专利名称：电热分离式发光二极管支架结构制成方法
技术领域：
本发明涉及一种发光二极管支架结构制成方法，尤其是指一种由散热板与支架板耦合形成至少二散热基座以及至少二组导电支架，或是由厚薄板形成至少二散热基座以及至少二组导电支架，使散热基座上可分别配置不同型式的发光二极管芯片的发光二极管支架结构制成方法。
背景技术：
近年来，由于发光二极管(Light Emitting Diode, LED)具有耗电量低、组件寿命长、无须暖灯时间及反应速度快等优点，加上其体积小、耐震动、适合量产，因此发光二极管已普遍使用于信息、通讯及消费性电子产品的指示灯与显示装置上，如行动电话及个人数字助理(Personal DigitalAssistant,PDA)屏幕背光源、各种户外显示器、交通号志灯及车灯等。通常发光二极管芯片是通过表面黏贴技术(Surface Mount Device, SMD)或是芯片倒装接合技术(flip chip bonding)固接于具有凹陷部的胶座内的支架上，请参考图1 所示，图1绘示为第一种公知的发光二极管支架结构的发光二极管芯片配置侧视剖面示意图。在具有凹陷部82的胶座81中，埋入有至少二支架83，各支架83部分是分别暴露在胶座81的凹陷部82内，并且各个支架83部分分别延伸出胶座81的两侧，即可形成电性连接部84，由电性连接部84以便于与其它电子装置(图式中未绘示)电性连接。接着，再通过表面黏贴技术将发光二极管芯片85固接于暴露在胶座81的凹陷部 82内支架83其中之一，以及通过打线接合技术或是芯片倒装接合技术使发光二极管芯片 85可以通过电性导线86与另一支架83形成电性连接，最后，再于胶座81的凹陷部82上形成封装胶体87，封装胶体87即可以覆盖于凹陷部82内的发光二极管芯片85及支架83。然而，上述发光二极管支架结构对于发光二极管芯片85的散热，则是通过固接发光二极管芯片85的支架83对发光二极管芯片85提供散热，并且支架83又提供发光二极管芯片85的电性连接的多重功能，这会导致支架83对发光二极管芯片85的散热效率不足， 因此，这种方式无法适用于高功率的发光二极管芯片85。因此，则提出一种电热分离式发光二极管支架结构，并请参考图2所示，图2绘示为第二种公知的发光二极管支架结构的发光二极管芯片配置俯视示意图。在具有凹陷部82的胶座81中，埋入有散热基座88以及至少二支架83，散热基座 88以及各支架83部分是分别暴露在胶座81的凹陷部82内，并且各个支架83部分分别延伸出胶座81的两侧，即可形成电性连接部84，电性连接部84以便于与其它电子装置(图式中未绘示)电性连接。接着，再通过表面黏贴技术将发光二极管芯片85固接于暴露在胶座81的凹陷部 82内散热基座88，以及通过打线接合技术或是芯片倒装接合技术使发光二极管芯片85可以通过电性导线86分别与支架83形成电性连接，最后，再于胶座81的凹陷部82上形成封装胶体87，封装胶体87即可以覆盖于凹陷部82内的发光二极管芯片85、散热基座88及支架83。通过上述的发光二极管支架结构在胶座81中分别埋入散热基座88以及支架83， 即可以有效的对发光二极管芯片85的散热以及电性连接分离设计，即胶座81中所埋入的散热基座88是用以提供发光二极管芯片85的散热，而胶座81中所埋入的支架83是用以提供发光二极管芯片85的电性连接，即可提高发光二极管芯片85的散热效率，以解决第一种公知的发光二极管支架结构所产生的问题。但是，由于现有第二种公知的发光二极管支架结构在胶座81中仅埋入一个散热基座88，当在散热基座88上设置复数发光二极管芯片85时，需要使用同样型式(PNP type 或是NPN type)的发光二极管芯片85，即需要使用正负型式即相同的发光二极管芯片85， 这样子才能将多个发光二极管芯片85设置于散热基座88上，对于发光二极管芯片85的使用以及电性连接都会被受到限制。综上所述，可知公知技术中长期以来一直存在散热基座上设置复数发光二极管芯片时，必须使用相同型式的发光二极管芯片，使发光二极管芯片的使用受限制的问题，因此有必要提出改进的技术手段，来解决此一问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种电热分离式发光二极管支架结构制成方法，以克服公知技术存在的散热基座上设置复数发光二极管芯片时，必须使用相同型式的发光二极管芯片，使发光二极管芯片的使用受限制的缺陷。为实现上述目的，本发明提供的电热分离式发光二极管支架结构制成方法，在第一实施态样中包含下列步骤首先，于散热板上形成至少二散热基座；接着，于支架板上形成至少二组导电支架；接着，散热板与支架板相互耦合，以使至少二散热基座设置于至少二组导电支架间，且至少二散热基座与至少二组导电支架不相连；最后，至少二散热基座以及至少二组导电支架部分被埋入于胶座内，且至少二散热基座以及至少二组导电支架部分暴露于胶座的凹陷部，及至少二组导电支架部分延伸于胶座外。如上所述的电热分离式发光二极管支架结构制成方法，其中于散热板上形成至少二散热基座的步骤是由冲压工艺以形成至少二散热基座，并且于支架板上形成至少二组导电支架的步骤是由冲压工艺以形成至少二组导电支架。如上所述的电热分离式发光二极管支架结构制成方法，其中至少二散热基座以及至少二组导电支架部分被埋入于胶座内，且至少二散热基座以及至少二组导电支架部分暴露于胶座的凹陷部，及至少二组导电支架部分延伸于胶座外的步骤中，至少二散热基座部分暴露于凹陷部是用以分别固定发光二极管芯片，并且发光二极管芯片分别与部分暴露于凹陷部的任一组导电支架形成电性连接，在胶座的凹陷部更覆盖有封装胶体，用以包覆发光二极管芯片，以形成SMD发光二极管。本发明提供的电热分离式发光二极管支架结构制成方法，包含下列步骤首先，制成具有二种厚度差异的厚薄板；接着，于厚薄板厚度较大处形成至少二散热基座；接着，于厚薄板厚度较小处形成至少二组导电支架，且至少二组导电支架与至少二散热基座不相连；最后，至少二散热基座以及至少二组导电支架部分被埋入于胶座内，且至少二散热基座以及至少二组导电支架部分暴露于胶座的凹陷部，及至少二组导电支架部分延伸于胶座外。如上所述的电热分离式发光二极管支架结构制成方法，其中于厚薄板厚度较大处形成至少二散热基座的步骤是由冲压工艺以形成至少二散热基座，并且于厚薄板厚度较小处形成至少二组导电支架，且至少二组导电支架与至少二散热基座不相连的步骤是由冲压工艺以形成至少二组导电支架。如上所述的电热分离式发光二极管支架结构制成方法，其中至少二散热基座以及至少二组导电支架部分被埋入于胶座内，且至少二散热基座以及至少二组导电支架部分暴露于胶座的凹陷部，及至少二组导电支架部分延伸于胶座外的步骤中，至少二散热基座部分暴露于凹陷部是用以分别固定发光二极管芯片，并且发光二极管芯片分别与部分暴露于凹陷部的任一组导电支架形成电性连接，在胶座的凹陷部还覆盖有封装胶体，用以包覆发光二极管芯片，以形成SMD发光二极管。本发明提供的制成方法如上，与公知技术之间的差异在于本发明具体实施态样之一是由散热板与支架板耦合形成至少二散热基座以及至少二组导电支架来维持电热分离的设计；另外一种具体实施态样则是由厚薄板形成至少二散热基座以及至少二组导电支架来维持电热分离的设计，并且可以同时使用不同型式的发光二极管芯片，即可以将不同型式的发光二极管芯片分别配置于散热基座上，并分别与不同的导电支架组形成电性连接， 即可以自由选用不同型式的发光二极管芯片，以避免发光二极管芯片使用上的限制。通过上述的技术手段，本发明可以达成同时使用不同型式发光二极管芯片的技术功效。
图1绘示为第一种公知的发光二极管支架结构的发光二极管芯片配置侧视剖面示意图。图2绘示为第二种公知的发光二极管支架结构的发光二极管芯片配置俯视示意图。图3绘示为本发明电热分离式发光二极管支架结构的第一实施态样制成方法流程图。图4绘示为本发明电热分离式发光二极管支架结构的散热板与支架板耦合制成立体示意图。图5绘示为本发明电热分离式发光二极管支架结构的俯视示意图。图6绘示为本发明电热分离式发光二极管支架结构的第二实施态样制成方法流程图。图7A绘示为本发明电热分离式发光二极管支架结构的厚薄板立体示意图。图7B绘示为本发明电热分离式发光二极管支架结构的厚薄板的散热基座与导电支架制成立体示意图。图8绘示为本发明电热分离式发光二极管支架结构的俯视示意图。图9A绘示为本发明电热分离式发光二极管支架结构配置发光二极管芯片的第一配置态样俯视示意图。图9B绘示为本发明电热分离式发光二极管支架结构配置发光二极管芯片的第二配置态样俯视示意图。图10绘示为本发明电热分离式发光二极管支架结构封装发光二极管芯片的俯视示意图。附图中主要组件符号说明10散热板，11散热基座，111第一散热基座，112第二散热基座，113第三散热基座， 12定位部，20支架板，21导电支架，211第一组导电支架，212第二组导电支架，213第三组导电支架，22正极导电支架，221正极导电支架，222正极导电支架，223正极导电支架，23负极导电支架，231负极导电支架，232负极导电支架，233负极导电支架，24定位部，30胶座， 31凹陷部，40厚薄板，41散热基座，42导电支架，50胶座，51凹陷部，60发光二极管芯片， 61第一发光二极管芯片，62第二发光二极管芯片，63第三发光二极管芯片，70封装胶体，81 胶座，82凹陷部，83支架，84电性连接部，85发光二极管芯片，86电性导线，87封装胶体，88 散热基座；步骤110于散热板上形成至少二散热基座；步骤120于支架板上形成至少二组导电支架；步骤130散热板与支架板相互耦合，以使至少二散热基座设置于至少二组导电支架间，且至少二散热基座与至少二组导电支架不相连；步骤140至少二散热基座以及至少二组导电支架部分被埋入于胶座内，且至少二散热基座以及至少二组导电支架部分暴露于胶座的凹陷部，及至少二组导电支架部分延伸于胶座外；步骤210制成具有二种厚度差异的厚薄板；步骤220于厚薄板厚度较大处形成至少二散热基座；步骤230于厚薄板厚度较小处形成至少二组导电支架，且至少二组导电支架与至少二散热基座不相连；步骤240至少二散热基座以及至少二组导电支架部分被埋入于胶座内，且至少二散热基座以及至少二组导电支架部分暴露于胶座的凹陷部，及至少二组导电支架部分延伸于胶座外。
具体实施例方式以下配合附图及实施例来详细说明本发明之实施方式，以此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。以下将说明本发明提供的电热分离式发光二极管支架结构制成方法的第一实施态样，并请同时参考图3以及图4所示；图3绘示为本发明电热分离式发光二极管支架结构的第一实施态样制成方法流程图；图4绘示为本发明电热分离式发光二极管支架结构的散热板与支架板耦合制成立体示意图。首先，以冲压(stamping)方式制成具有至少二散热基座11的散热板10，即于散热板10上形成至少二散热基座11 (步骤110)，并以冲压方式制成具有至少二组导电支架21 的支架板20，即于支架板20上形成至少二组导电支架21 (步骤120)。
支架板20上所形成导电支架21组数会依据散热板10所形成散热基座11的数量来决定，即导电支架21组数会与散热板10所形成散热基座11的数量相同，并且每一组导电支架21是分别具有正极导电支架22以及负极导电支架23。而在图4中于散热板10上形成三个散热基座11，因此，于支架板20上会形成三组导电支架21，图中绘示的散热基座11以及导电支架21的数量仅为举例说明之用，在此不以附图绘示的内容局限本发明的应用范畴。再将散热板10以及支架板20分别通过设置于散热板10以及支架板20上的定位部(12、24)相互定位结合，即散热板10以及支架板20相互耦合，以使至少二散热基座11设置于至少二组导电支架21间(步骤130)，值得注意的是至少二散热基座11与至少二组导电支架21彼此之间不相连，由此可以将散热以及电性连接分离，以形成电热分离的形式。此时的散热板10以及支架板20会形成一体成型，上述说明以及附图仅为示意说明散热板10以及支架板20工艺方式，并不以此说明以及附图局限本发明的应用范畴。在以冲压方式分别制成具有至少二散热基座11散热板10以及具有至少二组导电支架21支架板20可以由导电性以及导热性佳的金属板或合金板所制成，例如散热板10 以及支架板20可以为铜、铁、铝合金或其它导电性以及导热性佳的材质所制成，即散热基座11以及导电支架21会具有良好的导电性以及导热性，在此仅为举例说明散热板10以及支架板20的材质，并不以此局限本发明的应用范畴。接着，请同时参考图3以及图5所示，图5绘示为本发明电热分离式发光二极管支架结构的俯视示意图；在通过上述工艺方式分别制造出相互分离的具有至少二散热基座 11的散热板10以及具有至少二组导电支架21的支架板20，并将散热板10以及支架板20 相互耦合之后，以埋入射出(insert molding)的方式形成胶座30，以使每一个散热基座11 以及每一组导电支架21部分埋入于胶座30内(步骤140)，在实际制造过程中，仅需要通过上模具(图中未绘示)以及下模具(图中未绘示)将每一个散热基座11以及每一组导电支架21嵌入于其中，在进行射出成型胶座30，即可以同时的将每一个散热基座11以及每一组导电支架21部分埋入于胶座30内，而上模具以及下模具即可以一次性的脱模，完成埋入射出胶座30的工艺，而胶座30的材质则可以是聚邻苯二甲酰胺(polyphthalamide，PPA) 或其它常用来作为发光二极管结构胶座30的热塑性树脂，在此仅为举例说明胶座30的材质，并不以此局限本发明的应用范畴。在射出成型胶座30时，同时会在胶座30中形成凹陷部31，并且每一个散热基座 11以及每一组导电支架21部分会暴露于胶座30的凹陷部31 (步骤140)，以及每一组导电支架21部分会分别延伸出胶座30(步骤140)。每一组导电支架21暴露于胶座30的凹陷部31的部分，以及每一组导电支架21 延伸出胶座30的部分是用以提供电性连接之用，即每一组导电支架21暴露于胶座30的凹陷部31的部分是用以在胶座30的凹陷部31内与后续配置于每一个散热基座11上的发光二极管芯片(图中未绘示)形成电性连接，而每一组导电支架21延伸出胶座30的部分是用以在胶座30的外部形成电性连接，以便于与其它电子装置(图式中未绘示)电性连接， 例如主机板、电路板...等，在此仅为举例说明，并不以此局限本发明的应用范畴。换言之，后续分别配置于胶座30之凹陷部31内每一个散热基座11上的发光二极管芯片(图式中未绘示)即是通过每一个散热基座11提供发光二极管芯片的散热之用，并且通过每一组导电支架21暴露于胶座30的凹陷部31的部分，提供发光二极管芯片的电性连接，而通过每一组导电支架21延伸出胶座30的部分，提供发光二极管芯片与其它电子装置电性连接。通过上述过程所制成的电热分离式发光二极管支架结构即可参考图5所示。接着，以下将说明本发明所提供的电热分离式发光二极管支架结构制成方法的第二实施态样，并请同时参考图6以及图7A所示；图6绘示为本发明电热分离式发光二极管支架结构的第二实施态样制成方法流程图；图7A绘示为本发明电热分离式发光二极管支架结构的厚薄板立体示意图；首先，以挤压(extrusion)方式制成具有二种厚度差异的厚薄板40(步骤210)，上述方式仅为举例说明，并不以此局限本发明的应用范畴。接着，请同时参考图6以及图7B所示，图7B绘示为本发明电热分离式发光二极管支架结构的厚薄板的散热基座与导电支架制成立体示意图；以冲压(stamping)方式于厚薄板40厚度较大处形成至少二散热基座41 (步骤220)，并以冲压方式于厚薄板40厚度较小处形成至少二组导电支架42 (步骤230)厚薄板40上所形成的导电支架42组数会依据厚薄板40上所形成的散热基座41 数量来决定，即导电支架42组数会与厚薄板40所形成散热基座41的数量相同，并且每一组导电支架42是分别具有正极导电支架43以及负极导电支架44。而在图7A以及图7B中于厚薄板40上形成三个散热基座41，因此，于厚薄板40上会形成三组导电支架42，附图中绘示的散热基座41以及导电支架42的数量仅为举例说明， 在此不以附图的绘示内容局限本发明的应用范畴。值得注意的是，厚薄板40上所形成的至少二散热基座41与至少二组导电支架42 彼此之间不相连，由此可以将散热以及电性连接分离，以形成电热分离的形式。厚薄板40可以由导电性以及导热性佳的金属板或合金板所制成，例如厚薄板40 可以为铜、铁、铝合金或其它导电性以及导热性佳的材质所制成，即散热基座41以及导电支架42会具有良好的导电性以及导热性，在此仅为举例说明厚薄板40的材质，并不以此局限本发明的应用范畴。接着，请同时参考图6以及图8所示，图8绘示为本发明电热分离式发光二极管支架结构的俯视示意图；在通过上述工艺方式分别制造出相互分离的至少二散热基座41以及至少二组导电支架42的厚薄板40之后，以埋入射出(insert molding)的方式形成胶座 50，以使每一个散热基座41以及每一组导电支架42部分埋入于胶座50内(步骤M0)，在实际制造过程中，仅需要通过上模具(图中未绘示)以及下模具(图中未绘示)将每一个散热基座41以及每一组导电支架42嵌入于其中，在进行射出成型胶座50，即可以同时的将每一个散热基座41以及每一组导电支架42部分埋入于胶座50内，而上模具以及下模具即可以一次性的脱模，完成埋入射出胶座50的工艺，而胶座50的材质则可以是聚邻苯二甲酰胺(p0lyphthalamide，PPA)或其它常用来作为发光二极管结构之胶座50的热塑性树脂，在此仅为举例说明胶座50的材质，并不以此局限本发明的应用范畴。在射出成型胶座50时，同时会在胶座50中形成凹陷部51，并且每一个散热基座 41以及每一组导电支架42部分会暴露于胶座50的凹陷部51 (步骤M0)，以及每一组导电支架42部分会分别延伸出胶座50(步骤M0)。每一组导电支架42暴露于胶座50的凹陷部51的部分，以及每一组导电支架42延伸出胶座50的部分是用以提供电性连接之用，即每一组导电支架42暴露于胶座50的凹陷部51的部分是用以在胶座50的凹陷部51内与后续配置于每一个散热基座41上的发光二极管芯片(图中未绘示)形成电性连接，而每一组导电支架42延伸出胶座50的部分是用以在胶座50的外部形成电性连接，以便于与其它电子装置(图中未绘示)电性连接，例如主机板、电路板...等，在此仅为举例说明，并不以此局限本发明的应用范畴。换言之，后续分别配置于胶座50之凹陷部51内每一个散热基座41上的发光二极管芯片(图中未绘示)即是通过每一个散热基座41提供发光二极管芯片的散热之用，并且通过每一组导电支架42暴露于胶座50的凹陷部51的部分，提供发光二极管芯片的电性连接，而通过每一组导电支架42延伸出胶座50的部分，提供发光二极管芯片与其它电子装置电性连接。通过上述过程所制成的电热分离式发光二极管支架结构即可参考图8所示。接着，请参考图9A所示，图9A绘示为本发明电热分离式发光二极管支架结构配置发光二极管芯片的第一配置态样俯视示意图。在此仅以本发明的第一实施态样作为发光二极管芯片配置的说明，本发明的第二实施态样配置发光二极管芯片亦如第一实施态样的配置发光二极管芯片说明，在此仅为举例说明之，并不以此局限本发明的应用范畴。由表面黏贴技术(Surface Mount Device, SMD)将第一发光二极管芯片61的负极固接于暴露在胶座30的凹陷部31的第一散热基座111上，将第二发光二极管芯片62的负极固接于暴露在胶座30的凹陷部31的第二散热基座112上，以及将第三发光二极管芯片 63的负极固接于暴露在胶座30的凹陷部31的第三散热基座113上。接着，再通过打线接合技术(wire bonding)将第一发光二极管芯片61的正极与暴露于胶座30的凹陷部31的第一组导电支架211的正极导电支架221形成电性连接，以及将第一散热基座111(即第一发光二极管芯片61的负极)与暴露于胶座30的凹陷部31 的第一组导电支架211的负极导电支架231形成电性连接。再将第二发光二极管芯片62的正极与暴露于胶座30的凹陷部31的第二组导电支架212的正极导电支架222形成电性连接，以及将第二散热基座112 (即第二发光二极管芯片62的负极)与暴露于胶座30的凹陷部31的第二组导电支架212的负极导电支架232 形成电性连接。最后，将第三发光二极管芯片63的正极与暴露于胶座30的凹陷部31的第三组导电支架213的正极导电支架223形成电性连接，以及将第三散热基座113 (即第三发光二极管芯片63的负极)与暴露于胶座30的凹陷部31的第三组导电支架213的负极导电支架 233形成电性连接。第一组导电支架211可以分别提供第一发光二极管芯片61不同的电性极性，第二组导电支架212可以分别提供第二发光二极管芯片62不同的电性极性，以及第三组导电支架213可以分别提供第三发光二极管芯片33不同的电性极性。除了以打线接合技术将第一发光二极管芯片61、第二发光二极管芯片62以及第三发光二极管芯片63分别与第一组导电支架211、第二组导电支架212以及第三组导电支架213形成电性连接之外，还可以采用芯片倒装接合技术(flip chip bonding)将上述发光二极管芯片分别与每一组导电支架形成电性连接，至于打线接合技术以及芯片倒装接合技术电性连接方式可以参考现有技术，在此不再进行赘述，并且仅为举例说明，并不以上述方式局限本发明的应用范畴。接着，请参考图9B所示，图9B绘示为本发明电热分离式发光二极管支架结构配置发光二极管芯片的第二配置态样俯视示意图。第二配置态样是将第一发光二极管芯片61的正极固接于暴露在胶座30的凹陷部 31的第一散热基座111上，将第二发光二极管芯片62的正极固接于暴露在胶座30的凹陷部31的第二散热基座112上，以及将第三发光二极管芯片63的负极固接于暴露在胶座30 的凹陷部31的第三散热基座113上。接着，再通过打线接合技术(wire bonding)将第一发光二极管芯片61的负极与暴露于胶座30的凹陷部31的第一组导电支架211的负极导电支架231形成电性连接，以及将第一散热基座111(即第一发光二极管芯片61的正极)与暴露于胶座30的凹陷部31 的第一组导电支架211的正极导电支架221形成电性连接。再将第二发光二极管芯片62的负极与暴露于胶座30的凹陷部31的第二组导电支架212的负极导电支架232形成电性连接，以及将第二散热基座112 (即第二发光二极管芯片62的正极)与暴露于胶座30的凹陷部31的第二组导电支架212的正极导电支架222 形成电性连接。最后，将第三发光二极管芯片63的正极与暴露于胶座30的凹陷部31的第三组导电支架213的正极导电支架223形成电性连接，以及将第三散热基座113 (即第三发光二极管芯片63的负极)与暴露于胶座30的凹陷部31的第三组导电支架213的负极导电支架 233形成电性连接。第一组导电支架211可以分别提供第一发光二极管芯片61不同的电性极性，第二组导电支架212可以分别提供第二发光二极管芯片62不同的电性极性，以及第三组导电支架213可以分别提供第三发光二极管芯片33不同的电性极性。接着，请同时参阅图9A以及图9B所示，通过第一组导电支架211、第二组导电支架 212以及第三组导电支架213，即可以分别的对第一发光二极管芯片61、第二发光二极管芯片62以及第三发光二极管芯片63进行控制，并且可以分别采用不同型式(PNP type或是 NPN type)的发光二极管芯片，以此更可以提高使用发光二极管芯片的使用效能。并且，在图9A以及图9B仅提供二种发光二极管的配置以及电性连接的方式，在此仅为举例说明，并不以此局限本发明的应用范畴。接着，请参考图10所示，图10绘示为本发明电热分离式发光二极管支架结构封装发光二极管芯片的俯视示意图。在此仅以本发明的第一实施态样作为发光二极管芯片配置的说明，本发明的第二实施态样配置发光二极管芯片亦如第一实施态样的配置发光二极管芯片说明，在此仅为举例说明，并不以此局限本发明的应用范畴。再于胶座30的凹陷部31上形成封装胶体70，封装胶体70即可以覆盖于凹陷部 31内的发光二极管芯片60，封装胶体70可以通过点胶(dispensing)的方式形成，在此仅为举例说明，并不以此局限本发明的应用范畴，且封装胶体70中可掺有荧光粉，因此当发光二极管芯片60所发出的光线照射到荧光粉而使其激发出另一种颜色的可见光时，发光二极管芯片60所发出的光线即可与荧光粉所激发出来的光线混合而产生混光效果。
综上所述，可知本发明与公知技术之间的差异在于本发明具体实施态样之一是由散热板与支架板耦合形成至少二散热基座以及至少二组导电支架来维持电热分离的设计； 另外一种具体实施态样则是由厚薄板形成至少二散热基座以及至少二组导电支架来维持电热分离的设计，并且可以同时使用不同型式的发光二极管芯片，即可以将不同型式的发光二极管芯片分别配置于散热基座上，并分别与不同的导电支架组形成电性连接，即可以自由选用不同型式的发光二极管芯片，以避免发光二极管芯片使用上的限制。由此一技术手段可以来解决公知技术所存在散热基座上设置复数发光二极管芯片时，必须使用相同型式的发光二极管芯片，使发光二极管芯片的使用受限制的问题，进而达成同时使用不同型式发光二极管芯片的技术功效。虽然本发明所揭示的实施方式如上，惟所述的内容并非用以直接限定本发明的保护范围。本领域技术人员在不脱离本发明所揭示的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作些许之更动。本发明的保护范围，仍须以申请的权利要求范围所界定的内容为准。
权利要求
1.一种电热分离式发光二极管支架结构制成方法，其包含下列步骤于一散热板上形成至少二散热基座；于一支架板上形成至少二组导电支架；该散热板与该支架板相互耦合，以使该至少二散热基座设置于该至少二组导电支架间，且该至少二散热基座与该至少二组导电支架不相连；及该至少二散热基座以及该至少二组导电支架部分被埋入于一胶座内，且该至少二散热基座以及该至少二组导电支架部分暴露于该胶座的凹陷部，及该至少二组导电支架部分延伸于该胶座外。
2.如权利要求1所述的电热分离式发光二极管支架结构制成方法，其中，于该散热板上形成该至少二散热基座的步骤是由冲压工艺以形成该至少二散热基座。
3.如权利要求1所述的电热分离式发光二极管支架结构制成方法，其中，于该支架板上形成该至少二组导电支架的步骤是由冲压工艺以形成该至少二组导电支架。
4.如权利要求1所述的电热分离式发光二极管支架结构制成方法，其中，该至少二散热基座以及该至少二组导电支架部分被埋入于该胶座内，且该至少二散热基座以及该至少二组导电支架部分暴露于该胶座的凹陷部，及该至少二组导电支架部分延伸于该胶座外的步骤中，该至少二散热基座部分暴露于该凹陷部是用以分别固定发光二极管芯片，并且发光二极管芯片分别与部分暴露于该凹陷部的任一组导电支架形成电性连接。
5.如权利要求4所述的电热分离式发光二极管支架结构制成方法，其中，该至少二散热基座以及该至少二组导电支架部分被埋入于该胶座内，且该至少二散热基座以及该至少二组导电支架部分暴露于该胶座的凹陷部，及该至少二组导电支架部分延伸于该胶座外的步骤中，包含于该凹陷部覆盖有一封装胶体的步骤。
6.一种电热分离式发光二极管支架结构制成方法，其包含下列步骤制成具有二种厚度差异的一厚薄板；于该厚薄板厚度较大处形成至少二散热基座；于该厚薄板厚度较小处形成至少二组导电支架，且该至少二组导电支架与该至少二散热基座不相连；及该至少二散热基座以及该至少二组导电支架部分被埋入于一胶座内，且该至少二散热基座以及该至少二组导电支架部分暴露于该胶座的凹陷部，及该至少二组导电支架部分延伸于该胶座外。
7.如权利要求6所述的电热分离式发光二极管支架结构制成方法，其中，于该厚薄板厚度较大处形成该至少二散热基座的步骤是由冲压工艺以形成该至少二散热基座。
8.如权利要求6所述的电热分离式发光二极管支架结构制成方法，其中，于该厚薄板厚度较小处形成该至少二组导电支架，且该至少二组导电支架与该至少二散热基座不相连的步骤是由冲压工艺以形成该至少二组导电支架。
9.如权利要求6所述的电热分离式发光二极管支架结构制成方法，其中，该至少二散热基座以及该至少二组导电支架部分被埋入于该胶座内，且该至少二散热基座以及该至少二组导电支架部分暴露于该胶座的凹陷部，及该至少二组导电支架部分延伸于该胶座外的步骤中，该至少二散热基座部分暴露于该凹陷部是用以分别固定发光二极管芯片，并且发光二极管芯片分别与部分暴露于该凹陷部的任一组导电支架形成电性连接。
10.如权利要求9所述的电热分离式发光二极管支架结构制成方法，其中，该至少二散热基座以及该至少二组导电支架部分被埋入于该胶座内，且该至少二散热基座以及该至少二组导电支架部分暴露于该胶座的凹陷部，及该至少二组导电支架部分延伸于该胶座外的步骤中，包含于该凹陷部覆盖有一封装胶体的步骤。
全文摘要
一种电热分离式发光二极管支架结构制成方法，具体实施态样之一是由散热板与支架板耦合形成至少二散热基座以及至少二组导电支架来维持电热分离的设计；另外一种具体实施态样则是由厚薄板形成至少二散热基座以及至少二组导电支架来维持电热分离的设计，通过这些设计便可在散热基座上分别配置不同型式的发光二极管芯片，由此可以达成同时使用不同型式发光二极管芯片的技术功效。
文档编号H01L33/64GK102315376SQ201010222698
公开日2012年1月11日 申请日期2010年6月30日 优先权日2010年6月30日
发明者林士杰, 陈咏杰, 陈立敏 申请人:一诠精密工业股份有限公司, 一诠精密电子工业(中国)有限公司