技术总结
提供基板处理方法及基板处理装置。基板处理方法包括：水分除去工序，从基板上除去水分；硅烷化工序，在所述水分除去工序之后，对基板供给硅烷化试剂；蚀刻工序，在所述硅烷化工序之后，对所述基板供给蚀刻剂。所述基板的表面可以露出氮化膜以及氧化膜，此时，所述蚀刻工序可以是通过所述蚀刻剂对所述氮化膜进行选择蚀刻的选择蚀刻工序。可以通过供给含有蚀刻成分的蒸汽的方式供给所述蚀刻剂。
技术研发人员：太田乔;赤西勇哉;桥诘彰夫
受保护的技术使用者：斯克林集团公司
文档号码：201210360017
技术研发日：2012.09.24
技术公布日：2017.10.03