晶体硅太阳电池的正面种子层银浆及其制备方法、晶体硅太阳电池及其制备方法

晶体硅太阳电池的正面种子层银浆及其制备方法、晶体硅太阳电池及其制备方法
【专利摘要】本发明涉及一种晶体硅太阳电池的正面种子层银浆及其制备方法，所述正面种子层银浆中含有银粉、玻璃粉、有机载体和造孔剂；所述造孔剂选自碳酸铵、碳酸氢铵、硝酸铵、氯化铵的一种或多种，所述造孔剂的中粒径D501为1.0~15μm。本发明还提供了采用该正面种子层银浆制备晶体硅太阳电池的方法以及由该方法制备得到的晶体硅太阳电池。采用本发明提供的正面种子层银浆烧结后形成种子层电极栅线，然后光诱导电镀银，烧结银层与电镀银具有良好的附着力，从而大大增加正面电极的焊接强度；另外，采用本发明提供的制备方法制备得到的晶体硅太阳电串联电阻明显降低，电池填充因子增加，光电转换效率也得到明显提高。
【专利说明】晶体硅太阳电池的正面种子层银浆及其制备方法、晶体硅太阳电池及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及太阳能电池领域，具体设计一种晶体硅太阳电池的正面种子层银浆及其制备方法、一种晶体硅太阳电池的制备方法以及由该制备方法制备得到的晶体硅太阳电池。
【背景技术】
[0002]目前太阳能电池的向光面电极开始向光诱导电镀方向发展，其技术特征为先在太阳能电池正面印刷一层种子层银浆，烧结后再通过光诱导电镀的方式在电极上沉积一层银，即光诱导电镀银工艺(LIP)。通过电镀工艺能提高一定的光电转换效率。但是，目前还未有适合于用作LIP工艺的种子层浆料的成熟产品。采用LIP工艺制作向光面电极的生产厂家，都直接沿用以前常规丝网印刷的向光面电极银浆作为种子层浆料。而沿用普通丝印的银浆，导致丝印后的电极栅线的细密度达不到设计的要求，电镀后的细栅线的宽度增加过大，遮光面积增大，电池的短路电流下降，虽然由于电镀导致填充因子有所提升，但整体上，该电极制作工艺对电池的光电转换效率提升不大。另外，印刷后经过烧结形成的银层已经比较致密，再经过镀银这一道工序，镀层银与印刷烧结的银层之间会产生明显分层，两者之间的附着强度变小，从而导致整个银电极的焊接强度变小。

【发明内容】

[0003]本发明解决了现有技术中LIP工艺制作SE太阳电池过程中没有合适的种子层浆料，导致丝印后电极栅线达不到要求、光电转换效率仍较低，以及镀层银与烧结银的附着力小导致电极焊接强度小的技术问题。
[0004]本发明提供了一种晶体硅太阳电池的正面种子层银浆，所述正面种子层银浆中含有银粉、玻璃粉、有机载体和造孔剂；所述造孔剂选自碳酸铵、碳酸氢铵、硝酸铵、氯化铵的一种或多种，所述造孔剂的中粒径D5tl1为1.[0005]本发明还提供了所述晶体硅太阳电池的正面种子层银浆的制备方法，包括将无机玻璃粉先分散于有机载体中，然后分批加入银粉，最后加入造孔剂，研磨至浆料细度小于5 U m后得到所述晶体硅太阳电池的正面种子层银浆。
[0006]进一步地，本发明提供了一种晶体硅太阳电池的制备方法，包括以下步骤:先在硅片背面依次印刷背面银导电浆料和背场铝浆料，烘干后在硅片正面印刷本发明提供的正面种子层银浆，入隧道炉烘干并烧结后在硅片正面形成种子层电极栅线，然后在种子层电极栅线表面进行光诱导电镀银，得到所述晶体硅太阳电池。
[0007]最后，本发明提供了 一种晶体硅太阳电池，所述晶体硅太阳电池由本发明提供的制备方法制备得到。
[0008]本发明提供的晶体硅电池的正面种子层银浆，其通过在常规银浆中加入适量造孔齐U，将该种子层银浆印刷至硅片表面并烧结后，造孔剂在热作用下分解挥发，会在印刷烧结银层(即种子层电极栅线)表面留下微孔，后续工序中通过光诱导电镀工艺在种子层电极栅线层上沉积金属银时，电镀液中银离子优先在微孔孔洞内得到电子形成金属银，即沉积的镀层银先将孔洞进行填充，渗入至印刷烧结银层表面的微孔内，填充完成后再增加银层厚度，得到正面电极栅线。因此，后续电镀银层与印刷烧结银层之间通过微孔形成机械咬合，使得电镀银层与印刷烧结银层之间的结合力大大增强，从而大大增加正面电极的焊接强度。另外，由于电镀银层不含其它成分(例如玻璃粉)，即其银含量相对较高，因此最后形成正面电极中金属银的含量增加，使得本发明提供的晶体硅太阳电池的串联电阻明显降低，电池填充因子增加，光电转换效率也得到明显提高。
【具体实施方式】
[0009]本发明提供了一种晶体硅太阳电池的正面种子层银浆，所述正面种子层银浆中含有银粉、玻璃粉、有机载体和造孔剂；所述造孔剂选自碳酸铵、碳酸氢铵、硝酸铵、氯化铵的一种或多种，所述造孔剂的中粒径D5tl1为1.[0010]本发明提供的晶体硅电池的正面种子层银浆，其通过在常规银浆中加入适量造孔齐U，将该种子层银浆印刷至硅片表面并烧结后，造孔剂在热作用下分解挥发，会在印刷烧结银层(即种子层电极栅线)表面留下微孔；后续工序中通过光诱导电镀工艺在种子层电极栅线层上沉积金属银时，由于微孔的空洞内表面的比表面积相对较大，因此电镀液中银离子优先在微孔孔洞内得到电子形成金属银，即沉积的镀层银先填充至微孔孔洞内，即镀层银渗入至印刷烧结银层表面的微孔内，将所有微孔孔洞填充完成后再继续沉积增加整个银层厚度，得到正面电极栅线。因此，后续电镀银层与印刷烧结银层之间通过微孔形成机械咬合，使得电镀银层与印刷烧结银层之间的结合力大大增强，从而大大增加正面电极的焊接强度。
[0011]另外，由于电镀银层不含其它成分(例如玻璃粉)，即其银含量相对于直接印刷正面电极要高，因此最后形成正面电极中金属银的含量增加，且直接电镀沉积的单质银的电阻率要低于银浆烧结后残留物的电阻率，使得本发明提供的晶体硅太阳电池的串联电阻明显降低，电池填充因子增加，光电转换效率也得到明显提高。
[0012]本发明中，所采用的造孔剂选自碳酸铵、碳酸氢铵、硝酸铵、氯化铵的一种或多种，其不溶于浆料中的有机溶剂。本发明的发明人发现，并不是采用任意粒径的造孔剂，都会使种子层银浆烧结后形成种子层电极栅线表面具有合适的微孔。而本发明的发明人正是通过进一步的实验发现，在正面种子层银浆中采用造孔剂时，所述造孔剂的粒径必需严格控制。若造孔剂的粒径太大，会导致银浆在烧结后与硅片基底及后续电镀银层的附着力不良，并且电镀后形成的电镀银不能完全填充由造孔剂形成的微孔，导致电极栅线的体积电阻率增力口。若造孔剂的粒径太小，电镀时还原银不容易进入微孔，同样会增加电镀后的电极栅线的电阻。具体地，本发明中，所述造孔剂的中粒径D5tl1为1.优选情况下，所述造孔剂的中粒径D5tl1为3.(TlOMm。
[0013]本发明中，所述正面种子层中银粉、玻璃粉、有机载体的含量在本领域常用电极浆料中各组分的常规范围内即可，本发明没有特殊要求。不可避免地，加入适量造孔剂后其他组分的含量会相应降低。因此，优选情况下，以所述正面种子层银浆的总质量为基准，其中银粉的含量为50-70wt%，玻璃粉的含量为2-10wt%，有机载体的含量为20-40wt%，造孔剂的含量为0.5-5wt%0本发明的发明人发现，所述正面种子层银浆中造孔剂的含量不宜过高，否则会导致烧结后形成的种子层栅线出现断线现象，同时造孔剂的含量也不宜过低，否则种子层栅线上形成微孔太少，不能起到增加镀层银与印刷烧结银的附着力的作用。
[0014]本发明中，所述银粉、玻璃粉和有机载体均为现有技术中常规正面银浆中常用的各种银粉、玻璃粉、有机载体，本发明没有特殊限定。
[0015]例如，所述银粉可直接采用现有的导电银浆中常用的各种类球形银粉，优选采用椭球形银粉。优选情况下，所述银粉的中粒径D5tl2为0.2^2.0 u m,比表面积为1.(T3.0m2/g,振实密度为4.0~5.0g/cm3。
[0016]所述玻璃粉可以采用Bi2O3-SiO2-ZnO体系玻璃粉和/或Bi2O3-SiO2-B2O3体系玻璃粉。优选情况下，所述玻璃粉的原料组成为:6(T80wt%的Bi2O3,8~15wt%的SiO2, 5~15wt%的ZnO, 5~10wt%的TiO2以及I~5wt%的NaN03。所述玻璃粉的中粒径D5tl3为0.1~1.0um,软化温度 Ts 为 45(T500°C。
[0017]本发明中，所述玻璃粉可直接采用商购产品，也可自己制备，制备方法为本领域技术人员公知。例如，制备所述玻璃粉的方法可以为:按照前述原料组成采用V型混合机将各组成玻璃粉的原料粉体混合均匀，转入刚玉坩埚中并置于硅碳棒炉中，升温至550°C，保温0.5h，再升温至1000°C，保温lh，水淬过滤得到玻璃珠；然后将玻璃珠装入球磨罐，按质量比氧化锆球:玻璃珠:去离子水=4:1:0.7，罐速300转/分钟，先湿磨6.5h，过滤后烘干，再干磨0.5h，干磨时氧化锆球与玻璃粉的质量比为1:2，得到所述玻璃粉。
[0018]所述有机载体中含有有机溶剂、增稠剂和助剂。其中，所述有机溶剂可以采用现有技术中常用的多种溶剂的组合，例如可选自醇酯、松油醇、邻苯二甲酸二丁酯(DBP)、丁基卡必醇、松节油、丁基卡必醇醋酸酯、乙二醇丁醚、乙二醇乙醚醋酸酯中的一种或多种。所述增稠剂选自乙基纤维素、硝化纤维素、醇酸树脂、酚醛树脂类粘结剂中的一种或多种。所述助剂选自聚酰胺粉末、改性氢化蓖麻油、十六醇、十八醇中的一种或多种。以所述有机载体的总质量为基准，其中有机溶剂的含量为7(T90wt%，增稠剂的含量为5.(T20wt%，助剂的含量为 0.5~5.0wt%o
[0019]所述有机载体可直接采用商购产品，也可自己制备，制备方法为本领域技术人员公知。例如，制备所述有机载体的方法可以为:将增稠剂和助剂溶解于由两种以上常用有机溶剂组成的混合溶剂中，5(T80°C下搅拌使其充分溶解，即可得到透明均一的有机载体。
[0020]本发明还提供了所述晶体硅太阳电池的正面种子层银浆的制备方法，包括将无机玻璃粉先分散于有机载体中，然后分批加入银粉，最后加入造孔剂，研磨至浆料细度小于5 U m后得到所述晶体硅太阳电池的正面种子层银浆。
[0021]其中，分散可采用高速分散机进行。优选情况下，所述银粉的分批次数为2-3次，每次加入后搅拌均匀，再加入下一批次；全部加完后，高速搅拌均匀。所述研磨可采用三辊研磨机进行。优选情况下，研磨至浆料细度小于5Mm即可。
[0022]本发明还提供了一种晶体硅太阳电池的制备方法，包括以下步骤:先在硅片背面依次印刷背面银导电浆料和背场铝浆料，烘干后在硅片正面印刷本发明提供的正面种子层银浆，入隧道炉烘干并烧结后在硅片正面形成种子层电极栅线，然后在种子层电极栅线表面进行光诱导电镀银，得到所述晶体硅太阳`电池。
[0023]本发明中，所述背面银导电浆料、背场铝浆料均为本领域技术人员常用的各种常规浆料，本发明没有特殊限定，此处不再赘述。所述硅片可为单晶硅片或多晶硅片，本发明没有特殊限定。
[0024]采用本发明提供的正面种子层银浆对硅片正面(即向光面)进行丝网印刷，烧结后形成种子层电极栅线，然后在种子层电极栅线表面进行光诱导电镀银，得到晶体硅太阳电池。
[0025]本发明中，印刷正面种子层银浆的方法为丝网印刷。本发明的发明人发现，采用丝网印刷正面种子层银浆并烧结得到种子层电极栅线，其不会发生断线现象，并且种子层副栅线越细、越矮越好。这是因为，副栅线越细，遮光面积越小；而栅线越矮，种子层电极栅线与硅的接触电阻越小、在栅线的高度方向的电阻也越小，同时预留给后续电镀银的高度空间增加，此时，电极栅线的体积电阻主要由电镀银的性质决定，从这个意义上讲，并不要求正面种子层银浆烧结后得到的种子层电极栅线的电阻率很低，种子层电极栅线只需要能提供载流子的导电通路即可， 而电池片正面的电极栅线的体积电阻的减少主要是依靠较厚的电镀银层来实现的。优选情况下，所述丝网印刷可采用360目、线宽为30 u m、线径为16 u m、膜厚为5pm的丝网进行，但不局限于此。本发明中，丝网印刷时种子层浆料的印刷用量可根据电池片的尺寸进行适当选择。优选情况下，印刷种子层浆料时的印刷湿重为80-90mg。
[0026]根据本发明提供的制备方法，印刷正面种子层银浆后，即可将硅片整体送入隧道炉中进行烘干烧结。烧结时的预热温度为30(T500°C，峰值温度为90(T920°C，整个过隧道炉的时间为lmin40s~2minl0s,峰值烧结时间为2~4s。
[0027]光诱导电镀银的工艺为本领域技术人员所公知，此处不再赘述。优选情况下，光诱导电镀银所采用的电解液的温度为35±2°C，镀银量为4(T50mg。电镀完成出槽后，整体采用热风吹干，即得到本发明提供的晶体硅太阳电池。
[0028]因此，本发明最后提供了一种晶体硅太阳电池，所述晶体硅太阳电池由本发明提供的制备方法制备得到。
[0029]采用本发明提供的正面种子层银浆以及制备方法，制备晶体硅太阳电池，不需要额外的设备和工艺步骤，扩散、腐蚀、金属化工艺与传统电池的制作工艺完全相同。采用本发明提供的正面种子层银浆印刷后得到的电极栅线细密，烧结后与硅片附着力优良，电镀后焊接性能好，串阻低，电池片的光电转换效率明显得到提高。
[0030]以下结合实施例将对本发明做进一步的说明。实施例及对比例中所采用原料均通过商购得到，本发明没有特殊限定。
[0031]实施例1
(1)玻璃粉的制备
称取 72wt% 的 Bi2O3,10wt% 的 SiO2,10wt% 的 Zn0,6wt% 的 TiO2 和 2wt% 的 NaNO3,采用V型混合机将各组成玻璃粉的原料粉体混合均匀，转入刚玉坩埚中并置于硅碳棒炉中，升温至550°C，保温0.5h，再升温至1000°C，保温lh，水淬过滤得到玻璃珠；然后将玻璃珠装入球磨罐，按质量比氧化锆球:玻璃珠:去离子水=4:1:0.7，罐速300转/分钟，先湿磨6.5h，过滤后烘干，再干磨0.5h，干磨时氧化锆球与玻璃粉的质量比为1:2，得到所述玻璃粉，测得玻璃粉的中值粒径D5tl3为1.0 ii m，软化温度为480°C。
(2)有机载体的制备
称取85质量份的醇脂，12质量份的乙基纤维素和3质量份的改性氢化蓖麻油，将三种组分混合，在60°C水浴锅中进行搅拌，分散均匀，即得所需有机载体。
(3)正面种子层银浆SI的制备
取步骤(1)制得的玻璃粉7重量份加入到步骤(2)配制的30重量份的有机载体中，混合均匀，然后分3批次加入62重量份椭球形银粉(中粒径D5tl2为1.0 y m，比表面积为1.2m2/g，振实密度为4.8g/cm3),每次加入后先搅匀，再加下一次；全部加完后，高速搅匀；最后加A I重量份造孔剂碳酸铵(中粒径D5tl1为3.0 y m，并搅拌均匀。采用三辊研磨机上进行研磨至浆料细度< 5 ym，得到本实施例的正面种子层银浆，记为SI。
[0032]实施例2
采用与实施例1相同的步骤制得正面种子层银浆S2，不同之处仅在于:
步骤(3)中，碳酸铵的用量为5重量份，银粉用量为58重量份；
通过上述步骤，得到的本实施例的正面种子层银浆S2。
[0033]实施例3
采用与实施例1相同的步骤制得正面种子层银浆S3，不同之处仅在于:
步骤(3)中，采用硝酸铵作为造孔剂替代实施例1中的碳酸铵；
通过上述步骤，得到 的本实施例的正面种子层银浆S3。
[0034]实施例4
采用与实施例1相同的步骤制得正面种子层银浆S4，不同之处仅在于:
步骤(3)中，造孔剂为:0.5重量份碳酸铵和0.5重量份氯化铵；
通过上述步骤，得到的本实施例的正面种子层银浆S4。
[0035]实施例5
采用与实施例1相同的步骤制得正面种子层银浆S5，不同之处仅在于:
步骤(3)中,造孔剂碳酸按的中粒径D5tl1为9.2 y m ;
通过上述步骤，得到的本实施例的正面种子层银浆S5。
[0036]实施例6
采用与实施例1相同的步骤制得正面种子层银浆S6，不同之处仅在于:
步骤(3)中,造孔剂碳酸按的中粒径D5tl1为14.7 u m ；
通过上述步骤，得到的本实施例的正面种子层银浆S6。
[0037]对比例I
采用与实施例1相同的步骤制得正面种子层银浆D1，不同之处仅在于:
步骤(3)中，银粉的用量为63重量份，不加入造孔剂碳酸铵；
通过上述步骤，得到的本实施例的正面种子层银浆D1。
[0038]对比例2
(1)采用与实施例1相同的步骤(1)制备玻璃粉。
(2)称取90质量份的醇脂，8质量份的乙基纤维素和2质量份的氢化蓖麻油，将三种组分混合，在60°C水浴锅中进行搅拌，分散均匀，即得所需有机载体。
(3)取步骤(1)制得的玻璃粉5.5重量份加入到步骤(2)配制的10重量份的有机载体中，混合均匀，然后分3批次加入84.5重量份椭球形银粉(中粒径D5tl2为1.0 y m，比表面积为1.2m2/g，振实密度为4.8g/cm3)，每次加入后先搅匀，再加下一次；全部加完后，高速搅匀；最后采用三辊研磨机上进行研磨至浆料细度< 5i!m，得到本对比例的正面种子层银浆，记为D2。
[0039]对比例3
采用杜邦70A型正面银浆作为本对比例的正面种子层银浆，记为D3。
[0040]实施例7
多晶硅片规格:156 X 156mm，厚度为200 iim (腐蚀前)，印刷前厚度为180 y m。先采用200目的丝网印刷背面银导电浆料(杜邦PV505，三线八段制，印刷湿重为0.035^0.050g),烘干，再采用丝网目数为280目的丝网印刷背场铝浆料(硕禾108C，印刷湿重为1.r1.6g)，烘干，烘干温度均为150°C，烘干时间为5分钟。然后采用360目、线宽为30i!m、线径为16um、膜厚为5iim的丝网将实施例1制得的正面种子层银浆SI印刷在硅片的向光面上，印刷湿重为85mg，入隧道炉中烘干烧结，隧道炉内分九个区，各区温度依次为300°C，350 °C，400 °C，530 V，570 V，630 V，690 V，855 V，910°C，整个过隧道炉的时间为 2min，910°C下烧结时间为2.5秒，烧结完成后形成种子层电极栅线。再采用光诱导电镀银工艺在种子层电极栅线上进行光诱导电镀银，电解液温度为35°C，镀银量为45mg。电镀后出槽，将电池整体采用热风吹干，得到本实施例的晶体硅太阳电池，记为S’ I。
[0041]实施例8-12
采用与实施例7相同 的步骤制备晶体硅太阳电池S’ 2-S’ 6，不同之处在于:分别采用正面种子层银浆S2-S6取代实施例7中的SI。
[0042]对比例4-6
采用与实施例7相同的步骤制备晶体硅太阳电池D’ 1-D’ 3，不同之处在于:分别采用正面种子层银浆D1-D3取代实施例7中的SI。
将上述所得的S1-S6、D1-D3导电浆料在生产线试用，使用156mmX 156mm的多晶硅电池片进行印刷。先在硅片背面印刷背电极，烘干后印刷背场铝浆，然后在电池片采用360目、线宽为30pm、线径为16i!m、膜厚为5pm的网版，将本发明正面种子银导电浆料印刷在硅片的向光面上，印刷湿重为80、0 mg，放入烧结炉进行烘干烧结，烧结工艺为:烧结气氛是空气，一区到九区的烧结温度分别为300°C，350°C，400°C，530°C，570°C，630°C，690°C，855°C，910°C，整个过隧道炉的时间为2分左右，得到印刷有本发明种子层银浆的电极栅线，然后再采用光诱导电镀银工艺电镀银，电解液温度控制在为35±2°C，镀银量控制在4(T50mg，出槽后将电池片采用热风吹干，即得成品电池片。实施例S1-S6、D1-D3得到相应的电池片分别记为S’ 1-S’ 6及DS’ 1- DS’ 3。
[0043]本发明采用200片电池进行试验，测得的数据取平均值。
[0044]性能测试
本发明采用200片电池进行试验，测得的数据取平均值。
[0045](I)表面状况:米用3、倍放大镜观察各电池的正面电极表面状况,若表面光滑、有无积点、断线或孔洞现象，记为0K，否则记为NG。
[0046](2)焊接强度:选用上海胜陌2mmX0.2mm锡铅焊带，用汉高X32-10I型助焊剂浸泡后烘干，然后在330°C对电极主栅线进行手工焊接。待自然冷却后，使用山度SH-100推拉力计沿135°方向对焊带剥离测试，测其平均剥离力，单位为N/mm。
[0047](3)串联电阻、填充因子、光电转化效率:采用单次闪光模拟测试仪器对各电池进行测试得到。测试条件为标准测试条件(STC):光强:1000W/m2 ;光谱:AM1.5 ;温度:25°C。以上测试重复200次，记录其平均值。
[0048]测试结果如表1所示。
[0049]
[0050]从表中S’ 1-S’ 6与D’ 1-D’ 3测试结果可以看出，采用本发明提供的正面种子层银浆和制备方法制备得到得到晶体硅太阳电池，向光面电极栅线外观良好，与光伏焊带的焊接强度高，电极线的串联电阻降低，尤其是电池的填充因子有显著增加，光电转换效率也得到明显提高。DS’ 2中电极栅线出现断线现象。
[0051]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
[0052]
表1
【权利要求】
1.一种晶体硅太阳电池的正面种子层银浆，其特征在于，所述正面种子层银浆中含有银粉、玻璃粉、有机载体和造孔剂；所述造孔剂选自碳酸铵、碳酸氢铵、硝酸铵、氯化铵的一种或多种，所述造孔剂的中粒径D5tl1为1.(Tl5Mffl。
2.根据权利要求1所述的正面种子层银浆，其特征在于，以所述正面种子层银浆的总质量为基准，其中银粉的含量为50-70wt%，玻璃粉的含量为2-10wt%，有机载体的含量为20-40wt%，造孔剂的含量为0.5-5wt%。
3.根据权利要求1或2所述的正面种子层银浆，其特征在于，所述造孔剂的中粒径D5tl1为 3.0~10Mm。
4.根据权利要求1所述的正面种子层银浆，其特征在于，所述银粉为类球形银粉，其中粒径D5tl2为0.2~2.0um,比表面积为1.0~3.0m2/g,振实密度为4.0~5.0g/cm3。
5.根据权利要求1所述的正面种子层银浆，其特征在于，所述玻璃粉的原料组成为:60~80wt% 的 Bi2O3,8~15wt% 的 SiO2, 5~15wt% 的 ZnO，5~10wt% 的 TiO2 以及 I~5wt% 的 NaN03。
6.根据权利要求1或5所述的正面种子层银浆，其特征在于，所述玻璃粉的中粒径D5tl3为0.1~1.0um,软化温度为450^5000C。
7.根据权利要求1所述的正面种子层银浆，其特征在于，所述有机载体的组成为:70^90wt%的有机溶剂，5.0^20wt%的增稠剂和0.5~5.0wt%的助剂；其中，所述有机溶剂选自醇酯、松油醇、邻苯二甲酸二丁酯、丁基卡必醇、松节油、丁基卡必醇醋酸酯、乙二醇丁醚、乙二醇乙醚醋酸酯中的一种或多种，所述增稠剂选自乙基纤维素、硝化纤维素、醇酸树脂、酚醛树脂类粘结剂中的一种或多种，所述助剂选自聚酰胺粉末、改性氢化蓖麻油、十六醇、十八醇中的一种或多种。
8.权利要求1所述的晶体硅太阳电池的正面种子层银浆的制备方法，其特征在于，包括将无机玻璃粉先分散于有机载体中，然后分批加入银粉，最后加入造孔剂，研磨至浆料细度小于5 u m后得到所述晶体硅太阳电池的正面种子层银浆。
9.一种晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤:先在硅片背面依次印刷背面银导电浆料和背场铝浆料，烘干后在硅片正面印刷权利要求1-7任一项所述的正面种子层银浆，入隧道炉烘干并烧结后在硅片正面形成种子层电极栅线，然后在种子层电极栅线表面进行光诱导电镀银，得到所述晶体硅太阳电池。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，印刷种子层浆料的方法为丝网印刷，印刷湿重为80-90mg ;烧结峰值温度为90(T920°C，整个过隧道炉的时间为lmin40s~2minl0s,峰值温度下烧结时间为2~4s。
11.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，光诱导电镀银所采用的电解液的温度为35±2°C，镀银量为4(T50mg。
12.—种晶体硅太阳电池，其特征在于，所述晶体硅太阳电池由权利要求9-11任一项所述的制备方法制备得到。
【文档编号】H01L31/0224GK103680674SQ201210363234
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2012年9月26日 优先权日:2012年9月26日
【发明者】符燕青, 谭伟华, 廖辉, 管玉龙, 黎飞云 申请人:上海比亚迪有限公司