一种解决磁记录颗粒超顺磁状态的方法

文档序号:6945124阅读:129来源:国知局
专利名称:一种解决磁记录颗粒超顺磁状态的方法
技术领域
本发明涉及磁性材料与元器件技术领域,具体涉及一种解决磁记录颗粒超顺磁状 态的方法。
背景技术
磁记录介质由很多微小的磁性颗粒构成,通过磁性颗粒磁矩的取向来存储信息 “0”和“1”。磁记录介质中存储每个比特信息大约需要100个磁性颗粒。为提高磁记录密 度,只有减小磁性颗粒的体积。但随着磁性颗粒体积的减小,研究发现,使其磁矩取向翻转 所需要的能量也就越小,特别是当磁记录颗粒尺寸进入纳米量级时,磁性颗粒在室温下就 能通过吸收热能克服其磁各向异性能,进入超顺磁状态,使磁性颗粒自动反转磁矩取向,使 得磁记录介质存储信息不稳定,最终导致整个硬盘数据的丢失。因而,磁记录颗粒的超顺磁 状态大大限制了磁盘存储密度的进一步提高,成为了超高密度磁记录发展的桎梏。因此,探 寻解决磁记录颗粒超顺磁状态的方法,将有助于磁信息存储领域的发展。

发明内容
本发明所要解决的问题是如何提供一种解决磁记录颗粒超顺磁状态的方法,该 方法能克服磁性颗粒纳米尺度下的热扰动,人为提高磁性颗粒的单轴各项异性能,解决超 顺磁状态下记录不稳定的问题。本发明所提出的技术问题是这样解决的提供一种解决磁记录颗粒超顺磁状态的 方法,其特征在于在磁记录颗粒外包裹一层能使其磁矩钉扎的反铁磁材料,所述反铁磁材 料与磁记录颗粒之间通过界面磁矩耦合,使磁记录颗粒的磁矩沿同一方向排列。按照本发明所提供的解磁记录颗粒超顺磁状态的方法,其特征在于,所述磁记录 颗粒包括Co、Ni、Fe和FeCo等,在制备好Co、Ni、Fe、FeCo磁记录颗粒后,通过在氧气中氧 化,使Co、Ni、Fe、FeCo磁记录颗粒外生成CoO、NiO, FeO、FeCoO反铁磁材料,形成CoO/Co、 Ni0/Ni,Fe0/Fe,FeCo0/FeCo的反铁磁/铁磁核壳结构,通过反铁磁材料对磁记录颗粒磁矩 的钉扎,解决磁记录颗粒超顺磁状态的问题。本发明的有益效果通过在磁记录颗粒外包裹一层能使磁性颗粒磁矩钉扎的反铁 磁材料,通过反铁磁材料对铁磁材料磁矩的钉扎,人为为纳米量级磁记录颗粒添加一单轴 各向异性场,利用该场克服热扰动,以保证记录的稳定性。


图1是反铁磁材料包裹磁记录颗粒示意图;图2是反铁磁材料包裹磁记录颗粒前后磁记录颗粒磁矩分布示意图。其中,1、磁记录颗粒,2、反铁磁材料包裹层。
具体实施例方式下面结合附图对本发明作进一步描述在磁记录颗粒外包裹一层能使其磁矩钉扎的反铁磁材料,如图1所示,反铁磁材料与磁性记录颗粒之间通过界面磁矩耦合,反铁磁材料会使铁磁材料的磁矩沿一方向排 列,如图2所示,类似于给铁磁材料添加了一外磁场,该场定义为交换偏置场。只有当沿与 交换偏置场相反方向施加外磁场且外磁场的大小大于该交换偏置场时,磁记录颗粒的磁矩 才会发生翻转。因而,利用磁记录颗粒外包裹反铁磁材料,可人为的为纳米量级磁记录颗粒 添加一单轴各向异性场,利用该场克服热扰动,以保证记录的稳定性。目前常用的磁记录颗粒有Co、Ni、Fe、FeCo等,在制备好Co、Ni、Fe、FeCo磁记录颗 粒后,通过在氧气中氧化,可在Co、Ni、Fe、FeCo磁性颗粒外生成CoO、NiO, FeO、FeCoO反铁 磁材料,形成CoO/Co、Ni0/Ni、FeO/Fe、FeCoO/FeCo的反铁磁/铁磁核壳结构,通过反铁磁 材料对磁记录颗粒磁矩的钉扎,解决磁记录颗粒超顺磁状态的问题。
权利要求
一种解决磁记录颗粒超顺磁状态的方法,其特征在于在磁记录颗粒外包裹一层能使其磁矩钉扎的反铁磁材料,所述反铁磁材料与磁记录颗粒之间通过界面磁矩耦合,使磁记录颗粒的磁矩沿同一方向排列。
2.根据权利要求1所述的解决磁记录颗粒超顺磁状态的方法,其特征在于,所述磁记 录颗粒包括Co、Ni、Fe和FeCo,在制备好Co、Ni、Fe、FeCo磁记录颗粒后,通过在氧气中氧 化,使Co、Ni、Fe、FeCo磁记录颗粒外生成CoO、NiO, FeO、FeCoO反铁磁材料,形成CoO/Co、 NiO/Ni,FeO/Fe,FeCoO/FeCo的反铁磁/铁磁核壳结构,通过反铁磁材料对磁记录颗粒磁矩 的钉扎,解决磁记录颗粒超顺磁状态的问题。
全文摘要
本发明公开了一种解决磁记录颗粒超顺磁状态的方法,其特征在于在磁记录颗粒外包裹一层能使其磁矩钉扎的反铁磁材料,所述反铁磁材料与磁记录颗粒之间通过界面磁矩耦合,使磁记录颗粒的磁矩沿同一方向排列。该方法能克服磁性颗粒纳米尺度下的热扰动,人为提高磁性颗粒的单轴各项异性能,解决超顺磁状态下记录不稳定的问题。
文档编号H01F1/00GK101840706SQ20101017519
公开日2010年9月22日 申请日期2010年5月18日 优先权日2010年5月18日
发明者唐晓莉, 张怀武, 苏桦, 荆玉兰, 钟智勇 申请人:电子科技大学
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