专利名称：用于硅蚀刻的无机快速交变处理的制作方法
技术领域：
本发明涉及经由掩膜通过蚀刻硅层而在半导体晶片上获得结构的方法。
背景技术：
从成像产品和存储器至高速逻辑电路以及高压器件产品等各种技术领域都使用含硅(Si)通孔和Si沟槽的硅半导体。一种新兴的主要依赖于通过硅半导体晶片形成的通孔(TSVs)的技术是三维(3D)集成电路(1C)。通过堆叠变薄的半导体晶圆芯片并且通过利用通硅通孔(TSVs)使所述变薄的半导体晶圆芯片交互而创造3D 1C。另ー种新兴的依赖于刻入硅半导体晶片(Si深沟槽)中的沟槽的技术是功率(power)器件
发明内容
为了实现前述意图，并且根据本发明的目的，提供了一种在等离子体处理室中将特征蚀刻到位于掩膜之下的诸如结晶硅晶片或者多晶硅等硅衬底中的方法。通过掩膜蚀刻硅衬底，其包含多个循环，其中每个循环包含侧壁沉积阶段和蚀刻阶段。该侧壁沉积阶段包括向等离子体处理室中提供包括含硅化合物气体以及氧气、氮气或者NOx中的至少ー种的侧壁沉积阶段气体流，其中x=l，2 ;在该等离子体处理室中由该侧壁沉积阶段气体形成等离子体；以及停止向该等离子体处理室提供该侧壁沉积气体流。该蚀刻阶段包括向该等离子体处理室中提供包含卤素成分的蚀刻气体流；在该等离子体处理室由该蚀刻气体形成等离子体；以及停止向等离子体处理室提供蚀刻气体流。在本发明的另ー示例中，提供了一种在等离子体处理室中将特征蚀刻到位于掩膜下的硅衬底中的方法。通过掩膜蚀刻该硅衬底包括至少10个循环，其中每个循环包含侧壁沉积阶段和蚀刻阶段。该侧壁沉积阶段包括向等离子体处理室中提供包括含硅烷气体以及氧气、氮气或者NOx中的至少ー种的侧壁沉积阶段气体流，其中X=l，2 ;在该等离子体处理室中由该侧壁沉积阶段气体形成等离子体；以及停止向该等离子体处理室提供该侧壁沉积气体流。该蚀刻阶段包括向该等离子体处理室中提供包含SF6的蚀刻气体流；在该等离子体处理室中由该蚀刻气体形成等离子体；以及停止向该等离子体处理室提供该蚀刻气体流。在本发明的另ー示例中，提供了用于选择性蚀刻位于掩膜下的硅衬底的装置。提供了一种等离子体处理室，其包括形成等离子体处理室封壳的室壁；用于在该等离子体处理室封壳内支撑晶片的衬底支撑件；用于调节该等离子体处理室封壳内的压强的压强调节器；用于提供功率至该等离子体处理室封壳以维持等离子体的至少ー个电极；用于提供气体至该等离子体处理室封壳内的气体入口 ；以及用于从该等离子体处理室封壳内排放气体的气体出口。气体源与该气体入口流体连通并且包含含硅化合物气体源，氧气、氮气或者NOx气体源，以及齒素成分气体源。控制器可控地连接到所述气体源和所述至少ー个电极上，并且包括至少ー个处理器和计算机可读介质。该计算机可读介质包括用于通过掩膜蚀刻硅衬底的计算机可读代码，该蚀刻包括多个循环，其中每个循环包括用于提供侧壁沉积阶段的计算机可读代码和用于提供蚀刻阶段的计算机可读代码，该用于提供侧壁沉积阶段的计算机可读代码包括用于向等离子体处理室中提供包括来自所述含硅化合物气体源的含硅化合物气体以及来自所述氧气、氮气或者NOx (其中x=l，2)气体源中的氧气、氮气或者NOx中的至少ー种的侧壁沉积阶段气体流的计算机可读代码，用于在等离子体处理室中由该侧壁沉积阶段气体形成等离子体的计算机可读代码，以及用于停止向该等离子体处理室提供该侧壁沉积气体流的计算机可读代码；该用于提供蚀刻阶段的计算机可读代码包括用于向该等离子体处理室中提供包含来自所述卤素成分气体源的卤素成分的蚀刻气体 流的计算机可读代码，用于在该等离子体处理室由该蚀刻气体形成等离子体的计算机可读代码，以及用于停止向该等离子体处理室提供该蚀刻气体流的计算机可读代码。下面将在本发明的具体实施方式
中结合附图对本发明的这些以及其他特征进行更详细的描述。
本发明在附图中通过示例而非限制的方式进行说明，附图中相似的參考数字指的是相似的元件，其中图I是本发明的实施方式的流程图。图2A-D是使用本发明的エ艺形成特征的示意图。图3是可以用于本发明的实施方式中的等离子体处理室的示意图。图4A-B是可以在实施本发明的过程中使用的计算机系统的示意图。图5是侧壁沉积阶段的更详细的流程图。图6是蚀刻阶段的更详细的流程图。
具体实施例方式现在将參考如附图中所阐释的本发明的一些优选的实施方式详细描述本发明。在以下的描述中，提出许多具体细节以提供对本发明的全面的理解。然而对本领域技术人员而言，显而易见，没有这些具体细节的一些或者全部本发明也可以实现。在其它示例中，没有详细描述公知的エ艺步骤和/或结构以免不必要地使本发明难以理解。在蚀刻通硅通孔(TSVs)和Si深沟槽的过程中，最普遍使用的エ艺是Boschエ艺。在Boschエ艺中，C4F8沉积步骤和SF6蚀刻步骤是交替的。在该C4F8沉积步骤中，沉积有机聚合物层，以便保护通孔(和沟槽)的侧壁。在该SF6蚀刻步骤中，由SF6蚀刻Si以形成通孔或者沟槽轮廓(profile)。蚀刻率与蚀刻压強、SF6流率以及蚀刻时间成正比。问题是，当所述蚀刻因素中的任何一个增加吋，由C4F8形成的侧壁有机聚合物保护就不再保留。因此，在弓形轮廓和楔形轮廓之间就存在显著的权衡问题。当蚀刻相对高深宽比特征时，该权衡问题是更明显的。使用稳定状态エ艺蚀刻具有低深宽比的TSVs和Si深沟槽。在稳定状态TSVs和Si深沟槽蚀刻中，通常使用SF6和O2混合物。在TSVs和Si深沟槽蚀刻中，氧气与特征侧壁硅反应形成硅氧化物，因此侧壁受到保护，并且弓形的轮廓最小化。另外，足够的氧气运行以提高蚀刻率，因为Si与O2反应促进了 SiF气体的形成。使用太多的O2是有害的，因为其氧化了侧壁，从而使エ艺进展到更接近蚀刻停止。
图I是本发明的实施方式的高级流程图。在该实施方式中，诸如光刻胶等图案化的掩膜形成于硅层之上(步骤104)。将硅晶片放置在等离子体处理室中(步骤108)。将该硅层进行气体调节循环蚀刻(步骤112)。该气体调节循环蚀刻包括多个循环，其中每个循环包括层沉积阶段(步骤116)和蚀刻阶段(步骤120)。该层沉积阶段使用包含硅化合物以及至少另ー种包含氧气、氮气或者NOx (其中x=l，2，或者3)的气体的沉积气体。硅化合物是含硅气体类型。该蚀刻阶段包含蚀刻硅的化合物。然后将该掩膜剥离(步骤124)。接着将晶片从该等离子体处理室中移除(步骤128)。在本发明的实施方式的一个示例中，将被蚀刻的特征是通半导体晶片通孔(TSVs)0在该示例中，掩膜是在硅晶片上的图案化的光刻胶掩膜(步骤104)。该掩膜可以是有机的(如光刻胶)或者是无机的(如氧化物材料，硅氮化物等)。图2A是硅晶片208的剖面示意图，在硅晶片208上已经形成了图案化的有机掩膜204。诸如抗反射涂层(ARC)等ー个或多个中间图案化层可以被设置在硅晶片(衬底)208和图案化有机掩膜204之间以改善掩膜图案化工艺。
硅晶片208放置在处理工具中(步骤108)。图3示意性地图解了等离子体处理系统300的ー个示例，该等离子体处理系统300可以用于执行根据本发明的一个实施方式蚀刻硅晶片的エ艺。该等离子体处理系统300包括等离子体反应器302，在等离子体反应器302中具有等离子体处理室304。通过匹配网络308调谐的等离子体电源306将功率供给至位于窗312附近的TCP线圈310以在等离子体处理室304中形成等离子体314。TCP线圈(上部电源)310可配置为在处理室304内生成均匀扩散轮廓。例如，TCP线圈310可被配置为在等离子体314中产生螺旋管形功率分布。设置窗312以将TCP线圈310与等离子体室304分离，同时容许能量从TCP线圈310传递至等离子体室304。由匹配网络318调谐的晶片偏压电源316向电极320提供功率以在由电极320支撑的晶片322上设定偏压。控制器324设定用于等离子体电源306和晶片偏压电源316的点。等离子体电源306和晶片偏压电源316可配置为运行于特定无线电频率，诸如例如13. 56MHz、27MHz、2MHZ、400kHZ、或它们的组合。为了获得期望的エ艺性能，等离子体电源306和晶片偏压电源316可以适当地调整大小以供给一定范围的功率。例如，在本发明的一个实施方式中，等离子体电源306可以供给范围从100瓦至10000瓦的功率，并且晶片偏压电源316可以供给范围从IOV至1000V的偏压。另外，TCP线圈310和/或电极320可由两个或更多的分线圈或分电极构成，这些分线圈或分电极可由单个电源供电或由多个电源供电。如图3所示，等离子体处理系统300进ー步包括气体源/气体供给机构330。气体源包括沉积阶段气体源332、蚀刻阶段气体源334以及任选地额外气体源336。气体源332、334和336通过气体入口 340与处理室304流体连接。气体入口 340可以位于室304中的任意有利位置处，并且可具有任何用于喷射气体的形式，例如单个喷嘴或者喷头。然而，优选的是，气体入ロ 340可配置为生成“可调谐”气体喷射轮廓，这使得可对流到处理室304中的多个区的气体的各个流进行単独调节。处理气体和副产物经由压强控制阀342和泵344从室304移除，这还用于在等离子体处理室304内保持特定压强。气体源/气体供给机构330由控制器324控制。由Lam Research Corporation提供的2300Syndion系统可用于实现本发明的实施例。
图4A和4B显示了计算机系统400，其适于使用作为所述处理工具的控制器。这样的控制器可以用于在不同处理室之间输送衬底，并且控制处理室内的エ艺。图4A显示了计算机系统的ー种可能的物理形式，其可以用于控制器324。当然，该计算机系统可具有多种物理形式，范围从集成电路、印刷电路板、以及小的手持设备直到巨大的超级计算机。计算机系统400包括监控器402、显不器404、外壳406、磁盘驱动器408、键盘410、和鼠标412。磁盘414是用于转移数据到计算机系统400以及从计算机400中转移数据的计算机可读介质。图4B是计算机系统400的示例性的框图。连接到系统总线420的是各种各样的子系统。处理器422 (也称为中央处理单元或CPU)联接到存储设备，包括存储器424。存储器424包括随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)。如本技术领域所公知的，ROM用作单向地将数据和指令转移到CPU，以及RAM通常用于以双向方式转移数据和指令。这两种类型的存储器都可包括下述的任何合适类型的计算机可读介质。固定磁盘426也双向联接到CPU422 ;其提供了额外的数据存储容量并且也可包括下述的任何计算机可读介质。固定磁盘426可用于存储程序、数据及其类似信息资料，并且通常是次级(secondary)存储介 质(如硬盘)，其比主存储器慢。应理解，在适当的情况下，保存在固定磁盘426中的信息可以作为虚拟内存以标准的方式納入存储器424。可移动磁盘414可以是下述的任何计算机可读介质的形式。CPU422也联接到各种输入/输出设备，如显示器404、键盘410、鼠标412和扬声器430。一般情况下，输入/输出设备可以是以下任意的设备视频显示器，轨迹球，鼠标，键盘，麦克风，触摸敏感显示器，转换读卡器，磁性或纸带阅读器，图形输入板，触针，语音或手写识别器，生物识别器，或其他计算机。可选地，CPU422可使用网络接ロ 440联接到其他计算机或远程通讯网络。具有这样的网络接ロ，可预期该CPU可从网络接收信息或者在实施上述方法步骤的过程中向网络输出信息。进ー步，本发明的方法实施方式可仅在CPU422上执行或可以在诸如互联网等网络上连同分享部分处理的远程CPU —起执行。此外,本发明的实施方式进ー步涉及带有计算机可读介质的计算机存储产品，在该计算机可读介质上具有计算机代码以实施各种计算机执行操作。该介质和计算机代码可以是那些用于本发明目的的具体设计和构建的介质和代码，或者也可以是那些对于计算机软件领域的技术人员来说公知的以及可获得的介质或代码。示例性的有形的计算机可读介质包括但不限于磁性介质，如硬盘，软盘，和磁带；光学介质，如CO-ROM和全息设备；磁光介质，如光磁软盘；以及具体配置为存储或执行程序代码的硬件设备，如专用集成电路(ASIC)，可编程逻辑器件(PLD)和ROM以及RAM器件。示例性的计算机代码包括如由编译器产生的机器代码，以及包含通过计算机使用翻译器执行的高级代码的文件。计算机可读介质也可以是由计算机数据信号传送的计算机代码，该计算机数据信号体现在载波上井代表可由处理器执行的指令序列。对硅层进行气体调节循环蚀刻(步骤112)。该气体调节循环蚀刻包括多个循环，其中每个循环包括层沉积阶段(步骤116)和蚀刻阶段(步骤120)。图5是该层沉积阶段的更详细的流程图。包含含硅化合物(例如气态，SiH, SiCl4等)以及氧气、氮气或者NOx (x=l,2)的沉积气体流入等离子体处理室304中(步骤504)。在该示例中，沉积气体为lOOsccm的SiF4以及160sccm的02。使沉积气体形成等离子体(步骤508)。压强被设定在50mTorr。提供13. 56MHz的2500瓦的TCP输入功率。提供100伏的偏压。在0. 6秒后，停止沉积气体流以及该层沉积阶段(步骤508)。更通常地，该沉积阶段在0. I秒和0. 2秒之间。不受猜想的限制，相信SiF4与氧气的化合作用导致在所蚀刻的硅特征的侧壁上形成娃氧化物(SiOx)或者娃氧氟(SiOxFy) (silicon oxifIouride)层,其中来自蚀刻气体化学成分的硅与氧气形成硅氧化物，该硅氧化物沉积在蚀刻特征的侧壁以及光刻胶掩膜204上。混合有氧气与氮气和/或NOxU=I至2)的含硅化合物形成氮氧化硅，该氮氧化硅沉积在蚀刻特征的侧壁以及光刻胶掩膜204上。含硅气体类物与氮气的化合作用形成氮化硅，该氮化硅沉积在蚀刻特征的侧壁以及光刻胶掩膜204上。图2B示出了在完成第一沉积阶段后，在光刻胶掩膜204上形成的硅氧化物沉积层212。应注意，这样的附图不是按比例绘制的。该沉积层可以比所示出的薄很多，但是这样绘制以便能清晰地看到该沉积层。图6是蚀刻阶段的更详细的流程图(步骤120)。包含卤素成分的蚀刻气体流入等离子体处理室304中(步骤604)。在该示例中，该气体为1200sccm的SF6。该蚀刻气体形成等离子体(步骤608)。压强设置为80mTorr。提供13. 56MHz的2500瓦的TCP输入功率。提供100伏的偏压。在I. 2秒后，停止蚀刻气体流以及该蚀刻阶段(步骤612)。更通常地， 该蚀刻阶段可以从0. 6秒至10秒。优选地，该蚀刻阶段比该沉积阶段时间长几倍。在本发明的优选实施方式中，含硅化合物是31 4、5迅、5似4、5迅(17 (x+y=4)或者SiHxFy中的至少ー种。优选地，含硅化合物可以是硅烷气体。优选的卤素成分是氟，因为其提供较高的硅去除率。更优选地，蚀刻气体还包括氧气、氮气或者NOx，其中x=l，2。优选地,含硅化合物与氧气、氮气或者NOx的容积比在I: I至30:1之间。更优选地,含硅化合物与氧气、氮气或者NOx的比在2:1至20:1之间。在该实施方式中，通过在蚀刻气体中提供氧气、氮气或者NOx，在蚀刻过程中，硅侧壁可以形成钝化层。在该案例中，尽管SiOx层生成率是较慢的。用于沉积薄膜层(SiOx或SiOxFy)的优选的方法正从硅源产生。图2C示出了部分蚀刻的特征216，其中侧壁220已经在蚀刻阶段形成了。在该示例中，沉积阶段形成的沉积层已经被蚀刻棹。在其他实施方式中，沉积层中的ー些可以保留。在本发明的另ー个实施方式中，蚀刻气体包含卤素化合物并且是没有氧气和氮气的。更优选地，该蚀刻气体基本由卤素化合物组成。该实施方式的具体的示例使用eOOsccm的SF6的配方。在该示例中，SF6完全各向同性地蚀刻硅。这对于较高的深宽比方案提供了较有效的和较好的エ艺窗。该エ艺持续至少10个循环，直至硅晶片被蚀刻至优选的蚀刻深度，如图2D所示。可以使用后续的背部研磨エ艺124以去除该晶片的一部分，使得通孔通过该晶片。已发现，在本发明中所使用的硅氧化物或者硅氮化物侧壁钝化层是较抗蚀刻的。已发现，本发明的实施方式通过消除底切、弓形以及減少楔形特征而提供了改善的轮廓控制。已发现，同时执行各步骤没有提供期望的控制，在该案例中，底切和弓形是较大的。因此，这些步骤按顺序执行。除了改善的轮廓外，钝化层比通过Boschエ艺产生的规则的聚合物层更强健使得可以使用更具侵蚀性和更快的蚀刻エ艺。在这里所提供的本エ艺的另一方案中，在蚀刻过程中添加氧气和氮气成分使得在蚀刻过程中能形成钝化层，从而使得在沉积阶段可以形成较薄的钝化层。沉积气体和钝化气体是不同的。优选地，沉积气体是无卤素的。优选地，蚀刻气体不包含含硅气体，例如硅烷。蚀刻气体和沉积气体是不混合的，已发现这需要提供更多控制。尽管已经根据多个优选的实施例对本发明进行了说明，存在落在本发明的范围内的改动、置换和替代的等同方案。还应当注意的是，存在实现本发明的方法和装置的多种 可选方式。因此，意图是，随附的权利要求书被解释为包含落在本发明的主g和范围内的全部这些改动、置换和替代的等同方案。
权利要求
1.一种用于在等离子体处理室中将特征蚀刻至位于掩膜下的硅衬底中的方法，其包括 通过所述掩膜蚀刻所述硅衬底，其包括多个循环，其中每个循环包括 侧壁无机物沉积阶段，其包括 向所述等离子体处理室中提供包括含硅化合物气体和氧气、氮气或者NOx中的至少一种的侧壁沉积阶段气体流，其中x=l，2 ; 在所述等离子体处理室中由所述侧壁沉积阶段气体形成等离子体；以及 停止向所述等离子体处理室中提供所述侧壁沉积气体流；和蚀刻阶段，其包括 向所述等离子体处理室中提供包含卤素成分的蚀刻气体流； 在所述等离子体处理室中由所述蚀刻气体形成等离子体；以及 停止向所述等离子体处理室中提供所述蚀刻气体流。
2.如权利要求I所述的方法，其中，所述蚀刻气体还包括氧气、氮气或者N0X。
3.如权利要求2所述的方法，其中，每一侧壁沉积阶段是在O.I秒和2秒之间。
4.如权利要求3所述的方法，其中，每一蚀刻阶段是在O.6秒和10秒之间。
5.如权利要求4所述的方法，其中，所述掩膜是光刻胶掩膜，在所述蚀刻过程中，通过该光刻胶掩膜蚀刻所述硅。
6.如权利要求5所述的方法，其中，所述含硅化合物气体选自SiF4、SiCl4、SiH4、SiHxCly(x+y=4)以及 SiHxFy。
7.如权利要求4所述的方法，其中，所述沉积阶段气体具有流量比在I: I至30:1之间的所述含硅化合物气体和氧气、氮气或者NOx中的至少一种。
8.如权利要求4所述的方法，其中，所述多个循环是至少10个循环。
9.如权利要求4所述的方法，其中，所述卤素成分包含氟。
10.如权利要求4所述的方法，其中，所述卤素成分为SF6。
11.如权利要求I所述的方法，其中，所述沉积阶段气体是无卤素的。
12.如权利要求11所述的方法，其中，所述蚀刻阶段是无所述含硅化合物气体的。
13.如权利要求I所述的方法，其中，所述沉积阶段气体具有流量比在I:I至30:1之间的所述含硅化合物气体和氧气、氮气或者NOx中的至少一种。
14.如权利要求I所述的方法，其中，所述多个循环是至少10个循环。
15.如权利要求I所述的方法，其中，所述卤素成分包含氟。
16.如权利要求I所述的方法，其中，所述卤素成分为SF6。
17.一种用于在等离子体处理室中将特征蚀刻至位于掩膜下的硅衬底中的方法，其包括 通过所述掩膜蚀刻所述硅衬底，其包括至少10个循环，其中每个循环包括 侧壁无机物沉积阶段，其包括 向所述等离子体处理室中提供包括含硅烷气体和氧气、氮气或者NOx中的至少一种的侧壁沉积阶段气体流，其中x=l，2 ; 在所述等离子体处理室中由所述侧壁沉积阶段气体形成等离子体；以及 停止向所述等离子体处理室中提供所述侧壁沉积气体流；和 蚀刻阶段，其包括向所述等离子体处理室中提供包含SF6的蚀刻气体流； 在所述等离子体处理室中由所述蚀刻气体形成等离子体；以及 停止向所述等离子体处理室中提供所述蚀刻气体流。
18.如权利要求17所述的方法，其中，所述蚀刻气体还包括氧气、氮气或者N0X。
19.用于相对于衬底上的硅氧化物基层选择性蚀刻氮化硅的装置，其包括 等离子体处理室，其包括 形成等离子体处理室封壳的室壁； 用于将晶片支撑在所述等离子体处理室封壳内的衬底支撑件； 用于调节所述等离子体处理室封壳内的压强的压强调节器； 用于提供功率至所述等离子体处理室封壳以维持等离子体的至少一个电极； 用于提供气体至所述等离子体处理室封壳内的气体入口 ；以及 用于从所述等离子体处理室封壳内排放气体的气体出口； 与所述气体入口流体连接的气体源，其包括 含硅化合物气体源； 氧气、氮气或者NOx气体源；以及 卤素成分气体源；和 可控地连接到所述气体源和所述至少一个电极上的控制器，其包括 至少一个处理器；以及 计算机可读介质，其包括 用于通过所述掩膜蚀刻所述硅衬底的计算机可读代码，其包括多个循环，其中每个循环包括 用于提供侧壁沉积阶段的计算机可读代码，其包括 用于向所述等离子体处理室中提供包括来自所述含硅化合物气体源的含硅化合物气体以及来自所述氧气、氮气或者NOx气体源中的氧气、氮气或者NOx中的至少一种的侧壁沉积阶段气体流的计算机可读代码，其中x=l，2 ; 用于在所述等离子体处理室中由所述侧壁沉积阶段气体形成等离子体的计算机可读代码；以及 用于停止向所述等离子体处理室提供所述侧壁沉积气体的计算机可读代码；和 用于提供蚀刻阶段的计算机可读代码，其包括 用于向该等离子体处理室中提供包含来自所述卤素成分气体源的卤素成分的蚀刻气体流的计算机可读代码； 用于在所述等离子体处理室中由所述蚀刻气体形成等离子体的计算机可读代码；以及 用于停止向所述等离子体处理室提供所述蚀刻气体流的计算机可读代码。
20.如权利要求1-2中任一项所述的方法，其中，每一侧壁沉积阶段是在O.I秒和2秒之间。
21.如权利要求1-2以及20中任一项所述的方法，其中，每一蚀刻阶段是在O.6秒和10秒之间。
22.如权利要求1-2以及20-21中任一项所述的方法，其中，所述掩膜是光刻胶掩膜，在所述蚀刻过程中，通过该光刻胶掩膜蚀刻所述硅。
23.如权利要求1-2以及20-22中任一项所述的方法，其中，所述含硅化合物气体选自SiF4' SiCl4' SiH4' SiHxCly (x+y=4)以及 SiHxFy0
24.如权利要求1-2以及20-23中任一项所述的方法，其中，所述沉积阶段气体具有流量比在I: I至30:1之间的所述含硅化合物气体和氧气、氮气或者NOx中的至少一种。
25.如权利要求1-2以及20-24中任一项所述的方法，其中，所述多个循环是至少10个循环。
26.如权利要求1-2以及20-25中任一项所述的方法，其中，所述卤素成分包含氟。
27.如权利要求1-2以及20-25中任一项所述的方法，其中，所述卤素成分为SF6。
28.如权利要求1-2以及20-27中任一项所述的方法，其中，所述沉积阶段气体是无卤素的。
29.如权利要求1-2以及20-28中任一项所述的方法，其中，所述蚀刻阶段是无所述含硅化合物气体的。
全文摘要
提供了一种在等离子体处理室中将特征蚀刻到位于掩膜之下的硅衬底中的方法。通过所述掩膜蚀刻硅衬底，其包含多个循环，其中每个循环包含侧壁沉积阶段和蚀刻阶段。该侧壁沉积阶段包括向该等离子体处理室中提供包括含硅化合物气体以及氧气、氮气或者NOx中的至少一种的侧壁沉积阶段气体流；在该等离子体处理室中由该侧壁沉积阶段气体形成等离子体；以及停止向该等离子体处理室提供该侧壁沉积气体流。该蚀刻阶段包括提供包含卤素成分的蚀刻气体流；在该等离子体处理室由该蚀刻气体形成等离子体；以及停止提供蚀刻气体流。
文档编号H01L21/3065GK102792428SQ201180013792
公开日2012年11月21日 申请日期2011年2月28日 优先权日2010年3月31日
发明者卡梅利娅·鲁苏, 朝生强 申请人:朗姆研究公司