专利名称：发光二极管晶圆组件的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种晶圆组件，尤其是一种发光二极管的晶圆组件。
背景技术：
发光二极管(LED)是一种新型光源，和传统光源相比它具有很多优点长寿、节能、低电压、体积小、无污染。LED自诞生以来，技术在不断进步，发光效率在不断提高，目前白光LED的发光效率已经超过了普通荧光灯，LED已开始进入照明领域。目前主流的白光LED的制作过程为首先制作蓝光芯片，然后在蓝光LED芯片上涂敷黄光荧光粉，两种光混合产生白光LED。用蓝光芯片制作白光LED存在以下不足封装过程中涂覆荧光粉时，荧光粉的数量和形状难以精确控制，工艺复杂。故，需要一种新的技术方案以解决上述问题。
实用新型内容本实用新型的目的是针对现有技术存在的不足，提供一种制造发光二极管简单的发光二极管晶圆组件。为实现上述目的，本实用新型发光二极管晶圆组件可采用如下技术方案一种发光二极管晶圆组件，该发光二极管晶圆组件包括金属层晶圆，位于金属层晶圆上的反射、欧姆、键合层晶圆，以及位于反射、欧姆、键合层晶圆上的半导体外延层晶圆，所述半导体外延层晶圆上涂覆有荧光粉层。与背景技术相比，本实用新型发光二极管晶圆组件在未切割成个体发光二极管芯片之前已涂覆有荧光粉层，这样在切割后每一个发光二极管芯片上已经具有荧光粉，而无需再次在每个发光二极管芯片上进行荧光粉涂覆，从而简化了工艺，方便制造。
图1为本实用新型发光二极管晶圆组件的立体图。图2为由本实用新型发光二极管晶圆组件切割而成的单个发光二极管芯片的立体图。图3为图2所示发光二极管芯片的立体图，并展示了隐藏荧光粉层的状态。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例，进一步阐明本实用新型，应理解这些实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围，在阅读了本实用新型之后，本领域技术人员对本实用新型的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。请参阅图1及图2所示，本实用新型发光二极管晶圆组件100包括位于底层的金属层晶圆20，位于金属层晶圆20上的反射、欧姆、键合层晶圆30，以及位于反射、欧姆、键合层晶圆30上的半导体外延层晶圆40，所述半导体外延层晶圆40上涂覆有荧光粉层50 (该荧光粉层50为黄光荧光粉层)。所述半导体外延层晶圆40上还设有若干图形化电极42， 该图形化电极42的设置方式为待切割的每个发光二极管芯片101上均具有一个图形化电极42，所述荧光粉层50将该若干图形化电极42包围。本实用新型中的荧光粉层50包括荧光粉、纳米级的二氧化硅粉末和液体硅胶，纳米级的二氧化硅能大大增加硅胶的粘度。当该发光二极管晶圆组件100制作完成后，即可切割成单个的发光二极管芯片101。请参阅图2及图3所示，所述切割后的发光二极管芯片101同样包括有金属层21， 位于金属层21上的反射、欧姆、键合层31，以及位于反射、欧姆、键合层31上的半导体外延层41，以及涂覆于半导体外延层41上的荧光粉层51。所述半导体外延层41上具有图形化电极42。所述发光二极管芯片101本身发出蓝色光，该蓝色光与黄光的荧光粉层51混合后产生白色光。本实用新型发光二极管晶圆组件100在未切割成个体发光二极管芯片101之前已涂覆有荧光粉层50，这样在切割后每一个发光二极管芯片101上已经具有荧光粉51，而无需再次在每个发光二极管芯片上进行荧光粉涂覆，从而简化了工艺，方便制造，且荧光粉直接制作在芯片上，发光点小，易于配光。同时，包裹芯片的荧光粉层50由于在晶圆上进行涂覆，故可以使荧光分层50的厚度容易控制且均勻，以使该发光二极管芯片101的黄圈较淡。
权利要求1.一种发光二极管晶圆组件，其特征在于该发光二极管晶圆组件包括金属层晶圆， 位于金属层晶圆上的反射、欧姆、键合层晶圆，以及位于反射、欧姆、键合层晶圆上的半导体外延层晶圆，所述半导体外延层晶圆上涂覆有荧光粉层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管晶圆组件，其特征在于所述半导体外延层晶圆上设有若干图形化电极，所述荧光粉层将该图形化电极包围。
3.根据权利要求2所述的发光二极管晶圆组件，其特征在于所述荧光粉层为黄光荧光粉层。
专利摘要一种发光二极管晶圆组件，该发光二极管晶圆组件包括金属层晶圆，位于金属层晶圆上的反射、欧姆、键合层晶圆，以及位于反射、欧姆、键合层晶圆上的半导体外延层晶圆，该发光二极管晶圆组件在未切割成个体发光二极管芯片之前涂覆有荧光粉层，这样在切割后每一个发光二极管芯片上已经具有荧光粉，而无需再次在每个发光二极管芯片上进行荧光粉涂覆，从而简化了工艺，方便制造。
文档编号H01L33/50GK201966248SQ20102057692
公开日2011年9月7日 申请日期2010年10月26日 优先权日2010年10月26日
发明者洪从胜, 陈岭 申请人:江苏奥雷光电有限公司