电解电容器的耐压性，同时降低ESR。作为含硅烷化合物溶液中使用的溶剂，可以使用醇类、烃类、酯类和酮类的挥发性有机溶剂。含硅烷化合物的溶液中的硅烷化合物的浓度优选为10100重量％。另外，也可以不用溶剂稀释，单独使用硅烷化合物。另外，硅烷化合物的浓度为100重量％时的含硅烷化合物的溶液和硅烷化合物相同。另外，在含有阀金属(valvemetal)的烧结体或箔片的阳极体表面，依次形成电介体被膜、导电性高分子层和阴极体引出层的片型固体电解电容器的情况下，如果在导电性高分子层形成后形成硅烷化合物层，则在导电性高分子层和阴极体引出层的界面形成硅烷化合物层，ESR可能增大。在为卷绕型的固体电解电容器的情况下，可以将在阳极体和阴极体的空隙间形成的导电性高分子层中的硅烷化合物浓度控制得很低，所以可以减轻固体电解电容器的ESR的增大。本实施方式是卷绕型固体电解电容器，但是也可以是片型固体电解电容器，层叠多层电容器元件的层叠型固体电解电容器。<第2实施方式>第2实施方式涉及的通过固体电解电容器的制造方法制造的固体电解电容器600的构成和上述固体电解电容器500的不同只是在于导电性高分子层的结构和有无硅烷化合物层。因此，固体电解电容器600的结构只说明和固体电解电容器500不同的部分。在固体电解电容器600中，电容器元件600的阳极体21、阴极体22和隔片23的各自间的间隙中形成作为固体电解质的导电性高分子层。此外，在电容器元件60的外周侧形成的导电性高分子层的表面有形成硅烷化合物层。其中，所述的硅烷化合物层是指渗入有高浓度硅烷化合物的导电性高分子层的表层部和形成于导电性高分子层表面的硅烷化合物的层。使用图4对上述固体电解电容器600的制造方法进行说明。首先，在步骤S41中，形成电容器元件60。步骤S41中的电容器元件60的形成方法与图3的步骤S31相同，因此不再说明。然后，在步骤S42中，调配含有成为导电性高分子的前体单体和氧化剂的聚合液，将该聚合液含浸到电容器60中。然后，在步骤S43中，使含浸电容器元件60的聚合液完成化学聚合，从而形成导电性高分子层。然后，在步骤S44中，在形成了导电性高分子层的电容器元件60中，含浸硅烷化合物或含有硅烷化合物的含硅烷化合物溶液。之后，在步骤S45中，使含浸了硅烷化合物或含硅烷化合物溶液的电容器元件60在规定温度下干燥。由此，在形成于电容器元件60的外周侧的导电性高分子层上形成硅烷化合物层。通过上述工序，制造具有存在硅烷化合物层的导电性高分子层的固体电解电容器元件60。然后，在该电容器元件60被收纳到有底的外壳11中后，经过密封构件12对电容器元件60的密封、有底的外壳11的开口端附近的横拧-卷曲加工、对该卷曲加工部分配置支撑板13，制造图1所示的固体电解电容器600。如上所述，由于硅烷化合物没有导电性，所以使添加了硅烷化合物的聚合液含浸卷绕体，使前体单体化学聚合时，电容器的ESR可能变高。相对于此，在第2实施方式中，在形成了导电性高分子层的电容器元件60中含浸含硅烷化合物溶液。由此，电容器元件60的外周侧的导电性高分子层上形成硅烷化合物层，可以将在阳极体21和阴极体22的空隙间形成的导电性高分子层中的硅烷化合物浓度控制得很低，所以可以降低固体电解电容器600的ESR增大。由此，可以一边抑制固体电解电容器的漏电流以及短路产生率增加，一边提高耐压性，同时可以降低ESR。另外，在含有阀金属的烧结体或箔片的阳极体的表面依次形成电介体被膜、导电性高分子层和阴极体引出层的片型固体电解电容器的情况下，如果在导电性高分子层形成后形成硅烷化合物层，则在导电性高分子层和阴极体引出层的界面形成硅烷化合物层，ESR可能增大。在为卷绕型固体电解电容器时，可以将在阳极体和阴极体的空隙间形成的导电性高分子层中的硅烷化合物的浓度抑控制得很低，所以可以减少固体电解电容器的ESR增大。作为含硅烷化合物溶液中使用的溶剂，可以使用醇类、烃类、酯类和酮类的挥发性有机溶剂。含硅烷化合物溶液中的硅烷化合物的浓度优选为5100重量％。另外，也可以不用溶剂稀释，而单独使用硅烷化合物。另外，硅烷化合物的浓度为100重量％时的含硅烷化合物溶液和硅烷化合物相当。另外，含浸了含硅烷化合物溶液的电容器元件60为了除去不需要的溶液，优选在规定温度下干燥。从溶剂除去效果的观点出发，干燥温度优选为50°C以上，从电容器元件60的热负荷以及抑制硅烷化合物因受热而变性的观点出发，优选为150°C以下。另外，为了使硅烷化合物稳定，干燥时间优选为30120分钟。以上，对第1实施方式和第2实施方式进行说明。作为第1和第2实施方式中使用的硅烷化合物，可以列举出乙烯基三氯硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、β-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、Y-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、Y-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、Y-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、对-苯乙烯基三甲氧基硅烷、Y-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、Y-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、Y-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、Y-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、Ν-2-(氨基乙基)γ-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、Ν-2-(氨基乙基)Y-氨基丙基三甲氧基硅烷、Ν-2-(氨基乙基)Y-氨基丙基三乙氧基硅烷、Y-氨基丙基三甲氧基硅烷、Y-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、Y-氯代丙基三甲氧基硅烷、Y-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、Y-巯基丙基三甲氧基硅烷、Y-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷等。更优选为β-(3，4_环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、Y-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、Y-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、Y-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、Y-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、Y-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷。另外，也可以组合这些硅烷化合物中的2种以上使用。在第1和第2实施方式中，作为使硅烷化合物或含硅烷化合物溶液含浸电容器元件的方法，包括将电容器元件浸渍到硅烷化合物或含硅烷化合物溶液中的方法；在电容器元件上涂布硅烷化合物或含硅烷化合物溶液的方法；用溅射器等将硅烷化合物含硅烷化合物溶液喷雾到电容器元件的方法等。作为可以用于形成第1和第2实施方式的导电性高分子层的导电性高分子，有脂肪族、芳香族、杂环和含杂原子的导电性高分子。另外，也可以将这些导电性高分子中的2种以上组合使用。其中，优选聚噻吩类、聚苯胺类、聚吡咯类导电性高分子。作为可以在第1和第2实施方式中使用的氧化剂，可以使用以对_甲苯磺酸铁盐为代表的现有公知的氧化剂。另外，氧化剂可以以溶解到甲醇、乙醇和丁醇等醇类中的状态使用，在这种情况下，优选使用3570重量％的浓度。<第1实施方式的实施例>[实施例1]首先，在由铝箔构成的阳极体21和阴极体22的表面进行蚀刻处理。之后，将进行了蚀刻处理的阳极体21浸渍到化成液中，施加150V的电压，从而形成电介体被膜。在阳极体21和阴极体22中分别连接引线接头16Α和引线接头16Β。然后，将阳极体21和阴极体22与隔片23—起卷绕，最外层利用止卷带24固定，制造电容器元件50。接着，对固体电解电容器50的切口进行化成处理。切口化成通过将电容器元件50浸渍到化成液中施加电压来进行。接着，制备聚合液。聚合液是将作为前体单体的3，4-乙烯二氧噻吩、作为氧化剂的对-甲苯磺酸铁丁醇溶液混合而制备。其中，对-甲苯磺酸铁丁醇溶液中的对-甲苯磺酸的浓度为40重量％。另外，3，4-乙烯二氧噻吩和对-甲苯磺酸铁丁醇溶液的重量比例分别为25重量％和75重量％。然后，将电容器元件50浸渍到聚合液中之后，浸渍到含硅烷化合物溶液中。含硅烷化合物溶液使用Y-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷作为硅烷化合物、使用丁醇作为溶齐U，含硅烷化合物溶液中的硅烷化合物的浓度为10重量％。之后，使浸渍到电容器元件50中的3，4_乙烯二氧噻吩热聚合，从而在电容器元件50内部形成导电性高分子。之后，将电容器元件50收纳到有底的外壳11中，在该有底的外壳11的开口端部插入密封构件12，进行横拧、卷曲加工。然后，在该卷曲面插入支撑板13，将分别连接到引线接头16A、16B的引线14A、14B进行挤压加工、折弯加工，完成固体电解电容器500。[实施例2]除了使含硅烷化合物溶液中的硅烷化合物的浓度为20重量％以外，和实施例1同样地，制造固体电解电容器。[实施例3]除了使含硅烷化合物溶液中的硅烷化合物的浓度为50重量％以外，和实施例1同样地，制造固体电解电容器。[实施例4]除了使含硅烷化合物溶液中的硅烷化合物的浓度为100重量％，也就是硅烷化合物不稀释就使用以外，和实施例1同样地，制造固体电解电容器。[实施例5]除了硅烷化合物使用Y-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷以外，和实施例1同样地制造固体电解电容器。[实施例6]除了硅烷化合物使用Y-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷以外，和实施例2同样地制造固体电解电容器。[实施例7]除了硅烷化合物使用Y-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷以外，和实施例3同样地制造固体电解电容器。[实施例8]除了硅烷化合物使用Y-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷以外，和实施例4同样地制造固体电解电容器。[比较例1]除了使含硅烷化合物溶液中的硅烷化合物的浓度为1重量％以外，和实施例1同样地制造固体电解电容器。[比较例2]除了使含硅烷化合物溶液中的硅烷化合物的浓度为5重量％以外，和实施例1同样地，制造固体电解电容器。[比较例3]除了硅烷化合物使用Y-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷以外，和比较例1同样地制造电解电容器。[比较例4]除了硅烷化合物使用Y-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷以外，和比较例2同样地制造固体电解电容器。[比较例5]除了将电容器元件50浸渍到聚合液中之后，不浸渍到含硅烷化合物溶液中而进行化学聚合以外，和实施例1同样地制造固体电解电容器。表1是分别对于实施例和比较例的固体电解电容器的20个的平均值的电性质测定结果。另外，固体电解电容器是额定电压35V、容量22μF，尺寸是直径10mm、高度12mm。短路产生率表示将固体电解电容器在125°C进行5小时蚀刻处理后的固体电解电容器的短路产生率。另外，静电容量和介质损耗因子在120Hz的频率下测定，ESR在IOOkHz的频率下测定。另外，漏电流是开始对固体电解电容器施加额定电压2分钟后的值。BDV值(耐压性质)表示在常温环境下，对固体电解电容器施加电压，以lV/s的速度升高施加电压，固体电解电容器绝缘破坏时的电压。<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>从表1的结果可知，实施例1~8的固体电解容器与比较例5相比，短路产生率和漏电流更低，BDV电流更高。由于BDV值高，所以与比较例5的固体电解电容器的耐压性相比，实施例18的固体电解电容器的耐压性更高。因此，通过将电容器元件浸渍在聚合液中，浸渍在含硅烷化合物的溶液中之后，使之完成化学聚合，可以抑制固体电解电容器的漏电流和短路产生率的增加，同时提高耐压性。另外，将实施例18和比较例14进行比较，含硅烷化合物的溶液中的硅烷化合物的浓度越高，短路产生率和漏电流越低，BDV值越高。这种趋势在硅烷化合物的浓度为10重量％以上时，特别明显。因此，通过增加硅烷化合物的浓度，可以抑制短路产生率和漏电流的增加，进一步扩大提高耐压性的效果。<第2实施方式的实施例>[实施例9]首先，在由铝箔形成的阳极体21和阴极体22的表面进行蚀刻处理。之后，将进行蚀刻处理的阳极体21浸渍到化成液中，通过施加150V的电压，形成电介体被膜。在阳极体21和阴极体22中分别连接引线接头16A和引线接头16B。然后，将阳极体21和阴极体22与隔片23—起卷绕，最外层通过止卷带24固定，制造电容器元件60。接着，对固体电解电容器60的切口进行化成处理。切口化成通过将电容器元件60浸渍到化成液中施加电压来进行。接着，调节聚合液。聚合液是将作为前体单体的3，4-乙烯二氧噻吩、作为氧化剂的对-甲苯磺酸铁丁醇溶液混合而制备。其中，对-甲苯磺酸铁丁醇溶液中的对-甲苯磺酸的浓度为40重量％。另外，3，4-乙烯二氧噻吩和对-甲苯磺酸铁丁醇溶液的重量比例分别为25重量％和75重量％。然后，将切口化成的电容器元件60浸渍到聚合液中之后，通过将3，4-乙烯二氧噻吩热化学聚合，形成导电性高分子层。之后，将电容器元件60放在含硅烷化合物的溶液中浸渍1分钟后，使该电容器元件60在100°C下干燥，形成硅烷化合物层。含硅烷化合物的溶液使用Y-巯基丙基三甲氧基硅烷作为硅烷化合物，使用乙醇作为溶剂，含硅烷化合物的溶液中的硅烷化合物的浓度为1.0重量％。之后，将具备有硅烷化合物层的导电性高分子层的电容器元件60收纳到有底的外壳11中，在该有底的外壳11的开口端部插入密封构件12，进行横拧、卷曲加工。然后，在该卷曲面插入支撑板13，将分别连接到引线接头16A、16B的引线14A、14B进行挤压加工、折弯加工，完成固体电解电容器600。[实施例10]除了使含硅烷化合物的溶液中的硅烷化合物的浓度为5.0重量％以外，和实施例9同样地制造固体电解电容器。[实施例11]除了使含硅烷化合物的溶液中的硅烷化合物的浓度为10重量％以外，和实施例9同样地制造固体电解电容器。[实施例12]除了使含硅烷化合物的溶液中的硅烷化合物的浓度为50重量％以外，和实施例9同样地制造固体电解电容器。[实施例13]除了使含硅烷化合物的溶液中的硅烷化合物的浓度为100重量％，也就是硅烷化合物不稀释就使用以外，和实施例9同样地制造固体电解电容器。[实施例14]除了使电容器元件60浸渍到含硅烷化合物的溶液中后的干燥温度成为150°C以夕卜，和实施例10同样地制造固体电解电容器。[实施例15]除了使电容器元件60浸渍到含硅烷化合物的溶液中后的干燥温度为150°C以外，和实施例11同样地，制造固体电解电容器。[实施例16]除了使电容器元件60浸渍到含硅烷化合物的溶液中后的干燥温度为150°C以外，和实施例12同样地制造固体电解电容器。[实施例17]除了使电容器元件60浸渍到含硅烷化合物的溶液中后的干燥温度为200°C以外，和实施例10同样地制造固体电解电容器。[实施例18]除了使电容器元件60浸渍到含硅烷化合物的溶液中后的干燥温度为200°C以外，和实施例11同样地制造固体电解电容器。[实施例19]除了使电容器元件60浸渍到含硅烷化合物的溶液中后的干燥温度为200°C以外，和实施例12同样地制造固体电解电容器。[比较例6]除了在电容器元件60上形成导电性高分子层后，不进行浸渍含硅烷化合物的溶液和干燥以外，和实施例9同样地制造固体电解电容器。表2是分别对于实施例和比较例的固体电解电容器的是各20个的平均值的电性质测定结果。另外，固体电解电容器是额定电压35V、容量22μF，尺寸是直径10mm、高度12mm。短路产生率表示将固体电解电容器在125°C进行5小时蚀刻处理后，固体电解电容器的短路产生率。另外，静电容量和介质损耗因子在120Hz的频率下测定，ESR在IOOkHz的频率下测定。另外，漏电流是开始对固体电解电容器施加额定电压2分钟后的值。BDV值(耐压性质)表示在常温环境下，对固体电解电容器施加电压，以lV/s的速度升高施加电压，固体电解电容器绝缘破坏时的电压。<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>从表2的结果可以知道，实施例9一19的固体电解电容器与比较例6相比，短路产生率和漏电流减少，BDV值增高。由于BDV值高，所以与比较例6的固体电解电容器的耐压性相比，实施例919的固体电解电容器的耐压性更高。因此，通过将形成了导电性高分子层的电容器元件浸渍到含硅烷化合物的溶液中，形成硅烷化合物层，可以抑制固体电解电容器的漏电流和短路产生率的增加，同时提高耐压性。另外，将实施例9和实施例1013进行比较，含硅烷化合物的溶液中的硅烷化合物的浓度越高，短路产生率和漏电流越少，BDV值越高。这种趋势在硅烷化合物的浓度为5重量％以上时，特别明显。因此，通过增加含硅烷化合物的溶液中的硅烷化合物的浓度，可以抑制短路产生率和漏电流的增加，进一步扩大提高耐压性的效果。另外，将实施例916和实施例1719进行比较，干燥温度越低，短路产生率、ESR、漏电流越低，BDV值越高。这种趋势在干燥温度为150°C以下时，更明显。因此，通过降低干燥温度，可以抑制短路产生率和漏电流的增加，进一步扩大提高耐压性的效果。上述实施方式和实施例只是对本发明进行说明的，并不是限定权利要求的范围记载的发明。本发明可以在权利要求的范围内以及等同的范围内进行任意变更。例如，阳极体除了铝以外，还可以使用钽、铌、钛等阀金属。权利要求一种固体电解电容器的制造方法，其包括形成具有阳极体的电容器元件的工序，该阳极体在表面具有电介体被膜；使含有导电性高分子的前体单体和氧化剂的聚合液含浸电容器元件的工序；使硅烷化合物或含有硅烷化合物的溶液含浸已含浸过所述聚合液的电容器元件的工序；以及，在含浸硅烷化合物或含硅烷化合物的溶液后，使前体单体聚合，从而形成导电性高分子层的工序。2.根据权利要求1所述的固体电解电容器的制造方法，其中，所述含硅烷化合物的溶液包含硅烷化合物和有机溶剂，含硅烷化合物的溶液中的硅烷化合物的浓度为10重量％以上。3.根据权利要求2所述的固体电解电容器的制造方法，其中，所述有机溶剂含有醇类、烃类、酯类和酮类有机溶剂中的至少1种。4.一种固体电解电容器的制造方法，其包括将表面具有电介体被膜的阳极体和阴极体卷绕，形成电容器元件的工序；使含有导电性高分子的前体单体和氧化剂的聚合液含浸电容器元件后，使前体单体聚合，从而形成导电性高分子层的工序；以及使硅烷化合物或含硅烷化合物的溶液含浸形成有导电性高分子层的电容器元件后，使之干燥，从而在导电性高分子层表面形成硅烷化合物层的工序。5.根据权利要求4所述的固体电解电容器的制造方法，其中，形成所述硅烷化合物层的工序中的干燥温度为50°C以上150°C以下。6.根据权利要求4所述的固体电解电容器的制造方法，其中，所述含硅烷化合物的溶液包含硅烷化合物和有机溶剂，含硅烷化合物的溶液中的硅烷化合物的浓度为5重量％以上。全文摘要一种固体电解电容器的制造方法，其包括形成具有阳极体的电容器元件的工序，该阳极体在表面具有电介体被膜；使含有导电性高分子的前体单体和氧化剂的聚合液含浸电容器元件中的工序；使硅烷化合物或含有硅烷化合物的溶液含浸已含浸过聚合液的电容器元件的工序；以及在含浸硅烷化合物或含硅烷化合物的溶液后，使前体单体聚合，从而形成导电性高分子层的工序。文档编号H01G9/15GK101826398SQ20091100030公开日2010年9月8日申请日期2009年12月1日优先权日2008年12月1日发明者古川刚士,犬塚雄一郎申请人:三洋电机株式会社;佐贺三洋工业株式会社