一种原位制备掺杂黑硅的方法

专利名称：一种原位制备掺杂黑硅的方法
技术领域：
本发明涉及光电子器件制造技术领域，尤其是涉及一种原位制备掺杂黑硅的方法。
背景技术：
硅因其具有诸多优点而被作为基底材料广泛用于光电子器件制作中。但硅在用于 光电子器件特别是太阳能电池的制作时，存在如下问题硅对可见光的反射率高达40%， 太阳能利用率低，导致太阳能电池效率低。为了降低硅对可见光的反射率，1999年美国哈佛 大学Eric Mazur教授利用飞秒激光扫描硅片的实验方法制作出了黑硅。与一般的硅材料 结构相比，黑硅具有很强的吸光能力。将黑硅用于太阳能电池的制作，电池的效率可以显著 提尚。在制作黑硅前后，由于各种原因需要对黑硅进行掺杂如需要注入B(硼)、 P (磷)、As (砷)元素形成PN结；为了提高硅红外吸收率，向硅中掺入硫系元素(硫S，硒 Se，碲Te)等等。传统工艺中，黑硅制作与掺杂在不同的设备中完成，黑硅制作与掺杂之间 需要额外的工序，从而使得制备具有掺杂元素的黑硅的工艺复杂，生产成本增高。另一点， 传统掺杂方法主要是利用热扩散的方法向黑硅中掺杂，如掺入B，P，As以形成PN结，掺入硫 系元素以提高硅的红外吸收率等方面；然而用热扩散方法向黑硅中掺入其他元素时，由于 这些元素在黑硅中的固溶度所限，无法达到很高的掺杂浓度。在现有的技术当中，为了提高硅红外吸收率，有一种方法是将含硫系元素的粉末 通过溶剂覆在硅表面，随后用飞秒激光扫面硅片表面，在一步工序中同时形成黑硅结构和 硫系元素掺杂。这种方法虽然实现了同时完成黑硅结构的制作和硫系元素的掺杂，然而，与 传统工艺相比，在制作黑硅结构和硫系元素掺杂前后，又分别多出了在硅片表面涂覆含硫 系元素粉末和去除残留粉末的两步工序，使得工艺变得更加复杂。此外，因为含硫系元素粉 末对真空系统影响较大，所以在半导体制造工艺并不常用；而且，飞秒激光的方法本身就存 在过程控制繁琐，设备成本昂贵，维护不便等缺点，因此利用这一方法来制作具有掺杂元素 的黑硅，工艺复杂，生产维护成本高，难以大规模的生产制造。

发明内容
本发明需要解决的技术问题是提供一种原位制备掺杂黑硅的方法，采用本方法， 能够在同一台设备上实现黑硅制作及原位掺杂，工艺简单，生产成本低，并且容易达到很高 的掺杂浓度。为了解决上述技术问题，本发明提供了一种原位制备掺杂黑硅的方法，所述方法 包括将硅片放置于黑硅制备装置的注入腔室内；向所述黑硅制备装置通入混合气体，所述混合气体由具有刻蚀作用的气体和具 有钝化作用的气体组成，调整所述黑硅制备装置的工艺参数进入预先设置的数值范围，所述黑硅制备装置产生等离子体，所述等离子体中的反应离子与所述硅片发生反应，形成黑 娃；停止通入所述混合气体，并且抽出所述黑硅制备装置中的所有气体；保持所形成的黑硅在原位，向所述黑硅制备装置中通入具有掺杂元素的气体，调 整所述黑硅制备装置的工艺参数进入预先设置的数值范围，所述黑硅制备装置产生等离子 体，所述等离子体中的具有掺杂元素的离子或离子基团被注入到所述的黑硅中，实现原位 制备掺杂黑硅。进一步地，本发明具有如下特点所述将硅片放置于黑硅制备装置的注入腔室内 的步骤还包括将所述硅片与可施加偏置电压的电源电气连接。进一步地，本发明具有如下特点其特征在于所述工艺参数包括注入腔室的本 底压强和工作压强，注入气体的流量，抽取气体的速度，混合气体组成成分、组成比例和浓 度，等离子体电源的输出功率和频率，可施加偏置电压的电源所施加的偏置电压，以及等离 子体注入时间。进一步地，本发明具有如下特点所述偏置电压由多种偏置电压组合而成，通过调 节所述等离子体注入时间、所述注入气体的流量和组成比例、所述等离子体电源的输出功 率或所述偏置电压来改变所述掺杂黑硅的掺杂浓度。进一步地，本发明具有如下特点所述具有刻蚀作用的气体包括SF6、CF4, CHF3、 C4F8, NF3> SiF4、C2F6, HF、BF3> PF3> Cl2, HCUSiH2Cl2, SiCl4, BCl3 或 HBr。进一步地，本发明具有如下特点所述具有钝化作用的气体包括02、N2O或N2。进一步地，本发明具有如下特点所述具有掺杂元素的气体包括氏礼、B(0CH3)3、 B2O3 > BN、BC13、BBr3 > BF3 > PH3> PC13、PBr3、PF3> PF5 > P2O5 > P0C13、AsH3、AsC13、AsF3、AsF5、H2S > H2Se 或 H2Te。进一步地，本发明具有如下特点在所述形成黑硅的步骤中，所述注入腔室的本底 压强为KT7Pa lOOOPa，工作压强为ICT3Pa lOOOPa，所述混合气体的流量为Isccm lOOOsccm，等离子体电源的输出功率为IW 100000W，所施加偏置电压为-100000V 100000V，等离子体电源的频率为直流 10GHz，可施加偏置电压的电源的频率为直流 10GHz，所述混合气体中的具有刻蚀作用的气体与具有钝化作用的气体之间的体积比为 0. 01 100。进一步地，本发明具有如下特点在所述黑硅掺杂的步骤中，所述注入腔室的本 底压强为KT7Pa lOOOPa，工作压强为ICT3Pa lOOOPa，所述具有掺杂元素的气体的 流量为Isccm lOOOsccm，等离子体电源的输出功率为IW 100000W，所施加偏置电压 为-100000V 100000V，等离子体电源的频率为直流 IOGHz，可施加偏置电压的电源的频 率为直流 10GHz，所述掺杂黑硅的掺杂浓度大于lE15cnT3。为了解决上述技术问题，本发明还提供了一种原位制备掺杂黑硅的方法，所述方 法包括将硅片放置于黑硅制备装置的注入腔室内；向所述黑硅制备装置通入混合气体，所述混合气体由具有刻蚀作用的气体、具有 钝化作用的气体和具有掺杂元素的气体组成，调整所述黑硅制备装置的工艺参数进入预先 设置的数值范围，所述黑硅制备装置产生等离子体，所述等离子体中的反应离子与所述硅片发生反应，形成黑硅，同时所述等离子体中的掺杂元素离子注入至所述黑硅内，完成黑硅 原位掺杂。与现有技术相比，本发明具有以下优点1.与传统工艺相比，本发明所述的方法可以在一台设备中完成黑硅制作和黑硅掺 杂，即实现原位掺杂，从而减少制备具有掺杂元素的黑硅的工序，降低工艺复杂度，进而降 低制备成本；2.与热扩散向黑硅中掺入其他元素方法相比，本发明所述的方法为离子注入，掺 入硅中的元素浓度无固溶度的限制，可以达到很高的掺杂浓度；并且根据后续制作太阳能 电池的要求，可通过调整所述等离子体注入时间、所述注入气体的流量和组成比例、所述等 离子体电源的输出功率或所述偏置电压来改变掺杂浓度，使得掺杂黑硅的掺杂浓度可控；3.与飞秒激光法制作黑硅结构与硫系元素掺杂相比，本发明所述的方法所用设备 简单，无需涂粉和去粉等工艺，工艺过程简单可控，生产成本低，易于大规模生产。


图1是本发明原位制备掺杂黑硅的方法的第一种实施方式的流程示意图；图2是本发明原位制备掺杂黑硅的方法的第二种实施方式的流程示意图；图3是本发明原位制备掺杂黑硅的方法的第三种实施方式的流程示意图；图4是本发明原位制备掺杂黑硅的方法的第四种实施方式的流程示意图；图5是本发明原位制备掺杂黑硅的方法的第五种实施方式的流程示意图。
具体实施例方式为了深入了解本发明，下面结合附图及具体实施例对本发明进行详细说明。等离子体浸没离子注入(Plasma Immersion Ion Implantation，简称为 PIII)，在 半导体业界有时也称为等离子体注入、等离子体掺杂、等离子体浸没注入、等离子体源离子 注入、等离子体基离子注入等等，这几种称法表示相同的一种工艺技术，即待注入样品直接 浸没在等离子体中，通过向样品加偏置电压(也可称为“注入电压”)，使得样品和等离子体 之间形成注入鞘层电场；位于注入鞘层电场内和从等离子体进入注入鞘层电场的反应离子 在电场的加速作用下直接注入到样品中。由于在样品的表面形成鞘层，所以曝露在等离子 体中的样品表面各处将同时被注入。本发明利用等离子体浸没离子注入实现黑硅原位掺杂的方法，该方法可以在一台 设备中完成黑硅制作和掺杂，即实现黑硅原位掺杂，主要步骤为将硅片放置于黑硅制备装 置内，分别通入具有刻蚀钝化作用的混合气体和具有掺杂元素的工艺气体，相应地分别调 整所述黑硅制备装置的工艺参数进入预先设置的数值范围，完成在同一台黑硅制备装置中 的黑硅制备和掺杂，无需更换设备。黑硅制备装置，例如等离子体浸没离子注入机，一般包括注入腔室和等离子体源。 在注入腔室内，设有其上可放置样品的样品台。在与样品台相对的一侧，设有等离子体源。 等离子体源包括抽真空系统，其可将注入腔室抽真空至预先设置的本底压强范围；供气系 统，其可向注入腔室充入所需的气体，并且能够按照一定的控制规则来调整气体的各种参 数，例如气体的流量、抽取速度、气体成分比例和浓度等参数，当气体充入注入腔室之后，可
6使得注入腔室的压强进入预先设置的工作压强范围；以及等离子体电源，其可为射频电源、 微波电源或直流电源，这些电源还可以脉冲形式供电，并且这些电源的频率可为固定频率 或可变频率。可选择地，黑硅制备装置还包括可施加偏置电压的电源。该可施加偏置电压的电 源与注入腔室内的样品台电气连接。可施加偏置电压的电源类型与等离子体电源相似，可 为射频电源、微波电源或直流电源，这些电源还可以脉冲形式供电，还可以是这些电源的任 意组合，进而向样品台提供由多种偏置电压组成的偏置电压。可选择地，黑硅制备装置还可包括监视注入腔室内的各种工艺状况的监控部件， 例如监视腔室内的电子温度、等离子体密度、离子体电势、离子质谱分布和发射光谱等。等 离子体电源和可施加偏置电压的电源的功率可按一定的控制规则进行调节，如果采用脉冲 形式供电，那么等离子体电源和可施加偏置电压的电源的频率、占空比、脉宽也可按照一定 的控制规则进行调节。可施加偏置电压的电源可按一定的控制规则调整其所施加的偏置电 压。在本发明一种原位制备掺杂黑硅的方法中，掺杂黑硅的掺杂浓度与等离子体注入 时间(例如，可采用从启动可施加偏压的电源到关闭可施加偏压的电源的这一段时间来等 效计算)、所述注入气体的流量和组成比例、所述等离子体电源的输出功率和所述偏置电压 有关，通过调整上述工艺参数，可得到期望掺杂浓度的掺杂黑硅，也就是说，与现有热扩散 方法相比，利用本方法，不仅可得到很高的掺杂浓度，而且实现了掺杂浓度可控。如下结合附图来描述本发明所包括但非限制性的实施方式。实施例1参见图1，本发明实施例提供了利用等离子体浸没离子注入实现原位制备掺杂黑 硅的方法的第一种实施方式，包括如下步骤步骤101 对硅片进行预处理；硅片预处理的方式包括硅片的清洗、抛光、退火、腐蚀、制绒(也可称为绒化)和/ 或图形化等工艺，形状可为圆形、方形或矩形等等常规形状，也可为其它任意的复杂形状；步骤102 将硅片放置于黑硅制备装置内；黑硅制备装置可为等离子体浸没离子注入机，硅片放置在该装置的注入腔室内， 并且放置于样品台；在一些实施方式中，黑硅制备装置包括可施加偏置电压的电源，此时可 使得硅片与样品台电气连接，由于样品台与可施加偏置电压的电源电气连接，所以硅片与 可施加偏置电压的电源电气连接；在某个条件下，启动可施加偏置电压的电源，即可向硅片 施加偏置电压；步骤103 向黑硅制备装置内通入具有刻蚀、钝化作用和具有掺杂元素的混合气 体，调整黑硅制备装置的工艺参数，使之达到可产生等离子体的工作条件；具有刻蚀作用的气体包括SF6 、CF4、CHF3、C4F8、NF3、S瓷F4、C2F6、HF、BF3、PF3、Cl2、HCl、 SiH2Cl2, SiCl4、BCl3或HBr ；具有钝化作用的气体包括02、N20或N2 ；具有掺杂元素的气体包 括 B2H6、B (OCH3) 3、B203、BN、BC13、BBr3, BF3, PH3, PCl3、PBr3, PF3, PF5, P2O5> POCl3, AsH3、AsCI3, AsF3、AsF5、H2S、H2Se或吐！^等；工艺参数包括注入腔室的本底压强和工作压强，注入气体的 流量，抽取气体的速度，混合气体组成成分、组成比例和浓度，等离子体电源的输出功率和 频率，可施加偏置电压的电源所施加的偏置电压，如果采用脉冲形式，还包括脉宽、占空比和频率；注入腔室的本底压强范围可为KT7Pa lOOOPa，优选地可为ICT5Pa 10Pa，更 为优选地可为10_5Pa KT3Pa ；注入腔室的工作压强范围可为KT3Pa lOOOPa，优选为 0. OlPa lOOPa，更为优选地可为0. IPa 50Pa ；混合气体的流量可为1 lOOOsccm， 优选为10 lOOsccm，更为优选地可为20 80sccm ；等离子体电源的输出功率为1 100000W,优选为10 50000W，更为优选地可为300 5000W ；所施加偏置电压为-100000 100000V，优选为-50000 50000V，更为优选地可为-10000 OV ；脉宽为Ius ls，优选 为Ius 0. ls，更为优选地可为Ius Ims ；占空比为 99%，优选为10% 90%，更 为优选地可为20% 80%，等离子体电源的频率为直流 IOGHz，优选为IMHz 5GHz，更 为优选地可为13. 56MHz 5GHz ；可施加偏置电压的电源的频率为直流 IOGHz ；步骤104 在等离子体产生且浸没硅片之后，由于向硅片施加偏置电压而在硅片 和等离子体之间所形成鞘层电场的加速作用下，位于鞘层电场内和从等离子体进入鞘层电 场的离子直接注入至硅片内；如在注入气体为由SF6、O2和H2Se组成的混合气体的情况下， 经电离后，SF6和O2分别产生具有刻蚀作用的F*基团和具有钝化作用的Cf基团，其中F*基 团通过与Si形成SiF4,进而对Si形成刻蚀作用；同时，Cf基团在刻蚀壁表面形成SixOyFz， 对刻蚀壁产生钝化作用；因此，在刻蚀和钝化的双重作用下，最终形成了多孔或网状结构的 黑硅；具有掺杂元素的离子或离子基团，如上述SF6、02的混合气体产生含Se离子基 团，在注入电压的加速下，注入到黑硅中，对黑硅进行原位掺杂，掺杂黑硅的掺杂浓度大于 lE15cm_3，掺杂浓度可控；并且，黑硅制备和原位掺杂可以同时进行；步骤105 对原位掺杂黑硅进行后处理；原位掺杂黑硅后处理的方式包括黑硅的清洗、抛光、退火、腐蚀、制绒(也可称为 绒化)和/或图形化等工艺。实施例2参见图2，本发明实施例提供了利用等离子体浸没离子注入实现原位制备掺杂黑 硅的方法的第二种实施方式，包括如下步骤步骤201 对硅片进行预处理；硅片预处理的方式包括硅片的清洗、抛光、掺杂、退火、腐蚀、制绒(也可称为绒 化)和/或图形化等工艺，形状可为圆形、方形或矩形等等常规形状，也可为其它任意的复 杂形状；步骤202 将硅片放置于黑硅制备装置内；黑硅制备装置可为等离子体浸没离子注入机，硅片放置在该装置的注入腔室内， 并且放置于样品台；在一些实施方式中，黑硅制备装置包括可施加偏置电压的电源，此时可 使得硅片与样品台电气连接，由于样品台与可施加偏置电压的电源电气连接，所以硅片与 可施加偏置电压的电源电气连接；在某个条件下，启动可施加偏置电压的电源，即可向硅片 施加偏置电压；步骤203 向黑硅制备装置内通入具有刻蚀和钝化作用的混合气体，调整黑硅制 备装置的工艺参数，使之达到可产生等离子体的工作条件；具有刻蚀作用的气体包括5卩6丄卩4、(冊3、(/8、咿3、51卩4、(^6、冊、8卩3、卩卩3、(12、!1(1、 5让2(12、5比14、8(13或冊『；具有钝化作用的气体包括02、N2O或N2 ；工艺参数包括注入腔室的本底压强和工作压强，注入气体的流量，抽取气体的速度，混合气体组成成分、组成比例 和浓度，等离子体电源的输出功率和频率，可施加偏置电压的电源所施加的偏置电压，如果 采用脉冲形式，还包括脉宽、占空比和频率；注入腔室的本底压强范围可为ICT7Pa lOOOPa，优选地可为ICT5Pa 10Pa，更 为优选地可为10_5Pa KT3Pa ；注入腔室的工作压强范围可为KT3Pa lOOOPa，优选为 0. OlPa lOOPa，更为优选地可为0. IPa 50Pa ；混合气体的流量可为1 lOOOsccm， 优选为10 lOOsccm，更为优选地可为20 80sccm ；等离子体电源的输出功率为1 100000W,优选为10 50000W，更为优选地可为300 5000W ；所施加偏置电压为-100000 100000V，优选为-50000 50000V，更为优选地可为-10000 OV ；脉宽为Ius ls，优选 为Ius 0. ls，更为优选地可为Ius Ims ；占空比为 99%，优选为10% 90%，更 为优选地可为20% 80%，等离子体电源的频率为直流 IOGHz，优选为IMHz 5GHz，更 为优选地可为13. 56MHz 5GHz ；可施加偏置电压的电源的频率为直流 IOGHz ；步骤204 在等离子体产生且浸没硅片之后，由于向硅片施加偏置电压而在硅片 和等离子体之间所形成鞘层电场的加速作用下，位于鞘层电场内和从等离子体进入鞘层电 场的反应离子直接注入至硅片内；如在注入气体为由SFjP 02组成的混合气体的情况下，经 电离后，SF6和O2分别产生具有刻蚀作用的F*基团和具有钝化作用的Cf基团，其中F*基团 通过与Si形成SiF4,进而对Si形成刻蚀作用；同时，Cf基团在刻蚀壁表面形成SixOyFz，对 刻蚀壁产生钝化作用；因此，在刻蚀和钝化的双重作用下，最终形成了多孔或网状结构的黑 娃；步骤205 停止通入气体，并且抽出所述黑硅制备装置中的所有气体，保持所形成 的黑硅在原位；然后向黑硅制备装置内通入具有掺杂元素的混合气体，调整黑硅制备装置 的工艺参数，使之达到可进行工艺的工作条件；具有掺杂元素的混合气体包括B2H6、B (OCH3) 3、B2O3> BN, BC13、BBr3> BF3> PH3> PC13、 PBr3> PF3> PF5, P2O5, P0C13、AsH3、AsCl3, AsF3, AsF5, H2S, H2Se 或 H2Te 等；工艺参数包括注入 腔室的本底压强和工作压强，注入气体的流量，抽取气体的速度，混合气体组成成分、组成 比例和浓度，等离子体电源的输出功率和频率，可施加偏置电压的电源所施加的偏置电压， 如果采用脉冲形式，还包括脉宽、占空比和频率；注入腔室的本底压强范围可为KT7Pa lOOOPa，优选地可为ICT5Pa 10Pa，更 为优选地可为10_5Pa KT3Pa ；注入腔室的工作压强范围可为KT3Pa lOOOPa，优选为 0. OlPa lOOPa，更为优选地可为0. IPa 50Pa ；混合气体的流量可为1 lOOOsccm， 优选为10 lOOsccm，更为优选地可为20 80sccm ；等离子体电源的输出功率为1 100000W,优选为10 50000W，更为优选地可为300 5000W ；所施加偏置电压为-100000 100000V，优选为-50000 50000V，更为优选地可为-10000 OV ；脉宽为Ius ls，优选 为Ius 0. ls，更为优选地可为Ius Ims ；占空比为 99%，优选为10% 90%，更 为优选地可为20% 80%，等离子体电源的频率为直流 IOGHz，优选为IMHz 5GHz，更 为优选地可为13. 56MHz 5GHz ；可施加偏置电压的电源的频率为直流 IOGHz ；步骤206 等离子体产生后，具有掺杂元素的混合气体分解成具有掺杂元素的离 子或离子基团(例如B离子、P离子、As离子、Se离子、Te离子或离子基团等等)，这些离子 或离子基团在注入偏压的加速下，掺入到黑硅中，实现原位制备掺杂黑硅，掺杂黑硅的掺杂浓度大于lE15cm_3，掺杂浓度可控；步骤207 对原位掺杂黑硅进行后处理；原位掺杂黑硅后处理的方式包括黑硅的清洗、抛光、退火、腐蚀、制绒(也可称为 绒化)和/或图形化等工艺。本实施例中，步骤205至步骤206可重复多次，以实现对黑硅不同掺杂。实施例3参见图3，本发明实施例提供了利用等离子体浸没离子注入实现原位制备掺杂黑 硅的方法的第三种实施方式，包括如下步骤步骤301 对硅片进行预处理；硅片预处理的方式包括硅片的清洗、抛光、退火、腐蚀、制绒(也可称为绒化)和/ 或图形化等工艺，形状可为圆形、方形或矩形等等常规形状，也可为其它任意的复杂形状；步骤302 将硅片放置于黑硅制备装置内；黑硅制备装置可为等离子体浸没离子注入机，硅片放置在该装置的注入腔室内， 并且放置于样品台；在一些实施方式中，黑硅制备装置包括可施加偏置电压的电源，此时可 使得硅片与样品台电气连接，由于样品台与可施加偏置电压的电源电气连接，所以硅片与 可施加偏置电压的电源电气连接；在某个条件下，启动可施加偏置电压的电源，即可向硅片 施加偏置电压；步骤303 向黑硅制备装置内通入具有掺杂元素的混合气体，调整黑硅制备装置 的工艺参数，使之达到可进行工艺的工作条件；具有掺杂元素的混合气体包括B2H6、B (OCH3) 3、B2O3> BN, BC13、BBr3> BF3> PH3> PC13、 PBr3> PF3> PF5, P2O5, P0C13、AsH3、AsCl3, AsF3, AsF5, H2S, H2Se 或 H2Te 等；工艺参数包括注入 腔室的本底压强和工作压强，注入气体的流量，抽取气体的速度，混合气体组成成分、组成 比例和浓度，等离子体电源的输出功率和频率，可施加偏置电压的电源所施加的偏置电压， 如果采用脉冲形式，还包括脉宽、占空比和频率；注入腔室的本底压强范围可为KT7Pa lOOOPa，优选地可为ICT5Pa 10Pa，更 为优选地可为10_5Pa KT3Pa ；注入腔室的工作压强范围可为KT3Pa lOOOPa，优选为 0. OlPa lOOPa，更为优选地可为0. IPa 50Pa ；混合气体的流量可为1 lOOOsccm， 优选为10 lOOsccm，更为优选地可为20 80sccm ；等离子体电源的输出功率为1 100000W,优选为10 50000W，更为优选地可为300 5000W ；所施加偏置电压为-100000 100000V，优选为-50000 50000V，更为优选地可为-10000 OV ；脉宽为Ius ls，优选 为Ius 0. ls，更为优选地可为Ius Ims ；占空比为 99%，优选为10% 90%，更 为优选地可为20% 80%，等离子体电源的频率为直流 10GHz，优选为IMHz 5GHz，更 为优选地可为13. 56MHz 5GHz ；可施加偏置电压的电源的频率为直流 IOGHz ；步骤304 等离子体产生后，具有掺杂元素的混合气体分解成具有掺杂元素的离 子或离子基团，这些离子或离子基团在注入偏压的加速下，掺入到硅片中，实现对硅的掺 杂，掺杂浓度可控，并且大于lE15cm_3 ；步骤305 停止通入具有掺杂元素的混合气体，并且抽出黑硅制备装置内的所有 气体，保持所掺杂的硅片在原位；然后向黑硅制备装置内通入具有刻蚀和钝化作用的混合 气体，调整黑硅制备装置的工艺参数，使之达到可产生等离子体的工作条件；
具有刻蚀作用的气体包括5卩6丄卩4、(冊3、(/8、咿3、51卩4、(^6、冊、8卩3、卩卩3、(12、!1(1、 5让2(12、5比14、8(13或冊『；具有钝化作用的气体包括02、N2O或N2 ；工艺参数包括注入腔室 的本底压强和工作压强，注入气体的流量，抽取气体的速度，混合气体组成成分、组成比例 和浓度，等离子体电源的输出功率和频率，可施加偏置电压的电源所施加的偏置电压，如果 采用脉冲形式，还包括脉宽、占空比和频率；注入腔室的本底压强范围可为KT7Pa lOOOPa，优选地可为ICT5Pa 10Pa，更 为优选地可为10_5Pa KT3Pa ；注入腔室的工作压强范围可为KT3Pa lOOOPa，优选为 0. OlPa lOOPa，更为优选地可为0. IPa 50Pa ；混合气体的流量可为1 lOOOsccm， 优选为10 lOOsccm，更为优选地可为20 80sccm ；等离子体电源的输出功率为1 100000W,优选为10 50000W，更为优选地可为300 5000W ；所施加偏置电压为-100000 100000V，优选为-50000 50000V，更为优选地可为-10000 OV ；脉宽为Ius ls，优选 为Ius 0. ls，更为优选地可为Ius Ims ；占空比为 99%，优选为10% 90%，更 为优选地可为20% 80%，等离子体电源的频率为直流 10GHz，优选为IMHz 5GHz，更 为优选地可为13. 56MHz 5GHz ；可施加偏置电压的电源的频率为直流 IOGHz ；步骤306 在等离子体产生且浸没硅片之后，由于向硅片施加偏置电压而在硅片 和等离子体之间所形成鞘层电场的加速作用下，位于鞘层电场内和从等离子体进入鞘层电 场的反应离子直接注入至硅片内；如在注入气体为由SFjP 02组成的混合气体的情况下，经 电离后，SF6和O2分别产生具有刻蚀作用的F*基团和具有钝化作用的Cf基团，其中F*基团 通过与Si形成SiF4,进而对Si形成刻蚀作用；同时，Cf基团在刻蚀壁表面形成SixOyFz，对 刻蚀壁产生钝化作用；因此，在刻蚀和钝化的双重作用下，最终形成了多孔或网状结构的黑 娃；步骤307 对原位掺杂黑硅进行后处理；原位掺杂黑硅后处理的方式包括黑硅的清洗、抛光、退火、腐蚀、制绒(也可称为 绒化)和/或图形化等工艺。本实施例中，步骤303至步骤304可重复多次，以实现对黑硅不同元素(例如B、 P、As、Se和Te)、不同浓度和不同比例的掺杂。实施例4参见图4，本发明实施例提供了利用等离子体浸没离子注入实现原位制备掺杂黑 硅的方法的第四种实施方式，包括如下步骤步骤401 对硅片进行预处理；硅片预处理的方式包括硅片的清洗、抛光、退火、腐蚀、制绒(也可称为绒化)和/ 或图形化等工艺，形状可为圆形、方形或矩形等等常规形状，也可为其它任意的复杂形状；步骤402 将硅片放置于黑硅制备装置内；黑硅制备装置可为等离子体浸没离子注入机，硅片放置在该装置的注入腔室内， 并且放置于样品台；在一些实施方式中，黑硅制备装置包括可施加偏置电压的电源，此时可 使得硅片与样品台电气连接，由于样品台与可施加偏置电压的电源电气连接，所以硅片与 可施加偏置电压的电源电气连接；在某个条件下，启动可施加偏置电压的电源，即可向硅片 施加偏置电压；步骤403 向黑硅制备装置内通入具有掺杂元素的混合气体，调整黑硅制备装置
11的工艺参数，使之达到可进行工艺的工作条件；具有掺杂元素的混合气体包括B2H6、B (OCH3) 3、B2O3> BN, BC13、BBr3> BF3> PH3> PC13、 PBr3> PF3> PF5, P2O5, P0C13、AsH3、AsCl3, AsF3, AsF5, H2S, H2Se 或 H2Te 等；工艺参数包括注入 腔室的本底压强和工作压强，注入气体的流量，抽取气体的速度，混合气体组成成分、组成 比例和浓度，等离子体电源的输出功率和频率，可施加偏置电压的电源所施加的偏置电压， 如果采用脉冲形式，还包括脉宽、占空比和频率；注入腔室的本底压强范围可为KT7Pa lOOOPa，优选地可为ICT5Pa 10Pa，更 为优选地可为10_5Pa KT3Pa ；注入腔室的工作压强范围可为KT3Pa lOOOPa，优选为 0. OlPa lOOPa，更为优选地可为0. IPa 50Pa ；混合气体的流量可为1 lOOOsccm， 优选为10 lOOsccm，更为优选地可为20 80sccm;等离子体电源的输出功率为1 100000W,优选为10 50000W，更为优选地可为300 5000W ；所施加偏置电压为-100000 100000V，优选为-50000 50000V，更为优选地可为-10000 OV ；脉宽为Ius ls，优选 为Ius 0. ls，更为优选地可为Ius Ims ；占空比为 99%，优选为10% 90%，更 为优选地可为20% 80%，等离子体电源的频率为直流 10GHz，优选为IMHz 5GHz，更 为优选地可为13. 56MHz 5GHz ；可施加偏置电压的电源的频率为直流 IOGHz ；步骤404:等离子体产生后，具有掺杂元素的混合气体分解成具有掺杂元素的离 子或离子基团(例如B离子、P离子、As离子、Se离子、Te离子或离子基团等等)，这些离子 或离子基团在注入偏压的加速下，掺入到硅片中，实现对硅的掺杂；步骤405 停止通入具有掺杂元素的混合气体，并且抽出在黑硅制备装置内的所 有气体，保持所掺杂的硅片在原位；然后向黑硅制备装置内通入具有刻蚀和钝化作用的混 合气体，调整黑硅制备装置的工艺参数，使之达到可产生等离子体的工作条件；具有刻蚀作用的气体包括5卩6丄卩4、(冊3、(/8、咿3、51卩4、(^6、冊、8卩3、卩卩3、(12、!1(1、 5让2(12、5比14、8(13或冊『；具有钝化作用的气体包括02、N2O或N2 ；工艺参数包括注入腔室 的本底压强和工作压强，注入气体的流量，抽取气体的速度，混合气体组成成分、组成比例 和浓度，等离子体电源的输出功率和频率，可施加偏置电压的电源所施加的偏置电压，如果 采用脉冲形式，还包括脉宽、占空比和频率；注入腔室的本底压强范围可为KT7Pa lOOOPa，优选地可为ICT5Pa 10Pa，更 为优选地可为10_5Pa KT3Pa ；注入腔室的工作压强范围可为KT3Pa lOOOPa，优选为 0. OlPa lOOPa，更为优选地可为0. IPa 50Pa ；混合气体的流量可为1 lOOOsccm， 优选为10 lOOsccm，更为优选地可为20 80sccm ；等离子体电源的输出功率为1 100000W,优选为10 50000W，更为优选地可为300 5000W ；所施加偏置电压为-100000 100000V，优选为-50000 50000V，更为优选地可为-10000 OV ；脉宽为Ius ls，优选 为Ius 0. ls，更为优选地可为Ius Ims ；占空比为 99%，优选为10% 90%，更 为优选地可为20% 80%，等离子体电源的频率为直流 IOGHz，优选为IMHz 5GHz，更 为优选地可为13. 56MHz 5GHz ；可施加偏置电压的电源的频率为直流 IOGHz ；步骤406 在等离子体产生且浸没硅片之后，由于向硅片施加偏置电压而在硅片 和等离子体之间所形成鞘层电场的加速作用下，位于鞘层电场内和从等离子体进入鞘层电 场的反应离子直接注入至硅片内；如在注入气体为由SFjP 02组成的混合气体的情况下，经 电离后，SF6和O2分别产生具有刻蚀作用的F*基团和具有钝化作用的Cf基团，其中F*基团通过与Si形成SiF4,进而对Si形成刻蚀作用；同时，O*基团在刻蚀壁表面形成SixOyFz，对 刻蚀壁产生钝化作用；因此，在刻蚀和钝化的双重作用下，最终形成了多孔或网状结构的黑 娃；步骤407 关闭所有工艺气体，向黑硅制备装置内通入具有掺杂元素的混合气体， 调整黑硅制备装置的工艺参数，使之达到可进行工艺的工作条件；具有掺杂元素的混合气体包括B2H6、B (OCH3) 3、B2O3> BN, BC13、BBr3> BF3> PH3> PC13、 PBr3> PF3> PF5, P2O5, P0C13、AsH3、AsCl3, AsF3, AsF5, H2S, H2Se 或 H2Te 等；工艺参数包括注入 腔室的本底压强和工作压强，注入气体的流量，抽取气体的速度，混合气体组成成分、组成 比例和浓度，等离子体电源的输出功率和频率，可施加偏置电压的电源所施加的偏置电压， 如果采用脉冲形式，还包括脉宽、占空比和频率；注入腔室的本底压强范围可为IO-7Pa lOOOPa，优选地可为ICT5Pa 10Pa，更 为优选地可为10_5Pa KT3Pa ；注入腔室的工作压强范围可为KT3Pa lOOOPa，优选为 0. OlPa lOOPa，更为优选地可为0. IPa 50Pa ；混合气体的流量可为1 lOOOsccm， 优选为10 lOOsccm，更为优选地可为20 80sccm ；等离子体电源的输出功率为1 100000W,优选为10 50000W，更为优选地可为300 5000W ；所施加偏置电压为-100000 100000V，优选为-50000 50000V，更为优选地可为-10000 OV ；脉宽为Ius ls，优选 为Ius 0. ls，更为优选地可为Ius Ims ；占空比为 99%，优选为10% 90%，更 为优选地可为20% 80%，等离子体电源的频率为直流 IOGHz，优选为IMHz 5GHz，更 为优选地可为13. 56MHz 5GHz ；可施加偏置电压的电源的频率为直流 IOGHz ；步骤408 等离子体产生后，具有掺杂元素的混合气体分解成具有掺杂元素的离 子或离子基团(例如B离子、P离子、As离子、Se离子、Te离子或离子基团等等)，这些离子 或离子基团在注入偏压的加速下，掺入到黑硅中，实现原位制备掺杂黑硅，掺杂浓度可控， 并且大于lE15cm_3 ；步骤409 对原位掺杂黑硅进行后处理；原位掺杂黑硅后处理的方式包括黑硅的清洗、抛光、退火、腐蚀、制绒(也可称为 绒化)和/或图形化等工艺。本实施例中，步骤403至步骤404、步骤407至步骤408可重复多次，以实现对黑硅 不同元素、不同浓度以及不同比例的掺杂。实施例5参见图5，本发明实施例提供了利用等离子体浸没离子注入实现原位制备掺杂黑 硅的方法的第五种实施方式，包括如下步骤步骤501 对硅片进行预处理；硅片预处理的方式包括硅片的清洗、抛光、退火、腐蚀、制绒(也可称为绒化)和/ 或图形化等工艺，形状可为圆形、方形或矩形等等常规形状，也可为其它任意的复杂形状；步骤502 将硅片放置于黑硅制备装置内；黑硅制备装置可为等离子体浸没离子注入机，硅片放置在该装置的注入腔室内， 并且放置于样品台；在一些实施方式中，黑硅制备装置包括可施加偏置电压的电源，此时可 使得硅片与样品台电气连接，由于样品台与可施加偏置电压的电源电气连接，所以硅片与 可施加偏置电压的电源电气连接；在某个条件下，启动可施加偏置电压的电源，即可向硅片施加偏置电压；步骤503 向黑硅制备装置内通入具有掺杂元素的混合气体，调整黑硅制备装置 的工艺参数，使之达到可进行工艺的工作条件；具有掺杂元素的混合气体包括B2H6、B (OCH3) 3、B2O3> BN, BC13、BBr3> BF3> PH3> PC13、 PBr3> PF3> PF5, P2O5, P0C13、AsH3、AsCl3, AsF3, AsF5, H2S, H2Se 或 H2Te 等；工艺参数包括注入 腔室的本底压强和工作压强，注入气体的流量，抽取气体的速度，混合气体组成成分、组成 比例和浓度，等离子体电源的输出功率和频率，可施加偏置电压的电源所施加的偏置电压， 如果采用脉冲形式，还包括脉宽、占空比和频率；注入腔室的本底压强范围可为KT7Pa lOOOPa，优选地可为ICT5Pa 10Pa，更 为优选地可为10_5Pa KT3Pa ；注入腔室的工作压强范围可为KT3Pa lOOOPa，优选为 0. OlPa lOOPa，更为优选地可为0. IPa 50Pa ；混合气体的流量可为1 lOOOsccm， 优选为10 lOOsccm，更为优选地可为20 80sccm ；等离子体电源的输出功率为1 100000W,优选为10 50000W，更为优选地可为300 5000W ；所施加偏置电压为-100000 100000V，优选为-50000 50000V，更为优选地可为-10000 OV ；脉宽为Ius ls，优选 为Ius 0. ls，更为优选地可为Ius Ims ；占空比为 99%，优选为10% 90%，更 为优选地可为20% 80%，等离子体电源的频率为直流 IOGHz，优选为IMHz 5GHz，更 为优选地可为13. 56MHz 5GHz ；可施加偏置电压的电源的频率为直流 IOGHz ；步骤504:等离子体产生后，具有掺杂元素的混合气体分解成具有掺杂元素的离 子或离子基团(例如B离子、P离子、As离子、Se离子、Te离子或离子基团等等)，这些离子 或离子基团在注入偏压的加速下，掺入到硅片中，实现对硅的掺杂；步骤505 停止通入具有掺杂元素的混合气体，并且抽出在黑硅制备装置内的所 有气体；然后向黑硅制备装置内通入具有刻蚀、钝化作用和具有掺杂元素的混合气体，调整 黑硅制备装置的工艺参数，使之达到可产生等离子体的工作条件；具有刻蚀作用的气体包括SF6、CF4、CHF3、C4F8、NF3、SiF4、C2F6、HF、BF3、PF3、Cl2、HCl、 SiH2Cl2, SiCl4^BCl3或HBr ；具有钝化作用的气体包括02、N20或N2 ；具有掺杂元素的混合气 体包括 B2H6、B (OCH3) 3、B2O3> BN、BC13、BBr3> BF3> PH3> PC13、PBr3, PF3, PF5, P2O5> POCl3, AsH3, AsC13、AsF3、AsF5、H2S、H2Se或H2Te等；工艺参数包括注入腔室的本底压强和工作压强，注入 气体的流量，抽取气体的速度，混合气体组成成分、组成比例和浓度，等离子体电源的输出 功率和频率，可施加偏置电压的电源所施加的偏置电压，如果采用脉冲形式，还包括脉宽、 占空比和频率；注入腔室的本底压强范围可为KT7Pa lOOOPa，优选地可为ICT5Pa 10Pa，更 为优选地可为10_5Pa KT3Pa ；注入腔室的工作压强范围可为KT3Pa lOOOPa，优选为 0. OlPa lOOPa，更为优选地可为0. IPa 50Pa ；混合气体的流量可为1 lOOOsccm， 优选为10 lOOsccm，更为优选地可为20 80sccm ；等离子体电源的输出功率为1 100000W,优选为10 50000W，更为优选地可为300 5000W ；所施加偏置电压为-100000 100000V，优选为-50000 50000V，更为优选地可为-10000 OV ；脉宽为Ius ls，优选 为Ius 0. ls，更为优选地可为Ius Ims ；占空比为 99%，优选为10% 90%，更 为优选地可为20% 80%，等离子体电源的频率为直流 IOGHz，优选为IMHz 5GHz，更 为优选地可为13. 56MHz 5GHz ；可施加偏置电压的电源的频率为直流 IOGHz ；
步骤506 在等离子体产生且浸没硅片之后，由于向硅片施加偏置电压而在硅片 和等离子体之间所形成鞘层电场的加速作用下，位于鞘层电场内和从等离子体进入鞘层电 场的反应离子直接注入至硅片内；如在注入气体为由SF6、O2和PH3组成的混合气体的情况 下，经电离后，SF6和O2分别产生具有刻蚀作用的F*基团和具有钝化作用的Cf基团，其中F* 基团通过与Si形成SiF4,进而对Si形成刻蚀作用；同时，Cf基团在刻蚀壁表面形成SixOyFz， 对刻蚀壁产生钝化作用；因此，在刻蚀和钝化的双重作用下，最终形成了多孔或网状结构的 黑硅；具有掺杂元素的离子或离子基团，如上述SF6、O2和PH3的混合气体产生含P离子基 团，在注入电压的加速下，注入到黑硅中，实现原位制备掺杂黑硅；步骤507 关闭所有工艺气体，向黑硅制备装置内通入具有掺杂元素的混合气体， 调整黑硅制备装置的工艺参数，使之达到可进行工艺的工作条件；具有掺杂元素的混合气体包括B2H6、B (OCH3) 3、B2O3> BN, BC13、BBr3> BF3> PH3> PC13、 PBr3> PF3> PF5, P2O5, P0C13、AsH3、AsCl3, AsF3, AsF5, H2S, H2Se 或 H2Te 等；工艺参数包括注入 腔室的本底压强和工作压强，注入气体的流量，抽取气体的速度，混合气体组成成分、组成 比例和浓度，等离子体电源的输出功率和频率，可施加偏置电压的电源所施加的偏置电压， 如果采用脉冲形式，还包括脉宽、占空比和频率；注入腔室的本底压强范围可为KT7Pa lOOOPa，优选地可为ICT5Pa 10Pa，更 为优选地可为10_5Pa KT3Pa ；注入腔室的工作压强范围可为KT3Pa lOOOPa，优选为 0. OlPa lOOPa，更为优选地可为0. IPa 50Pa ；混合气体的流量可为1 lOOOsccm， 优选为10 lOOsccm，更为优选地可为20 80sccm ；等离子体电源的输出功率为1 100000W,优选为10 50000W，更为优选地可为300 5000W ；所施加偏置电压为-100000 100000V，优选为-50000 50000V，更为优选地可为-10000 OV ；脉宽为Ius ls，优选 为Ius 0. ls，更为优选地可为Ius Ims ；占空比为 99%，优选为10% 90%，更 为优选地可为20% 80%，等离子体电源的频率为直流 10GHz，优选为IMHz 5GHz，更 为优选地可为13. 56MHz 5GHz ；可施加偏置电压的电源的频率为直流 IOGHz ；步骤508 等离子体产生后，具有掺杂元素的混合气体分解成具有掺杂元素的离 子或离子基团(例如B离子、P离子、As离子、Se离子、Te离子或离子基团等等)，这些离子 或离子基团在注入偏压的加速下，掺入到黑硅中，实现原位制备掺杂黑硅，掺杂浓度可控， 并且大于lE15cm_3 ；步骤509 对原位掺杂黑硅进行后处理；原位掺杂黑硅后处理的方式包括黑硅的清洗、抛光、退火、腐蚀、制绒(也可称为 绒化)和/或图形化等工艺。本实施例中，步骤503至步骤504、步骤507至步骤508均可重复多次，以实现对黑 硅不同元素、不同浓度和不同比例的掺杂；本实例中可以没有步骤503至504，也可以没有 步骤507至508。本发明中所公开的所有实施例中，黑硅的制备与原位掺杂虽然有先后的顺序，但 制备黑硅与原位掺杂是在同一台设备中的同一道工序中先后完成的。以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详 细说明。应当认识到，以上所述内容仅为本发明的具体实施方式
，并不用于限制本发明。凡 在本发明的实质和基本原理之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明
15的保护范围之内。
权利要求
一种原位制备掺杂黑硅的方法，其特征在于，所述方法包括将硅片放置于黑硅制备装置的注入腔室内；向所述黑硅制备装置通入混合气体，所述混合气体由具有刻蚀作用的气体和具有钝化作用的气体组成，调整所述黑硅制备装置的工艺参数进入预先设置的数值范围，所述黑硅制备装置产生等离子体，所述等离子体中的反应离子与所述硅片发生反应，形成黑硅；停止通入所述混合气体，并且抽出所述黑硅制备装置中的所有气体；保持所形成的黑硅在原位，向所述黑硅制备装置中通入具有掺杂元素的气体，调整所述黑硅制备装置的工艺参数进入预先设置的数值范围，所述黑硅制备装置产生等离子体，所述等离子体中的具有掺杂元素的离子或离子基团被注入到所述黑硅中，实现原位制备掺杂黑硅。
2.根据权利要求1所述的原位制备掺杂黑硅的方法，其特征在于所述将硅片放置于 黑硅制备装置的注入腔室内的步骤还包括将所述硅片与可施加偏置电压的电源电气连接。
3.根据权利要求2所述的原位制备掺杂黑硅的方法，其特征在于所述工艺参数包括 注入腔室的本底压强和工作压强，注入气体的流量，抽取气体的速度，混合气体组成成分、 组成比例和浓度，等离子体电源的输出功率和频率，可施加偏置电压的电源所施加的偏置 电压，以及等离子体注入时间。
4.根据权利要求3所述的原位制备掺杂黑硅的方法，其特征在于所述偏置电压由多 种偏置电压组合而成，通过调节所述等离子体注入时间、所述注入气体的流 >量和组成比例、 所述等离子体电源的输出功率或所述偏置电压来改变所述掺杂黑硅的掺杂浓度。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的原位制备掺杂黑硅的方法，其特征在于所述 具有刻蚀作用的气体包括 SF6、CF4, CHF3> C4F8, NF3> SiF4^C2F6, HF、BF3> PF3> Cl2、HCl、SiH2Cl2, SiCl4、BCl3 或 HBr。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的原位制备掺杂黑硅的方法，其特征在于所述 具有钝化作用的气体包括O2、N2O或N2。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的原位制备掺杂黑硅的方法，其特征在于所述 具有掺杂元素的气体包括 B2H6、B (OCH3) 3、B2O3> BN、BC13、BBr3> BF3> PH3> PC13、PBr3, PF3, PF5, P2O5> POCl3, AsH3, AsCl3, AsF3, AsF5, H2S, H2Se 或 H2Te。
8.根据权利要求3所述的原位制备掺杂黑硅的方法，其特征在于在所述形成黑硅的 步骤中，所述注入腔室的本底压强为KT7Pa lOOOPa，工作压强为KT3Pa lOOOPa，所述混 合气体的流量为Isccm lOOOsccm，等离子体电源的输出功率为IW 100000W，所施加偏 置电压为-100000V 100000V，等离子体电源的频率为直流 10GHz，可施加偏置电压的电 源的频率为直流 10GHz，所述混合气体中的具有刻蚀作用的气体与具有钝化作用的气体 之间的体积比为0.01 100。
9.根据权利要求3所述的原位制备掺杂黑硅的方法，其特征在于在所述黑硅掺杂 的步骤中，所述注入腔室的本底压强为10_7Pa lOOOPa，工作压强为10_3Pa lOOOPa，所 述具有掺杂元素的气体的流量为Isccm lOOOsccm，等离子体电源的输出功率为IW 100000W，所施加偏置电压为-100000V 100000V，等离子体电源的频率为直流 10GHz，可 施加偏置电压的电源的频率为直流 10GHz，所述掺杂黑硅的掺杂浓度大于lE15cm_3。
10. 一种原位制备掺杂黑硅的方法，其特征在于，所述方法包括 将硅片放置于黑硅制备装置的注入腔室内；向所述黑硅制备装置通入混合气体，所述混合气体由具有刻蚀作用的气体、具有钝化 作用的气体和具有掺杂元素的气体组成，调整所述黑硅制备装置的工艺参数进入预先设置 的数值范围，所述黑硅制备装置产生等离子体，所述等离子体中的反应离子与所述硅片发 生反应，形成黑硅，同时所述等离子体中的掺杂元素离子注入至所述黑硅内，完成黑硅原位 掺杂。
全文摘要
本发明公开了一种原位制备掺杂黑硅的方法，属于光电子器件制造技术领域。所述方法包括将硅片放置于黑硅制备装置的注入腔室内；先后向装置中通入具有刻蚀、钝化作用的混合气体和具有掺杂元素的气体，相应地分别调整黑硅制备装置的工艺参数进入预先设置的数值范围；黑硅制备装置分别产生等离子体，等离子体中的具有刻蚀、钝化作用的反应离子与硅片发生反应，形成黑硅，具有掺杂元素的离子基团在注入偏压的作用下被注入到硅中，实现原位制备掺杂黑硅。采用本方法，能够在同一台设备上实现原位制备掺杂黑硅，工艺简单，生产成本低，并且容易达到很高的掺杂浓度。
文档编号H01L31/18GK101950777SQ20101026936
公开日2011年1月19日 申请日期2010年9月1日 优先权日2010年9月1日
发明者刘杰, 刘邦武, 夏洋, 李勇滔, 李超波, 汪明刚 申请人:中国科学院微电子研究所;嘉兴科民电子设备技术有限公司