专利名称：晶片搬送用托盘以及在该托盘上固定晶片的方法
技术领域：
本发明涉及晶片搬送用托盘以及在该托盘上固定晶片的方法，特别涉及埋入了静 电吸附电极的晶片搬送用托盘以及在该托盘上静电地固定晶片的方法。
背景技术：
以往，在制造半导体器件时，通过等离子体处理对多个晶片等进行一并处理的情 况下，一般使用晶片搬送用托盘。此时，仅通过将晶片等放置于托盘上、或者通过按压器具、 或利用薄板、带以及油脂等实现的粘接来固定而进行等离子体处理。例如，已知在制造半导体器件、液晶设备时，为了对多个晶片等进行一并处理，使 用按压单元将晶片等固定到搬送用托盘上，并且作为搬送用托盘，将由保护基板和半导体 基板构成的托盘设置到静电吸盘上并移送的技术(参照专利文献1)。另外，已知将半导体晶片等通过起泡剥离性板粘接保持于加工台上而进行加工的 技术(例如，参照专利文献2)、使用起泡剥离性板等热剥离粘接部件来粘接基板等被处理 材料而进行等离子体处理的技术(例如，参照专利文献3)。以下，参照图1进行说明，图1示出使用作为所述按压单元的按压器具将晶片固定 在托盘上，并且通过机械夹具将托盘固定在处理台上的方式的一个例子。根据图1，在托盘支撑台101中，设置有温度交换介质(例如，He气体)的流路 101a。被导入到该流路IOla的温度交换介质经由托盘支撑台101内，被供给到在托盘支撑 台101上载置的托盘102的背面，并且还被供给到晶片S的背面，而可以对托盘102以及 晶片S进行冷却。在托盘102上设置的晶片S的外周缘部通过按压器具103被固定在托盘 102上，并且，托盘102通过机械夹具部件104被固定在托盘支撑台101上。在该方式的情 况下，固定晶片S变得麻烦，并且，固定的稳定性不可靠，无法对晶片S的周缘部的与按压器 具对应的部分进行加工，所以存在晶片面内的可以加工的有效区域减少、即在按压部分中 产生死区这样的问题。另外，以下，参照图2进行说明，图2示出使用所述起泡剥离性板等粘着板将晶片 粘接固定到托盘上，并且通过机械夹具或者静电吸附将托盘固定到处理台上的方式的一个 例子。根据图2，在托盘支撑台201中设置有温度交换介质(例如，He气体)的流路201a。 导入到该流路201a的温度交换介质被供给到在托盘支撑台201上载置的托盘202的背面， 而可以对托盘202进行冷却。在托盘202上设置的晶片S隔着热传导粘着板204被固定到 托盘202上，并且，托盘202通过机械夹具部件203或者托盘支撑台201内埋入的静电吸附 单元(未图示)被固定在托盘支撑台201上。在该方式的情况下，存在固定晶片S变得麻 烦，固定的稳定性不可靠，并且冷却效率恶化这样的问题。专利文献1 日本特开2006-59853号公报专利文献2 日本特开平5-M5967号公报专利文献3 日本特开2007-201404号公报
发明内容
如上所述仅通过将晶片等放置到托盘上，在必需进行其温度管理的情况下，存在 温度控制变得困难这样的问题。存在如下问题在如所述专利文献1那样，为了固定晶片而使用按压单元的情况 下，晶片面内的可以加工的有效区域减少所按压的部分，并且，在如专利文献2以及3那样， 将晶片等通过粘接固定到托盘上的情况下，需要晶片的粘附工作、拆卸晶片后的后处理。本发明的课题是为了解决上述的以往技术的问题而完成的，其目的在于提供一种 可以在加工时进行晶片等的温度管理，不会减少晶片面内的可以加工的有效区域，并且无 需晶片的粘附工作、后处理，而可以容易地固定晶片的晶片搬送用托盘以及将晶片通过静 电吸附固定在托盘上的固定方法。本发明提供一种晶片搬送用托盘，其特征在于，包括由绝缘体构成的基体、和在该 基体中埋设的静电吸附电极，针对该静电吸附电极的供电部分的端子是弹簧式端子，该弹 簧式端子的前端部分能够接触到该静电吸附电极，在通电时能够通过静电吸将晶片附固定 到该托盘上，而且在该供电部分的周边设置有密封部件，使得温度交换介质不蔓延到该弹 簧式端子的前端部分与该静电吸附电极的接触部。可以提供如下晶片搬送用托盘通过在晶片搬送用托盘中搭载静电吸附，可以在 加工时进行晶片的温度管理，不会减少晶片面内的可以加工的有效区域，并且无需晶片的 粘附工作、后处理，而可以容易地固定晶片。本发明提供一种晶片搬送用托盘，其特征在于，由导电性材料和覆盖其表面的绝 缘体构成，针对作为静电吸附电极而发挥功能的导电性材料的供电部分的端子是弹簧式端 子，该弹簧式端子的前端部分能够接触到该导电性材料，在通电时能够通过静电吸附将晶 片固定到该托盘上，而且在该供电部分的周边设置有密封部件，使得温度交换介质不蔓延 到该弹簧式端子的前端部分与该静电吸附电极的接触部。如上所述，所述基体也可以是由导电性材料构成，表面被绝缘体覆盖的基体。在该 情况下，具有该托盘的制作成本变低这样的优点。在所述托盘中，进而，开设有从其背面侧向表面侧贯通的温度交换介质的多个流 路，这些多个流路在将该托盘载置于晶片支撑台上时，将供给到在该托盘背面与该晶片支 撑台表面之间形成的空间中的温度交换介质供给到晶片背面。所述静电吸附是单极静电吸附或者双极静电吸附。所述晶片是绝缘性基板，静电吸附是单极静电吸附。在通常的静电吸附方式中绝缘性基板的吸附是困难的，但如果是搭载了单极静电 吸附的托盘，则可以实现绝缘性基板的吸附。本发明提供一种晶片的固定方法，其特征在于，在晶片搬送用托盘上载置晶片，其中该晶片搬送用托盘包括由绝缘体构成的基 体、和在该基体中埋设的静电吸附电极，并且针对该静电吸附电极的供电部分的端子是弹 簧式端子，该弹簧式端子的前端部分能够接触到该静电吸附电极，在通电时能够通过静电 吸附将晶片固定到该托盘上，而且在该供电部分的周边设置有密封部件，使得温度交换介 质不蔓延到该弹簧式端子的前端部分与该静电吸附电极的接触部，
将载置了该晶片的托盘搬送到等离子体处理室内而将该托盘载置于托盘支撑台 上，通过机械吸附或者静电吸附将该托盘固定到托盘支撑台上，然后对该弹簧式端子进行 供电，从而通过静电吸附将该晶片固定到该托盘上。在所述晶片的固定方法中，也可以代替由绝缘体构成的基体，而使用由导电性材 料构成，表面被绝缘体覆盖的基体。在该情况下，如上所述，该导电性材料作为静电吸附电 极而发挥功能，针对静电性材料的供电部分的端子是弹簧式端子。在所述晶片的固定方法中，其特征在于，作为在基体中埋设的静电吸附，使用单极 静电吸附或者双极静电吸附。在所述晶片的固定方法中，其特征在于，作为晶片使用绝缘性基板，作为在基体中 埋设的静电吸附，使用单极静电吸附，在对弹簧式端子进行供电时，在等离子体处理室内使 等离子体点火，从而通过静电吸附固定该晶片。在通常的静电吸附方式中绝缘性基板的吸附是困难的，但根据单极静电吸附，可 以实现吸附。根据本发明，可以在晶片搬送用托盘中搭载利用静电的吸附方式，仅通过将晶片 放置于该托盘上而搬送，可以在等离子体处理室内将晶片通过静电吸附固定到托盘上，所 以起到不会减少晶片面内的可以处理的有效区域，并且晶片的温度控制容易，进而可以省 略晶片固定前后的工作这样的效果。
图1是示出使用以往技术的按压器具将晶片固定到托盘上的方式的一个例子的 示意剖面图。图2是示出使用以往技术的粘着板将晶片粘接固定到托盘上的方式的一个例子 的示意剖面图。图3是用于针对本发明的晶片搬送用托盘的第1实施方式，以将晶片搬送用托盘 载置于托盘支撑台上的状态进行说明的示意剖面图。图4是用于针对本发明的晶片搬送用托盘的第2实施方式，以将晶片搬送用托盘 载置于托盘支撑台上的状态进行说明的示意剖面图。图5是用于针对本发明的晶片搬送用托盘的第3实施方式，以将晶片搬送用托盘 载置于托盘支撑台上的状态进行说明的示意剖面图。图6是用于针对本发明的晶片搬送用托盘的第4实施方式，以将晶片搬送用托盘 载置于托盘支撑台上的状态进行说明的示意剖面图。图7是示意地示出本发明的晶片搬送用托盘上载置的多晶片一并处理的情况下 的各晶片的配置例以及覆盖部件的图，(a-Ι) (d-Ι)是俯视图、(a_2) (d_2)是其剖面 图。(符号说明)101 托盘支撑台；IOla 温度交换介质的流路；102 托盘；102a 温度交换介质的 流路；103 按压器具；104 机械夹具部件；201 托盘支撑台；201a 温度交换介质的流路； 202 托盘；203 机械夹具部件；204 热传导粘着板；301、401、501、601 托盘支撑台；301a、 401a,501a,601a :温度交换介质的流路；301b、401b、501b、601b 密封部件；302、402、502、602 晶片搬送用托盘；302a、4(^a、502a、6(^b 温度交换介质的流路；303、403、503、603 覆 盖部件；304,404,504,604 机械夹具部件；305,405,505,605 静电吸附用供电电源；305a、 405a,505a,605a 弹簧式端子；305b、405b、505b、605b 密封部件；306,406,506 静电吸附 电极；602a 绝缘膜；701 托盘基体；701a 晶片载置区域；702 托盘覆盖(覆盖部件)； 702a 空间区域；702b 区域；S 晶片；A D 空间。
具体实施例方式根据本发明的晶片搬送用托盘的实施方式，可以提供一种晶片搬送用托盘，包括 由绝缘体构成的基体、和在基体中埋设的由导电体构成的静电吸附电极，其中，针对静电吸 附电极的供电部分的端子是弹簧式端子，弹簧式端子构成为，经由载置托盘的托盘支撑台 内的通路，其前端部分可以接触到静电吸附电极，在通电时可以将晶片通过静电吸附固定 到该托盘上，以不使温度交换介质蔓延到弹簧式端子的前端部分与静电吸附电极的接触部 的方式，在供电部分的周边设置密封部件，而且将晶片固定到托盘上的静电吸附是单极静 电吸附或者双极静电吸附，进而，开设了从该托盘的背面侧向表面侧贯通的温度交换介质 的多个流路，这些流路在将该托盘载置于晶片支撑台上时将供给到在该托盘背面与该台表 面之间形成的空间中的温度交换介质供给到晶片背面。在该情况下，可以代替由绝缘体构 成的基体，而使用由导电性材料构成，其表面被由绝缘体构成的膜覆盖的基体。本发明中的由绝缘体构成的基体例如由铝、石英等制作，静电吸附电极例如由Al、 Cu、Ti、W等金属材料制作，密封部件也可以是0环，例如由特氟纶((Teflon)注册商标)等 制作，由导电性材料构成的基体由通常的导电性材料制作，而且导电性基体的表面的绝缘 膜例如使用Al2O3等通过通常的喷镀法形成。通过在晶片搬送用托盘中埋设搭载静电吸附，可以提供如下晶片搬送用托盘可 以在加工时进行晶片的温度管理，不会减少晶片面内的可以加工的有效区域，并且无需晶 片的粘附工作或后处理，就可以容易地固定晶片。如此，如果使用本发明的晶片搬送用托盘，则不会减少晶片面内的希望处理的有 效区域，并且晶片的温度控制变得容易，进而可以省略固定前后的麻烦。在绝缘性基板(例如，蓝宝石玻璃、石英玻璃等)以外的晶片的情况下，不管静电 吸附是单极静电吸附还是双极静电吸附，都可以将晶片吸附到托盘上，但在绝缘性基板的 情况下，静电吸附是单极静电吸附，在对弹簧式端子进行供电时，如果在等离子体处理室内 等离子体没有点火，则无法将晶片静电地固定到托盘上。另外，根据本发明的晶片的固定方法的实施方式，可以提供如下的方法，在晶片搬 送用托盘上搭载晶片，其中，该晶片搬送用托盘包括由绝缘体构成的基体、和在基体中埋设 的由电介体构成的静电吸附电极，并且针对静电吸附电极的供电部分的端子是弹簧式端 子，弹簧式端子构成为，配置在载置托盘的支撑台内设置的通路内，其前端部分可以接触到 该静电吸附电极，在通电时可以将晶片通过静电吸附固定到该托盘上，以使温度交换介质 不蔓延到弹簧式端子的前端部分与静电吸附电极的接触部的方式，在供电部分的周边设置 密封部件，进而开设从该托盘的背面侧向表面侧贯通的温度交换介质的多个流路，这些流 路在将该托盘载置于晶片支撑台上时将供给到在该托盘背面与该台表面之间形成的空间 中的温度交换介质供给到晶片背面；将载置了该晶片的托盘搬送到等离子体处理室内而将其载置于托盘支撑台上；通过机械吸附或者静电吸附将托盘固定到托盘支撑台上；然后经 由支撑台对弹簧式端子进行供电，从而通过单极静电吸附或者双极静电吸附将晶片固定到 托盘上。在该情况下，也可以代替由所述绝缘体构成的基体，而使用由导电性材料构成，表 面被绝缘体覆盖的基体。如此，根据本发明的晶片的固定方法，不会减少晶片面内的希望处理的有效区域， 并且晶片的温度控制变得容易，进而可以省略固定前后的麻烦。以下，参照图3 6，针对在托盘支撑台上载置的本发明的晶片搬送用托盘的第 1 4实施方式，以将埋设了静电吸附电极的晶片搬送用托盘载置于托盘支撑台上的状态 进行说明。图3所示的第1实施方式是+或者-的单极式的供电方式。如图3所示，在托盘 支撑台301中，设置有温度交换介质(例如，He气体等冷却气体)的流路301a，并且，在晶 片搬送用托盘302中，也设置有该温度交换介质的多个流路302a。导入到该流路301a中的 温度交换介质被供给到在托盘支撑台301的表面侧形成的凹部(设置在该台与托盘之间的 空间)A内，经由与该空间连通的多个流路30 被供给到晶片S的背面侧，所以可以高效地 冷却托盘302以及晶片S。在图3中，在托盘支撑台301内例示了温度交换介质的2个流 路，并且，在晶片搬送用托盘302内例示了温度交换介质的多个流路，但对于流路的数量根 据晶片的尺寸、冷却效率等而适宜地选择即可。晶片S载置于通过在托盘302的外周缘部中设置的覆盖部件303在托盘302表面 上划分的凹部内，托盘302通过机械夹具部件304经由覆盖部件303被固定在托盘支撑台 301上。在该情况下，虽然未图示，但也可以代替机械夹具部件304，而通过在托盘支撑台 301的表面中或者在托盘支撑台301内埋设的静电吸附(ESC)电极，利用静电吸附固定托盘 302。在图3所示的单极式的供电方式的情况下，载置于托盘302上的晶片S在将托盘 302设置到等离子体处理室(未图示)内之后，通过利用从静电吸附用供电电源(ESC用供 电电源)305经由作为供电端子的弹簧式端子30 向静电吸附电极306施加的电力产生的 静电被静电吸附而固定。接下来，对晶片S进行等离子体处理。如果He气体等温度交换介 质蔓延到向静电吸附电极306的供电部分，则对供电部分施加高电压，所以有可能产生DC 放电而引起吸附不良，所以优选用0环等密封部件30 对供电部分的周边(例如，托盘302 的下方的供电端子导入部周边)进行密封。另外，优选用0环等密封部件301b对托盘支撑 台301和托盘302进行密封，以使温度交换介质不从托盘支撑台301与托盘302的接触面 泄漏。根据该单极方式，晶片S载置于通过在托盘302的外周缘部中设置的覆盖部件303 在托盘302表面上划分的凹部内，所以易于固定晶片S、固定的稳定性优良、并且无需从上 面按压晶片S的周缘部，所以具有晶片面内的希望处理的有效区域不会减少、即不产生按 压部分的死区等优点。进而，针对晶片的冷却效率也良好。图4所示的第2实施方式与第1实施方式不同，是双极式(+、“)的供电方式。如 图4所示，在托盘支撑台401中，设置有温度交换介质(例如，He气体等)的流路401a，并 且，在晶片搬送用托盘402中，也设置有该温度交换介质的多个流路40加。导入到该流路 401a中的温度交换介质被供给到在托盘支撑台401的表面侧形成的凹部(设置在该台与托盘之间的空间)B内，经由与该空间连通的多个流路40 被供给到晶片S的背面侧，所以可 以高效地冷却托盘402以及晶片S。在图4中，在托盘支撑台401内针对各静电吸附电极 406的每一个例示了 1个温度交换介质的流路，并且，在晶片搬送用托盘302内例示了温度 交换介质的多个流路，但对于流路的数量根据晶片的尺寸、冷却效率等而适宜地选择即可。晶片S载置于通过在托盘402的外周缘部中设置的覆盖部件403在托盘402表面 上划分的凹部内，托盘402通过机械夹具部件404经由覆盖部件403被固定到托盘支撑台 401上。在该情况下，虽然未图示，但也可以代替机械夹具，而通过在托盘支撑台401的表面 中或者在托盘支撑台401内埋设的静电吸附电极，利用静电吸附固定托盘402。在图4所示的双极式的供电方式的情况下，载置于托盘402上的晶片S在将托盘 402设置于等离子体处理室(未图示)内之后，通过利用从静电吸附用供电电源405经由作 为供电端子的弹簧式端子40 向各静电吸附电极406施加的电力产生的静电被静电吸附 而固定。接下来，对晶片S进行等离子体处理。如果He气体等温度交换介质蔓延到向各静 电吸附电极406的供电部分，则对供电部分施加高电压，所以有可能产生DC放电而引起吸 附不良，所以优选用0环等密封部件40 对供电部分的周边(例如，托盘402的下方的供 电端子导入部周边)进行密封。另外，优选用0环等密封部件401b对托盘支撑台401和托 盘402进行密封，以使温度交换介质不会从托盘支撑台401与托盘402的接触面泄漏。根据该双极方式，与单极方式的情况同样地，晶片S载置于通过在托盘402的外周 缘部中设置的覆盖部件403在托盘402表面上划分的凹部内，所以易于固定晶片S、固定的 稳定性优良、并且不用从上面按压晶片S的周缘部，所以具有晶片面内的希望处理的有效 区域不会减少、即不会产生按压部分的死区等优点。进而，晶片的冷却效率也优良。图5所示的第3实施方式是单极式的供电方式，示出对多个晶片进行一并处理的 情况。如图5所示，在托盘支撑台501中，设置有与所处理的晶片的个数对应的数量的温度 交换介质(例如，He气体等)的流路501a，并且，在晶片搬送用托盘502中，也设置有该温 度交换介质的多个流路50加。导入到各流路501a中的温度交换介质被供给到在托盘支撑 台501的表面侧形成的凹部(设置在该台与托盘之间的空间)C内，经由与该空间连通的多 个流路50 被供给到晶片S的背面侧，所以可以高效地冷却托盘502以及各晶片S。在图 5中，在托盘支撑台501内针对各晶片S例示了温度交换介质的1个流路，并且，在晶片搬送 用托盘502内例示了温度交换介质的多个流路，但对于流路的数量根据晶片的尺寸、冷却 效率等而适宜地选择即可。各晶片S载置于通过覆盖部件(在图7中说明)503在托盘502表面上划分的各 凹部内，托盘502通过机械夹具部件504经由覆盖部件503固定在托盘支撑台501上。在 该情况下，虽然未图示，但也可以代替机械夹具，而通过在托盘支撑台501的表面中或者在 托盘支撑台501内埋设的静电吸附电极，利用静电吸附固定托盘502。在通过图5所示的单极式的供电方式进行的多晶片一并处理的情况下，在将托盘 502设置于等离子体处理室(未图示)内之后，通过利用从静电吸附用供电电源505经由 作为供电端子的各弹簧式端子50 向各静电吸附电极506施加的电力产生的静电，载置于 托盘502上的各晶片S被静电吸附而固定。接下来，对各晶片S进行等离子体处理。如果 He气体等温度交换介质蔓延到向各静电吸附电极506的供电部分，则对供电部分施加高电 压，所以有可能产生DC放电而引起吸附不良，所以优选用0环等密封部件50 对供电部分
9的周边(例如，托盘502的下方的供电端子导入部周边)进行密封。另外，优选用0环等密 封部件501b对托盘支撑台501和托盘502进行密封，以使温度交换介质不会从托盘支撑台 501与托盘502的接触面泄漏。根据图5所示的单极方式，与所述同样地，各晶片S载置于通过在托盘502的外周 缘部中设置的覆盖部件503在托盘502表面上划分的凹部内，所以易于固定各晶片S、固定 的稳定性优良、可以对多个进行一并处理、并且不从上面按压各晶片S的周缘部，所以具有 各晶片面内的希望处理的有效区域不会减少、即不产生按压部分的死区等优点。进而，晶片 的冷却效率也良好。图6所示的第4实施方式是单极式的供电方式，示出对多个晶片进行一并处理的 情况，但使用了结构与第3实施方式的托盘不同的托盘。即，图6所示的托盘602是用通过 喷镀法制作的由Al2O3等构成的绝缘膜60 覆盖了由Al等导电体材料构成的基体的表面 的托盘，与静电吸附用供电电源605连接的弹簧式端子60 接触到由所述导电性材料构成 的基体。在图6 中，601、601a、601b、602b、603、604、605、605a、605b、S、以及 D 分别表示托盘
支撑台、温度交换介质的流路、密封部件、温度交换介质的流路、覆盖部件、机械夹具部件、 静电吸附用供电电源、作为供电端子的弹簧式端子、密封部件、晶片、以及在托盘支撑台表 面中设置的凹部(该台与托盘之间的空间)，由于与在图5中说明的部分相同，所以省略详 细的说明。如上所述，在使用利用绝缘膜覆盖了导电体基体的托盘的情况下，与其他实施方 式同样地，易于固定各晶片S、固定的稳定性优良、可以对多个进行一并处理、并且不从上面 按压各晶片S的周缘部，所以除了具有各晶片面内的希望处理的有效区域不会减少、即不 产生按压部分的死区等优点以外，还具有比用绝缘体制作托盘自身的情况相比可以减小成 本这样的优点。进而，晶片的冷却效率也良好。接下来，针对图5以及6所示的多晶片一并处理的情况下的各晶片的配置例以及 所述覆盖部件，参照图 7(a-l)、(a-2)、(b-1)、(b-2)、(c-1)、(c-2)、(d-Ι)、以及(d_2)进行 说明。如图7(a_l)的俯视图以及从线A_A观察的图7 (a_2)的剖面图所示，在托盘基 体701中，设置有凸部区域即晶片载置区域701a、以及包围晶片载置区域701a的凹部区域 701b，该凹部区域701b是嵌入图7 (b-Ι)的俯视图以及从线B-B观察的图7(b-2)的剖面图 所示的托盘覆盖(覆盖部件)702的区域。即，托盘覆盖702包括嵌入到晶片载置区域701a 中的空间区域70 和嵌入到凹部区域701b中的区域702b。如果组合图7(a-l)以及(a_2) 所示的托盘基体701、和图7(b-l)以及(b-2)所示的托盘覆盖702，则如图7(c-l)的俯视 图以及从线C-C观察的图7(c-2)的剖面图所示，形成在托盘基体701中具备晶片载置区域 701a、和成为隔开各晶片S的区域的区域702b的晶片搬送用托盘。图7(d_l)的俯视图以 及从线D-D观察的图7 (d-2)的剖面图示出在该晶片搬送用托盘中载置了晶片S的状态。以下，对以下工艺进行说明在晶片搬送用托盘上设置晶片，将配置了该晶片的 托盘搬送到等离子体处理室内，载置于托盘支撑台上，用机械夹具部件、静电吸附等固定托 盘，接下来通过静电吸附将晶片固定到托盘上，实施等离子体处理。在通过单极方式进行静电吸附的情况下，首先，例如，流入流量20 lOOsccm的载流子气体(例如，Ar)，设为工艺压力5. 0 10. OPa，将天线功率(RF)设定为300W左右， 而使等离子体点火。此时，对于来自静电吸附供电电源的静电吸附供电电压(静电吸附电 压)，在作为晶片而使用绝缘性基板(此处，蓝宝石基板(sapphire substrate))的情况下， 经由弹簧式端子施加1. 5 5. OkV，并且，在使用绝缘性基板以外的通常的基板的情况下， 经由弹簧式端子施加0. 5 1. 5kV，使晶片暴露于等离子体3秒左右的期间，由此向托盘上 的晶片的吸附完成。之后，在实际处理的工艺条件(例如，公知的等离子体CVD成膜条件、 等离子体蚀刻条件等)下处理晶片。在通过双极方式进行静电吸附的情况下，无需等离子体的点火，只要从静电吸附 供电电源对蓝宝石基板以外的通常的晶片施加0. 5 1. 5kV的静电吸附供电电压(静电吸 附电压)，则向托盘上的晶片吸附完成。之后，在实际处理的工艺条件(例如，公知的等离子 体CVD成膜条件、等离子体蚀刻条件等)下处理晶片。对于蓝宝石基板，在双极方式下无法 进行静电吸附。在所述等离子体气氛下的成膜、蚀刻等处理结束了之后，从等离子体处理室搬出 载置了所处理的晶片的托盘，通过通常的方法使晶片脱离托盘(不吸附(de-chucked))，从 托盘上取下晶片。在该拆卸中，使成为非导通状态的托盘中埋设的静电吸附电极的极性反 转即可。作为本发明的晶片载置用托盘的使用例，例如，对蚀刻工序、特别是LED的领域中 的绝缘性基板(例如，蓝宝石基板)的多个同时处理是有用的。在通常的静电吸附方式中 绝缘性基板(例如，蓝宝石基板)的静电吸附是困难的，但在本发明中的单极式静电吸附方 式中可以得到有效的静电吸附。例如，在LED制造工序中，对绝缘性基板(例如，蓝宝石基板)、或者其上的外延膜 进行干蚀刻，但为了提高生产效率一般对多个进行一并处理。因此，通过在该干蚀刻工序 中，使用本发明的晶片搬送用托盘，可以降低运行成本，减少操作失误等而提高成品率。另 外，即使在其他技术领域中对搬送用托盘上的晶片进行处理的情况下，也可以期待同样的 效果。产业上的可利用性根据本发明，可以通过利用在晶片搬送用托盘的基体内埋设的静电吸附电极实现 的静电吸附方式，容易地将晶片固定到托盘上，所以不会减少晶片面内的有效区域，并且晶 片的温度控制变得容易，进而可以省略固定前后的工作，所以可以有效地利用于对晶片实 施各种等离子体处理的半导体器件领域等中。
权利要求
1.一种晶片搬送用托盘，其特征在于，包括由绝缘体构成的基体、和在该基体中埋设 的静电吸附电极，针对该静电吸附电极的供电部分的端子是弹簧式端子，该弹簧式端子的 前端部分能够接触到该静电吸附电极，在通电时能够通过静电吸附将晶片附固定到该托盘 上，而且在该供电部分的周边设置有密封部件，使得温度交换介质不蔓延到该弹簧式端子 的前端部分与该静电吸附电极的接触部，进而开设有从该晶片搬送用托盘的背面侧向表面 侧连通的温度交换介质的多个流路，所述多个流路在将该托盘载置于晶片支撑台上时，将 供给到在该托盘背面与该晶片支撑台表面之间形成的空间中的温度交换介质供给到晶片 背面。
2.一种晶片搬送用托盘，其特征在于，由导电性材料和覆盖其表面的绝缘体构成，针对 作为静电吸附电极而发挥功能的导电性材料的供电部分的端子是弹簧式端子，该弹簧式端 子的前端部分能够接触到该导电性材料，在通电时能够通过静电吸附将晶片固定到该托盘 上，而且在该供电部分的周边设置有密封部件，使得温度交换介质不蔓延到该弹簧式端子 的前端部分与该静电吸附电极的接触部，进而开设有从该晶片搬送用托盘的背面侧向表面 侧连通的温度交换介质的多个流路，所述多个流路在将该托盘载置于晶片支撑台上时，将 供给到在该托盘背面与该晶片支撑台表面之间形成的空间中的温度交换介质供给到晶片 背面。
3.根据权利要求1或者2所述的晶片搬送用托盘，其特征在于，所述静电吸附是单极静电吸附或者双极静电吸附。
4.根据权利要求1 3中的任意一项所述的晶片搬送用托盘，其特征在于，所述晶片是绝缘性基板，静电吸附是单极静电吸附。
5.一种晶片的固定方法，其特征在于，在晶片搬送用托盘上载置晶片，其中该晶片搬送用托盘包括由绝缘体构成的基体、和 在该基体中埋设的静电吸附电极，并且针对该静电吸附电极的供电部分的端子是弹簧式端 子，该弹簧式端子的前端部分能够接触到该静电吸附电极，在通电时能够通过静电吸附将 晶片固定到该托盘上，而且在该供电部分的周边设置有密封部件，使得温度交换介质不蔓 延到该弹簧式端子的前端部分与该静电吸附电极的接触部，将载置了该晶片的托盘搬送到等离子体处理室内而将该托盘载置于托盘支撑台上，通 过机械吸附或者静电吸附将该托盘固定到托盘支撑台上，然后对该弹簧式端子进行供电， 从而通过静电吸附将该晶片固定到该托盘上。
6.一种晶片的固定方法，其特征在于，在晶片搬送用托盘上载置晶片，其中，该晶片搬送用托盘包括由导电性材料构成且表 面被绝缘体覆盖的基体、和在该基体中埋设的静电吸附电极，并且针对该静电吸附电极的 供电部分的端子是弹簧式端子，该弹簧式端子的前端部分能够接触到该静电吸附电极，在 通电时能够通过静电吸附将晶片固定该托盘上，而且在该供电部分的周边设置有密封部 件，使得温度交换介质不蔓延到该弹簧式端子的前端部分与该静电吸附电极的接触部，将载置了该晶片的托盘搬送到等离子体处理室内而将该托盘载置于托盘支撑台上，通 过机械吸附或者静电吸附将该托盘固定到托盘支撑台上，然后对该弹簧式端子进行供电， 从而通过静电吸附将该晶片固定到该托盘上。
7.根据权利要求5或者6所述的晶片的固定方法，其特征在于，作为所述静电吸附，使用单极静电吸附或者双极静电吸附。
8.根据权利要求5或者6所述的晶片的固定方法，其特征在于，作为所述晶片使用绝缘性基板，作为静电吸附使用单极静电吸附，在对该弹簧式端子 进行供电时，在等离子体处理室内使等离子体点火，从而通过静电吸附固定该晶片。
9.一种晶片搬送用托盘，其特征在于，包括由绝缘体构成的基体、和在该基体中埋设的 静电吸附电极，针对该静电吸附电极的供电部分的端子是弹簧式端子，该弹簧式端子的前 端部分能够接触到该静电吸附电极，在通电时能够通过静电吸附将晶片固定到该托盘上， 而且在该供电部分的周边设置有密封部件，使得温度交换介质不蔓延到该弹簧式端子的前 端部分与该静电吸附电极的接触部。
10.一种晶片搬送用托盘，其特征在于，包括导电性材料和覆盖该导电性材料的表面 的绝缘体，针对作为静电吸附电极而发挥功能的导电性材料的供电部分的端子是弹簧式端 子，该弹簧式端子的前端部分能够接触到该导电性材料，在通电时能够通过静电吸附将晶 片固定到该托盘上，而且在该供电部分的周边设置有密封部件，使得温度交换介质不蔓延 到该弹簧式端子的前端部分与该静电吸附电极的接触部。
全文摘要
本发明提供一种晶片搬送用托盘，可以在加工时进行晶片的温度管理，不会减少晶片面内的有效区域，并且无需晶片的粘附工作、后处理，而可以容易地固定晶片，该晶片搬送用托盘(302)包括由绝缘体构成的基体、和在基体中埋设的静电吸附电极(306)，针对静电吸附电极的供电部分的端子是弹簧式端子(305a)，弹簧式端子构成为其前端部分可以接触到静电吸附电极，在供电部分的周边设置有密封部件(305b)，使得温度交换介质不蔓延到弹簧式端子的前端部分与静电吸附电极的接触部，而且可以将晶片(S)通过静电吸附固定到托盘上。于是，可以在该晶片搬送用托盘上通过静电吸附固定晶片。
文档编号H01L21/683GK102067303SQ201080001888
公开日2011年5月18日 申请日期2010年2月9日 优先权日2009年2月18日
发明者上村隆一郎, 桥本龙司, 渡边一弘 申请人:株式会社爱发科