基板处理方法以及基板处理装置与流程

技术特征：
1.一种基板处理方法，其特征在于，包括：水分除去工序，从具有露出氮化硅膜以及吸湿性的氧化硅膜的表面的基板上，除去吸附在所述氧化硅膜中的水分，硅烷化工序，在所述水分除去工序之后，对基板供给硅烷化试剂，蚀刻工序，在所述硅烷化工序之后，对所述基板供给氢氟酸蒸汽，对所述氮化硅膜进行选择性蚀刻。2.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，吸湿性的所述氧化膜包括多孔质氧化硅膜。3.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，所述水分除去工序，包括对基板进行加热的加热工序、使基板周边的气压下降的减压工序以及对基板照射光的照射工序中的至...