专利名称：一种led芯片和led晶片的制作方法
技术领域：
本实用新型属于LED照明技术领域，特别涉及到LED芯片内热传导的封装结构以及实现低热阻芯片的晶片结构。
背景技术：
散热已经成了大功率LED发展进程中的一大关键问题。LED散热可分为两大过程 内部的导热传热过程和外部空气对流传热过程。现公开的LED芯片的内导热传热热阻占整个传热热阻非常大的比例，现产品热阻最低的也要达到6°C /W，如果再加上铝基板上的绝缘层热阻，最小也要达到10°C /W。LED芯片内的传热过程并不复杂，但由于传热学和成熟的传热技术知识，以及与传热关联的其他基础知识没有充分地被LED行业内人员认知，因而当前LED散热技术及产品被复杂化，处于初级阶段。另外，现公开的LED芯片封装结构，都是沿着以前小功率LED芯片以及传统电子芯片封装思路发展过来，不仅使内导热传热热阻高到以上所述，而且封装效率低，封装设备昂贵，封装成本高，不易实现光模组一体化封装。
发明内容本实用新型的目的就是针对LED芯片封装结构问题，提出一种全新结构，不仅有效降低内部导热热阻问题，而且还有利于提高封装效率，降低封装成本，特别有助于实现光模组一体化封装。本实用新型的技术方案LED芯片主要包括有一颗或多颗晶片、定位片和热扩散件，本实用新型的特征是定位片上开有晶片嵌口，晶片镶嵌在该晶片嵌口中，晶片和定位片贴在热扩散件的一面上，该面称为热扩散件的A面；定位片采用绝缘材料制成，定位片上设置有电路和引线焊盘；晶片正面(出光的那面)上的电极焊盘或侧壁上的电极焊盘，与定位片上相对应的引线焊盘之间的导通连接采用了导线焊接连接、焊料焊接连接、导电胶粘接连接；晶片与热扩散件的A面之间采用了焊接或粘胶连接；热扩散件采用了铜质材料或铝质材料、或铜铝复合材料。针对晶片上的电极焊盘与定位片上相对应的引线焊盘之间的导通连接采用焊料焊接连接、导电胶粘接连接结构，本实用新型提出了两种新结构LED晶片，LED晶片包括有衬底、LED工作层、电极焊盘，新结构(一)特征在于在靠近外层电极焊盘的LED工作层侧壁上覆盖有绝缘层，该绝缘层伸到衬底；新结构(二)特征在于在晶片的侧壁上设置有电极焊盘。本实用新型最大的创新是采用晶片定位片，定位片上布设有电路和引线焊盘，晶片镶嵌在定位件上的晶片嵌口中，定位片的厚度设计成和晶片厚度一致，使得晶片正面上的电极焊盘与定位片上的引线焊盘的导通连接，不仅可以采用现在所采用的导线焊接方法 (如金丝球焊方法)，还可以采用焊料焊接导通方法以及导电胶粘接导通方法。具体措施 晶片上的电极焊盘靠着边缘，与定位片上的相对应的引线焊盘紧靠着，可采用漏印方法将焊料(锡焊膏)或导电胶设置到两焊盘上，再加热熔化或固化，实现两焊盘导通。可将数多芯片拼合在一起，一次漏印，一起加热焊接(或固化)，这样生产效率高，成本低，省去昂贵的金丝球焊接设备和金丝。定位片采用绝缘片(膜)材料，采用冲切工艺加工晶片嵌口， 效率高，精度高，可采用现印制电路工艺布设电路以及引线焊盘。对于倒装式结构的芯片，以及晶片衬底为导电体的芯片(如碳化硅衬底的芯片)， 则可以在晶片的侧壁(衬底的侧壁)设置电极焊盘，就可以采用焊料焊接或导电胶粘接方法使晶片是上的电极焊盘与定位片上的引线焊盘连接导通。定位片上布设有电路，芯片的外接芯片管脚、或外接电源线则通过定位片上的电路与引线焊盘连接导通。采用这样的结构优点有便于在一个热扩散件上设置数多颗晶片， 构成大功率的光模组芯片，这些LED晶片之间的串联或并联则通过定位片上的电路来连接实现；LED芯片所需的辅助电子元件(比如防静电元件)也可设置在定位片上，甚至可以采用类似LED晶片镶嵌在定位片中的结构，将辅助电子元件(甚至辅助电子元件的晶片)镶嵌在定位片中，采用同样的焊接或导电胶粘接方法；采用晶片镶嵌在定位片中的结构，有利于晶片定位和对位，便于大批量生产，提高效率。在以后的实施例中还有叙述。本实用新型中的热扩散件，虽然与现产品的热沉的传热过程类似，但本实用新型首次明确强调其最重要作用——热扩散作用，因而称之为热扩散件，当今LED行业普通都不清楚热扩散的概念及其重要性。由于铜和铝的导热系数高，价格低，因而首选铜质材料或铝制材料、或铜铝复合材料制作热扩散件。LED芯片封装还必须考虑电的绝缘问题，绝缘和导热又是相互矛盾，特别是对于高电压绝缘。LED晶片面积小，如1 X Imm大小的晶片，即使耗电1. 2W，其热流密度就达到106W/m2 之多，非常之高，降低热流密度非常重要。现产品为解决电的绝缘问题，普遍采用陶瓷片作热沉，由于成本原因，一般采用Al2O3陶瓷，Al2O3陶瓷的导热系数为20W/m ·Κ左右，LED晶片直接设置在陶瓷片上，如果陶瓷片厚为0. 2mm,则在陶瓷片上的导热温差就要达到10°C。本实用新型中，晶片直接设置在采用铜或铝、或铜铝复合材料制成的热扩散件(A面)上，减少了晶片与热扩散片之间的导热过程，由于铜或铝的导热系数高，高热流密度经过热扩散件， 热流密度被降低，为解决电的绝缘(主要高电压绝缘)问题的绝缘层就可设置在热扩散件与散热片接触传热的那侧面(称为热扩散件的B面)。如果热流密度降低了五倍，同样采用 0. 2mm厚的Al2O3陶瓷片作绝缘层，则绝缘层上的导热温度差就可降低到2°C。作为热扩散作用的热扩散件不仅要采用导热性高的材料，其面积和厚度也要足够大，如果晶片为ι χ lmm, Iff,热扩散件的厚度应达到1. Omm以上，面积应大于5mm2，其目的和作用就是使热量在热扩散件内有效扩散，降低热流密度。晶片最好使直接焊接在热扩散件上，因为晶片与热扩散件结合处热流密度最高， 结合面的材料(焊料或粘胶)的导热系数要尽可能高，金属材料的导热系数高，比如锡的导热系数为60W/m · K，数倍地高于导热粘胶(比如银胶)。
以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型作进一步说明。
图1是一种本实用新型LED芯片的特征剖面示意图，采用超声波金丝球法焊接导线，点胶法设置固晶保护层。图2是一种本实用新型LED芯片的特征剖面示意图，采用压焊法焊接导线，流延法设置固晶保护层。图3是一种本实用新型LED芯片的特征剖面示意图，采用焊料焊接或导电胶粘接法实现晶片上的电极焊盘与定位片上的引线焊盘连接导通，固晶保护层可采用贴膜法设置。图4是一种本实用新型LED芯片的特征剖面示意图，采用焊料焊接或导电胶粘接法实现晶片上的电极焊盘与定位片上的引线焊盘连接导通，晶片上的一侧电极焊盘设置在晶片的侧壁上，热扩散件的A面设置有低压绝缘层。图5是一种本实用新型LED芯片的特征剖面示意图，晶片上的两侧电极焊盘都设置在晶片的侧壁上，热扩散件的B面设置有高压绝缘层，热扩散件的A面与定位片以及晶片部分面积之间设置有绝缘膜。图6是一种本实用新型LED芯片中的定位片和晶片的背面特征示意图，沿着晶片与定位片的嵌缝，设置绝缘膜，但晶片中部没有绝缘膜。图7是一种采用了本实用新型LED芯片的LED灯芯(或称光模组)的特征剖面示意图，导热芯采用圆锥体结构。图8是一种采用了本实用新型LED芯片的LED灯芯的特征剖面示意图，热扩散件与导热芯合为一体，并采用了聚光型灯芯罩。图9、10、11是表示本实用新型LED芯片的一种制造工序过程示意图。图12是一种本实用新型LED晶片的特征剖面示意图，衬底为绝缘体，晶片上的两电极焊盘都在晶片的正面。图13是一种本实用新型LED芯片的特征剖面示意图，衬底为绝缘体，正装式结构。图14是一种本实用新型LED晶片的特征剖面示意图，衬底为导电体，晶片上的两电极焊盘都在晶片的正面。图15是一种本实用新型LED芯片的特征剖面示意图，衬底为导电体，正装式结构， 其中一侧电极焊盘设置在晶片的侧壁上。图16是一种本实用新型LED芯片的特征剖面示意图，衬底为绝缘体，倒装式结构， 其中一侧电极焊盘设置在晶片的侧壁上。图17是一种本实用新型LED芯片的特征剖面示意图，衬底为绝缘体，倒装式结构， 晶片上的两侧电极焊盘都设置在晶片的侧壁上。图18是一种本实用新型的LED晶片特征示意图，电极焊盘在晶片的正面，并设置在四个角上。图19是一种本实用新型的LED晶片特征示意图，电极焊盘在晶片的侧壁上，并设置在四个角上。图20是一种本实用新型LED芯片的特征示意图，表示一个晶片嵌口中镶嵌有多颗晶。图中1、引线焊盘，2、电极焊盘，3、晶片，4、导线，5、固晶保护层，6、定位片，7、热扩散件，8、焊料或导电胶，9、低压绝缘层，10、绝缘膜，11、高压绝缘层，12、导热芯，13、螺钉， 14、透镜，15、荧光体，16、灯芯罩，17、透明电极，18,LED工作层(η型半导体层+发光层+ρ型半导体层)，19、保护膜，20、绝缘层，21、衬底，22、导热焊盘，23、陶瓷绝缘膜。
具体实施方式
图1所示的本实用新型LED芯片，晶片3镶嵌在定位片6中的晶片嵌口中，晶片3 和定位片6 —起贴在热扩散件7的A面；晶片正面以及部份定位片表面设置有固晶保护层 5 ；晶片上的电极焊盘2与定位片上的引线焊盘1紧靠着，两焊盘之间的导通连接采用超声波球工艺，导线4(金线或铝线)两头从焊盘表面立起。由于导线线径细，强度低，晶片正面上的固晶保护层5则应采用点胶工艺设置，如图所示，固晶保护层5厚度不均勻。图2所示的本实用新型LED芯片，导线4两头平贴在两焊盘上，采用压焊工艺焊接，由于导线平躺，强度相对高一点，固晶保护层5就可采用流延工艺设置，固晶保护层厚度就可均勻，如图中所示。图3所示的本实用新型LED芯片，晶片3上的电极焊盘2和定位片6上的引线焊盘 1之间距离更近，之间的导通连接就可直接采用焊料(比如锡)焊接导通、或采用导电胶粘接导通。没有导线、靠焊料(或导电胶)导电，固晶保护层5就可采用粘胶贴膜(或贴片) 方法以及印刷(漏印)方法设置。图4所示的本实用新型LED芯片，晶片上的一侧电极焊盘2设置在晶片3上的侧壁上，另一电极焊盘2设置在晶片3的正面上。衬底为导电体(如碳化硅衬底)的晶片，适合采用这样的设计。图4中还示出，在热扩散件7的A面设置有低压绝缘层9，由于晶片3直接贴在(焊或粘)低压绝缘层9上，热流密度非常高，低压绝缘层9的导热热阻必须低，但绝缘材料的导热系数都低，因而绝缘层的厚度就应该薄，则耐电压的绝缘强度也就低，所以被称为低压
绝缘层。采用气相沉积法生成的陶瓷绝缘膜，比如金钢石、SiC、A1N、BN、BeO, Al2O3等陶瓷膜，致密、绝缘性好、导热性高，特别是金刚石、SiC、A1N、BN、BeO为高导热性陶瓷，不仅可用于本实用新型中的热扩散片A面上的低压绝缘层，更加适用于以后将阐述的晶片上的陶瓷绝缘膜。气相沉积法包括有物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(VCD)，这两种工艺都可用于制造本实用新型中的低压绝缘层。低压绝缘层9还可采用阳极氧化工艺，直接从热扩散件表面的金属铝生长出的氧化铝膜，但该氧化铝膜厚度不大于50 μ m。因为采用阳极氧化生成的氧化铝膜，有孔隙，虽然可进行封孔处理(如采用硅脂)，但该膜的导热系数不高，因而膜的厚度不应太厚，不应大于50μπι。如果热扩散件采用铜材，此时就应该采用铜铝复合材料。图5所示的本实用新型LED芯片，晶片上两电极焊盘2都设置在晶片3的侧壁上， 这样的设计适合于晶片倒装(也称覆晶)结构，以后有更详细描述。固晶保护层5可采用用印刷(如漏印)方法设置，可将荧光材料加入固晶保护层的材料中。图5中还示出有绝缘膜10，该绝缘层设在定位片和晶片的背面，沿着晶片3与定位片6之间的嵌缝，如图6所示，晶片背面中部留有没有被绝缘膜10覆盖面积，该面积至少要有一半以上的晶片面积，该面积用于导热作用。采用喷涂或印刷(如漏印)方法设置绝缘膜10，可以使绝缘漆渗入晶片3与定位片6之间的嵌缝中，提高绝缘可靠性。这样的设计， 对于采用正装式结构，利用晶片衬底(如蓝宝石)作为高压绝缘层的结构，更为重要。晶片的高热流密度，经过热扩散件后，热流密度降低，就可在热扩散件热量导出面，即称为热扩散件的B面，设置承担耐高电压的绝缘层，该绝缘层称为高压绝缘层，如图5所示，在热扩散件7的B面，设置有高压绝缘层11。本实用新型中，高压绝缘层定义为承受直流击穿电压达到500V以上的绝缘层。图7示出一种采用了本实用新型LED芯片的LED发光模组，称为LED灯芯，LED芯片中设置有多颗晶片，并通过螺钉13固定在LED灯芯的导热芯12上，导热芯12采用了圆锥体结构，芯片产生的热量通过热扩散件7与导热芯12之间的接触传热传到导热芯12，再由导热芯的圆锥面与散热片之间的接触传热传到散热片上，再散出。热扩散件7的A面上设置有低压绝缘层9，高压绝缘层11则设置在导热芯12上。图7中，每个晶片3前设置有透镜14，透镜14中又嵌有荧光体15，可将LED芯片上的数个透镜设计成一整体部件，完成荧光体的嵌装后，整体粘接在晶片前，透镜15又可成为晶片3的固晶保护层。图8所示的LED灯芯中，热扩散件与导热芯12合为一体，为圆锥体。如果电的隔离绝缘要求高的话，这样的设计适合于晶片为正装式，晶片衬底为绝缘体(如蓝宝石衬底)。 可采用漏印方法设置固晶保护层5，并在固晶保护层5中加入荧光材料。图中还示出采用聚光型灯芯罩16。图1至6所示的LED芯片，以及图7中的LED芯片，热扩散件7为板式结构。为承担热扩散作用，热扩散件的面积要足够大，热扩散件7的面积应大于该热扩散件上所有LED 晶片面积之和的五倍；热扩散件的厚度也要足够厚，通常取不小于0. 5mm，如果IX Imm晶片功耗达1. 0W，热扩散件的厚应大于1. 0mm。图9、10、11示出一种本实用新型LED芯片制造工序，工序包括有晶片嵌入定位片的晶片嵌入工序、晶片上的电极焊盘与定位片上的引线焊盘之间的焊盘导通连接工序、 设置固晶保护层工序、晶片与热扩散件之间的焊接或粘接工序。图9为晶片3镶嵌入定位片6的晶片嵌入工序，并完成了电极焊盘与引线焊盘之间的焊盘导通连接工序。图中所示为焊料焊接或导电胶粘结，该工序中应该采用一平整衬板，将晶片3和定位片6贴在该衬板上，最好是在衬板面上铺一层膜，膜上带一点胶，当晶片嵌入定位片时能被粘住，不易脱落， 胶水应选不耐温，当焊接时，受高温，胶水自行挥发，以便以后的工序简单，容易把膜去掉， 衬板是生产过程中的辅助工具。图10所示为设置固晶保护层工序，可采用点胶法、或喷涂法、或流延法、或印刷法(比如漏印法)、或贴片(膜)法。设置固晶保护层的工序还可放在焊盘导通连接工序之前。晶片3前有了固晶保护层5，晶片3被固定在定位片6上，不会脱落，晶片又受到保护层保护，水和空气不易从该面进入接触到晶片，这也就是固晶保护层名称的来由，该技术特征与现LED芯片生产中的固晶工艺区别明显。晶片被固定，晶片和定位片就可以从衬板上取下，进行下一道工序，如果需要设置绝缘膜10，就可进行该工序了。之后的工序有采用焊接或粘接方法，将晶片贴在热扩散件上的工序，如图11所示。可在一大张的定位片材上排列数多个定位片，每个定位片上可嵌入数多颗晶片， 热扩散件也同样，这样可同时设置焊料或导电胶(比如采用漏印方法)，整体加热焊接或固化，整体设置固晶保护层，大张的定位片与晶片一起，整张地贴在热扩散件上，之后再分切， 这样生产效率得到提高。通电检测工序可以设置在焊盘导通连接工序之后，设置固晶保护层工序之前，这样就可将有问题的焊接或导电胶粘接进行修补，或更换有问题的晶片。这对于有多颗晶片的LED芯片的生产，非常有利于提高成品率，该技术特征在现有的LED芯片制造中是没有的。图12所示的本实用新型LED晶片，衬底21为绝缘体，与现有蓝宝石衬底的正装式 LED晶片类似，LED工作层18外层设置有透明电极17，透明电极17上设有电极焊盘2 (图中左边的电极焊盘幻，该电极焊盘称为外层电极焊盘，透明电极17外表面设置有保护层19。 本实用新型LED晶片与现产品不同的主要特征是在靠近外层电极焊盘(如图中左边的电极焊盘2、的LED工作层18的侧壁上覆盖有绝缘层20，该绝缘层伸到衬底21，其作用和目的是当采用焊料焊接导通或导电胶粘接导通连接电极焊盘和引线焊盘时，防止焊料或导电胶接触到LED工作层18中的另一半导体层，产生短线问题。外层电极焊盘可能是ρ侧电极焊盘，也可能是η侧电极焊盘(采用剥离技术，变换衬底)。可以采用气相成膜法(沉积法)，在生成保护膜19时，同时生成绝缘层20，也可以采用平版型印刷技术设置绝缘层20。图13所示的本实用新型LED芯片中，采用了如图12所示的晶片，并且在衬底21 上设置有大面积的导热焊盘22。晶片采用焊接法贴在热扩散件7上，有利于晶片上的热量传到热扩散件7上。图中示出，电极焊盘2与引线焊盘1之间采用焊料焊接导通连接或导电胶粘接导通连接，有了绝缘层20，左侧的焊料或导电胶不会接触到LED工作层18中另一半导体层(图中的内层)，发生短路现象。图14所示的本实用新型LED晶片，两电极焊盘2都在晶片的正面，为正装式，外层电极焊盘旁边的LED工作层18侧壁上的绝缘层20，不仅伸到衬底21，而且还伸到了衬底21 的侧壁上，这是因为该晶片的衬底21为导电体，比如碳化硅衬底。图中还示出，晶片的背面 (衬底下面)设置有采用气相沉积方法生成的陶瓷绝缘膜23。图15所示的本实用新型LED芯片，所用晶片与图14所示类似，衬底为导电体，左边电极焊盘(外层电极焊盘)旁边的绝缘层20伸到了衬底21的侧壁上，这样能保证左边的焊料或导电胶8不易接触到导电的衬底，发生短路情况。不同之处有晶片上另外电极焊盘2(图中右边)设置在晶片的侧壁上，还有晶片背面设置有大面积的导热焊盘22，晶片通过焊接贴在热扩散件7上。图16所示的本实用新型LED芯片，采用倒装式(也称覆晶式)，衬底21为晶片正面(出光面)，晶片上其中一侧电极焊盘设置在晶片(衬底)的侧壁上，并采用了焊料焊接或导电胶粘接法与定位片6上的引线焊盘实现导通连接。晶片上另一侧电极焊盘在晶片的背面，并作为导热焊盘22，热扩散件7被用作为导线。在热扩散件7的B面设有高压绝缘层 11.图17所示的本实用新型LED芯片，也采用倒装式，晶片上的两侧电极焊盘2都设置在晶片(衬底)的侧壁上，其中一侧电极焊盘旁边的LED工作层的侧壁设置有绝缘层20， 在晶片的背面设置有采用了气相沉积法生成的陶瓷绝缘膜23，并在该膜外侧设有大面积的导热焊盘22。绝缘层20也可以采用气相沉积法与陶瓷绝缘膜23 —起同时生成。图18所示的本实用新型LED晶片，两侧电极焊盘2都在晶片的正面，并设置在晶片的角上，晶片为长方形，可以防止晶片嵌入定位片时，发生方位错误。图19所示的本实用新型LED晶片，两侧电极焊盘2都在晶片的侧壁上，也设置在角上，并且晶片的四角被加工成四分之一园缺口。电极焊盘设置在晶片角上的优点有电极焊盘所占晶片有效发光面积[0059] 图20所示的本实用新型LED芯片，定位片6上的一个晶片嵌口放有三颗晶片，这样的设计可用于三基色合成的白光LED芯片制作、红光晶片补色的白光LED芯片制作、以及用于LED显示屏中的应用和液晶显示屏的背光中的应用。
权利要求1.一种照明用的LED芯片，包括有一颗或多颗晶片(3)、定位片(6)和热扩散件(7)，其特征在于定位片(6)上开有晶片嵌口，晶片(3)镶嵌在该嵌口中，晶片(3)和定位片(6)贴在热扩散件⑵的A面；定位片(6)采用绝缘材料制成，并设置有引线焊盘(1)；晶片正面上的或侧壁上的电极焊盘(2)与定位片上的相对应引线焊盘(1)之间的导通连接采用了导线焊接连接、焊料焊接连接、导电胶粘接连接；晶片( 与热扩散件(7)的A面之间采用了焊接或粘胶连接；热扩散件(7)采用了铜质材料或铝质材料、或铜铝复合材料。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于晶片(3)的正面以及部分或全部定位片(6)的外表面设置有固晶保护层(5)。
3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于在定位片(6)和晶片(3)的背面，沿着晶片C3)与定位片(6)的嵌缝，设置有绝缘膜(10)，晶片C3)背面至少有一半以上的面积不得被该绝缘膜(10)覆盖。
4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于热扩散件(7)为板式结构，热扩散件的面积大于该热扩散件上所有LED晶片面积之和的五倍。
5.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于热扩散件(7)的B面设置有承受直流击穿电压大于500V的高压绝缘层(11)。
6.根据权利要求5所述的LED芯片，其特征在于热扩散件(7)的B面的高压绝缘层 (11)，采用了阳极氧化法直接从热扩散件表面的金属铝生长出的氧化铝膜。
7.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于热扩散件(7)的A面设置有采用了气相沉积法生成的陶瓷绝缘膜或阳极氧化法直接从热扩散件表面的金属铝生长出的氧化铝膜，该氧化铝膜厚度不大于50 μ m。
8.一种照明用的LED芯片中的LED晶片，包括有衬底(21)、LED工作层(18)、电极焊盘 O)，其特征在于在靠近外层电极焊盘的LED工作层侧壁上覆盖有绝缘层(20)，该绝缘层伸到衬底01)。
9.一种照明用的LED芯片中的LED晶片，包括有衬底(21)、LED工作层(18)、电极焊盘 O)，其特征在于在晶片的侧壁上设置有电极焊盘(2)。
10.根据权利要求8或9所述的LED晶片，其特征在于在晶片的背面设置有采用气相沉积法生成的陶瓷绝缘膜03)。
专利摘要本实用新型针对降低导热热阻，降低成本、提高效率，提出一种LED芯片封装结构和晶片结构、以及芯片制造方法。本实用新型的LED芯片中的晶片镶嵌在定位片(6)中，晶片和定位片通过焊接或粘接贴在热扩散件(7)上。热扩散件采用铜或铝、或铜铝复合材料，晶片上的高热流密度经热扩散件后，热流密度有效地降低，有利于降低导热热阻。采用导线焊接、焊料焊接或导电胶粘接法，实现定位片上引线焊盘(1)与晶片正面或侧壁上的电极焊盘(2)导通。在晶片正面设置固晶保护层(5)，使芯片封装生产高效、简单。
文档编号H01L25/13GK201966241SQ20102061697
公开日2011年9月7日 申请日期2010年11月10日 优先权日2010年11月10日
发明者秦彪 申请人:秦彪